DE1489031B1

DE1489031B1 - Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE1489031B1
Application number: DE19641489031
Authority: DE
Inventors: Yu Hwa Nien
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1963-11-08
Filing date: 1964-11-05
Publication date: 1972-01-05
Also published as: US3312881A; GB1026019A; FR1413586A; BE723626A

Description

3 4

promiß zwischen verschiedenen Parametern getroffen Bereichs der Kollektor-Basis-PN-Übergangsfläche, werden muß, die zum Teil entgegengesetzte Wirkungen innerhalb desselben die von der Emitterschicht in charakterisieren und daß als Gütefaktor das Produkt die Basisschicht injizierten Ladungsträger den Kollekaus Frequenz und dem Quadrat der Bandweite ge- tor-Basis-PN-Übergang erreichen, sich eine eigeneignet ist. Die genannte Arbeit zeigt auch eine kreis- 5 leitende Halbleiterschicht zwischen der Kollektorsymmetrische Transistorstruktur, bei deren Betrieb und der Basisschicht befindet, und daß die Kollektordie Ladungsträgerverarmungsschicht ausgenutzt wird, Basis-PN-Übergangsfläche in dem Bereich, in dem welche in einer zwischen Kollektor- und Basisschicht die Kollektorschicht unmittelbar an die Basisschicht eingefügten eigenleitenden Schicht entsteht. Bei dieser grenzt, in Richtung auf die Emitter-Basis-PN-Über-PNIP-Transistorstruktur sind jedoch die Emitter- io gangsfläche hin. von dem übrigen Bereich der Kollek- und Kollektorschicht durch Einlegierung von Indium tor-Basis-PN-Übergangsfläche abgesetzt ist.
in ein N-leitendes Ausgangshalbleiterplättchen erzeugt, Bei dem Transistor nach der Erfindung wird demes handelt sich daher, anders als beim Gegenstand nach sowohl die Kollektorkapazität als auch der der vorliegenden Erfindung, um einen Legierungs- Basiswiderstand unter Wahrung eines hohen Gütetransistor mit allen bereits oben erwähnten Nachteilen. 15 faktors durch eine zusätzliche Schicht eines eigen-Wie aus einer Arbeit von R. C. Pritchard leitenden Materials zwischen Basis- und Kollektormit dem Titel: »Überblick über moderne Typen von schicht des Transistors herabgesetzt, die einen Großteil Flächentransistoren«, erschienen auf den Seiten 46 der Basisschicht von der Kollektorschicht trennt bis 49 der Zeitschrift »Electronics«, Bd. 35 (1962), und dadurch vermeidet, daß dieser Teil zur Kollektor-Nr. 33 (17 Aug.) ersichtlich, sind auch bereits diffun- 20 kapazität beiträgt. Auch wird die PN-Übergangsdierte Flächentransistoren mit zusätzlich eingefügter fläche des Kollektor-Basis-PN-Überganges hinsichteigenleitender Schicht, insbesondere auch solche vom lieh der Kollektorkapazität auf ein wünschenswertes Mesatyp, mit nicht gleichförmiger Basisschicht be- Minimum begrenzt, ohne dabei diejenigen Teile der kannt. PN-Übergangsfläche des Kollektor-Basis-PN-Über-Bei den konventionellen Mesa- oder Planartran- 25 gangs zu beeinträchtigen, welche zum Übergang der sistoren, wie sie vorgehend erwähnt wurden, ist jedoch durch das Basisgebiet hindurch zu dem Kollektordie Kollektor-Basissperrschicht relativ großflächig Basis-PN-Übergang diffundierenden Ladungsträger infolge der Schichtenanordnung bei diesen Transi- beitragen.

stören, auch dann, wenn die Gesamtabmessungen Eine derartige Transistorgeometrie, bei der durch der Transistoren sehr klein sind. 30 Einfügung der zusätzlichen eigenleitenden Schicht Der effektive Basiswiderstand /7, innerhalb der der Anteil der zum Kollektor-Basis-PN-Übergang Ersatzschaltung setzt sich praktisch zusammen aus gelangenden Ladungsträger festgelegt wird, besitzt den verteilten Flächenwiderständen der Basisschicht, den erheblichen Vorteil, daß diejenigen Teile der welche sich im einzelnen von dem Anschlußpunkt Kollektor-Basis-Sperrschicht, an denen kein wesentder Basiselektrode zu allen anderen Punkten der 35 licher Ladungsträgerübergang zu der Kollektorschicht Basisschicht selbst erstrecken. Wie schon erwähnt, zustande kommt, in fast jeder beliebigen Form ausmuß zur Reduzierung der Übergangszeit der Ladungs- gebildet werden kann, ohne daß hierdurch eine wesentträger die Basisschicht extrem dünn gemacht werden, liehe Erhöhung der Kollektorkapazität in Kauf ge- und dies erreicht man zunächst grundsätzlich dadurch, nommen werden müßte, wie es bei den herkömmlichen daß die Basisschicht durch Diffusion hergestellt wird. 40 Transistorgeometrien der Fall ist.
Aus der dünnen Basisschicht folgt aber im allgemeinen Ausführungsbeispiele der Erfindung werden unter ein Anwachsen des Wertes r&. Bei den bisher bekannten Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert, Mesa- oder Planartransistoren wurde das Problem in diesen bedeutet

der Reduzierung des Basiswiderstandes dadurch ge- F i g. 1 eine perspektivische Ansicht eines konven-

löst, daß die effektive Fläche zur Anbringung des 45 tionellen dem Stand der Technik entsprechenden

Basiskontakts verhältnismäßig groß gehalten wurde. PNP-Planartransistors,

Die Ausführung einer solch relativ großen Basis- F i g. 2 eine Querschnittsdarstellung mit perspek-

kontaktschicht trägt einen wesentlichen Anteil dazu tivisch dargestellter Oberfläche eines Planartransistors

bei, den Gesamtbasiswiderstand klein zu machen. nach der Erfindung,

Die Schwierigkeit, die sich aber bei diesem Vorgehen 50 F i g. 3 eine Querschnittsdarstellung eines einem

ergibt, besteht darin, daß sich eine weitere Vergröße- anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ent-

rung der ohnehin schon großflächigen Kollektor- sprechenden Mesatransistors,

Basissperrschicht ergibt, mit einer entsprechenden F i g. 4A bis 4F eine Darstellung des Querschnitts Vergrößerung der Kollektorkapazität, welche ihrer- von PNP-Planartransistoren nach der Erfindung in seits wieder eine Verkleinerung des Gütefaktors des 55 verschiedenen Herstellungsphasen und
Transistors, besonders bei hohen Arbeitsfrequenzen, Fig. 5A und 5B Diagramme zur Erläuterung bewirkt. des Zusammenhangs zwischen dem Abstand des PN-Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen bzw. des PI-Übergangs von der Halbleiterkörper-Transistoraufbau mit möglichst kleinem Basiswider- oberfläche und dem Verlauf der Dotierungskonzenstand anzugeben, der gleichzeitig auch ausreichend 60 tration.

kleine Kollektorkapazitäten einzuhalten gestattet, so F i g. 1 zeigt einen üblichen NPN-Flächentransistor daß ein günstiger Gütefaktor realisierbar ist. nach dem bekannten Stand der Technik. Der die Diese Aufgabe wird durch eine Transistorausbildung Bezugsziffer 1 tragende Transistor wird dadurch hernach der Erfindung gelöst, die darin besteht, daß nur gestellt, daß eine Dotierungssubstanz des entgegenaußerhalb des der Emitter-Basis-PN-Übergangsfläche 65 gesetzten Leitungstyps in einem maskierten Bereich in Richtung der Schichtenfolge gegenüberliegenden auf einer Oberfläche eines Halbleiterplättchens 2 ein- und angenähert die gleiche Flächenausdehnung wie diffundiert wird. So wurde z. B. eine P-leitende Schicht 3 die Emitter-Basis-PN-Übergangsfläche aufweisenden durch Eindiffusion eines P-Leitfähigkeit erzeugenden

5 6

Dotierstoffes in das N-leitende Halbleiterplättchen 2 um einen möglichst niedrigen Basiswiderstand zu zur Bildung des PN-Übergangs 4 zwischen Kollek- gewährleisten. Der Emitterkontakt 15 ist eine kleine tor- und Basisschicht erstellt. Dies läßt sich selbst- Kreisscheibe innerhalb des ringförmigen Basiskonverständlich gleichzeitig bei einer Vielzahl von Einzel- takts 14.

transistoren durchführen. Hierbei wird die Diffusion 5 In F i g. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel in einer Anzahl von einzelnen Bereichen auf der vor- der Erfindung in Form eines Mesatransistors dargenannten Oberfläche des Halbleiterplättchens 2 aus- gestellt. In der herkömmlichen Ausführung wird die geführt, um die gewünschte Anzahl von getrennten Mesa-Konfiguration dadurch erzeugt, daß zunächst Kollektor-Basis-PN-Übergängen zu erzeugen. Nach ein ausgedehnter PN-Übergang innerhalb des Halbdiesem ersten Diffusionsschritt wird in einem zweiten io leiterkörpers erzeugt wird und dann Einzel-PN-Über-Diffusionsschritt die Emitterschicht gebildet. Der gänge für einzelne Transistoren durch einen Ätzentsprechende Dotierungsstoff wird in einen be- Vorgang gebildet werden, wodurch sich mesaartige grenzten Teil der P-leitenden Basisschicht 3 eindiffun- Erhöhungen oberhalb des Halbleiterplättchens erdiert, um einen Teil dieser Schicht in den N-Leitungs- geben. Wie schon in F i g. 1 gezeigt ist, und es auch typ umzuwandeln und so die Emitterschicht 5 zu 15 aus der Querschnittsdarstellung der F i g. 3 hervorbilden, die zusammen mit der Basisschicht 3 den geht, werden Basis- und Emitterzuführungen zu den Emitter-Basis-PN-Übergang 6 bildet. Auf der Ober- entsprechenden Schichten hergestellt. Wie bei dem seite werden als ohmsche Kontakte die Basis- und Ausführungsbeispiel von F i g. 2 ist auch in dem Emitterstreifen 7 und 8 angebracht. Dann wird der Ausführungsbeispiel nach der F i g. 3 die zwischenohmsche Kontakt 9 zur Kollektorschicht 10 herge- 20 geschaltete eigenleitende Schicht gezeichnet, die den stellt, die dem Halbleiterplättchen 2 mit der Ursprung- Zweck hat, denjenigen Teil der Kollektor-Basislichen N-Leitfähigkeit entspricht. Zur Einfügung des Sperrschicht abzuschirmen, der nicht wesentlich zur Transistors in eine Schaltung werden elektrische Trägerkollektion beiträgt.

Zuführungen an den ohmschen Kontakten 7, 8 und 9 Nachstehend wird ein Herstellungsverfahren für

angebracht. 25 den in F i g. 2 gezeigten NPN-Flächentransistor er-

Zum herkömmlichen Betrieb des Transistors nach läutert. Obwohl eine Planarstruktur erörtert wird, F i g. 1 werden Betriebsspannungen über die Zu- kann aber auch eine Mesastruktur, wie sie in F i g. 3 führungen an die Kontakte 7, 8 und 9 angelegt. Hier- gezeigt ist, durch eine entsprechende Abwandlung durch erfolgt eine Injektion von Minoritätsträgern hergestellt werden. Außerdem betrifft die nachstehende aus der Emitterschicht 5 in die Basisschicht 3, die 30 Beschreibung zwar einenNPN-Transistor, aberebensobekanntlich hinüber zum Kollektor-Basis-PN-Über- gut läßt sich auch ein Transistor der entgegengesetzten gang 4 diffundieren. Ein Ladungsträgerübergang findet Schichtenfolge, d. h. ein PNP-Transistor, herstellen, in bedeutendem Ausmaß nur in dem Teil Aa des indem von einem Halbleiterplättchen des entgegen-Kollektor-Basis-PN-Übergangs statt, der in F i g. 1 gesetzten Leitungstyps ausgegangen wird und die durch Pfeile angedeutet ist. Obwohl die Gesamt- 35 Verfahrensschritte so abgeändert werden, daß zu den ausdehnung der PN-Übergangsfläche zur Kollektor- entsprechenden Diffusionsschritten Dotierstoffe bekapazität beiträgt, ist zur Kollektion von Ladungs- nutzt werden, die jeweils zum entgegengesetzten Leitträgern nur etwa ein Drittel der PN-Übergangsfläche fähigkeitstyp führen,
wirksam. Das Ausgangsmaterial für den NPN-Flächen-

In F i g. 2 ist der gegenüber dem bekannten Flächen- 40 transistor ist ein Halbleiterplättchen 16 des Leitungstransistor von F i g. 1 verbesserte Transistoraufbau typs N+, das etwa 1 · 10~² bis 1,3 · 10~² cm stark dargestellt. Wie F i g. 2 zeigt, wird eine Schicht ist (F i g. 4A). Dieses Halbleiterplättchen wird geaus eigenleitendem Material 11 innerhalb des Halb- läppt, geätzt und poliert. Danach wird entsprechend leiterkörpers angeordnet, um den Hauptteil derjenigen F i g. 4 B eine eigenleitende Schicht 17 von etwa 1 bis PN-Übergangsfläche abzuschirmen, der gewöhnlich 45 5 μ Stärke epitaktisch auf das N+-leitende HaIbdurch das Aneinandergrenzen von Basis- und Kollek- leiterplättchen 16 aufgebracht. Die Bezeichnung N+ torschicht über deren gesamte Ausdehnung hinweg wird für eine N-Leitfähigkeit verwendet, die infolge definiert ist und der dann voll zur Kollektorkapazität, einer Dotierungskonzentration von etwa 10¹⁷ Atomen/ aber nur wenig zur Ladungsträgerkollektion, beiträgt. cm³ oder darüber extrem hoch ist. Wird z. B. Silizium Der Kollektor-Basis-PN-Übergang 12 ist also gerade 50 als Halbleitermaterial gewählt, erhält man das N+- auf den Bereich begrenzt, in dem die Trägerkollektion leitende Siliziumplättchen durch Dotieren mit einem in größerem Ausmaß stattfindet. Die genaue Ab- Dotierstoff, z. B. mit Phosphor,
grenzung geschieht derart, daß die PN-Übergangs- Das Aufwachsen der eigenleitenden Schicht 17 erfläche 12 in gerader Linie mit der Emitter-Basis- folgt durch Aufdampfen. Dabei wird ein Halogenid-PN-Übergangsfläche 13 fluchtet, sofern von einer auf 55 Disproportionierungs- bzw. ein pyrolytischer Prozeß beiden Seiten etwa zu gleichen Teilen geringfügigen verwendet.
Überlappung abgesehen wird. In der Darstellung von Fig. 4 C wurde ein Teil

Mit dem Zwischenschalten der zusätzlichen Schicht der Schicht 17 aus eigenleitendem Material mit einem 11 aus eigenleitendem Material ist der Ladungsträger- Maskenmaterial 18 abgedeckt, und durch einen Diffukollektionsteil festgelegt, aber die Anordnung der 60 sionsvorgang wird bewirkt, daß ein N-Leitung erSchichten im übrigen, einschließlich der Kontaktie- zeugender Dotierungsstoff, z. B. Phosphor, an den rung, kann nunmehr fast jede beliebige Form an- Stellen in und durch die eigenleitende Schicht 17 dringt, nehmen, ohne daß hierdurch eine wesentliche Er- an denen kein Maskenmaterial vorhanden ist, so daß höhung der Kapazität in Kauf genommen werden die diffundierten N-leitenden Teile mit dem N+- müßte, wie es bei den herkömmlichen Transistor- 65 leitenden Halbleiterplättchen zusammenhängen. Als geometrien der Fall wäre. Maskenmaterial kann z. B. Siliziumoxyd verwendet

Bei dem in F i g. 2 dargestellten Transistor wird werden, das in bekannter Weise durch Oxydierung

ein Ringkontakt 14 an der Basisschicht verwendet, der Siliziumoberfläche und durch einen Ätzvorgang

mit Hilfe von an bestimmten Stellen angeordneten Maskenfenstern auf der eigenleitenden Schicht gebildet werden kann.

Das ursprünglich auf die Oberfläche aufgebrachte Maskenmaterial wird nun durch Ätzen entfernt, und es wird erneut Maskenmaterial für die Diffusion der Basisschieht aufgebracht, wie es F i g. 4D zeigt. Dm, geschieht unter Verwendung eines P-Leitfähigkeit erzeugenden Dotierungsstoffes, wie z. B. Bor. Selbstverständlich findet auch eine gewisse Eindiffusion der P-leitenden Verunreinigung in die entgegengesetzte Oberfläche des Hai blei terplättchens statt, wodurch »ich innerhalb einer bestimmten Schichtdicke eine Umkehrung des Leitfähigkeitstvps ergibt, aber diese Schicht läßt sich leicht durch Läppen beseitigen. Aus F i g. 4D ist ersichtlich, daß der mittlere Teil. d. h. der eigentliche PN-Übergang etwas gegenüber der eigenleitenden Schicht vorspringt. Der Grund dafür läßt sich an Hand von Fig. 5A und 5B erkennen. In Fig. 5A ist die Dotierstoffverteilung innerhalb des Halbleiterplättchens graphisch dargestellt. Die Dotierstoffkonzentration ist dargestellt in Abhängigkeit von der Tiefe, bis zu welcher die Diffusion von einer Oberfläche aus in das Halbleiterplättchen hinein stattrindet. Die infolge von Diffusionsvorgängen zustande kommende Dotierstoffverteilung erreicht ohne Rücksicht auf die bereits zu Beginn der Diffusion vorliegende Aussancskonzentration das «leiche Profil innerhalb des Halbleiterplättchens, d. h.. das Eindringen von Dotierstoffen' von der Oberfläche aus in Halbleiterplättchen hinein ist gleichbleibend, wenn es unter gleichen Bedingungen stattfindet. Es können jedoch verschiedene PN-Cbergangstiefen durch verschiedene Ausgangskonzentrationen bedingt sein. Obwohl also die Dift'usionsfront für die P-Ieitende Verunreinigung in den drei Bereichen gleich ist. d. h. für die beiden äußeren eigenleitenden Bereiche, die

ίο schwach N-leitend sind, und den mittleren Bereich, der stark N-leitend ist. besitzen die Punkte gleicher Konzentration der P- und N-Dotierstoffe in den beiden eigenleitenden Bereichen einen anderen Abstand von der Halbleiteroberfläche, als dies im N-leitenden Bereich der Fall ist. Daher ist der Abstand des Nl-Cbergangs X₁₁ in den eigenleitenden Bereichen größer als der Abstand Λ',-., des PN-Übergangs in dem N-leitenden Bereich. Dies ist der Grund dafür, daß in F i g. 5 B ein entsprechender Absatz im Sperrschichttiefenprofil vorhanden ist.

.fetzt wird entsprechend Fig. 4 E eine weitere Schicht aus einem .Viaskenmaterial auf die Oberfläche aufgebracht, worauf man eine N-leitende Emitterschicht durch die Verwendung einer N-Verunreinigung. wie z. B. Phosphor, erzeugt. Schließlich werden, wie Fig. 4 F zeigt, ohmsehe Kontaktmaterialien durch herkömmliches Maskieren und Aufdampfen auf die betreffenden Schichten aufgebracht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

COPY

Claims

1 2 Ein bedeutungsvoller Fortschritt der Transistor-Patentansprüche: herstellung z. B. gegenüber dem Legierungsverfahren, ergab sich durch die Anwendung yon Diffusions-

1. Transistor mit einem scheibenförmigen Halb- verfahren, welche es gestatten, PN-Übergänge nahe leiterkörper mit einer zwischen der Kollektor- 5 der Halbleiterkörperoberfläche durch Eindiffundieren und der Basisschicht befindlichen eigenleitenden von geeigneten Dotierungssubstanzen zu erzeugen.
Halbleiterschicht, dadurch gekennzeich- Das Diffusionsverfahren eröffnet die Möglichkeit, net, daß nur außerhalb des der Emitter-Basis- Übergänge mit definierten, reproduzierbaren Lagen PN-Übergangsfläche(13) inRichtungderSchichten- herzustellen, sowie kontrollierte Abstände zwischen folge gegenüberliegenden und angenähert die io den verschiedenen Übergängen innerhalb einer mehrgleiche Flächenausdehnung wie die Emitter-Basis- schichtigen Transistorstruktur einzuhalten,
PN-Übergangsfläche (13) aufweisenden Bereichs Die Tatsache, daß eine sehr dünne Basisschicht der Kollektor-Basis-PN-Übergangsfiäche (12), mit einer Dicke in der Größenordnung einiger μ innerhalb desselben die von der Emitterschicht innerhalb eines Transistors mittels derartiger Diffu-(22) in die Basisschicht (23) injizierten Ladungs- 15 sionsverfahren hergestellt werden kann, führt zu einer träger den Kollektor-Basis-PN-Übergang (12) er- Grenzfrequenz λ in der Gegend von 500 MHz und reichen, sich eine eigenleitende Halbleiterschicht darüber. In einem Transistor dieses Typs wird diese (11) zwischen der Kollektor- und der Basisschicht hohe Grenzfrequenz dadurch erreicht, daß die Dicken-(20,21) befindet, und daß die Kollektor-Basis- abmessung der Basisschicht ohne gleichzeitige Be-PN-Übergangsfläche (12) in dem Bereich, in dem 20 einträchtigung des Produktes aus Verstärkung und die Kollektorschicht (24) unmittelbar an die Basis- Bandweite verringert wird. Da jedoch die durch schicht (23) grenzt, in Richtung auf die Emitter- Diffusion bewirkte Verteilung der Dotiersubstanzen Basis-PN-Übergangsfiäche (13) hin von dem übri- über das Gebiet der Basisschicht nicht gleichförmig gen Bereich der Kollektor-Basis-PN-Übergangs- erfolgt, so ergibt sich ein inneres elektrisches Feld, fläche abgesetzt ist. 25 welches sich über die Basisschicht erstreckt und dazu

2. Transistor nach dem Anspruch 1, dadurch beiträgt, die Minoritätsladungsträger über die Sperrgekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus schicht zu befördern, was die Übergangszeit verkürzt. Silizium besteht und eine mit Phosphor dotierte Die genannten Vorteile der Transistorherstellung η-leitende Kollektorschicht sowie eine mit Bor mittels der Diffusionstechnik umfassen auch die sodotierte p-leitende Basisschicht aufweist. 30 genannte Mesa- oder Planartransistortechnik, welche

3. Verfahren zum Herstellen eines Transistors in der Literatur weitgehend dargestellt ist.

nach dem Anspruch 1, bei dem auf eine die Kollek- Obwohl es bei der Herstellung von schnell arbeiten-

torschicht bildende Halbleiterschicht eine eigen- den Transistoren von Wichtigkeit ist, eine extrem leitende epitaktische Halbleiterschicht aufgebracht hohe Grenzfrequenz zu erreichen, so ist es doch und nach Eindiffusion der Basisschicht in die 35 ebenfalls von Wichtigkeit, gleichzeitig einen hohen epitaktische Halbleiterschicht innerhalb der Basis- Wert für das Verstärkungsbandweiteprodukt zu erschicht die Emitterschicht eindiffundiert wird, halten. Diese Größe G ist ein auf dem Gebiet der dadurch gekennzeichnet, daß vor der Eindiffusion Transistortechnik bekannter Gütefaktor, der gegeben der Basisschicht in der eigenleitenden epitaktischen ist durch den Ausdruck
Halbleiterschicht (17) mindestens ein bis zur unter 40

ihr befindlichen Kollektorschicht reichendes Gebiet q _ ^χ2 .

des Leitungstyps der Kollektorschicht durch Mas- &π r^Cc '

kierung der Oberfläche des Halbleiterkörpers und

Eindiffusion von Dotierungsmaterial gebildet wird, wobei r_b der effektive Basiswiderstand und C_c die und daß nach Maskierung der Oberfläche des 45 Kollektorkapazität bedeutet. Demnach sind außer Halbleiterkörpers für die Eindiffusion der Basis- einer hohen Grenzfrequenz χ gleichzeitig möglichst schicht mit ein und derselben Eindiffusion von kleine Werte für r& und Cc anzustreben.
Dotierungsmaterial zur Erzeugung der Basisschicht Es ist bereits auf dem Gebiet der Halbleitertechnik

sowohl der Basis-Kollektor-PN-Übergang als auch bekannt, durch Einfügen einer eigenleitenden Schicht der Übergang zwischen der Basisschicht und der 50 in die Schichtenfolgen PNP oder NPN die Spannungseigenleitenden Halbleiterschicht gebildet wird. festigkeit des so erweiterten Transistors herauf- und

seine Kollektorkapazität herabzusetzen.
In der französischen Patentschrift 1 284 564 wird

z. B. eine lineare Transistorstruktur beschrieben, bei

55 der zwischen Kollektor- und Basisschicht eine eigenleitende Schicht eingefügt ist, die auch noch zusätzlich bezüglich ihrer an die Oberfläche tretenden Bereiche

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor mit eigenleitendem Halbleitermaterial abgeschirmt mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper mit einer sein kann. Die deutsche Auslegeschrift 1 035 787 zwischen der Kollektor- und der Basisschicht befind- 60 zeigt eine kreissymmetrische Transistorstruktur mit liehen eigenleitenden Halbleiterschicht. einer NIPN-Schichtenfolge.

Die Notwendigkeit, Transistoren bereitzustellen, In der Arbeit »PNIP- und NPIN-Flächentransi-

welche bis in den Gigahertzbereich arbeitsfähig sind, stören mit drei Elektroden« von J. M. Early, insbesondere für den Gebrauch innerhalb von Daten- veröffentlicht in »The Bell System Technical Journal«, Verarbeitungsanlagen, führte zu einem intensiven 65 Bd. 33, Nr. 3 (1954), S. 517 bis 533, wird bereits Studium der Verbesserungsmöglichkeiten für diejeni- darauf hingewiesen, daß eine Erniedrigung der Kollekgen Parameter, welche die Erreichung einer hohen torkapazität allein noch nicht ausreicht, eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit ermöglichen. Transistorgüte zu erzielen, daß vielmehr ein Korn-