FR2517332A1 - Procede et ecran d'arret perfectionnes pour definir le profil d'epaisseur de couches deposees par pulverisation sur un substrat semi-conducteur - Google Patents

Abstract

L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS. UN DISPOSITIF DE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE, DANS LEQUEL DES ATOMES ARRACHES D'UNE CATHODE CIBLE 37 SONT PROJETES VERS UN SUBSTRAT 17 POUR Y DEPOSER UNE COUCHE, COMPORTE NOTAMMENT UN ECRAN D'ARRET PRINCIPAL 11 ET UN ECRAN D'ARRET AUXILIAIRE 12. L'ECRAN D'ARRET PRINCIPAL INTERCEPTE LES ATOMES QUI SE PROPAGENT EN LIGNE DROITE A PARTIR DE LA CATHODE. L'ECRAN D'ARRET AUXILIAIRE A LA FORME D'UN ANNEAU QUI S'ETEND VERS LE SUBSTRAT A PARTIR DE LA FACE INFERIEURE DE L'ECRAN D'ARRET PRINCIPAL, DANS LE BUT D'INTERCEPTER LES ATOMES PROVENANT DE LA CATHODE QUI ONT ETE DEVIES PAR DES COLLISIONS DANS LE GAZ ET SONT SUSCEPTIBLES DE PASSER SOUS L'ECRAN PRINCIPAL. CETTE CONFIGURATION PERMET DE DEFINIR AVEC PRECISION LE PROFIL D'EPAISSEUR DES COUCHES DEPOSEES. APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.

Description

La présente invention-concerne un dispositif et un

procédé pour définir le profil d'épaisseur de couches dépo-

sées par pulvérisation cathodique, et elle porte plus parti-

culièrement sur un écran d'arrêt et un procédé perfectionnés pour définir de façon arbitraire le profil d'épaisseur d'une

couche déposée par pulvérisation cathodique.

Dans la fabrication de dispositifs à semiconduc-

teur, il est de plus en plus important de définir avec pré-

cision l'uniformité d'épaisseur de couches déposées L'uni-

formité de l'épaisseur de couches déposées peut augmenter le-

rendement, améliorer les performances de dispositifs à semi-

conducteur individuels et permettre aux dispositifs répartis

sur la tranche de satisfaire de façon plus homogène une spé-

cification particulière Dans le revêtement de tranches de semiconducteur par dépôt par pulvérisation, une matière est

pulvérisée à partir d'une cathode cible de façon à se dépo-

ser sur la surface à revêtir On pourra voir de façon géné-

rale les ouvrages: Thin Film Technology, ( 1968) par R W. Berry et col, et Handbook of Thin Film Technology, ( 1970), par L J Maissel et col On utilise des couches déposées

par pulvérisation, par exemple en aluminium, pour la métal-

lisation de circuits intégrés Jusqu'à présent, on a soit toléré des couches non uniformes, soit tenté de définir la forme de la cathode de pulvérisation ou de concevoir la configuration géométrique du dispositif de façon à déposer

une couche aussi uniforme que possible.

Une technique qui a été utilisée pour améliorer l'uniformité de couches déposées par pulvérisation consiste à placer des écrans d'arrêt entre la cathode cible et le

substrat, pendant une partie au moins du cycle de pulvérisa-

tion, de façon à intercepter des atomes pulvérisés qui seraient par ailleurs appliqués au substrat, dans des régions dans lesquelles la couche se forme avec une plus grande épaisseur que dans d'autres régions Le brevet U S. 3 856 654 décrit un dispositif dans lequel des substrats se déplacent sur un chemin circulaire autour d'une cathode

cylindrique centrale Chaque substrat est exposé successive-

ment à un segment particulier dé la cathode A la plupart des postes de traitement, le substrat est exposé à la cathode sans interposition d'un écran Cependant, à des postes sélectionnés, on utilise un écran d'arrêt fixe pour masquer une partie du substrat de façon que seules les parties non masquées du substrat reçoivent les atomes pulvérisés En choisissant le nombre de postes qui comportent des écrans d'arrêt et en choisissant là taille et la forme des écrans d'arrêt, on peut réduire considérablement l'effet de défauts d'uniformité qui sont introduits par le dispositif On peut ainsi produire des couches pulvérisées plus uniformes Le brevet U S 3 904 503 décrit un dispositif dans lequel des

écrans plans de diverses formes et de diverses tailles sont-

introduits entre une cathode cible et un substrat On observe tout d'abord les caractéristiques de dépôt propres au dispositif, on note les défauts d'uniformité, puis on détermine la forme la taille et la position de l'écran Ce brevet décrit également des écrans de forme variable Le dispositif décrit dans ces deux brevets permet d'obtenir

des corrections d'uniformité du premier ordre On a cepen-

dant trouvé que du fait que la diffusion par un gaz est également un mécanisme de propagation, le fait de bloquer la propagation en ligne droite ne procure pas un masquage complet, et on n'obtient pas nécessairement l'uniformité optimale Les atomes pulvérisés qui sont diffusés par un gaz passent sous l'écran et ou bien ils s'ajoutent à la couche située sous l'écran, ou bien ils se déposent de

façon lâche au sommet de la couche déposée sous l'écran.

L'invention a donc pour but d'établir un blocage auxiliaire pour les atomes pulvérisés afin d'améliorer la correction d'uniformité qu'on obtient par l'utilisation d'un écran d' arrgt principal placé entre une source de

pulvérisation et un substrat.

L'invention a également pour but de procurer un dispositif qui empêche la propagation d'atomes pulvérisés

par le mécanisme de pulvérisationsous l'effet de colli-

sions dans un gaz, sur des parties du substrat qui sont

masquées vis-à-vis d'un dépôt en ligne droite.

L'invention a également pour but de permettre de définir de façon plus précise le profil d'épaisseur d'une couche pulvérisée, au moyen d'un écran d'arrêt auxiliaire

utilisé en association avec un écran d'arrêt principal.

L'invention sera mieux comprise à la lecture de la

description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se

référant aux dessins annexés sur lesquels:

La figure 1 est unie coupe d'un poste de pulvérisa-

tion comprenant une source à magnétron, un écran d'arrêt

principal,un substrat à revêtir et l'écran d'arrêt auxiliai-

re de l'invention; La figure 2 est un graphique montrant les profils

d'épaisseur de -eouche sur une tranche, pour des couches for-

mées conformément au procédé de l'invention

La figure 3 est une vue en perspective d'un appa-

reil de dépôt à postes multiples, du type "cassette à

cassette", destiné à la mise en oeuvre du procédé de l'in-

vention et comportant le dispositif de l'invention; et La figure 4 est un graphique montrant les profils d'épaisseur de couche conformément à l'art antérieur (courbe

a) et à l'invention (courbesb et c) -

La définition arbitraire du profil d'épaisseur d'une couche déposée par pulvérisation est permise par un écran d'arrêt auxiliaire qui est destiné à être utilisé en association avec un écran d'arrêt principal L'écran d'arrêt auxiliaire s'étend vers le bas à partir du côté de l'écran d'arrêt principal qui est le plus près du substrat L'écran d'arrêt principal intercepte les atomes qui sont pulvérisés directement à partir de la cathode cible, en se propageant

de façon générale en ligne droite L'écran d'arrêt auxiliai-

re intercepte les atomes pulvérisés à partir de la cathode qui, sous l'effet de collisions intermédiaires dans le gaz, ont été dirigés de façon à passer sous l'écran d'arret principal On peut ainsi définir avec précision le profil

d'épaisseur du dépôt sur le substrat, et maintenir la qua-

lité de la couche composite.

Le dépôt par pulvérisation, en particulier de métaux, est un traitement classique dans l'industrie des semiconducteurs Des cathodes de pulvérisation font fonction de cibles destinées à recevoir des ions énergétiques d'un gaz et elles sont constituées par la matière à déposer sur la tranche de semiconducteur, par exemple de l'aluminium,

un alliage aluminium-cuivre, du silicium, des métaux réfrac-

taires et leurs siliciures, etc Pour obtenir un dépôt uni-

forme sur un substrat, on peut donner aux cibles une certai-

ne forme, de la manière décrite par exemple dans le brevet U S 4 100 055 Comme le montre la figure 3 de ce brevet, on peut sélectionner divers profils pour la cible de façon que la distribution des atomes pulvérisés à partir de la

cible, sur sa durée de vie, soit aussi uniforme que possi-

ble Indépendamment du choix d'un profil de cible approprié, la configuration d'un poste de pulvérisation donné ou la

forme d'un substrat peuvent introduire des défauts d'unifor-

mité dans le dépôt Pour certaines applications, même si on peut déposer une couche de métal uniforme," il peut être souhaitable ou nécessaire d'introduire délibérément un défaut d'uniformité,-de façon qu'il soit complémentaire d'un

défaut d'uniformité qui se manifeste dans une étape de trai-

tement suivante consistant en une attaque du métal On a ainsi trouvé qu'il était souhaitable d'utiliser des écrans placés entre la cathode cible et le substrat De tels écrans sont représentés par exemple de façon générale dans

les brevets U S 3 856 654 et 3 904 503, envisagés précé-

demment Ces écrans sont de façon caractéristique des struc-

tures planes qui sont intercalées entre la cathode cible et le substrat Ainsi, les atomes pulvérisés à partir de la

cathode n'atteignent pas les régions du substrat qui reçoi-

vent normalement un dépôt plus épais que ce qu'on désire.

De façon générale, les écrans interceptent les atomes qui se propageraient en ligne droite depuis un point sur la cible vers les régions précitées du substrat Incidemment, ils interceptent une partie des atomes qui subissent des collisions de diffusion dans le gaz, sur leur trajet vers

le substrat Dans une chambre de pulvérisation, les colli-

sions de diffusion dans le gaz se produisent du fait qu'on maintient une atmosphère d'environ 0,13 Pa à environ 6,5 Pa, coms il est indiqué schématiquement par le nuage de gaz 20 sur la figure 1 Il y a donc une probabilité finie qu'un atome pulvérisé entre en collision avec un atome ou une molécule du gaz produisant la pulvérisation, par exemple de l'argon, pendant son trajet vers le substrat Cependant, l'écran d'arrêt principal de l'art antérieur n'intercepte pas tous ces atomes pulvérisés qui ont été diffusés par le gaz. On a trouvé que certains des atomes pulvérisés subissent des collisions de diffusion avec le gaz donnant lieu à la pulvérisation, dans une position proche du bord de la plaque d'arrêt, ce qui donne naissance à une composante de leur direction de mouvement qui est parallèle à la surface du substrat Ceci est représenté sur la figure 1 par l'atome pulvérisé ayant une trajectoire 14 qui subit une collision de diffusion par le gaz au point 15 Sous l'effet de cette collision, l'atome pulvérisé est dirigé différemment de façon à parcourir une nouvelle trajectoire-16 sous l'écran d'arrêt, et il peut alors se déposer sur la partie de la tranche de semiconducteur qui est sensée être masquée On constate que ces dépôts parasites s'intègrent à la couche au fur et à mesure de sa formation, et dégradent ainsi la qualité de la couche, ou bien ils n'adhèrent pas du tout et ils doivent être éliminés de la surface de la couche De

tels dépôts parasites par diffusion dans le gaz peuvent pro-

duire des couches dont la structure microscopique a des pro-

priétés, telles que la taille de grain et le réflectivité,

qui peuvent être notablement différentes des propriétés dési-

rées Comme on le voit sur la figure 1, l'atome pulvérisé ayant la trajectoire 13 s'est propagé depuis la cathode de pulvérisation 37 jusqu'au centre de l'écran d'arrêt principal 11, tandis que l'atome pulvérisé ayant les trajectoires 14, 16 s'est propagé jusqu'au centre du substrat, c'est-à-dire l'endroit qu'on cherche précisément à masquer avec l'écran d'arrêt principal 11 Ceci nuit à la possibilité de définir

de façon arbitraire le profil d'épaisseur de la couche dépo-

sée par pulvérisation, permet la formation de dépôts parasi-

tes dans les régions qui devraient être masquées et peut

dégrader la qualité de la couche déposée par pulvérisation.

2517332 e Théoriquement, les moyens d'arrêt 10 pourraient être placés en position immédiatement adjacente à la tranche, en étant légèrement espacés par rapport à celle-ci de façon à maintenir une condition d'absence de contact, et l'effet de bord et le mécanisme de diffusion par le gaz ne seraient pas spécialement gênants Il est cependant nécessaire de positionner les moyens d'arrêt 10 suffisamment au-dessus du substrat 17 pour que l'écran d'arrêt principal 11 se trouve à une distance X audessus de la surface du substrat 17, afin d'éviter une discontinuité en échelon dans la couche pulvérisée, c'est-à-dire pour raccorder progressivement le bord de la couche déposée sur la partie non masquée avec le bord de la couche déposée sur la partie masquée La distance X est suffisamment grande pour qu'il n'y ait pas de contact avec la tranche, mais elle n'est pas grande au point que l'écran devienne un obstacle et intercepte excessivement la matière, ou au point que des dép 8 ts diffusés par le gaz

puissent pénétrer jusqu'au centre de la tranche.

Conformément à l'invention, on ajoute un écran d'arrêt auxiliaire 12 à l'écran d'arrêt principal 11 pour intercepter les atomes parasites diffusés par le gaz

décrits ci-dessus Ainsi, l'atome pulvérisé ayant la trajec-

toire 16 est maintenant intercepté

L'écran d'arrêt auxiliaire 12 de l'invention per-

met de positionner l Pécran d'arrêt 11 à une distance appro-

priée X au-dessus de la tranche de semiconducteur 17, tout en évitant que des atomes pulvérisés puissent se propager

dans une direction horizontale sous l'écran d'arrêt princi-

pal, sous l'effet d'une diffusion par le-gaz.

Lorsque le dispositif de pulvérisation est conçu dans le but de revêtir une tranche de semiconducteur,

l'écran d'arrêt Il est circulaire et l'écran d'arrêt auxi-

liaire consiste en un anneau 12 qui s'étend vers le bas à partir de l'écran d'arrêt principal Il L'anneau 12 peut être fixé à l'écran 11 ou peut être formé d'un seul tenant avec lui L'anneau 12 peut être orthogonal à l'écran 11, ou bien i*l peut avoir la forme désirée L'anneau 12 est décalé d'une distancé Y vers l'intérieur à partir dé la périphérie 251733 e

de l'écran d'arrêt primaire 11 Dans un dispositif de pulvé-

risation destiné au revêtement de semiconducteurs, l'anneau

12 est placé de façon caractéristique en position concentri-

que sur l'écran d'arrêt principal 11 On choisit les valeurs de ces distances variables de façon à définir à la demande le profil de l'épaisseur du dép 8 t formé par pulvérisation,

conformément à la figure 2.

La figure 1 montre un dispositif caractéristique pour utiliser l'écran d'arrêt perfectionné Une cathode ayant une symétrie circulaire, comme une source à magnétron conique 30, est placée face à un dispositif de maintien d'une tranche de semiconducteur, 23 Le fonctionnement d'une telle source à magnétron conique est décrit dans un document de L T Lamont, Jr intitulé "A Magnetically Enhanced

Sputter Source for Semiconductor Metallizations", Procee-

dings, 8 th Intl Vacuum Congress, France ( 1980) On peut dire brièvement qu'un plasma à décharge luminescente est

généré au-dessus de la cathode 37 en maintenant une diffé-

rence de potentiel notable entre l'anode 34 et la cathode

37, en présence d'une atmosphère donnant lieu à pulvérisa-

tion La cathode est refroidie activement par l'introduction d'un agent de refroidissement dans la cavité 32, par des conduits 31 Le dispositif de maintien de tranche 23 est du type utilisé dans les postes de dép 8 t de l'appareil de dépôt à postes multiples de la figure 3 Des pinces à ressort 18 maintiennent la tranche de semiconducteur 17 sur

une lèvre en retrait qui est définie par un rebord périphé-

rique 22 dans la base 24 La base 24 est logée à l'intérieur d'une ouverture définie dans la plaque 21 Dans le mode de réalisation de la figure 1, des fils 19, fixés à la plaque 21, maintiennent l'écran d'arrêt 11 des moyens d'arrêt 10

au-dessus de la tranche de semiconducteur 17.

Sur la figure 2, la courbe a montre le profil d'épaisseur de la couche lorsqu'on a utilisé un écran d'arrêt principal placé en position centrale, pour former une partie finale de la couche Dans ce cas, on a choisi la forme de l'écran et le temps de dépôt de façon à remplir une région correspondant à un dép 8 t de faible profondeur à la

circonférence, et à accroître l'épaisseur de la couche cir-

conférentielle au-delà de l'épaisseur déposée sur le reste de la tranche L'accroissement est d'environ 10 % de l'épaisseur totale de la couche, par rapport au centre On peut voir que l'épaisseur est la plus grande à la circonfé-

rence et diminue progressivement lorsque les parties mas-

quée et non masquée se raccor Fdent mutuellement Bien que

les courbes ne le montrent pas, du fait qu'on n'a pas utili-

sé d'écran d'arrêt auxiliaire, il est probable que la quali-

té de la couche a -été dégradée par la présence -d'atomes

parasites diffusés par le gaz La courbe b montre la pulvé-

risation avec l'utilisation de l'écran d'arrêt auxiliaire en compagnie de l'écran d'arrêt principal Les différentes parties de la courbe b ont la même forme que celles de la courbe a mais sont décalées du fait de l'utilisation d'un

diamètre légèrement plus grand pour l'écran d'arrêt princi-

pal, dans le cas de la courbe b La coupure de la partie inférieure de la courbe b, en c, représente un masquage du

substrat par l'écran d'arrêt auxiliaire Ici, bien que les-

courbes ne le montrent pas, la couche formée par pulvérisa-

tion conserve une qualité élevée, du fait que les contribu-

tions parasites des atomes diffusés par le gaz sont rédui-

tes On a trouvé que ce point de coupure est déterminé par la distance Y ( 2,5 à 15 mm) qui correspond au décalage de l'écran d'arrêt auxiliaire par rapport au bord de l'écran

d'arrêt principal, comme il est représenté sur la figure 1.

La hauteur X de l'écran d'arrêt principal au-dessus du -substrat 17 détermine la quantité appropriée de matière diffusée par le gaz, pour le raccordement La hauteur Z ( 0,75 à 2,5 mm) du bas de l'écran d'arrêt auxiliaire 12, au-dessus de la surface de la-tranche, détermine le facteur

de sécurité assurant l'absence de contact avec la tranche.

La hauteur de l'écran d'arrêt auxiliaire, correspondant à,

la distance X-Z, mesure de 2,5 à 13 mm.

On a adopté une séquence de pulvérisation origi-

nale pour utiliser l'écran d'arrêt perfectionné de l'inven-

tion Cette séquence-est basée sur l'utilisation d'un appa-

reil de dépôt par pulvérisation à séquence automatique et s maintien effectif, tel que'le " 3180 Cassette Coating System", commercialisé par Varian Associates, Inc, Palo Alto, Californie Les appareils de dépôt par pulvérisation de l'art antérieur sont de façon caractéristique du type à chargement discontinu par lot et à revêtement discontinu par lot de tranches de semiconducteur A la place, certains utilisent un mécanisme d'alimentation continue, comme par exemple le "Triad System" de MRC Corporation, Orangeburg-, New York Dans un appareil à séquence automatique et à maintien effectif des tranches, chaque tranche est présentée

à un poste de traitement particulier et y est maintenu pen-

dant une durée finie, jusqu'à ce qu'une fonction particu-

lière soit accomplie Comme le montre la figure 3 et comme il est indiqué dans les brochures de produit intitulées " 3180 Cassette Coating System the Cassette-to-Cassette Coater", publiées par Palo Alto Vacuum Division de Varian Associates, Inc, 611 Hansen Way, Palo Alto, Californie 94303, des tranches de semiconducteur sont acheminées le long d'un chemin 56 dans des cassettes 45, 46, 47 Pour le traitement, une tranche de semiconducteur est chargée à partir d'une cassette 46, par un mécanisme de chargement

automatique de tranche 48, et elle traverse un sas de char-

gement destiné à préserver le vide, pour être introduite dans l'un des différents postes de traitement à maintien

effectif, sur une plaque tournante 50 La tranche de semi-

conducteur subit un traitement à chaque position successive pendant que la plaque 50 tourne autour de son axe central

51 sous l'effet du dispositif d'entraînement à courroie 55.

Des opérations telles qu'un préchauffage, un dép 8 t, une attaque par pulvérisation, un refroidissement ou d'autres opérations similaires, peuvent être accomplies aux postes successifs Avec un tel appareil à séquence automatique comportant des postes discrets, il est possible d'effectuer

un dépôt par pulvérisation en plusieurs opérations successi-

ves. Le procédé de l'invention comprend la combinaison,

en séquence, d'au moins deux opérations de dépôt par pulvé-

risation L'une au moins des opérations est accomplie dans

2517332-

un poste de dépôt par pulvérisation qui utilise un écran

d'arrêt tel que l'écran d'arrêt perfectionné de l'invention.

On peut définir à la demande les profils d'épaisseur de cou-

che de dép 8 ts, en combinant les profils individuels de cha-

que opération successive, comme par exemple le profil d'épaisseur d'une source de pulvérisation non masquée et le profil d'épaisseur d'une source masquée Selon une variante, on peut utiliser successivement des écrans ayant des formes

notablement différentes, avec des profils d'épaisseur diffé-

rents En faisant varier le temps d'arrêt à chaque poste, on obtient une grande souplesse dans la définition des profils d'épaisseur cumulés Par exemple, le poste 52 pourrait avoir pour fonction de préchauffer la tranche Ensuite, une fois

que la tranche a été amenée au poste 53, on pourrait effec-

tuer une opération de pulvérisation classique pour appliquer

une couche de métal ayant un profil d'épaisseur caractéris-

tique de l'appareil, par exemple le profil correspondant à la courbe a sur la figure 4 Enfin, après avance jusqu'au poste 54, une couche de métal supplémentaire est appliquée par un dispositif de pulvérisation dans lequel on utilise un écran d'arrêt On choisit la forme de l'écran pour compenser le défaut d'uniformité qui est introduit au poste 53 Du fait que les tranches de semiconducteur sont rondes, on peut

employer un écran circulaire du type représenté sur la figu-

re 1 On choisit le diamètre de l'écran et la hauteur au-dessus de la tranche 'de façon que la couche de métal annulaire supplémentaire ait une forme semblable à celle qui correspond à la courbe c de la figure 4, ce qui fait que la couche de métal cumulée a un profil d'épaisseur qui est presque une ligne droite, c'est-à-dire que l'épaisseur de la couche est très uniforme, comme le montre la courbe b sur la figure 4 Il faut noter qu'il existe diverses variantes au mode opératoire Celles-ci comprennent ( 1) un dépôt sans écran suivi par un dép 8 t avec écran, avec des durées dans des proportions

telles qu'on obtienne une couche uniforme.

( 2) un dépôt sans écran suivi par un dépôt avec écran avec des durées dans des proportions tellesqu'on obtienne une couche délibérément non uniforme, par exemple une couche qui est plus épaisse au niveau d'une région annulaire à la périphérie de la tranche. ( 3) un dépôt avec écran à un premier poste suivi d'un dépôt avec écran à un second poste, les deux écrans et les proportions des durées étant choisis de façon à produire un profil

arbitraire nécessité pour une application par-

ticulière. On peut utiliser l'écran -d'arrêt perfectionné de l'invention ou un écran d'arrêt généralisé dans toutes ces séquences du procédé L'ordre dans lequel les opérations sont effectuées n'est pas critique; cependant, pour obtenir les meilleurs résultats, il est préférable de déposer la majeure partie du métal en premier, sans écran d'arrêt, puis d'ajuster le profil cumulé par dépôt de métal en utilisant un écran d'arrêt. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits

et représentés, sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (11)

REVENDICATIONS

1 Ecran d'arrêt perfectionné destiné à définir le profil d'épaisseur d'une couche déposée par pulvérisation dans un dispositif de pulvérisation comprenant une cathode cible ( 37), un substrat ( 17) et des moyens pour produire un plasma dans le dispositif, caractérisé en ce qu'il comprend

une structure d'écran d'arrêt principal ( 11) qui est posi-

tionnée dans le dispositif de pulvérisation entre la cathode cible ( 37) et le substrat ( 17), cet écran d'arrêt principal étant placé en position adjacente au substrat pour masquer une partie du substrat vis-à-vis d'une exposition en ligne

droite à la cathode cible ( 37); et un écran d'arrêt auxi-

liaire ( 12) qui'est placé dans le dispositif de pulvérisation

de façon à former un prolongement de l'écran d'arrêt princi-

pal ( 11) dans la direction du substrat, cet écran d'arrêt auxiliaire ( 12) étant situé à une certaine distance au-dessus du substrat et constituant un écran contre le mouvement

latéral d'atomes pulvérisés qui sont rédirigés vers l'inté-

rieur au niveau du bord inférieur de l'écran d'arrêt princi-

pal, par des collisions de diffusion dans le gaz.

2 Ecran d'arrêt perfectionné selon la revendica-

tion 1, caractérisé en ce que le substrat consiste en une tranche de semiconducteur ( 17) de forme générale circulaire l'écran d'arrêt principal consiste en un écran circulaire ( 11) ayant un diamètre inférieur au diamètre de la tranche de semiconducteur, et l'écran d'arrêt principal circulaire est placé au-dessus de la tranche de semiconducteur ( 17) et de

façon concentrique par rapport à celle-ci.

3 Ecran d'arrêt perfectionné selon la revendica-

tion 2, caractérisé en ce que l'écran d'arrêt auxiliaire

( 12) consiste en un anneau circulaire ayant un diamètre infé-

rieur au diamètre de l'écran d'arrêt principal ( 11), et en

ce que l'écran d'arrêt auxiliaire est placé en position con-

centrique sur la face inférieure de l'écran d'arrêt princi-

pal.

4 Ecran d'arrêt perfectionné selon la revendica-

tion 3, caractérisé en ce que l'écran d'arrêt auxiliaire ( 12)

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est placé du côté intérieur du bord inférieur de l'écran d'arrêt principal ( 11), à une distance Y de ce bord qui est

comprise entre 2,5 mm et 15 mm.

Ecran d'arrêt perfectionné selon la revendica- tion 3, caractérisé en ce que l'écran d'arrêt auxiliaire

( 12) s'étend vers le bas à partir de l'écran d'arrêt princi-

pal ( 11) sur une distance X-Z comprise entre 2,5 mm et

13 mm.

6 Ecran d'arrêt perfectionné selon la revendica-

tion 3, caractérisé en ce que la distance, Z, du bas de l'écran d'arrêt auxiliaire ( 12) jusqu'au substrat ( 17) est

comprise entre 0,75 mm et 2,5 mm.

7 Procédé pour déposer sur un substrat, par pul-

vérisation, une couche ayant un profil défini arbitrairement,

dans un appareil de pulvérisation à postes multiples, carac-

térisé en ce que: on dépose par pulvérisation une couche de matière sur le substrat à partir d'une cathode source, dans un premier poste de pulvérisation; on amène le substrat à un second poste de pulvérisation, le substrat étant masqué

pour éviter tout dépôt depuis l'achèvement de la pulvérisa-

tion au premier poste de pulvérisation jusqu'au début de la

pulvérisation au second poste de pulvérisation; et on dépo-

se par pulvérisation une couche partielle de matière sur le substrat, à partir d'une cathode source, dans le second

poste de pulvérisation, et la forme de cette couche partiel-

le est déterminée par un écran d'arr 8 t ( 11, 12) qui est placé dans une position fixe dans le second poste de pulvérisation,

entre la cathode source ( 37) et le substrat ( 17).

8 Procédé de dépôt sur un substrat d'une couche ayant un profil défini arbitrairement, selon la revendication

7, caractérisé en ce que l'opération de dép 8 t par pulvérisa-

tion d'une couche partielle est accomplie avant l'opération de dép 8 t par pulvérisation d'une couche de matière, et en ce que l'opération consistant à amener le substrat au second

poste de pulvérisation est remplacée par l'opération consis-

tant à déplacer le substrat du second poste de pulvérisation

vers le premier poste de pulvérisation.

9 Procédé de dép 8 t sur un substrat d'une couche

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ayant un profil défini arbitrairement, selon la revendica-

tion 7, caractérisé en ce que l'opération de dépôt d'une couche de matière par pulvérisation comprend le dépôt par

pulvérisation d'une couche partielle de matière; cette cou-

che partielle est définie par un écran d'arrêt ( 11, 12); et l'écran d'arrêt est placé en position fixe dans le premier poste de pulvérisation entre la cathode source ( 37) et le

substrat ( 17).

Procédé de dépôt par pulvérisation d'une cou-

che ayant un profil défini arbitrairement, selon la revendi-

cation 7, caractérisé en ce que le substrat consiste en une tranche de semiconducteur ( 17) de forme générale circulaire, et en ce que l'opération de dépôt par pulvérisation d'une couche partielle est effectuée par l'opération consistant à déposer par pulvérisation une couche partielle au moyen d'un écran d'arrêt circulaire ( 11, 12) ayant un diamètre

inférieur au diamètre de la tranche de semiconducteur circu-

laire ( 17), cet écran d'arrêt circulaire étant placé en

position concentrique au-dessus de la tranche de semiconduc-

teur.

11 Procédé de dép 8 t par pulvérisation d'une cou-

che ayant un profil défini arbitrairement, selon la revendi-

cation 10, caractérisé en ce que l'opération consistant à déposer par pulvérisation une couche partielle de matière sur le substrat, en utilisant un écran d'arrêt circulaire

( 11, 12) comprend en outre l'opération qui consiste à dépo-

ser par pulvérisation une couche partielle en utilisant des moyens d'arrêt ayant une partie qui consiste en un écran d'arrêt principal circulaire ( 11) et une partie qui consiste en un écran d'arrêt auxiliaire ( 12), s'étendant-en direction

du substrat ( 17).

12 Procédé de -dépôt par pulvérisation d'une cou-

che ayant un profil défini arbitrairement, selon la revendi-

cation 11, caractérisé en ce que l'opération consistant à déposer une couche partielle en utilisant un écran d'arrêt auxiliaire ( 12) comprend le dépôt d'une couche partielle en utilisant un écran d'arrêt auxiliaire qui consiste en un

anneau circulaire ( 12) ayant un diamètre inférieur au diamè-

tre de l'écran d'arrêt principal circulaire ( 11), et qui est placé en position concentrique sur la face inférieure de

l'écran d'arrêt principal circulaire ( 11).