DE10044838A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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Abstract

Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung vorgeschlagen mit einem Substrat und einer darauf befindlichen Epitaxieschicht, in der wenigstens ein erstes und ein zweites bipolares Bauelement integriert sind, wobei das erste und das zweite bipolare Bauelement eine vergrabene Schicht und unterschiedliche Kollektorweiten aufweisen. Die vergrabene Schicht des zweiten Bauelementes weist eine größere Schichtdicke als die des ersten Bauelementes auf, wobei genau eine Epitaxieschicht vorgesehen ist. Die hierdurch entstehenden unterschiedlichen Kollektorweiten werden durch die Ausdiffusion des Dotierstoffes der vergrabenen Schichten durch andere Stoffe beeinflußt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat und einer darauf befindlichen Epitaxieschicht, in der wenigstens ein erstes und ein zweites bipolares Bauele­ ment integriert sind, wobei das erste und das zweite Bauele­ ment eine vergrabene Schicht und unterschiedliche Kollektor­ weiten aufweisen.
Es ist bei Bipolartransistoren üblich, den Kollektor durch eine vergrabene, hochdotierte Schicht, eine sogenannte Buried Layer, anzuschließen. Die Buried Layer wird dadurch erzeugt, daß das Substrat vor dem Aufbringen der Epitaxieschicht an der gewünschten Stelle eine Ionen-Implantation erfährt. An­ schließend wird die niedrig dotierte Epitaxieschicht aufge­ bracht. Auf der an die erste Hauptseite des Halbleiterbauele­ mentes reichenden Seite der Epitaxieschicht werden anschlie­ ßend die Basis-, Emitter- und Kollektorwannen erzeugt. Eine mögliche Prozeßfolge bei der Herstellung eines Bipolartransi­ stors ist beispielsweise in dem Lehrbuch "Technologie hochin­ tegrierter Schaltungen" von D. Widmann, H. Mader, H. Fried­ rich, Springer Verlag, 2. Auflage, Tabelle 8.13 (Seite 326 bis Seite 334) beschrieben.
Als Kollektorweite wird derjenige Bereich der Epitaxieschicht bezeichnet, die zwischen der in der Epitaxieschicht gelegenen Wanne der Basis und der vergrabenen Schicht gelegen ist. Die Kollektorweite bestimmt sich folglich durch die Schichtdicke der Epitaxieschicht, abzüglich des Teiles der Buried Layer, die in die Epitaxieschicht reicht und abzüglich der Tiefe der Wanne der Basisschicht, die von der ersten Hauptseite her eingebracht ist.
Die Dimensionierung der Kollektorweite bestimmt die Eigen­ schaften des Bipolartransistors. Bipolartransistoren, die auf hohe Grenzfrequenzen optimiert werden sollen, müssen eine kleine Kollektorweite und eine erhöhte Dotierung im Kollektor aufweisen. Diese Bipolartransistoren werden als sogenannte HF-Bipolartransistoren bezeichnet. Hochvolt-Transistoren (HV- Bipolartransistoren), die auf hohe Durchbruchspannungen hin optimiert sind, weisen hingegen eine große Kollektorweite auf, da bei maximaler Betriebsspannung die Raumladungszone die Buried Layer nicht erreichen darf. Die typische Kollek­ torweite eines derartigen Bipolartransistors beträgt zirka 450 mm, für eine Betriebsspannung von ca. 5 V. Üblicherweise bildet bei einem HV-Bipolartransistor die Epitaxieschicht den Kollektor. Die Kollektordotierung entspricht somit der Dotie­ rung der Epitaxieschicht, überlicherweise 1016.
In vielen integrierten Schaltungen werden sowohl Bipolartran­ sistoren mit einer hohen Grenzfrequenz als auch Bipolartran­ sistoren mit einer hohen Durchbruchspannung benötigt. Auf­ grund der bisher bekannten Herstellungsverfahren muß bei der Integration von Bipolartransistoren mit unterschiedlichen Grenzfrequenzen und Bipolartransistoren mit unterschiedlichen Durchbruchspannungen ein Kompromiß bezüglich der Eigenschaf­ ten gefunden werden. Hierdurch kann die Performance des Halb­ leiterbauelementes nicht optimal ausgenutzt werden.
Sollen jedoch bipolare Bauelemente mit unterschiedlichen Kol­ lektorweiten in einem Halbleiterbauelement zusammen inte­ griert werden, so bestehen bei der Herstellung derzeit zwei Möglichkeiten: Zum einen kann die Tiefe der Wanne in der Epi­ taxieschicht bei dem ersten und dem zweiten bipolaren Bauele­ ment unterschiedlich realisiert werden. Durch die erhöhte Ba­ sisweite reduziert sich hierdurch die Grenzfrequenz desjeni­ gen Bauelementes, dessen Wanne (Basis) tiefer in die Epita­ xieschicht reicht. Weiterhin ist die Verwendung einer zusätz­ lichen Maske zur Erzeugung der unterschiedlich tiefen Basis- Wannen notwendig.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Dicke der niedrig dotierten Epitaxieschicht bei dem ersten und dem zweiten Bau­ element unterschiedlich auszuführen. Die Herstellung einer zweiten Epitaxieschicht ist jedoch zum einen mit hohen Kosten verbunden, andererseits erhöht sich dadurch der Fertigungs­ aufwand erheblich.
Aufgrund des komplizierten Vorgehens und einer in der Regel identischen Epitaxieschicht, d. h. die Epitaxieschicht weist überall die gleiche Dicke auf, wird deshalb ein Kompromiß bezüglich der hohen Grenzfrequenzen und der hohen Durchbruch­ spannungen gesucht.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Her­ stellung anzugeben, bei dem auf einfache Weise bipolare Bau­ elemente mit unterschiedlichen Kollektorweiten realisierbar sind.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruches 1, der das Halbleiterbauelement wiedergibt, und mit den Merkma­ len des Patentanspruches 12, in welchem das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben ist, gelöst.
Die Erfindung sieht vor, daß die vergrabene Schicht des zwei­ ten bipolaren Bauelementes eine größere Schichtdicke als die des ersten Bauelementes aufweist, wobei genau eine Epitaxie­ schicht vorgesehen ist. Die die Basis bildenden Wannen in der Epitaxieschicht können, müssen aber nicht, eine gleiche Tiefe aufweisen.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Ausdif­ fusion des Dotierstoffes der Buried Layer durch andere Stoffe beeinflußt werden kann. Hierdurch wird ein äußerst einfaches Herstellungsverfahren ermöglicht, weil die vergrabenen Schichten des ersten und des zweiten Bauelementes zunächst mit einer identischen Dotierstoffkonzentration in das Substrat implantiert werden. Anschließend wird in die vergrabene Schicht des zweiten Bauelementes ein zusätzlicher Stoff ein­ gebracht, der die Diffusion des Dotierstoffes in der vergra­ benen Schicht des zweiten Bauelementes beeinflußt. Die Ein­ bringung dieses zusätzlichen Stoffes kann zum Beispiel durch eine Maskentechnik und durch Ionenimplantation erfolgen. An­ schließend wird in gewohnter Weise die Epitaxieschicht in ei­ nem einzigen Schritt aufgebracht.
Die Erfindung weist den Vorteil auf, daß für eine zusätzliche Transistorvariante, das heißt für einen Bipolartransistor mit einer unterschiedlichen Kollektorweite, nur eine zusätzliche Maskentechnik und eine zusätzliche Implantation notwendig sind. Die Kosten im Vergleich zu einer zusätzlichen Epitaxie­ schicht, wie dies beispielsweise im Stand der Technik vorge­ sehen ist, sind deshalb relativ niedrig.
Da der Kollektor immer an der hochdotierten vergrabenen Schicht des bipolaren Bauelementes endet, ändern sich die Transistoreigenschaften somit weniger mit erhöhter Kollektor- Emitterspannung als im Gegensatz zu einer dickeren (niedrig dotierten) Kollektorschicht.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den untergeordneten Ansprüchen.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement kann sowohl mit NPN- als auch mit PNP-Transistoren realisiert werden. Im Fal­ le von NPN-Transistoren wird als Dotierstoff der vergrabenen Schichten vorteilhafterweise Arsen oder Antimon verwendet. Als zusätzlicher Stoff, der die Diffusion des genannten Do­ tierstoffs in der gewünschten Weise beeinflußt, wird zumin­ dest in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes Phosphor verwendet.
Ist das bipolare Bauelement ein PNP-Transistor, so wird als Dotierstoff der vergrabenen Schichten vorzugsweise Bor verwendet. Der zumindest in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes eingesetzte zusätzliche Stoff ist vorteilhafter­ weise Stickstoff.
Es ist in einer Ausgestaltung auch denkbar, daß sowohl in die vergrabene Schicht des ersten bipolaren Bauelementes als auch in die vergrabene Schicht des zweiten Bipolarbauelementes ei­ ne jeweils unterschiedliche Konzentration des Stoffes einge­ bracht wird, der die Diffusion des Dotierstoffes beeinflußt.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung von NPN- Bipolartransistoren ist der zusätzliche Stoff zumindest in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes lediglich in dem Bereich des in der ersten Wanne (Basis) gelegenen Emit­ ters vorgesehen. Realisiert werden kann dieser Herstellungs­ schritt dadurch, daß die Maske den Bipolartransistor derart bedeckt, daß lediglich im Bereich der Wanne des Ermitters ei­ ne Ionenimplantation mit dem zusätzlichen Stoff erfolgt.
Wird der zusätzliche. Stoff nur im Bereich unter dem Emitter eingebracht, ändert sich die Kollektorweite nur unter dem ak­ tiven Transistor. Über der restlichen Fläche der Buried Lay­ er, die als passives Gebiet bezeichnet wird, bleibt die Kol­ lektorweite unverändert. Wird die Kollektorweite im Bereich der Emitterwanne durch den zusätzlichen Stoff reduziert, so verbleibt auf dem restlichen Gebiet der Buried Layer ein Ge­ biet mit einer erhöhten Kollektorweite. Hierdurch ist ein bi­ polares Bauelement realisierbar, welches in diesem Bereich reduzierte Kapazitäten und erhöhte Durchbruchspannungen auf­ weist.
Diese Ausgestaltung ist für PNP-Bipolartransistoren dadurch realisierbar, daß außerhalb des Emitterbereiches in die ver­ grabene Schicht ein weiterer zusätzlicher Stoff eingebracht wird, der die Ausdiffusion hemmt. Beispielsweise hemmt Stick­ stoff die Ausdiffusion von Bor.
Die Erfindung und deren Vorteile werden anhand der nachfol­ genden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit ei­ nem ersten und einem zweiten bipolaren Bauelement und
Fig. 2 eine alternative Ausgestaltung eines bipolaren Bau­ elementes, welches in dem erfindungsgemäßen Halb­ leiterbauelement eingesetzt werden kann.
Fig. 1 zeigt in einer Schnittdarstellung ein erfindungsgemä­ ßes Halbleiterbauelement, mit einem ersten bipolaren Bauele­ ment 11 und einem zweiten bipolaren Bauelement 11'. Das erste und das zweite bipolare Bauelement 11, 11' sind in einer Epi­ taxieschicht 2 angeordnet, welche auf einem Substrat 1 gele­ gen ist. Auf einer ersten Hauptseite I des Halbleiterbauele­ mentes, befinden sich die aktiven Bauelemente, das heißt die in der Epitaxieschicht 2 gelegenen Basis-, Emitter- und Kol­ lektorwannen. Die Bipolartransistoren sind prinzipiell gemäß der aus dem Stand der Technik bekannten Weise ausgebildet. Ein derartiger Bipolartransistor, der eine vergrabene Schicht aufweist, ist beispielsweise aus dem Lehrbuch "Bauelemente der Halbleiter-Elektronik" von R. Müller, Springer Verlag 1991, 4. Auflage, Seiten 245, 246 beschrieben.
Die nachfolgende kurze Beschreibung des Aufbaues eines bipo­ laren Bauelementes beschränkt sich auf das erste Bauelement 11. In der Epitaxieschicht 2 ist an die erste Hauptseite I angrenzend eine erste Wanne 3, die als Basis dient, vorgese­ hen. In der ersten Wanne 3 ist eine zweite Wanne 4 angeord­ net, die ebenfalls an die erste Hauptseite I reicht und den Emitter des bipolaren Bauelementes bildet. Die zweite Wanne 4 ist dabei seitlich von der ersten Wanne 3 vollständig umge­ ben. Benachbart der ersten Wanne 3 ist eine dritte Wanne 5 vorgesehen, die an die erste Hauptseite I reichend in der Epitaxieschicht 2 gelegen ist.
Die erste Wanne 3 weist eine vorgegebene Tiefe 8 in der Epi­ taxieschicht 2 auf. Die Dicke der Epitaxieschicht 2 des Halb­ leiterbauelementes ist mit 7 gekennzeichnet. Unterhalb der ersten Wanne 3 und der dritten Wanne 5 erstreckt sich die vergrabene Schicht 6, die vor dem Aufbringen der Epitaxie­ schicht 2 mittels Ionenimplantation in das Substrat 1 einge­ bracht wurde. Der Abstand 9, der zwischen der ersten Wanne 3, also der Basis und der vergrabenen Schicht 6 gebildet ist, stellt die Kollektorweite 9 des bipolaren Bauelementes dar. Durch die Kollektorweite wird die Eigenschaft des bipolaren Bauelementes eingestellt. Weist das bipolare Bauelement eine geringe Kollektorweite und hohe Kollektordotierung auf, so eignet sich das bipolare Bauelement insbesondere für hohe Grenzfrequenzen, nicht jedoch so sehr für hohe Durchbruch­ spannungen. Hohe Durchbruchspannungen können mittels einer großen Kollektorweite und niedriger Kollektordotierung er­ zielt werden. Das auf der linken Seite der Fig. 1 darge­ stellte bipolare Bauelemente 11 eignet sich deshalb vorzugs­ weise für hohe Spannungen, während das auf der rechten Seite gelegene bipolare Bauelement 11' auf hohe Frequenzen hin op­ timiert ist.
Die Tiefen 8, 8' der jeweiligen ersten Wanne 3, 3' (Basis) bei beiden bipolaren Bauelementen 11, 11' können gleich aus­ gebildet sein. Die Dicke der Epitaxieschicht 7, 7' bei beiden bipolaren Bauelementen 11, 11' ist identisch ausgebildet. Die Epitaxieschicht weist in beiden Fällen, da in einem einzigen Verfahrensschritt aufgebracht, die gleiche Dotierung auf. Die Epitaxieschicht ist vorzugsweise niedrig dotiert.
Die Besonderheit des in Fig. 1 dargestellten erfindungsgemä­ ßen Halbleiterbauelements liegt darin, daß die bipolaren Bau­ elemente 11, 11', in einer einzigen Epitaxieschicht 7, 7' ge­ legen sind, wobei die Kollektorweite 9, 9' jedoch unter­ schiedlich ausgebildet ist. Ein derartiges Halbleiterbauele­ ment läßt sich dadurch realisieren, daß vor dem Aufbringen der Epitaxieschicht 2 und dem Erzeugen der darin gelegenen Basis-, Emitter- und Kollektor-Wannen, die vergrabene Schicht 6' des zweiten bipolaren Bauelementes 11' mit einem zusätzli­ chen Stoff (aus der Figur nicht ersichtlich) versehen wurde, der die Ausdiffusion des Dotierstoffes der vergrabenen Schicht 6' beeinflußt, das heißt verstärkt.
Eine Abänderung des bisher verwendeten Herstellungsverfahrens beschränkt sich darauf, lediglich einen einzigen zusätzlichen Maskenschritt mit einer anschließenden Ionenimplantation vor­ zunehmen. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement, das in seinen elektrischen Eigenschaften gegenüber dem Stand der Technik optimierbar ist, ist somit auf äußerst einfache Weise herstellbar.
Der Kollektor des zweiten bipolaren Bauelementes 11 (HF- Transistor) kann zusätzlich durch eine eigene Implantation - sog. selektiv einplantierter Kollektor (Wanne 14) - höher als die Epitaxieschicht dotiert sein. Durch die erhöhte Dotierung wird die Weite der Raumladungszone und die Durchbruchspannung reduziert. Bei maximaler Betriebsspannung des HF-Transistors 11', die niedriger ist als die maximale Betriebsspannung des HV-Transistors 11, erreicht die Raumladungszone nicht mehr die vergrabene Schicht 6, d. h. die Raumladungszone (14a) ist dann kleiner als die Kollektorweite 9. Der Bereich des Kol­ lektors ohne Raumladungszone (14b) ist somit nur noch parasi­ tärer Widerstand. Durch die reduzierte Kollektorweite wird dieser Bereich reduziert und damit der parasitäre Widerstand reduziert.
Die bipolaren Bauelemente 11, 11' können sowohl als NPN- als auch als PNP-Transistoren ausgeführt sein. Die beiden Bauele­ mente 11, 11' können dabei vom gleichen Transistortyp oder aber vom unterschiedlichen Transistortyp sein. Ist das bipo­ lare Bauelement ein NPN-Transistor, so wird als Dotierstoff der vergrabenen Schicht 6, 6' vorzugsweise Arsen oder Antimon verwendet. Dieser Dotierstoff wird in der gleichen, das heißt identischen Konzentration bei der Herstellung in beiden Bau­ elementen 11, 11' eingebracht. Die Zugabe von Phosphor in der vergrabenen Schicht 6' des zweiten Bauelementes 11' verstärkt die Ausdiffusion von Arsen oder Antimon. Bei einem PNP- Transistor besteht die vergrabene Schicht beispielsweise aus Bor, wobei die Ausdiffusion durch Stickstoff reduziert, durch Fluor verstärkt werden kann.
Es ist denkbar, lediglich der vergrabenen Schicht 6' des zweiten Bauelementes den zusätzlichen Stoff zuzugeben; jedoch ist es selbstverständlich auch möglich, in den vergrabenen Schichten 6, 6' sowohl des ersten als auch des zweiten Bau­ elementes 11, 11' den zusätzlichen Stoff beizugeben. Durch die Wahl einer unterschiedlichen Konzentration des zusätzli­ chen Stoffes, kann nichtsdestotrotz eine unterschiedlich Kol­ lektorweite 9, 9' realisiert werden.
Fig. 2 zeigt ein alternativ ausgestaltetes bipolares Bauele­ ment, das zusammen oder alternativ mit den in Fig. 1 gezeig­ ten bipolaren Bauelementen 11, 11' in einem Halbleiterbauele­ ment integriert werden kann. Bei der Herstellung des in Fig. 2 gezeigten bipolaren Bauelementes wurde die Maske für die Implantation des zusätzlichen Stoffes derart ausgebildet, daß im Falle eines NPN-Bauelementes lediglich die zweite Wanne 4, die den Emitter bildet, ausgespart bleibt, während bei einem PNP-Bauelement die zweite Wanne 4 bedeckt wird und der Rest der vergrabenen Schicht ausgespart bleibt. Durch die an­ schließende Ionenimplantation des zusätzlichen Stoffes (Phos­ phor im Falle eines NPN-Bauelementes, Stickstoff im Falle ei­ nes PNP-Bauelementes) wird nur die Ausdiffusion des Dotier­ stoffes der vergrabenen Schicht 6 im Bereich unterhalb des Emitters 4 verstärkt (NPN-Bauelement) bzw. gehemmt (PNP- Bauelement). Die vergrabene Schicht 6 weist somit einen stu­ fenartigen Verlauf auf. Die Kollektorweite unterhalb der dritten Wanne 5 (Kollektor) sowie in Teilen der ersten Wanne 3 (Basis) bleibt somit unverändert. Das in Fig. 2 darge­ stellte bipolare Bauelement ermöglicht reduzierte Kapazitäten und erhöhte Durchbruchspannungen in dem Bereich 12 der ver­ grabenen Schicht. Unterhalb des Emitters 4 ist in der Epita­ xieschicht 2 der in Fig. 1 bereits beschriebene selektiv im­ plantierte Kollektor 14 angeordnet.
Die Dicke der Epitaxieschicht 2 des Bauelementes gemäß Fig. 2 entspricht der Dicke der in der Epitaxieschicht 2 in dem Halbleiterbauelement der Fig. 1. Ebenso ist die Tiefe der ersten Wanne 3 (Basis) mit der Tiefe 8 der ersten Wanne 3, 3' der bipolaren Bauelemente aus der Fig. 1 identisch.
Eine Optimierung der elektrischen Eigenschaften mehrerer bi­ polarer Bauelemente in einem Halbleiterbauelement, das auf bekannte Weise hergestellt wird, ist auf einfache Weise da­ durch möglich, daß ein zusätzlicher Stoff die Diffusion eines Dotierstoffes der vergrabenen Schicht eines Bipolartransi­ stors variiert. Hierdurch kann die Kollektorweite, die die elektrischen Eigenschaften bestimmt, eingestellt werden.

Claims (15)

1. Halbleiterbauelement mit einem Substrat (1) und einer dar­ auf befindlichen Epitaxieschicht (2), in der wenigstens ein erstes und ein zweites bipolares Bauelement (11, 11') inte­ griert sind, wobei das erste und das zweite bipolare Bauele­ ment (11, 11') eine vergrabene Schicht (6, 6') und unter­ schiedliche Kollektorweiten (9, 9') aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß die vergrabene Schicht (6') des zweiten Bauelementes (11') eine größere Schichtdicke (10') als die des ersten Bauelemen­ tes (11) aufweist, wobei genau eine Epitaxieschicht (2) vor­ gesehen ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vergrabene Schicht (6) des ersten bipolaren Bauelementes (11) und die vergrabene Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') identische Dotierstoffkonzentrationen auf­ weisen und zumindest die vergrabene Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') einen zusätzlichen Stoff auf­ weist, der die Diffusion des Dotierstoffes der vergrabenen Schicht beeinflußt.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die die Basis bildenden ersten Wannen (3, 3') in der Epita­ xieschicht (2) eine gleiche Tiefe (8, 8') aufweisen.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Stoff in der vergrabenen Schicht des ersten bipolaren Bauelementes (11) eine andere Konzentration als der zusätzliche Stoff in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') aufweist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff der vergrabenen Schichten Arsen oder Antimon ist.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Stoff zumindest in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') Phosphor ist.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Stoff in der vergrabenen Schicht (6') zumin­ dest des zweiten Bauelementes lediglich in dem Bereich des in der ersten Wanne (3) gelegenen Emitters (4) vorgesehen ist.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff der vergrabenen Schichten (6, 6') Bor ist.
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Stoff zumindest in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten Bauelementes (11') Stickstoff oder Flour ist.
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer zusätzlicher Stoff in der vergrabenen Schicht (6) zumindest des zweiten Bauelementes lediglich in dem Be­ reich außerhalb des in der ersten Wanne (3) gelegenen Emit­ ters (14) vorgesehen ist.
11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß in der Epitaxieschicht (2) im Bereich unterhalb des Emitters ein selektiv implantierter Kollektor (14) vorgesehen ist.
12. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit einem Substrat (1) und einer darauf befindlichen Epitaxie­ schicht (2), in der wenigstens ein erstes und ein zweites bi­ polares Bauelement (11, 11') integriert sind, wobei das erste und das zweite Bauelement (11, 11') eine vergrabene Schicht (6, 6') aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß
die vergrabenen Schichten (6, 6') mit einer identischen Dotierstoffkonzentration in das Substrat implantiert werden,
zumindest in die vergrabene Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') ein zusätzlicher Stoff ein gebracht wird, der die Diffusion des Dotierstoffes in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') beeinflußt,
die Epitaxieschicht (2) in einem einzigen Schritt aufgebracht wird,
die die Basis, den Emitter und den Kollektor bildenden Wannen (3, 4, 5) in der Epitaxieschicht (2) erzeugt werden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen des zusätzlichen Stoffes durch eine Masken­ technik und Ionenimplantation erfolgt.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske das bipolare Bauelement derart bedeckt, daß ledig­ lich an der Stelle der Wanne des Emitters (4) eine Ionenim­ plantation mit dem zusätzlichen Stoff erfolgt.
15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske das bipolare Bauelement lediglich an der Stelle der Wanne des Emitters (4) bedeckt und eine Ionenimplantation außerhalb des Emitterbereiches, aber im Bereich der vergrabenen Schicht mit einem weiteren zusätzlichen Stoff erfolgt.
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