KR100328134B1 - 스퍼터링율의균등성을증가시키기위한스퍼터증착장치및방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스퍼터링(sputtering)을 위한 개선된 스퍼터 증착장치 및 방법을 제공하려는 것이다. 본 발명의 장치에서는, 스퍼터링 타겟표면의 외부모서리 인접 위치에 테이퍼면이 구비되어 있는데, 이 테이퍼면은 타겟표면으로부터 스퍼터되기전에 후방으로 산란된 원자들의 재증착률을 감소시킨다. 스퍼터링 장치가 마그네트론을 포함하는 경우, 변경된 타겟은 마그네트론으로부터 나오는 플라즈마의 이온들의 거리를 감소시키는 작용을 한다. 이에의해, 타겟의 테이퍼면의 인접위치에서 증착률이 증가한다. 타겟표면의 중앙부분에 대한 타겟의 테이퍼면의 각도는 적어도 약 30도가 되어야 하고, 바람직하게는 약 35도 내지 70도, 보다 바람직하게는 40도 내지 60도 이어야 한다. 바람직한 실시예에 있어서, 제 2 테이퍼면은 스퍼터링 장치의 벽에 대하여 평행한 시일드의 일부분과 타겟의 외부모서리 사이에 보다 균일한 간격을 제공하도록 제 1 테이퍼면의 외부로 연장된다. 타겟표면의 중앙 부분에 대한 제 2 테이퍼면의 각도는 약 70도 내지 85도, 바람직하게는 약 75도 내지 83도이며, 통상적으로 약 78도 내지 80도 범위이다. 타겟표면의 중앙부분에 수직한 평면에 대한 스퍼터링 타겟상의 최외부 테이퍼면의 각도는 약 5도 내지 20도, 바람직하게는 약 7도 내지 15도 범위이며, 통상적으로는 약 10도 내지 12도 범위이다.

Description

스피터링율의 균등성을 증가시키기 위한 스퍼터 증착 장치 및 방법
본 발명은 반도체 웨이퍼상에 직접 회로 구조물을 형성하는데 사용되는 스퍼터링(sputtering)을 위한 방법 및 장치에 관한 것이며, 특히 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 형성하는데 사용되는 스퍼터링 장치의 스퍼터링율(sputtering rate)의 균등성을 증가시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
스퍼터링에 의해서 타겟으로부터 기판위로 재료들을 증착시키는 과정에 있어서, 타겟으로부터 스퍼터(sputtered)된 원자들은 여러 방향으로 산란되는데, 타겟의 후방에서는 이온들, 즉 아르곤 이온들이 타겟상에 충돌함으로써 다시 스퍼터된다. 그러나, 타겟상에 재증착되도록 후방으로 산란되는 스퍼터된 원자들은 타겟에 잘 고착되지 않는다. 그러므로, 만일 그러한 원자들이 다시 스퍼터되지 않으면 원자들은 재료들의 빈약하게 결합된 덩어리를 형성하게 되는데, 이 덩어리는 쉽게 벗겨져서 증착 챔버내에 바람직하지 않은 입자들을 발생시키게 된다.
불행하게도, 스퍼터링율은 스터퍼된 원자들이 증착챔버의 벽에 증착되는 것을 방지하는 기능을 수행하는 타겟 주변부에 인접한 접지된 시일드 때문에, 타겟의전체 표면에 걸쳐서 균등하지 않다. 그러므로, 챔버내에서 스퍼터된 원자들의 산란 및 재증착은 상당히 균일한 반면에, 재증착된 원자들의 스퍼터링(즉, 리스퍼터링(resputtering)은 균등하지 않다. 재증착된 원자들의 적은 부분이 타겟(통상적으로 원형)의 주변부 근처에서 다시 스퍼터된다. 금속, 즉 티타늄과 같은 단일 재료가 스퍼터되는 경우, 스피터링율은 상기한 재증착이 문제를 발생시키지 않을 정도로 충분하다. 즉, 리스퍼터링율은 재증착된 금속이 타겟의 모서리들에서 과도하게 축적되는 것을 방지하기에 충분하다.
그러나, 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)이 증착반응기내에서 수행되는 경우, 스퍼터된 금속원자들은 금속원자들이 증착되는 표면상에 금속 화합물을 형성하도록 챔버내에서 가스와 반응한다. 금속 화합물은 금속 그 자체보다도 더 낮은 스퍼터율을 갖는다. 스퍼터된 금속 원자들이 타겟 표면상에 재증착되고 금속 화합물을 형성하도록 반응성 가스와 반응하는 경우, 이 금속 화합물은 빈약하게 고착된 덩어리들의 바람직하지 않은 축적을 방지하기에는 불충분한 비율로 다시 스퍼터된다. 이에 따라, 챔버내에 바람직하지 않은 입자들이 형성된다. 즉, 타겟 표면에 형성된 금속 화합물이 타겟 표면으로부터 벗겨지게 된다.
이러한 재증착 및 입자 형성 문제점은 기판 표면, 즉 반도체 웨이퍼의 표면상에 질화티타늄을 스퍼터 증착시키는데 있어서 특히 중요한 것으로 밝혀졌다. 스퍼터된 티타늄 원자들은 타겟 표면 위로 산란되어 재증착되는 경우에, 타겟 표면상에 질화티타늄을 형성하도록 챔버내에서 질소가스와 반응한다. 질화티타늄은 티타늄 금속보다 낮은 비율로 스퍼터된다. 질화티타늄이 타겟 표면의 주변부에 형성되는 경우, 재증착 및 낮아진 리스퍼터링율로 인해서, 타겟의 모서리 주변부에 빈약하게 고착된 질화티타늄의 점진적인 축적이 발생하게 된다. 이에 따라, 타겟으로부터 재료들이 벗겨져서 입자들이 형성된다.
그러므로, 타겟의 모서리에서 재증착된 재료의 스퍼터링율을 증가시키거나 또는 타겟의 모서리에서 스퍼터된 재료의 재증착량을 감소시킬 수 있는 스퍼터링 방법 및 장치를 제공하는 것이 바람직하다. 특히, 반응성 스퍼터링이 장치내에서 수행되는 경우, 재증착된 재료는 스퍼터 증착챔버내에 존재하는 반응성 가스와 초기 재증착 재료와의 반응에 의해서 화합물을 형성한다.
그러므로, 본 발명의 목적은 스퍼터 증착을 위한 개선된 방법 및 장치를 제공하는데 있으며, 특히 반응성 스퍼터링에 있어서 타겟의 모서리에 스퍼터 재료의 재증착이 금지되는 반면에 스퍼터율이 향상되는 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
본 발명에 따르면, 스퍼터 증착 장치에 있어서, 타겟의 외부 모서리에 인접한 스퍼터링 타겟의 표면에는 가늘어지는 테이퍼가 구비되어 있는데, 이 테이퍼는 후방 산란 원자들이 타겟 표면으로부터 스퍼터되기 전에 재증착되는 재증착율을 감소시킨다. 스퍼터링 장치가 마그네트론을 포함하는 경우, 변경된 타겟은 마그네트론으로부터 플라즈마내에서 이온들의 거리를 감소시키는 기능을 하며, 이에 따라서 타겟의 테이퍼부 인접 위치에서 증착율이 증가된다. 타겟 표면의 중앙 부분에 대한 타겟의 테이퍼부의 각도는 적어도 약 30도이어야 하고, 바람직하게는 약 35도 내지 70도 범위이어야 하며, 보다 바람직하게는 약 40도 내지 60도 범위이어야 한다. 바람직한 실시예에서, 제 2 테이퍼면은 스퍼터링 장치의 벽에 대하여 평행한 시일드의 일부분과 타겟의 외부 모서리 사이에 보다 균일한 간격을 제공하도록 제 1 테이퍼면의 외부로 연장된다. 타겟 표면의 중앙 부분에 대한 제 2 테이퍼면의 각도는 약 70도 내지 85도 범위이며, 바람직하게는 약 75도 내지 83도 범위이다. 타겟 표면의 중앙 부분에 수직한 평면에 대한 스퍼터링 타겟상의 최외부 테이퍼면의 각도는 약 5도 내지 20도이고, 바람직하게는 약 7도 내지 15도 범위이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조로하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 1도를 참조하면, 통상적인 종래의 스퍼터(sputter) 증착 장치는 접지된 챔버벽(6)을 갖는 챔버(2), 원형 타겟(10), 웨이퍼 지지부재(20) 및 타겟(10)을 둘러싸는 원형 시일드(30)를 포함한다. 타겟(10) 위에는 마그네트론(40)이 위치되어 있는데, 마그네트론(40)은 챔버(2)내에서 이온화 가스들을 이동시킬 수 있도록 챔버(2)내에 자기장을 발생시킨다.
타겟(10)은 일반적으로 원형 중앙 부분 및 날개 부분(10a)을 포함하는데, 원형 중앙 부분은 평탄한 표면(12)을 갖추고 있다. 날개 부분(10a)은 챔버(2)내에 타겟(10)을 장착시키는데 사용된다. 타겟(10)은 O자형 링(8)과 같은 적당한 절연수단에 의해서 챔버벽(6)에 대하여 절연상태로 유지된다. O자형 링(8)은 또한 챔버벽(6)과 타겟(10) 사이에 밀봉을 제공한다. 아르곤 가스와 같이 이온화가 가능한 가스가 챔버(2)내로 유입될 수 있는 경우, 이 가스는 전원(도시되지 않음)에 의해서 타겟(10)에 예를 들어, -500볼트(직류(DC))의 전압을 인가함으로써 이온화된다.
웨이퍼 지지부재(20)는 도시된 바와 같이 접지되거나, 또는 챔버벽(6)과 웨이퍼 지지대(22) 사이에 제공된 O자형 링 절연체(26)와 같은 절연수단을 이용하여 지면으로부터 이격된다. 지면 위치에서 유지되는 시일드(30)는 챔버벽(6)에 대하여 평행한 스커트(skirt) 부분(31), 각이 진 부분(32) 및 플랜지 부분(33)을 포함한다. 스커트 부분(31)은 타겟(10)으로부터 스퍼터된 (sputtered) 재료가 챔버벽(6)상에 증착되지 않도록 보호하는 기능을 수행한다.
제 1도를 참조하면, 예를 들어 티타늄 원자와 같은 스퍼터된 원자는 대표적인 지점 (A)에서 가스이온과 충돌하고, 지점 (B)에서 타겟(10)에 충돌하도록 타겟(10)의 표면(12)쪽으로 재편향된다. 즉, 재편향된 원자의 이동 각도가 타겟(10)의 평면에 대하여 수직한 경우에는 지점 (B)에서 타겟(10)에 충돌하게 된다. 그러나, 스퍼터된 원자는 대표적인 지점 (C) 또는 지점 (D)에서 타겟(10)에 충돌하도록 소정 각도로 타겟(10)쪽으로 이동하게 될 것이다. 스퍼터된 원자가 지점 (B) 또는 지점 (D)에서 타겟(10)상에 재증착되는 것은 재증착된 재료의 리스퍼터링(resputtering)의 견지에서 볼 때 문제가 되지 않지만, 스퍼터된 재료가 타겟(10)의 단부 모서리에 인접한 지점 (C)에서 재증착되는 것은 문제가 된다. 왜냐하면, 타겟(10) 모서리 인접부에서의 스퍼터링율(sputtering)이 타겟(10) 중앙 부분에서의 스퍼터링율보다 낮기 때문이다. 이것은 이온화된 가스의 플라즈마가 접지된 시일드(30)의 스커트 부분(31)과의 인접 위치에서 밀도가 높지 않기 때문이다.
그러므로, 스퍼터된 재료가 타겟(10)의 단부 모서리, 즉 지점 (C)에 인접한타겟의 전방면상에 재증착되면, 결과적으로 벗겨져서 떨어질 수 있을 정도로 느슨하게 고착되는 재료가 축적될 수 있다. 이에 의해, 처리를 위해서 챔버(2)내의 웨이퍼 지지부재(20)상에 위치된 웨이퍼 위로 떨어질 수 있는 입자들이 챔버내에 존재하게 된다.
재료의 재증착은 스퍼터된 원자와 이에 충돌하는 가스 이온 사이에서 충돌 지점 (A)로부터 소정 각도를 이루는 지점 (C)에서 타겟(10)에 충돌함으로써 이루어짐을 주목하여야 한다. 충돌 지점 (A)와 재증착 지점 (C)는 단지 대표적인 예로서 제시된 것이며, 대표적 지점 (C)에서의 대부분의 재증착은 직각이 아닌 소정의 각도를 이루게 된다. 왜냐하면, 위에서 언급한 바와 같이, 접지된 시일드(30)의 인접 위치에서는 플라즈마의 이온 밀도가 크지 않기 때문이다. 그러므로, 시일드(30)의 인접한 지점들에서는 적은 층돌이 일어나고, 그 결과 대표적인 지점 (C)에서 타겟(10)과 수직하게 충돌할 수 있다.
따라서, 제 2도 및 3도에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 원형 타겟(11)에는 가늘어지거나 또는 경사진 테이퍼면(14)이 형성되는데, 이 경사진 테이퍼면(14)은 타겟(11)의 전방면(12a)의 평면에 대하여 소정의 각도 (α)를 이루도록 위치된다. 각도 (α)는 적어도 약 30도이어야 하고, 바람직하게는 약 35도 내지 약 70도 범위이어야 하며, 보다 바람직하게는 약 40도 내지 약 60도 범위이어야 한다. 타겟(11)의 모서리에 각도 알파(α)의 기울기를 갖는 테이퍼부를 제공함으로써, 재편향된 대부분의 원자들이 타겟(11)의 모서리나 주변부상에 다시 증착되지 않는다.
제 3도에 도시된 바와 같이, 타겟(11)의 경사진 테이퍼면(14)은 시일드(30)의 스커트 부분(31)으로부터 소정의 거리 (B)만큼 떨어진 위치에서 시작된다. 이러한 거리 (B)는 약 5mm(약 0.2inch) 내지 약 20mm(약 0.8inch) 범위이며, 바람직하게는 약 10mm(약 0.4inch) 내지 약 15mm(약 0.6 inch) 범위이고, 통상적으로는 약 12.5mm(약 0.5inch)이다. 테이퍼면(l4)은 챔버(2)내에서 타겟(11)을 장착시키는데 사용되는 타겟(11)의 날개 부분(11a)상의 지점(19)에서 끝난다. 타겟(11)의 날개 부분(11a)상의 이러한 지점(19)은 시일드(30)의 스커트 부분(31)을 연장하였을 때 타겟(11)을 가로지르기 시작하는 지점이 된다.
제 2도에 도시된 본 발명에 따른 장치는 위에서 언급한 종래 기술의 장치(제 1도에 도시됨)에서 나머지 부분을 변경함이 없이 본 발명의 변경된 타겟(11)을 이용하므로, 나머지 구성 요소들에 대해서는 제 1도의 참조부호와 동일한 참조부호로 나타내었다.
제 2도에 도시된 바와 같이, 스퍼터된 원자가 지점 (A)에서 이온과 충돌하고 지점 (C)으로 편향되는 경우, 즉 지점 (C)에서 타겟(10)의 표면상에 증착되는 동일한 각도로 타겟(11)쪽으로 편향되는 경우, 본 발명에 따라 제공된 테이퍼면(l4)에 의해서, 편향 원자가 타겟(11)의 전방면(12a), 즉 테이퍼면(14)에 증착되지 못하게 된다. 그 결과, 타겟(11)의 단부 모서리, 즉 테이퍼면(14)의 인접 위치에서 증착되는 원자들의 재증착량이 줄어들게 된다. 즉, 통상적으로 리스퍼터링(resputtering)이 약화되어 재증착률의 감소를 가져오고, 이에 따라 추후에 벗겨질 수 있는 재증착 재료의 축적이 감소되어서, 증착챔버내에 형성되는 바람직하지 않은 입자들의발생이 줄어들게 된다.
이와 같이, 테이퍼면을 설치함으로써 얻는 또다른 잇점은 타겟(11)의 전체 두께를 점진적으로 얇게 할 수 있다는 것이다. 이것은 타겟(11)에 인접하여 위치된 마그네트론(40)의 자기장 강도가 거리의 구획에 따라서 변화되어 더 강해지기 때문이다. 이에 의해 스퍼터율(sputter rate)이 향상된다. 그러므로, 타겟(11)이 얇아지고 자기장이 강해지면, 그와 같은 지역에서의 스퍼터율이 향상된다. 접지된 시일드(30)에 가까운 타겟(11)의 지역에는 가장 낮은 플라즈마 밀도가 조성되어, 가장 낮은 스퍼터링율이 제공된다. 자기장이 증가하면 테이퍼면(14)에 인접한 공간내에서의 스퍼터링율에 유익한 영향이 제공된다. 테이퍼면(14)상에 재증착될 스퍼터된 재료는 타겟(11)의 테이퍼면(14)으로부터 보다 쉽게 벗겨지게 될 것이다.
경사진 테이퍼면(14)에 의해서 이러한 테이퍼면(14)상에 재층착되는 스퍼터된 재료의 양이 감소될 뿐만 아니라, 테이퍼면(14)의 인접 지역, 즉 접지된 시일드(30)과의 인접 지역에서의 리스퍼터링율이(resputtering rate) 증가된다. 테이퍼면(14)과 시일드(30)의 각이진 부분(32) 사이의 가늘어지게 형성된 간격은 몇몇의 경우에 해가될 수 있다. 왜냐하면, 재편향된 원자들이 O자형 링(8)상에 재증착될 수 있기 때문이다.
이러한 가변간격이 왜 해가 되는지를 완전하게 이해할 수는 없지만, 시일드(30)와 타겟(11) 사이의 간격은 일정하거나, 또는 시일드(30)가 스커트 부분(31)을 형성하도록, 즉, 시일드(30)의 소정 위치가 타겟(11)의 전방면(12a)에 대하여 약 90도 각도를 이루어 배치되도록 각이진 부분(32)에서 구부러질 때까지연장되지 않는 것이 바람직하다. 작동의 특정 이론에 기초한 것은 아니지만, 시일드(30)가 각이진 부분(32)에서 구부러지거나 또는 만곡되는 것으로서 이루어지는 시일드(30)와 타겟(11) 사이의 간격의 확장은 이 지역에서 접지된 시일드(30)에 타겟(11)이 근접함으로 인한 재증착율에서의 상응하는 증가없이, O자형 링(8)상에 원하지 않는 증착이 이루어질 수 있는 많은 기회를 제공하게 될 것이다.
제 4도에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에서는 제 1 테이퍼면(15)이 타겟(11')상에 제공되어 지점(17)에서 끝난다. 지점(17)은 제 1 테이퍼면(15)이 시작되는 지점(18), 즉, 제 1 테이퍼면(15)과 중앙 타겟(11)의 전방면(12a)과의 교차 지점으로부터 거리 (C)만큼 떨어진 거리이다. 이러한 거리 (C)는 약 3mm(약 0.12inch) 내지 약 18mm(0.72inch) 범위이며, 바람직하게는 약 8mm(약 0.32inch) 내지 약 13mm(약 0.52inch)이다. 한편, 통상적으로 거리 (b)는 약 10.5mm(약 0.42inch)이다.
제 4도 및 제 5도에 도시된 바와 같이, 타겟(11')상의 지점(17)과 시일드(30)의 스커트 부분(31) 사이의 거리 (d)는 약 1.5mm(약 0.06inch) 내지 약 2.5mm(약 0.1inch) 범위이고, 통상적으로는 약 2mm(약 0.8inch)이다.
타겟(11')에는 제 2 테이퍼면(16)이 구비되어 있는데, 제 2 테이퍼면은 지점(17)에서 시작하여 지점(19), 즉 타겟(11')의 날개 부분(11a)의 시작지점까지 연장된다. 제 2 테이퍼면(16)의 기울기는 타겟(11')의 전방면(12a)의 평면에 대하여 수직한 평면과의 각도 (β)에 의해서 한정된다. 즉, 타겟(11')의 전방면(12a)의 평면과 각도 (90°-β)를 이룬다. 이러한 각도 (β)는 약 5도 내지 20도, 바람직하게는 약 7도 내지 15도 범위이며, 통상적으로는 약 10도 내지 12도 범위이다. 타겟(11')의 이러한 구성에 의해서, 스퍼터된 타겟 재료가 타겟(11')의 외부 모서리 또는 O자형 링(8)상에 재증착되는 것이 감소되며, 증착 챔버(2)의 벽(6)에 평행하게 연장된 시일드(30)의 스커트부(31)와 타겟(11') 사이에 바람직한 간격 또는 공간이 유지된다.
본 발명은 스퍼터링, 특히 반응성 스퍼터링을 위한 개선된 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 증착된 기판을 향하는 타겟의 전방면이 타겟 표면의 주변부, 즉 시일드의 인접 위치에서 전방면으로부터 가늘어진다. 그리하여, 스퍼터된 재료가 타겟 표면의 주변부 위로 재증착되는 것이 방지된다.
제 1도는 타겟의 표면 후방으로 스퍼터된 원자들의 후방 산란을 보여주는 종래 기술에 따른 스퍼터 증착 장치의 부분 수직단면도.
제 2도는 제 1도와 유사한 도면으로서 테이퍼면이 제공된 타겟의 주변부에서 타겟 표면에 충돌하는 스퍼터된 원자들의 양의 차이를 보여주는 본 발명에 따른 타겟이 구비된 스퍼터 증착 장치의 부분 수직 단면도.
제 3도는 타겟의 테이퍼면의 각도 및 크기를 보여주는 도면으로서 제 2도의 일부분을 확대하여 도시한 부분 수직 측면도.
제 4도는 2개의 테이퍼면를 갖는 본 발명에 따른 타겟의 또다른 바람직한 실시예의 부분 수직 측면도.
제 5도는 각각의 테이퍼면들의 폭을 보여주는 제 4도에 도시된 시일드 및 타겟의 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
2 : 챔버 6 : 챔버벽
8 : O자형 링 10,11,11' : 타겟
10a,11a : 날개 부분 12,12a : 전방면
14 : 테이퍼면 15 : 제 1 테이퍼면
16 : 제 2 테이퍼면 20 : 웨이퍼 지지부재
22 : 웨이퍼 지지대 30 : (원형) 시일드
31 : 스커트 부분 33 : 플랜지 부분
40 : 마그네트론

Claims (20)

  1. 중앙의 편평한 표면 및 외부면을 가지는 원형 스퍼터링 타겟으로부터 기판 위로 필름을 증착하기 위한 스퍼터 증착 장치로서,
    타겟의 주변부를 둘러싸며, 상기 타겟 표면의 중양 부분 평면에 거의 수직이며, 상기 타겟으로부터 스퍼터링되는 재료로부터 상기 장치의 벽을 보호하기 위한 접지된 시일드를 포함하며,
    상기 타겟의 외부면은 상기 타겟의 증앙 부분에 대하여 35도 내지 70도 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  2. 제 1항에 있어서,상기 타겟의 상기 테이퍼면이 상기 타겟 표면의 나머지 중앙 부분에 대하여 40도 내지 60도 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 타겟의 상기 테이퍼면이, 상기 타겟 표면의 나머지 중앙 부분의 평면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 상기 타겟의 단부 모서리를 둘러싸는 원형 시일드로부터 5mm 내지 20mm 떨어진 거리에서 상기 타겟 표면의 나머지 중앙 부분으로부터 시작되는 스퍼터 증착 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 타겟의 상기 테이퍼면이 상기 타겟면의 나머지 중앙 부분의 평면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 상기 타겟의 단부 모서리를 둘러싸는 원형 시일드로부터 10mm 내지 15mm 떨어진 거리에서 상기 타겟 표면의 나머지 중앙 부분으로부터 시작되는 스퍼터 증착 장치.
  5. 집적회로 구조물을 형성시키기 위해서 기판 표면상에 재료들을 증착시키는데 사용되는 스퍼터 증착 장치에 있어서,
    스퍼터링 타겟 부재를 갖춘 스퍼터링 챔버를 포함하고 있으며,
    상기 스퍼터링 타겟 부재 내부에는 편평한 표면을 갖는 원형의 중앙 스퍼터링 타겟 부분, 및 외부 장착 날개 부분을 갖추고 있으며,
    상기 타겟 부분의 외부 모서리 근처에서 상기 원형 중앙 스퍼터링 타겟 부분의 상기 편평한 표면의 외곽 부분이 상기 편평한 표면에 대하여 35도 내지 70도 각도로 경사진 테이퍼면을 형성하고 있으며, 상기 테이퍼면은 상기 편평한 표면에 놓이는 선을 따라서 측정하였을 때 상기 원형 중앙 스터퍼링 타겟 부분의 상기 외부 모서리를 둘러싸는 원형 시일드로부터 5mm 내지 20mm 떨어진 거리에서 상기 편평한 표면으로부터 상기 외부 장착 날개 부분으로 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 타겟의 상기 테이퍼면이 상기 타겟 표면의 상기 편평한 표면에 대하여 40도 내지 60도 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 타겟의 상기 테이퍼면이 상기 편평한 표면에 있는 상기 선을 따라서 측정하였을 때 10mm 내지 15mm 떨어진 거리에서 상기 시일드로부터안쪽으로 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 타겟의 상기 테이퍼면이 상기 편평한 표면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 약 12.5mm 떨어진 거리에서 상기 시일드로부터 안쪽으로 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  9. 집적회로 구조물을 형성시키기 위해서 기판 표면상에 재료들을 증착시키는데 사용되는 스퍼터 증착 장치에 있어서,
    스퍼터링 챔버, 및
    스퍼터링 타겟 부재를 포함하고 있으며,
    상기 스퍼터링 타겟 부재 내부에는 평면 타겟 표면을 갖는 원형의 중앙 스퍼터링 타겟 부분, 및 상기 챔버 내에 상기 스퍼터링 타겟 부재를 장착시키기 위한 외부 장착 날개 부분을 갖추고 있으며,
    상기 원형의 스퍼터링 타겟 부분은 (a)상기 편평한 타겟 표면에 대하여 적어도 30도 각도로 경사진 테이퍼면을 이루고 있고, 상기 편평한 타겟 표면의 외부 모서리에서 시작하는 제 1 테이퍼면, 및 (b)상기 제 1 테이퍼면의 외부 모서리에서 시작하여 상기 외부 장착 날개 부분으로 연장되는 제 2 테미퍼면을 포함하고 있는 스퍼터 증착 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 테이퍼면이 상기 편평한 타겟 표면에 대하여 35도 내지 70도 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 테이퍼면이 상기 편평한 타겟 표면에 대하여 40도 내지 60도 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 제 1 테이퍼면이 상기 편평한 타겟 표면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 상기 원형의 중앙 스퍼터링 타겟 부분의 상기 외부 모서리를 둘러싸는 원형 시일드로부터 5mm 내지 20mm 떨어진 거리에서 상기 편평한 타겟 표면으로부터 시작되고, 상기 시일드로부터 1.5mm 내지 2.5mm의 거리로 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제 1 테이퍼면이 상기 편평한 타겟 표면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 상기 원형의 중앙 스퍼터링 타겟 부분의 상기 외부 모서리를 둘러싸는 원형 시일드로부터 10mm 내지 15mm 떨어진 거리에서 상기 편평한 타겟 표면으로부터 시작되고, 상기 시일드로부터 1.5mm 내지 2.5mm의 거리로 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 제 2 테이퍼면이 상기 제 1 테이퍼면의 외부 모서리에 인접하여 시작되고, 상기 편평한 타겟 표면에 대하여 70도 내지 85도의 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 제 2 테이퍼면이 상기 제 1 테이퍼면의 외부 모서리에 인접하여 시작되고, 상기 편평한 타겟 표면에 대하여 75도 내지 83도의 각도로 경사져 있는 스퍼터 증착 장치.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 제 2 테이퍼면이 상기 제 1 테이퍼면의 외부 모서리에서 시작되고, 상기 편평한 타겟 표면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 1.5mm 내지 2.5mm 떨어진 거리에서 상기 외부 장착 날개 부분까지 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  17. 집적회로 구조물을 형성시키기 위해서 기판 표면상에 재료들을 증착시키는데 사용되는 스퍼터 증착 장치에 있어서,
    스퍼터링 챔버, 및
    스퍼터링 타겟 부재를 포함하고 있으며,
    상기 스퍼터링 타겟 부재 내부에는 평면 타겟 표면을 갖는 원형의 중앙 스퍼터링 타겟 부분, 및 상기 챔버 내에 상기 스퍼터링 타겟 부재를 장착시키기 위한 외부 장착 날개 부분을 갖추고 있으며,
    상기 원형의 스퍼터링 타겟 부분은 (a) 상기 편평한 타겟 표면에 대해 40도 내지 60도 각도로 테이퍼진, 상기 편평한 타겟 표면의 외부 모서리에서 시작하는 제 1 테이퍼면, 및 (b) 상기 제 1 테이퍼면의 외부 모서리에서 시작하여 상기 외부장착 날개 부분까지 연장되고 상기 편평한 타겟 표면에 대하여 70도 내지 85도 각도로 경사져 있는 제 2 테이퍼면을 더 포함하는 스퍼터 증착 장치.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 제 1 테이퍼면이 상기 편평한 타겟 표면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 상기 원형 증앙 스퍼터링 타겟 부분의 상기 외부 모서리를 둘러싸는 원형 시일드로부터 10mm 내지 15mm 떨어진 거리에서 상기 편평한 타겟 표면으로부터 시작되고, 상기 시일드로부터 1.5 mm 내지 2.5mm의 거리로 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 제 2 테이퍼면에 상기 제 1 테이퍼면의 외부 테두리에서 시작하고, 상기 편평한 타겟 표면에 있는 선을 따라서 측정하였을 때 1.5mm 내지 2.5mm의 거리로 상기 외부 장착 날개 부분까지 연장되는 스퍼터 증착 장치.
  20. 집적회로 구조물을 형성하기 위해서 기판상에 재료들을 증착시키는데 사용되는 스퍼터 증착 방법에 있어서,
    스퍼터링 타겟으로부터 재료를 스퍼터링해 내는 단계를 포함하며, 상기 타겟은, 주변부의 접지된 시일드에 인접한 타겟 표면의 외부를 가지며, 상기 타겟 표면의 외부는 타겟 표면의 나머지 중앙 부분에 대해 적어도 35도로 경사져 있어, 상기 타겟 중 시일드에 인접한 부분 위에, 스퍼터링된 재료가 재증착되는 것을 억제하는 방법.
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