WO2002021597A1 - Integrierte anordnung bipolarer transistoren mit unterschiedlicher kollektorweite - Google Patents

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WO2002021597A1
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Jakob Huber
Wolfgang Klein
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Infineon Technologies Ag
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    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L27/0825—Combination of vertical direct transistors of the same conductivity type having different characteristics,(e.g. Darlington transistors)

Definitions

  • High cutoff frequencies need to be optimized, have a small collector width and increased doping in the collector.
  • These bipolar transistors are referred to as so-called RF bipolar transistors.
  • High-voltage transistors (HV bipolar transistors) that are optimized for high breakdown voltages, on the other hand, have a large collector width, since the space charge zone must not reach the buried layer at maximum operating voltage.
  • the typical collector width of such a bipolar transistor is approximately 450 mm, for an operating voltage of approx. 5V.
  • the epitaxial layer usually forms the collector.
  • the collector doping thus corresponds to the doping of the epitaxial layer, usually 10 ⁇ - ⁇
  • bipolar transistors with a high cutoff frequency require both bipolar transistors with a high cutoff frequency and bipolar transistors with a high breakdown voltage. Due to the previously known manufacturing processes, the integration of bipolar transistors with different cut-off frequencies and bipolar transistors with different
  • Breakdown voltages a compromise regarding the properties can be found. As a result, the performance of the semiconductor component cannot be optimally used.
  • bipolar components with different collector widths are to be integrated together in a semiconductor component
  • the depth of the well in the epitaxial layer can be realized differently in the first and second bipolar components.
  • the increased base width reduces the cutoff frequency of the component whose trough (base) extends deeper into the epitaxial layer. It is also necessary to use an additional mask to create the base tubs of different depths.
  • Another possibility is to make the thickness of the lightly doped epitaxial layer different for the first and the second component.
  • the production of a second epitaxial layer is' associated with high costs, on the one hand, and on the other hand, the manufacturing effort increases considerably.
  • the object of the present invention is therefore to specify a semiconductor component and a method for its production, in which bipolar components with different collector widths can be implemented in a simple manner.
  • the invention provides that the buried layer of the second bipolar component has a greater layer thickness than that of the first component, with exactly one epitaxial layer being provided.
  • the troughs forming the base in the epitaxial layer can, but need not, have the same depth.
  • the invention is based on the knowledge that the out-diffusion of the dopant of the buried layers can be influenced by other substances. This enables an extremely simple production process because the buried ones
  • Layers of the first and the second component first with an identical dopant concentration in the sub- to be implanted.
  • An additional substance is then introduced into the buried layer of the second component, which influences the diffusion of the dopant in the buried layer of the second component.
  • This additional substance can be introduced, for example, using a mask technique and ion implantation.
  • the epitaxial layer is then applied in a single step in the usual way.
  • the invention has the advantage that only an additional mask technique and an additional implantation are necessary for an additional transistor variant, that is to say for a bipolar transistor with a different collector width.
  • the costs compared to an additional epitaxial layer, as is provided, for example, in the prior art, are therefore relatively low.
  • the transistor properties thus change less with an increased collector-emitter voltage than in contrast to a thicker (low-doped) collector layer.
  • the semiconductor component according to the invention can be implemented with both NPN and PNP transistors.
  • NPN transistors arsenic or antimony is advantageously used as the dopant of the buried layers.
  • Phosphorus is used at least in the buried layer of the second component as an additional substance, which influences the diffusion of said dopant in the desired manner.
  • the bipolar component is a PNP transistor
  • boron is preferably used as the dopant of the buried layers. turns.
  • the additional substance used at least in the buried layer of the second component is advantageously nitrogen.
  • the additional substance at least in the buried layer of the second component, is only provided in the area of the emitter located in the first well (base).
  • This manufacturing step can be implemented in that the mask covers the bipolar transistor in such a way that ion implantation with the additional substance takes place only in the region of the emitter well.
  • the collector width only changes under the active transistor.
  • the collector width remains unchanged over the remaining area of the buried layer, which is called the passive area. If the collector width in the area of the emitter trough is reduced by the additional material, an area with an increased collector width remains in the remaining area of the buried layer. This enables a bipolar component to be realized which has reduced capacities and increased breakdown voltages in this area.
  • This configuration can be implemented for PNP bipolar transistors by introducing a further additional substance into the buried layer outside the emitter region, which inhibits outdiffusion. For example, nitrogen inhibits boron out-diffusion.
  • FIG. 1 shows a semiconductor component according to the invention with a first and a second bipolar component
  • FIG. 2 shows an alternative embodiment of a bipolar component which can be used in the semiconductor component according to the invention.
  • FIG. 1 shows a sectional illustration of a semiconductor component according to the invention, with a first bipolar component 11 and a second bipolar component 11 '.
  • the first and the second bipolar component 11, 11 ′ are arranged in an epitaxial layer 2, which is located on a substrate 1.
  • the active components that is to say the base, emitter and collector troughs located in the epitaxial layer 2, are located on a first main side I of the semiconductor component.
  • the bipolar transistors are in principle designed in the manner known from the prior art. Such a bipolar transistor, which has a buried layer, is described, for example, from the textbook “Components of semiconductor electronics" by R. Müller, Springer Verlag 1991, 4th edition, pages 245, 246.
  • a first trough 3 which serves as the base, is provided adjacent to the first main side I.
  • a second trough 4 is arranged in the first trough 3, which likewise extends to the first main side I and forms the emitter of the bipolar component.
  • the second tub 4 is completely surrounded on the side by the first tub 3.
  • a third trough 5 is provided adjacent to the first trough 3 and is located in the epitaxial layer 2, reaching the first main side I.
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  • the selectively implanted collector 14 already described in FIG. 1 is arranged below the emitter 4 in the epitaxial layer 2.
  • the thickness of the epitaxial layer 2 of the component according to FIG. 2 corresponds to the thickness of the epitaxial layer 2 in the semiconductor component of FIG. 1.
  • the depth of the first well 3 (base) is also the same as the depth 8 of the first well 3, 3 'of the bipolar components identical from FIG. 1.

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Abstract

Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung vorgeschlagen mit einem Substrat (1) und einer darauf befindlichen Epitaxieschicht (2), in der wenigstens ein erstes und ein zweites bipolares Bauelement integriert sind, wobei das erste und das zweite bipolare Bauelement eine vergrabene Schicht und unterschiedliche Kollektorweiten (9,9') aufweisen. Die vergrabene Schicht (6') des zweiten Bauelementes weist eine größere Schichtdicke als die (6) des ersten Bauelements auf, wobei genau eine Epitaxieschicht (2) vorgesehen ist. Die hierdurch entstehenden unterschiedlichen Kollektorweiten (9,9') werden durch die Ausdiffusion des Dotierstoffes der vergrabenen Schichten beeinflusst, welche durch andere Stoffe beeinflusst wird.

Description

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hohe Grenzfrequenzen optimiert werden sollen, müssen eine kleine Kollektorweite und eine erhöhte Dotierung im Kollektor aufweisen. Diese Bipolartransistoren werden als sogenannte HF-Bipolartransistoren bezeichnet. Hochvolt-Transistoren (HV- Bipolartransistoren) , die auf hohe Durchbruchspannungen hin optimiert sind, weisen hingegen eine große Kollektorweite auf, da bei maximaler Betriebsspannung die Raumladungszone die Buried Layer nicht erreichen darf. Die typische Kollektorweite eines derartigen Bipolartransistors beträgt zirka 450 mm, für eine Betriebsspannung von ca. 5V. Üblicherweise bildet bei einem HV-Bipolartransistor die Epitaxieschicht den Kollektor. Die Kollektordotierung entspricht somit der Dotierung der Epitaxieschicht, überlicherweise lO^-^
In vielen integrierten Schaltungen werden sowohl Bipolartransistoren mit einer hohen Grenzfrequenz als auch Bipolartransistoren mit einer hohen Durchbruchspannung benötigt. Aufgrund der bisher bekannten Herstellungsverfahren muß bei der Integration von Bipolartransistoren mit unterschiedlichen Grenzfrequenzen und Bipolartransistoren mit unterschiedlichen
Durchbruchspannungen ein Kompromiß bezüglich der Eigenschaften gefunden werden. Hierdurch kann die Performance des Halbleiterbauelementes nicht optimal ausgenutzt werden.
Sollen jedoch bipolare Bauelemente mit unterschiedlichen Kollektorweiten in einem Halbleiterbauelement zusammen integriert werden, so bestehen bei der Herstellung derzeit zwei Möglichkeiten: Zum einen kann die Tiefe der Wanne in der Epitaxieschicht bei dem ersten und dem zweiten bipolaren Bauele- ment unterschiedlich realisiert werden. Durch die erhöhte Basisweite reduziert sich hierdurch die Grenzfrequenz desjenigen Bauelementes, dessen Wanne (Basis) tiefer in die Epitaxieschicht reicht. Weiterhin ist die Verwendung einer zusätzlichen Maske zur Erzeugung der unterschiedlich tiefen Basis- Wannen notwendig. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Dicke der niedrig dotierten Epitaxieschicht bei dem ersten und dem zweiten Bauelement unterschiedlich auszuführen. Die Herstellung einer zweiten Epitaxieschicht ist jedoch zum einen' mit hohen Kosten verbunden, andererseits erhöht sich dadurch der Fertigungsaufwand erheblich.
Aufgrund des komplizierten Vorgehens und einer in der Regel identischen Epitaxieschicht, d.h. die Epitaxieschicht weist überall die gleiche Dicke auf, wird deshalb ein Kompromiß bezüglich der hohen Grenzfrequenzen und der hohen Durchbruchspannungen gesucht . -A
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, bei dem auf einfache Weise bipolare Bauelemente mit unterschiedlichen Kollektorweiten realisierbar sind.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruches 1, der das Halbleiterbauelement wiedergibt, und mit den Merkmalen des Patentanspruches 12, in welchem das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben ist, gelöst.
Die Erfindung sieht vor, daß die vergrabene Schicht des zweiten bipolaren Bauelementes eine größere Schichtdicke als die des ersten Bauelementes aufweist, wobei genau eine Epitaxieschicht vorgesehen ist. Die die Basis bildenden Wannen in der Epitaxieschicht können, müssen aber nicht, eine gleiche Tiefe aufweisen.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Ausdiffusion des Dotierstoffes der Buried Layer durch andere Stoffe beeinflußt werden kann. Hierdurch wird ein äußerst einfaches Herstellungsverfahren ermöglicht, weil die vergrabenen
Schichten des ersten und des zweiten Bauelementes zunächst mit einer identischen Dotierstoffkonzentration in das Sub- strat implantiert werden. Anschließend wird in die vergrabene Schicht des zweiten Bauelementes ein zusätzlicher Stoff eingebracht, der die Diffusion des Dotierstoffes in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes beeinflußt. Die Ein- bringung dieses zusätzlichen Stoffes kann zum Beispiel durch eine Maskentechnik und durch Ionenimplantation erfolgen. Anschließend wird in gewohnter Weise die Epitaxieschicht in einem einzigen Schritt aufgebracht .
Die Erfindung weist den Vorteil auf, daß für eine zusätzliche Transistorvariante, das heißt für einen Bipolartransistor mit einer unterschiedlichen Kollektorweite, nur eine zusätzliche Maskentechnik und eine zusätzliche Implantation notwendig sind. Die Kosten im Vergleich zu einer zusätzlichen Epitaxie- Schicht, wie dies beispielsweise im Stand der Technik vorgesehen ist, sind deshalb relativ niedrig.
Da der Kollektor immer an der hochdotierten vergrabenen Schicht des bipolaren Bauelementes endet, ändern sich die Transistoreigenschaften somit weniger mit erhöhter Kollektor- Emitterspannung als im Gegensatz zu einer dickeren (niedrig dotierten) Kollektorschicht.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den untergeordneten Ansprüchen.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement kann sowohl mit NPN- als auch mit PNP-Transistoren realisiert werden. Im Falle von NPN-Transistoren wird als Dotierstoff der vergrabenen Schichten vorteilhafterweise Arsen oder Antimon verwendet. Als zusätzlicher Stoff, der die Diffusion des genannten Dotierstoffs in der gewünschten Weise beeinflußt, wird zumindest in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes Phosphor verwendet .
Ist das bipolare Bauelement ein PNP-Transistor, so wird als Dotierstoff der vergrabenen Schichten vorzugsweise Bor ver- wendet . Der zumindest in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes eingesetzte zusätzliche Stoff ist vorteilhafterweise Stickstoff.
Es ist in einer Ausgestaltung auch denkbar, daß sowohl in die vergrabene Schicht des ersten bipolaren Bauelementes als auch in die vergrabene Schicht des zweiten Bipolarbauelementes eine jeweils unterschiedliche Konzentration des Stoffes eingebracht wird, der die Diffusion des Dotierstoffes beeinflußt.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung von NPN- Bipolartransistoren ist der zusätzliche Stoff zumindest in der vergrabenen Schicht des zweiten Bauelementes lediglich in dem Bereich des in der ersten Wanne (Basis) gelegenen Emit- ters vorgesehen. Realisiert werden kann dieser Herstellungsschritt dadurch, daß die Maske den Bipolartransistor derart bedeckt, daß lediglich im Bereich der Wanne des Ermitters eine Ionenimplantation mit dem zusätzlichen Stoff erfolgt.
Wird der zusätzliche Stoff nur im Bereich unter dem Emitter eingebracht, ändert sich die Kollektorweite nur unter dem aktiven Transistor. Über der restlichen Fläche der Buried Layer, die als passives Gebiet bezeichnet wird, bleibt die Kollektorweite unverändert. Wird die Kollektorweite im Bereich der Emitterwanne durch den zusätzlichen Stoff reduziert, so verbleibt auf dem restlichen Gebiet der Buried Layer ein Gebiet mit einer erhöhten Kollektorweite. Hierdurch ist ein bipolares Bauelement realisierbar, welches in diesem Bereich reduzierte Kapazitäten und erhöhte Durchbruchspannungen auf- weist.
Diese Ausgestaltung ist für PNP-Bipolartransistoren dadurch realisierbar, daß außerhalb des Emitterbereiches in die vergrabene Schicht ein weiterer zusätzlicher Stoff eingebracht wird, der die Ausdiffusion hemmt. Beispielsweise hemmt Stickstoff die Ausdiffusion von Bor. Die Erfindung und deren Vorteile werden anhand der nachfolgenden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit ei- nem ersten und einem zweiten bipolaren Bauelement und
Figur 2 eine alternative Ausgestaltung eines bipolaren Bauelementes, welches in dem erfindungsgemäßen Halb- leiterbauelement eingesetzt werden kann.
Figur 1 zeigt in einer Schnittdarstellung ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement, mit einem ersten bipolaren Bauelement 11 und einem zweiten bipolaren Bauelement 11'. Das erste und das zweite bipolare Bauelement 11, 11' sind in einer Epitaxieschicht 2 angeordnet, welche auf einem Substrat 1 gelegen ist. Auf einer ersten Hauptseite I des Halbleiterbauelementes, befinden sich die aktiven Bauelemente, das heißt die in der Epitaxieschicht 2 gelegenen Basis-, Emitter- und Kol- lektorwannen. Die Bipolartransistoren sind prinzipiell gemäß der aus dem Stand der Technik bekannten Weise ausgebildet. Ein derartiger Bipolartransistor, der eine vergrabene Schicht aufweist, ist beispielsweise aus dem Lehrbuch "Bauelemente der Halbleiter-Elektronik" von R. Müller, Springer Verlag 1991, 4. Auflage, Seiten 245, 246 beschrieben.
Die nachfolgende kurze Beschreibung des Aufbaues eines bipolaren Bauelementes beschränkt sich auf das erste Bauelement 11. In der Epitaxieschicht 2 ist an die erste Hauptseite I angrenzend eine erste Wanne 3, die als Basis dient, vorgesehen. In der ersten Wanne 3 ist eine zweite Wanne 4 angeordnet, die ebenfalls an die erste Hauptseite I reicht und den Emitter des bipolaren Bauelementes bildet. Die zweite Wanne 4 ist dabei seitlich von der ersten Wanne 3 vollständig umge- ben. Benachbart der ersten Wanne 3 ist eine dritte Wanne 5 vorgesehen, die an die erste Hauptseite I reichend in der Epitaxieschicht 2 gelegen ist.
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und erhöhte Durchbruchspannungen in dem Bereich 12 der vergrabenen Schicht. Unterhalb des Emitters 4 ist in der Epitaxieschicht 2 der in Figur 1 bereits beschriebene selektiv implantierte Kollektor 14 angeordnet.
Die Dicke der Epitaxieschicht 2 des Bauelementes gemäß Figur 2 entspricht der Dicke der in der Epitaxieschicht 2 in dem Halbleiterbauelement der Figur 1. Ebenso ist die Tiefe der ersten Wanne 3 (Basis) mit der Tiefe 8 der ersten Wanne 3, 3' der bipolaren Bauelemente aus der Figur 1 identisch.
Eine Optimierung der elektrischen Eigenschaften mehrerer bipolarer Bauelemente in einem Halbleiterbauelement, das auf bekannte Weise hergestellt wird, ist auf einfache Weise da- durch möglich, daß ein zusätzlicher Stoff die Diffusion eines Dotierstoffes der vergrabenen Schicht eines Bipolartransistors variiert. Hierdurch kann die Kollektorweite, die die elektrischen Eigenschaften bestimmt, eingestellt werden.
Bezugszeichenliste
1 erste Hauptseite II zweite Hauptseite 1 Substrat
2 Epitaxie-Schicht
3 erste Wanne (Basis)
4 zweite Wanne (Ermitter)
5 dritte Wanne (Kollektor) 6 vergrabene Schicht
7,7' Dicke der Epitaxie 8,8' Tiefe der ersten Wanne 9,9' Kollektorweite
10, 10 'Tiefe der Epi in der Buried Layer 11, 11 'bipolares BE

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterbauelement mit einem Substrat (1) und einer darauf befindlichen Epitaxieschicht (2) , in der wenigstens ein erstes und ein zweites bipolares Bauelement (11, 11') integriert sind, wobei das erste und das zweite bipolare Bauelement (11, 11') eine vergrabene Schicht (6, 6') und unterschiedliche Kollektorweiten (9, 9') aufweisen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die vergrabene Schicht (6') des zweiten Bauelementes (11') eine größere Schichtdicke (10') als die des ersten Bauelementes (11) aufweist, wobei genau eine Epitaxieschicht (2) vorgesehen ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die vergrabene Schicht (6) des ersten bipolaren Bauelementes (11) und die vergrabene Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') identische Dotierstoffkonzentrationen auf- weisen und zumindest die vergrabene Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') einen zusätzlichen Stoff aufweist, der die Diffusion des Dotierstoffes der vergrabenen Schicht beeinflußt .
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die die Basis bildenden ersten Wannen (3, 3') in der Epitaxieschicht (2) eine gleiche Tiefe (8, 8') aufweisen.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 oder 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zusätzliche Stoff in der vergrabenen Schicht des ersten bipolaren Bauelementes (11) eine andere Konzentration als der zusätzliche Stoff in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') aufweist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Dotierstoff der vergrabenen Schichten Arsen oder Antimon ist .
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zusätzliche Stoff zumindest in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') Phosphor ist.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 5 oder 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zusätzliche Stoff in der vergrabenen Schicht (6') zumindest des zweiten Bauelementes lediglich in dem Bereich des in der ersten Wanne (3) gelegenen Emitters (4) vorgesehen ist.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Dotierstoff der vergrabenen Schichten (6, 6') Bor ist.
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zusätzliche Stoff zumindest in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten Bauelementes (11') Stickstoff oder Flour ist.
10. Hableiterbauelement nach Anspruch 8 oder 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß ein weiterer zusätzlicher Stoff in der vergrabenen Schicht (6) zumindest des zweiten Bauelementes lediglich in dem Bereich außerhalb des in der ersten Wanne (3) gelegenen Emitters (14) vorgesehen ist.
11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß in der Epitaxieschicht (2) im Bereich unterhalb des Emitters ein selektiv implantierter Kollektor (14) vorgesehen ist.
12. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit einem Substrat (1) und einer darauf befindlichen Epitaxieschicht (2) , in der wenigstens ein erstes und ein zweites bi- polares Bauelement (11, 11') integriert sind, wobei das erste und das zweite Bauelement (11, 11') eine vergrabene Schicht (6, 6') aufweisen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die vergrabenen Schichten (6, 6') mit einer identischen Dotierstoffkonzentration in das Substrat implantiert werden, zumindest in die vergrabene Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') ein zusätzlicher Stoff ein gebracht wird, der die Diffusion des Dotierstoffes in der vergrabenen Schicht (6') des zweiten bipolaren Bauelementes (11') beeinflußt, die Epitaxieschicht (2) in einem einzigen Schritt aufgebracht wird, die die Basis, den Emitter und den Kollektor bildenden Wannen (3, 4, 5) in der Epitaxieschicht (2) erzeugt werden .
13. Verfahren nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Einbringen des zusätzlichen Stoffes durch eine Maskentechnik und Ionenimplantation erfolgt .
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Maske das bipolare Bauelement derart bedeckt, daß lediglich an der Stelle der Wanne des Emitters (4) eine Ionenimplantation mit dem zusätzlichen Stoff erfolgt.
15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,daß die Maske das bipolare Bauelement lediglich an der Stelle der Wanne des Emitters (4) bedeckt und eine Ionenimplantation au- ßerhalb des Emitterbereiches, aber im Bereich der vergrabenen Schicht mit einem weiteren zusätzlichen Stoff erfolgt.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2820546B1 (fr) * 2001-02-05 2003-07-11 St Microelectronics Sa Structure de protection contre des parasites
DE10250204B8 (de) * 2002-10-28 2008-09-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Kollektorbereichen einer Transistorstruktur
DE10306597B4 (de) * 2003-02-17 2005-11-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur mit erhöhter Durchbruchspannung durch tieferliegenden Subkollektorabschnitt
US7067383B2 (en) * 2004-03-08 2006-06-27 Intersil Americas, Inc. Method of making bipolar transistors and resulting product
US20070078416A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-05 Kenneth Eliasen Two-piece inline vascular access portal
DE102006012447B4 (de) * 2006-03-17 2011-07-28 Austriamicrosystems Ag Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur
US7449389B2 (en) * 2006-10-27 2008-11-11 Infineon Technologies Ag Method for fabricating a semiconductor structure
US8076725B2 (en) * 2007-05-18 2011-12-13 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
FR3106931B1 (fr) * 2020-01-30 2022-02-18 St Microelectronics Crolles 2 Sas Procédé de fabrication d’un dispositif comprenant un transistor bipolaire PNP et un transistor bipolaire NPN pour applications radiofréquences

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3545040A1 (de) * 1984-12-20 1986-06-26 Sgs Microelettronica S.P.A., Catania Verfahren zur herstellung einer vergrabenen schicht und einer kollektorzone in einer monolithischen halbleitervorrichtung
JPH04112539A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JPH10172981A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7314466A (nl) * 1973-10-20 1975-04-22 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
US4258379A (en) * 1978-09-25 1981-03-24 Hitachi, Ltd. IIL With in and outdiffused emitter pocket
JPS57154867A (en) * 1981-03-20 1982-09-24 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5884442A (ja) * 1981-11-13 1983-05-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS59188160A (ja) * 1983-04-08 1984-10-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH0682679B2 (ja) * 1988-04-13 1994-10-19 富士電機株式会社 横形バイポーラトランジスタ
EP0500233A2 (de) * 1991-02-14 1992-08-26 National Semiconductor Corporation Bipolartransistorstruktur und BICMOS IC-Herstellungsverfahren
JPH07273127A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Toshiba Corp 半導体装置
WO1997017726A1 (en) * 1995-11-07 1997-05-15 National Semiconductor Corporation Low collector resistance bipolar transistor compatible with high voltage integrated circuits

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3545040A1 (de) * 1984-12-20 1986-06-26 Sgs Microelettronica S.P.A., Catania Verfahren zur herstellung einer vergrabenen schicht und einer kollektorzone in einer monolithischen halbleitervorrichtung
JPH04112539A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JPH10172981A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 360 (E - 1243) 4 August 1992 (1992-08-04) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11 30 September 1998 (1998-09-30) *

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US6806555B2 (en) 2004-10-19

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