JPS5896873A - スパッタ−コ−ト層の厚さの制御をおこなう改良されたブロッキングシ−ルド及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はス・母ツター蒸着層の厚さの輪郭付けをするだ
めの方法及び装置に関するもので、特に、ス・々ツター
蒸着層の厚さの輪郭付けを任意におこなうための方法及
び改良されたブロッキングシールドに関するものである
。

半導体ディバイスの製造において、コーティングされた
（コート層）層の厚さの一様性を正確に制御することが
、しだいに重要になってきている。

コーティングされた層の厚さにおける一様性は、生産高
を高め個々の半導体ディ・々イスの性能を改良でき、ウ
ェー・・内のディバイスを特定な仕様書に、よシ矛盾な
く応じさせられ得る。半導体ウェーハをスノ々ツターコ
ーティングによってコーティングするときは、物質がコ
ーティングされるべき表面上に蒸着するように、その物
質がターゲット陰極から放出される。一般的には、アー
ル・ダゾリュ・ベリー（Ｒ，Ｗ、　Ｂ＠ｒｒｙ　）等の
薄膜技術（１９６８）及びエル・ジエイ拳マイセル（Ｌ
、　Ｊ、　Ｍａｌｓ＋ｓ＠ｌ　）等の薄膜　′のハンド
ブックを参照。例えば、アルミニウムのこのようなスノ
やツタ−コート層が集積回路の金属化に使用されている
。以前は、平らでない層が許容されていた。また、可能
な限り一様な層を蒸着するために、スノタツタリング陰
極の形を形作る試又は装置の幾何学的配列をおこなう試
みがなされてきた。

スノヤツタ一層の一様性を高めるために利用されてきた
１つの技硬は、放出された（　５ｐｕｔｔ＠ｒ＠ｄ　）
原子（以下、スノツター原子という。）を遮断するため
にスノンツタリングサイクルの少なくとも一部の間にタ
ーゲット陰極と基板との間にブロッキングシールドを配
置することである。その原子は、基板において他の領域
よシ厚い層の領域を形成するものである。シーーエイチ
・ゾヨーゾ（Ｃ，Ｈ。

Ｇ＠ｏｒｇｓ　）による米国特許第３，８５６，６５４
号（名称“制御された雰囲気中で多量の製作品を供給し
、コーティングするための装置＃　）において、基板が
中央の円筒陰極のまわりの円形トラック上を動く装置が
開示されている。各基板は、その陰極の特定の一部分に
連続してさらされる。はとんどのステーションで、基板
は何の遮断もなく陰極にさらされる。しかし、特定のス
テージ’８７には、固定ブロッキングシールドが基板の
一部に陰影をつけるために使用されるので、ス・ｆツタ
−原子は基板の陰にならない部分に受けいれられるだけ
である。ブロッキングシールドを有するステーションの
数並びにブロッキングシールドの大きさ及び形状を選ぶ
ことによって、装置によって導入される不一様性の効果
は実質的に減少され得る。従って、より一様なス・譬ツ
タ一層が製造され得る。ニー・エム・ハンフマン（＾、
　Ｍ、　Ｈａｎｆｍｍｎｎ　）による米国特許第３，９
０４，５０３号（名称“シールドを用いる基板上の蒸着
材＃）において、いろいろな形や大きさの平らな７−ル
ドがターゲット陰極と基板の間に導入される装置が開示
されている。その装置の固有な蒸着特性はまず観測され
、不一様性を注目し、そしてシールドの形、大きさ及び
配置は決定される。いろいろな形のシールドもまた開示
されている。これら２つの特許に開示された装置は、−
次のオーダの不一様性の補正が得られることを可能にし
ている。しかし、ガス散乱もまた送込み機構であるから
、視線的な送込みの阻止では完全な陰影付けがおこなえ
ず、最適な一様が必然的に得られないことがわかるだろ
う。散乱がスであるス・ぐツター原子杜、シールドの真
下で動くであろうし、シールドの下方の層に蒸着するか
、又はシールドの下方で蒸着層の上面に散漫に蒸着する
だろう。

従って、本発明の目的は、ス・ぐツタリング源と基板の
間に主ブロッキングシールドを配置することで得られる
一様性の補正を強化する丸めの、ス・ぐツタ−原子を阻
止する補助！ロックを提供することである。

本発明の他の目的は、視線的な蒸着からシールドされ九
基板の一部へ、ガス衝突機構によってス・々ツター原子
が送り込まれることを妨げる装置を提供することである
。

更に、本発明の他の目的は、主ブロッキングシールドと
関連して使用される補助ブロッキングシールドによって
ス・ぐツタ一層の厚さの輪郭付けをより正確におこなう
ことを可能にすることである。

発明の概要 ス・母ツター蒸着層の厚さの任意の輪郭付けは、主ブロ
ッキングシールドと関連して使用するために備えられる
補助ブロッキングシールドによって可能となる。補助ブ
ロッキングシールドは、基板に近接して配置される主ブ
ロッキングシールドの底面より下方に伸びている。ブロ
ッキングシールドは、一般的に視線的に送り込まれるタ
ーピット陰極から直接スノダツターされる原子を遮断す
る。

その補助ブロッキングシールドは、主ブロッキングシー
ルドの真下でガス衝突をおこすことで方向付けられた、
陰極からのス・母ツター原子を遮断する。従って、基板
上のコーティングの厚さの外郭（グロフイール）を正確
に形成することができ、複合層の質が保たれる。

好適実施例 特に、金属のス・譬ツタ−・コーティングは、半導体産
業では確立した工程である。ス・母ツタリング陰極は、
動きまわるガスイオンを収容するためのターピットとし
て役立ち、半導体ウェーＩ・、例えば、アルミニウム、
アルミニウムー鋼シリコン、耐火性金属やケイ化物等上
に蒸着される金属で構成されている。基板上に一様なコ
ーティングを得るために、ターピットの形状は、例えば
アール拳エム・レイニー（Ｒ，Ｍ、　Ｒａ１ｎｓｙ　）
による米国特許第４，１００，０５５号に開示されてい
るようなものでよい。この特許の第３図かられかるよう
に、いろいろな形状がターピットとして選べるので、タ
ーピットからその寿命にわたってス・母ツター原子の分
布は改良されて、可能なかぎり一様となる。ターピット
の形状を適切に選んだとしても、ス・譬ツタリングステ
ーションの形状、又は基板の形は、コーティングに際し
不一様性を導くかもしれない。

ある応用例に対しては、一様な金属層が蒸着できたとし
ても、逆に次の金属エツチング処理工程の不一様性を整
合させるために、不一様性を導入することが望ましく、
又は必要となるだろう。従って、ターピット陰極と基板
の中間に配置されるシールドを用いることが望ましいこ
とが解った。このようなシールドは、例えば前に論じた
米国特許第３，８５６，６５４号及び第３，９０４，５
０３号に一般的に示されている。これらシールドは、典
型的にはターピット陰極と基板の間にさし込まれる平ら
な構造物である。従って、陰極からのス・ぐツタ−原子
は、通常では所望以上に厚くコーティングされる基板の
領域に到達することがないだろう。一般的には、視線的
に合わして送り込まれる、ターピットの一点から基板上
のこれらの領域へと進行するこれら原子を遮断する。付
随して、それらは、基板に至る経路上でがスス・９ツタ
リング衝突を受けるこれら原子の一部を遮断する。ス・
ヤツタリングチェンパー内において、ガスス・ヤツタリ
ング衝突が生じるのは、約Ｉ　Ｘ　１０−”　ｔｏｒｒ
　から約５　Ｘ　１０−”　ｔｏｒｒのオーダのス・ヤ
ツタリング雰囲気が、第１図のガス雲２０で略示的に示
されているように維持されているからである。従って、
放出された原子が、基板へと進行する間にス・ｆツタリ
ングガスの原子又は分子、例えば、アルゴンと衝突する
有限の確率が存在する。しかも、ガス散乱を受は九これ
らス・臂ツター原子のすべてが、従来技術の基本的なブ
ロッキング・シールげによって遮断されることはない。

スノヤツター原子のある部分が、ゾロッキンググレート
の端の近傍にあるス・中ツタリングガスと散乱衝突をし
、基板の表面に平行な進行方向の成分を有するようにな
ることがわかった。このことは第１図に示されているよ
うに、軌線１４を有するス・母ツター原子は、点１５で
ガス散乱衝突をする。

この衝突の結果、ス・ヤツター原子は再方向付がおこな
われ、新しい軌線１６にそって！ロッキングシールドの
真下に進行し、半導体ウェーハの陰になるであろう部分
に蒸着することになる。これらにせの蒸着が、層が形成
される際にその層に吸収され、従って層の質を劣下させ
ることがわかり、又はすべてが付着するわけではないこ
とがわかった。これら蒸着は、層の表面から取り除かれ
なければならない。このようなにせのガス散乱蒸着は、
所望以上に非常に異彦る粒状面及び反射率の特性を有す
る微細な構造の層をつくるかもしれない。

第１図かられかるように、軌ｌ１ｌｉ！１３ｔ−有する
ス・母ツター原子はス・母ツタリング陰極３７から一次
！ロッキングシールド１１の中心に進行することから、
軌１［１４，１６を有するス・譬ツター原子は基板の中
心、すなわち主ブロッキングシールド１１によって所望
に陰となる場所に進行する。このことは、ス・ナツタ一
層の厚さの輪郭付けを任意におこなう能力を減らし、に
せの蒸着が他のブロックされるべき領域に形成されるこ
とを可能にし、ス・９ツタ一層の質を劣化させ得る。

理論的には、ブロック手段１０は、非接触状態を保つよ
うにウェーハから僅かだけずらすが非常に接近して配置
し得るし、端の効果及びガス散乱機構はとシわけ難問と
いうわけではない。しかし、基板１７から十分に上方に
！ロッキング手段１０を配置することが必要で、その結
果、主ブロッキングシールド１１は、スパッター源にお
ける階段関数のような不連続性を避るために、すなわち
、ブロックされていない部分上に蒸着された層の端と、
ブロックされた部分上に蒸着された層の端とを徐々に混
合するために、基板上の表面の上で距離Ｘだけ離して配
置される。距離Ｘは十分長いので、ウェーハと接触する
ことはないが、シールドが障害物となり、物質を過度に
遮断するほど、又はガス散乱蒸着がウェーハの中心へと
侵透し得るほど長くはない。

本発明は、上述したにせのだススバッター原子を遮断す
る九めＫ、補助！ロッキングシールドを主ブロッキング
シールド１１に付は加えることに関している。従って、
軌線１６を有するス・ぐツタ−原子は今や遮断されるこ
とになる。

本発明の補助！ロッキングシールド１２は、半導体ウェ
ーハの上で適当な距離Ｘに！ロッキングシールド１１を
配置することを可能にし、更にそれは、スフ９ツター原
子が、主ブロッキングシールドの真下で水平方向にガス
散乱して進行することを妨げる。

ス、ぐツタリング装置が半導体ウェー２、をコーティン
グするためにセットされたとき、主ブロッキングシール
ド１１は円形であυ、補助！ロッキングシールドは、主
ブロッキングシールド１１から下方に伸びているリング
１２から成るものである。

リングである補助ブロッキングシールド１２は、シール
ド１１に取り付けられてもよく、又は−緒に統合されて
形成されてもよい。リング１２はシールド１１に対し直
交してもよく、又は所望に形成してもよい。リング１２
は、主ブロッキングシールド１１の周囲から内側に距離
Ｙだけずれて配置されているっ半導体をコーティングす
るためのス・ぐツタ−装置において、リング１２は、典
型的には主ブロッキングシールド１１上に同中心にして
配置されている。これらいろいろな距離に対する値は、
第２図に示されているようにスノッタリングによるコー
ティングの厚さの外郭を形成するために選ばれる。

改良された！ロッキングシールドを利用し九典型的な装
置が第１図に示されている。円錐形のマグネトロン源３
０のような回転対称の陰極が半導体ウェーハを保有して
いる装置２３と向い合って配置されている。円錐形のマ
グネトロン源の動作は、エルｅティー・ラモ／ト・ジュ
ニア（Ｌ、Ｔ。

Ｌａｒｎｏｎｔ　Ｊｒ、）による“半導体の金属化用の
磁気的に強化されたスパッター源＃　（第８回国際真空
学会、フランス（１９８０）会議録）に記載されている
。簡単にいうと、グロー放電プラズマが、ス・ダツタリ
ング雰囲気の下で陽極３４と陰極３７の間で重要な電圧
を維持することＫよって陰極３７上に生成される。陰極
は、冷却液を導管３１を経て空胴３２に導くことによっ
て動的に冷却される。

ウェーハ保持装置２３は、第３図の多重ステーションの
コータ（ｃｏａｔ＠ｒ　）　　内のコーティングステ−
シ曹ンに典型的に使用されている。スグリングクリツ７
’１８は、半導体ウェーハをベース２４内のｗＲ囲の出
張り２２によって形成されている凹状リツ！上に保持し
ている。ベース２４は、！レート２１で形成されている
開口内に置かれている。

第１図の実施例において、グレート２１に取り付けられ
たワイヤ１９は、半導体ウェーハ１７全体にわたってブ
ロッキング手段の！ロッキングシールド１１を保持して
いる。

第２図において、曲［ａは、中心に配置される主ブロッ
キングシールドが層の最後の部分を形成するために使用
されたときの層の厚の輪郭を示している。この場合、シ
ールドの形及び蒸着時間は、周囲にそって浅いコーティ
ングを完全にするため、及びウェーハの残部に周囲層を
蓄積するために選択されている。その蓄積は、中心全体
にわ九る膜の全厚さの約１０１でおる。その厚さは周囲
にそって最も厚く、ブロックされた部分とブロックされ
ていない部分が相互に混合するので徐々に減少している
ことがわかるだろう。補助ブロッキングシールドが使用
されていなかったので、曲線が明示していないけれども
、層の質が散乱原子のにせのガスの存在のために劣下し
たと思われる。曲線すは、主ブロッキングシールドと一
緒に補助！ロッキングシールドを用いたス／苧ツタリン
グを示している。曲線すのほとんどは曲線１と似ている
が、曲線すの主ブロッキングシールドの直径が僅かに大
きい丸めにずれている。点Ｃにおける曲＠ｂのより低い
部分のカットオフ（ｃｕｔｏｆｆ　）は、補助ブロッキ
ングシールドによる基板の陰影付けを示している。ここ
で、その曲線が明示していないけれども、散乱原子のガ
スのにせの寄与が削減されることから、質の高さがス・
ぐツタ一層に対して保九れる。第１図に示されているよ
うに補助！ロッキングシールドの主ブロッキングシール
ドからのずれの距離Ｙがこのカットオフ点を決定するこ
とがわかった。基板１７の上で主ブロッキングシールド
の高さＸは、混合に対する散乱物質のガスの適切な量を
決定することになる。基板の上で補助ブロッキングシー
ルド１２の底の高さ２は、ウェーハとの非接触に対する
安全因子を決定することになる。

本願発明の改良された！ロッキングシールドを利用する
丸めに、新規なスノクツタリング・シーケンス（１・ｑ
ｕｅｕｅ・）が採用された。このシーケンスは、パリア
ンφアソシェイッΦインク、　　（ＶａｒｌａｎＡｓｓ
ｏａｌａｔ＠ｇ、　１ｎｅ−）　（カリフォルニア州、
）９口・アルド）から入手可能な３１８０カセツト　コ
ーティング　装置のようなＩジティプホルド並列スノ臂
ツタ−蒸着装置を有することを前提としている。

従来技術のス・ぐツタ−蒸着装置は、典型的には、半導
体ウェーハのパッチローデング及びノ々ツチコーティン
グをおこなう。他の従来装置は、ＭＲＣコーＩレイジョ
ンにューヨーク州、オレンジハーグ）のトライアンド（
Ｔｒｌａｄ　）装置で例示された連続供給機構を使用し
ている。／シティ！ホルト並列装置において、各ウェー
ハは、特定の作業ステーションに現れ、特定の作用が成
し遂げられるまでその場所に有限期間保持される。第３
図に示されているように、またパリアン・アソシェイッ
・インク、のノヤロ　アルド　バキューム　デイビジヨ
ン（カリフォルニア州９４３０３、）４　ａ・アルド、
ハンセン・ウニ４６１１番地）から入手可能な“３１８
０カセツト　コーティング　システム−カセット−ツー
−カセット　コーター“と題する製品・４／フレツトに
説明しであるように、半導体ウェーハは、トラック５６
にそってカセット４５．４６．４７の中に運び込まれる
。動作中は、半導体ウェーハが、自動ウェーハローディ
ング機構４８によってカセット４６から真空ロードロッ
クを通って回転グレート５０上の複数のポジティブホル
ド（ｐｏｓｉｔｉｖ＠ｈｏｌｄ　）ステーションの１つ
へとロート０される。半導体ウェーハは、グレー）５０
がベルト駆動手段５５によって中心軸５１のまわりに回
転するので各連続した位置で処理される。暖気運転、蒸
着、ス・ナツタ−エツチング、冷却又は他の同様な工程
は連続したステーションで完了する。

分離したステーションを有するこのような並列装置でも
って、ス・ぐツタ−コーティングを連続した工程で成し
遂けることが可能となる。

本発明の方法は、連続した少なくとも２つのス・ダツタ
ー蒸着工程の組合せから成る。少なくともその工程の１
つは、本発明の改良されたブロッキングシールドのよう
なブロッキングシールドを利用するところのス・ヤツタ
ー蒸着ステーション内でおこなわれる。コーティングの
層の厚さの輪郭は、各連続した工程の個々の外郭、例え
ば、！ロックされていないス・ダツター源の厚さの外郭
及びシールＰされた源の厚さの外郭を組み合せることに
よって形成される。他のものとしては、異なった厚さの
外郭を有する非常に異なった形状の７−ルト０が連続し
て使用されてもよい。各ステーションでの残留時間を変
化させることによって、累積的な厚さの外郭の形成が非
常に柔軟におこなえる。例、ｔば、ステーション５２は
ウエーノ・をあらかじめ暖めることに役だてられる。従
って、ウェーハがステーション５３に割り出された後に
、標準的なス・ぐツタリング動作が、その装置の厚さの
外郭特性、例えば、第４図の曲線１の外郭を有する金属
層を形成することがおこない得る。最後に、ステーショ
ン５４に割出しがおこなわれた後、更に金属層が、ブロ
ッキングシールドが使用され九ところのスノ々ツタリン
グ装置によって形成される。シールドの形状は、ステー
ション５３で導入された不一様を補償するために選ばれ
る。半導体ウェーハが丸いので、第１図に示されている
タイグの円形シールドを使用できる。シールドの直径及
びウェーハからの上方の位置は、補助的な環状金属層が
第４図の曲線Ｃのものに近い形状を有するように、そし
て累積的な金属層がほぼ直線的になる厚さの外郭を有す
るように、すなわち、第４図の曲線すに示されたように
層の厚さが非常に一様であるように選ばれる。動作方法
におけるいろいろな変形がおこなえることはわかるであ
ろう。これは以下のことを含んでいる。

（１）　　シールドがおこなわれていない蒸着の後に、
一様な層を形成する時間割合で、シールドがされる蒸着
が続く。

（２）　　シールドがおこなわれていない蒸着の後に、
不一様な層が慎重に作られるように、例えば、層がウェ
ーハの周囲に環状のリングのごとくよｐ厚く作られるよ
うな時間割合でシールドがおこなわれる蒸着が続く。

（３）第１ステーシヨンでシールｒがおこなわれていな
い蒸着の後に、特定の外郭を作るため選ばれた２つのシ
ールド及び時間割合を有する、シールドがおこなわれる
蒸着が続く。

これら一連の方法のすべてにおいて１本発明の改良され
たブロッキングシールド又は−膜化されたシールドが使
用されてもよい。工程が遂行されるべき順序は重大なも
のではないが、しかし、よい結果を得るためには、ブロ
ッキングシールドなしでまず大抵の金属を蒸着し、次に
！ロッキングシールド°を用いて金ｊＩＭ着をおこなう
ことで累積的な外形を形成することが望ましい。

【図面の簡単な説明】

１１４ｘ図は、マグネトロン源、主ブロツクシールド、
コーティングされるべき基板、及び本発明の補助ブロッ
キングシールドから成るスノ々ツタリングステーション
の断面図である。 第２図は、本発明の方法を実施して形成された層に対す
るウェーハの膜厚の輪郭を示すグラフである。 第３図は、本発明の方法を具現し、本発明の装置を組み
入れた多重ステーションのカセット−ツー−カセットコ
ータの斜視図である。 第４図は、従来技術（曲線ａ）及び本発明（曲線す及び
Ｃ）による膜厚の輪郭を示すグラフである。 〔主要符号の説明〕 ＩＯ・・・ブロッキング手段　　　１１・・・主ブロッ
キングシールド１２・・・補助ブロッキングシールド １３．１４．１６・・・軌線　　　１７・・・基板１８
・・・クリラグ　　　　　　　１９・・・ワイヤ２０・
・・がス雲　　　　　　　　　２１・・・グレート２２
・・・端　　　　　　　　　　２３・・・ウェーハ保持
装置２４・・・ベース　　　　　　　　３ｏ・・・マク
ネトロン源３１・・・導管　　　　　　　　　３２・・
・空胴３４・・・陽極　　　　　　　　　３７・・・陰
極４６．４７，４８・・・カセット　４８・・・ローデ
ィング機構５０・・・プレー）　　　　　　　　　５１
・・・中心軸５２．５３．５４・・・ステー７ョン ５５・・・ベルト駆動手段　　　　５６・・・トラック
出　願　人　パリアン・アソシエイツ・インコーＩレイ
テッド ＦＩＧ、１ 一半、イｉ　　　　（ｓＭ） 岸ぐ）　　　ｆＭＭｌ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　タービット陰極、基板を有するスパッター装置で
   あって、更に前記装置内でノラズマを発生させるための
   手段を有するス・母ツター装置における、ス・ダッター
   蒸着層の厚さの輪郭付けをする改良されたブロッキング
   シールドであって、１）前記ス・ぐツタ−装置内で前記
   タービット陰極と前記基板との中間に配置され、前記基
   板の一部を前記タービット陰極の視線露出から陰影を付
   けるために前記基板に隣接して配置されている主ブロッ
   キングシールドと、ｂ）前記ス・譬ツター装置内で前記
   主ブロッキングシールドから前記基板に向う拡張部を形
   成するために配置される補助ブロッキングシールドであ
   って、 前記基板の上方に配置され、ガス散乱衝突によって前記
   主ブロッキングシールドの底部の縁の内側に再方向付け
   られるス・やツタ−原子の横方向の移動に対してシール
   ドをおこなう補助ブロッキングシールドと、 から成るブロッキングシールド。 ２、特許請求の範囲第１項に記載されたブロッキングシ
   ールドであって、 前記基板がほぼ円形の半導体ウェー・・であり、前記主
   ブロッキングシールドが前記半導体ウェーハの直径より
   小さな直径の円形シールドであり、 前記円形の主ブロッキングシールドが前記半導体ウェー
   ハの上方で且つ同中心に配置されているところのブロッ
   キングシールド。 ３、特許請求の範囲第２項に記載されたブロッキングシ
   ールドでおって、 前記補助ブロッキングシールドが前記主ブロッキングシ
   ールドの直径より小さな直径の円形リングであシ、 前記補助ブロッキングシールドが前記主プロツキングシ
   ールドの下面上に同中心に配置されているところのブロ
   ッキングシールド。 ４、特許請求の範囲第３項に記載されたブロッキングシ
   ールドであって、 前記補助ブロッキングシールドが前記主ブロッキングシ
   ールドの前記底部の縁から０．１インチ（０，２５４’
   ｃｍ　）から０．６インチ（ｔ、５２４ｃｍ）の間の値
   をとる距離Ｙだけ内側に配置されているところのブロッ
   キングシールド。 ５、特許請求の範囲第３項に記載されたブロッキングシ
   ールドであって、 前記補助ブロッキングシールドが前配主ゾロッキングシ
   ールドから０．１インチから０．５インチ（１，２７ｍ
   ）の間の値をとる距離Ｘ−Ｚだけ下方に伸張していると
   ころのブロッキングシールド。 ６、％詐請求の範囲第３項に記載されたブロッキングシ
   ールドであって、 前記補助ブロッキングシールドの底部かう前記基板まで
   の距離２が０．０３インチ（０，０７６ｃＰＲ）から０
   ．１インチの間の値であるところのブロッキングシール
   ド。 ？、多重ステーションスノ４ツターンステム内で基板上
   に任意に輪郭付される層をス・ぐツタ−蒸着する方法で
   あって、 ａ）第１スノクツターステーシヨン内で陰極から前記基
   板上に物質の層をス・セッター蒸着する工程と、 ｂ）前記基板を他のス／ヂツターステーションに割り出
   す工程と、 Ｃ）前記他のス・やツタ−ステーションで［［［から前
   記基板上に物質の部分層をス・ぐツタ−蒸着する工程と
   、 から成り、 前記基板が前記第１ス・ぐツタ−ステーションでのス・
   ｆツタリングの完了から前記他のス・やツタ−ステーシ
   ョンでのス・やツタリング開始まで蒸着からシールドさ
   れ、 前記部分層の形がブロッキングシールドによって決定さ
   れ、 前記ブロッキングシールドが前記陰極源と前記基板の間
   で前記他のス・ぐツタ−ステーション内の固定し九位置
   に配置されているところの方法。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された方法であって、 部分層をス・母ツター蒸着する前記工程が物質の層をス
   フ９ツタリングする工程の前におこなわれ、 前記基板を他のス・９ツタ−ステーションに割り出しす
   る前記工程が前記他のス・母ツターステーションカラ前
   ＆１ＪＥ１ス／ザツターステーションへと移動すること
   であるところの方法。 ９、特許請求の範囲第７項に記載され九方法であって、 物質の層をス・中ツター蒸着する前記工程が物質の部分
   層をス・母ツター蒸着する工程から成り、前記部分層が
   ブロッキングシールドによって決定され、 前記ブロッキングシールドが前記陰極源と前記基板の間
   で前記第１スパツターステーシヨンの中の固定した位置
   に配置されているところの方法。 １０、％杵請求の範囲第７項に記載された方法であって
   、 前記基板がほぼ円形の半導体ウェーハで、部分層をス・
   やツタ−蒸着する前記工程が前記円形の半導体ウェーハ
   の直径よりも小さい直径の円形ブロッキングシールドに
   よって部分層をス・ぐツタ−蒸着する工程によって成し
   遂げられるところの方法。 １１、　　特許請求の範囲第１０項に記載された方法で
   あって、 円形のブロッキングシールドを用いて前記基板へと物質
   の部分層をス・やツタ−蒸着する前記工程が、主円形！
   ロッキングシールド部分及び前記基板の方向に伸張する
   補助ブロッキングシールド部分を有するブロッキングシ
   ールドを用いて部分層をス・譬ツター蒸着する工程から
   成るところの方法。 １２、特／ｆｔｓ求の範囲第１１項に記載された方法で
   めって、 補助ブロッキングシールドを用いて部分層を蒸着する前
   記工程が、前記円形の主ブロッキングシールドの直径よ
   り小さな直径の円形リングであり、前記円形の主ブロッ
   キングシールドのド向上に同中心的に配置されている補
   助ブロッキングシールドを用いて部分層を蒸着すること
   でらるところの方法。