DE2405066A1

DE2405066A1 - Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung

Info

Publication number: DE2405066A1
Application number: DE19742405066
Authority: DE
Inventors: Reinhold Kaiser
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1974-02-02
Filing date: 1974-02-02
Publication date: 1975-08-07

Description

"Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung" Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Feldeffek-ttransistor, bei dem auf einen Halbleitergrundkörper vom ersten Leitungstyp eine epitaktische Schicht vom zweiten Leitungstyp aufgebracht und durch Separationszonen vom ersten Leitungstyp ein begrenzter Bereich in der epitaktischen Schicht hergestellt wird.
In der linearen Schaltungstechnik kommen neben bipolaren Transistoren auch Feldeffekttransisteren zur Anwendung. Nach dem Stand der Technik werden Feldeffekttransistoren in integrierten Schaltkreisen gemäß der Figur 1 heute dadurch hergestellt, daß man von einem Halbleitergrundkörper 1 vom ersten Leitungstyp ausgeht, auf diesen Halbleitergrundkörper 1 eine epitaktische Schicht 2 vom zweiten Leitungstyp aufbringt und in dieser epitaktischen Schicht durch eine Separationsdiffusion den Bereich des Feldeffekttransistors abgrenzt. Die in die epitaktische Schicht diffundierten Separationszonen 3 haben den ersten Leitungstyp. Zur Herstellung des Gate wird gemäß der Figur 1 eine ringförmige Gatezone 4 vom ersten Leitungstyp in den abgegrenzten Bereich 5 eindiffundiert. An der Gatezone 4 wird die Gateelektrode 6 angebracht. Dic Drainelektrode 7 urd die Sourceelektrode 8 werden durch Aufdampfen hergestellt. Wie die Figur 1 erkennen läßt, wird die Dreinelektrode 7 im allgemeinen ring- oder rahmenförmig ausgebildet.
Die bekannte Feldeffektransistortechnik in integrierten Schaltungen, die anhand der Figur 1 erläutert wurde, hat den Nachteil, daß die epitaktische Schicht 2 möglichst dünn sein muß. Eine solche epitaktische Schicht bereitat jedoch für andere Bauelemente der integrierten Schaltung Schwierigkeiten. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, welches diesen Nachteil vermeidet und welches außerdem die Herstellung eines Feldeffekttransistors in einer integrierten Schaltung vereinfacht. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß in den begrenzten Bereich eine Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eingebracht wird, daß in diese Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eine oder mehrere Halbleiterzonen vom zweiten leitungstyp als Gatezonen eingebracht werden und zwar vorzugsweise derart, daß sie sich über die Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp hinaus in den begrenzten Bereich erstrecken, und daß Source- und Gateelektroden hergestellt werden.
Die Gatezonen werden vorzugsweise durch Diffusion hergestellt und streifenförmig ausgebildet. Die Kontaktierung der Gatezonen erfolgt vorzugsweise durch Anbringen einer Elektrode oder mehrerer Elektroden am begrenzten Bereich.
Die Drain- und Sourceelektroden werden vorzugsweise durch Aufdampfen hergestellt.
Die Erfindung wird irn folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert, Zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit einer Feldeffekttransistor wird zunächst gemäß der Figur 2 auf einen Halbleitergrundkörper 1 vom ersten Leitungstyp eine epitaktische Schicht 2 vom zweiten Leitungstyp aufgebracht und ein begrenzter Bereich 3 in der epitaktischen Schicht 2 hergestellt, indem die Separationszonen 4 vom ersten Leitungstyp mit Hilfe der Diffusionsmaskentechnik in die epitaktische Schicht 2 eindiffundiert werden In den begrenzten Bereich 3 vom zweiten Leitungstyp wird gemäß der Figur 2 cine Halbleiterzone 5 vom ersten Leitungstyp als kanalzone des Feldeffekttransistors eindiffundiert, und zwar chenfalls mit Hilfe der Diffusionsmaskentechnik durch eine Öffnung in einer auf dem halbleiterkörper befindlichen Isolierschicht G. In die Halbleiterzone 5 vom ersten Leitungstyp werden gemäß d(-i @igur 2 Gatezonen 7 vom zweiten Leitungstyp eindiffundiert, und zwar durch Öffnungen in der Isolierschicht 8 Die Gatezonen 7, die einen streifenförmigen Querschnitt haben erstrecken sich, wie die Draufsicht der Figur 3 ei-qt, über die Halbleiterzone 5 hinaus in den begreraten Pereich 3, so daß die Möglichkeit bestecht, die @@ezonen 7 durch Anbringen von einer oder mehrerer Elektroden am begrenzten Bereich 3 zu kontaktieren.
Die fertige Anordnung zeigt die Figur 4. Die Anordnung der Figur 4 ist mit den erforderlichen Drainelektroden und Sourceelektroden 10 versehen. Diese Elektroder werder vorzugsweise durch Aufdampfen von Kontaktmaterial @@@@ nungen der @solierschicht 8 hergestellt. Es empfichlt sie diese Elektroden in Gestalt einer Kammstruktur miteiander zu verbinden An die epitaktische Schicht 2 werden außer dem Feldefiektiransistor natürlich auch noch die aner Bauelementc der integrierten Schaltung eingebracht.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e

Verfahren zur Herstellung einer integrierten @albleiterschaltung mit einem Feldeffekttransistor, bei dem auf einen Halbleitergrundkörper vom ersten Leitungstyp eine epitaktische Schicht vom zweiten Leitungstyp aufgebracht und durch Separationszonen vom ersten Leitungstyp ein begrenzter Bereich in der epitaktischen Schicht hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß in den begrenzten Bereich eine Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eingebracht wird, daß in diese Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eine oder mehrere Halbleiterzonen vom Leitungstyp als Gatezonen eingebracht werden, und zwar vorzugsweise derart, daß sie sich über die Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp hinaus in den begrenzten Bereich erstrecken, und daß Source- und Gateelektroden hergestellt werden.
2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge}-erinzeiciinft, daß die Gatezonen streifenförmig ausgebildet werden.
3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain- und Sourceelektroden durch Aufdampfen hergestellt werden.