KR0174988B1 - 마그네트론 스퍼터링 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스퍼터링 공정시 플라즈마(Plasma) 형성이 취약한 타켓의 일부분에서 그을음이 발생되는 것을 방지하도록 한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 웨이퍼상에 증착하기 위한 물질로 이루어진 타켓과, 상기 타켓에 자계를 형성하기 위한 자석을 진공사태의 챔버내에 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 타켓의 가장자리부를 포함하는 전체에 걸쳐 자계가 형성되어 플라즈마 지역이 타켓의 전체에 걸쳐 형성되도록 단면이 ㄷ형상의 타켓 및 상기 타켓에 대응하는 ㄷ형상의 자석을 구비하여 이루어지는 구성인 것이다.
따라서 타켓 전체에 걸쳐 플라즈마에 의한 스퍼터링이 이루어지게 됨으로써 타켓에 그을음이 생기는 것이 방지되는 것이고, 이로써 스퍼터링 공정시 그을음에 의한 불량발생이 미연에 방지되는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타낸 단면구조도이다.
제2도는 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타낸 단면구조도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 11 : 챔버 2, 12 : 타켓
3, 13 : 고정판 4, 14 : 자석
5, 15 : 웨이퍼 6, 16 : 플라즈마 지역
본 발명은 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스퍼터링 공정시 플라즈마(Plasma) 형성이 취약한 타켓의 일부분에서 그을음이 발생되는 것을 방지하도록 한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
일반적으로 스퍼터링 기술은 반도체소자 제조시 웨이퍼에 금속박막과 절연체를 적층하는 방법중 하나로서, 이는 진공 증착과는 달리 물리적인 증착방법을 이용한 것이고, 스퍼터링 방법에도 다이오드(Diode) DC 스퍼터링, 트라이오드(Triode) 스퍼터링 및 마그네트론 스퍼터링이 있다.
제1도는 상기와 같은 스퍼터링 방법중 마그네트론 스퍼터링 방법을 수행하기 위한 마그네트론 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타낸 것으로, 통상 스퍼터링 공정은 진공상태의 챔버(1)내에서 이루어지고, 이 챔버(1)내에는 아르곤 가스가 채워진다.
또한 챔버(1)내에는 증착하고자 하는 물질로 이루어진 단면이 일자형인 판상의 타켓(2)이 설치되어 있고, 이 타켓(2)은 고정판(3)에 의해 고정되어지며, 타켓(2)의 후방에는 좌석(4)이 설치되어 타켓(2)에 화살표로 도시된 바와 같이 자계를 형성하도록 되어 있다. 이 자석(4)에 의한 자계는 타켓(2)에서 방출된 전자가 타켓(2) 근처에 있도록 가두어 놓아 타켓(2) 부근에서 플라즈마 지역이 형성되도록 한다.
이러한 마그네트론 스퍼터링 장치는 통상 타켓(2)에 음전위가 연결되고, 증착 대상물인 웨이퍼(5)에는 양전위가 연결되어 타켓(2)에서 전자가 웨이퍼(5)쪽으로 방출되어지며, 이 방출된 전자와 챔버(1)내에 주입되는 아르곤 가스가 반응하여 아르곤 가스를 이온화시킴으로써 타켓(2) 부근에 플라즈마 지역(6)이 형성되는 것이다.
따라서 플라즈마 지역(6)에서 고에너지화된 아르곤 이온이 타켓(2)에 충돌하여 타켓(2)을 떼어내게 되고, 뜯겨나온 물질이 웨이퍼(5)상에 쌓이게 됨으로써 증착되어지는 것이다.
그러나 상기와 같은 마그네트론 스퍼터링 장치는 플라즈마 지역(6)이 타켓(2)의 중심쪽에 집중적으로 몰려있기 때문에 스퍼터링이 타켓(2)의 가장자리부에는 발생하지 않게 되고, 이로써 이 가장자리부에 그을음이 생기게 되었던 것이며, 이 그을음은 타켓(2)을 오래 사용할수록 더욱 심해져 그 면적이 넓어지게 된다.
이러한 그을음은 작은 힘의 플라즈마에 의해서도 쉽게 덜어져 나와 스퍼터링시 타켓(2)의 원재료와 함께 웨이퍼(5)상에 증착되어 공정 불량을 유발하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은, 타켓 전체에 걸쳐 플라즈마 지역이 형성되도록 하여 타켓의 취약한 부분에 그을음이 생기는 것을 방지함으로써 스퍼터링 공정시 그을음에 의한 공정불량을 방지할 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는데 있다.
상기의 목적은 웨이퍼상에 증착하기 위한 물질로 이루어진 타켓과, 상기 타켓에 자계를 형성하기 위한 자석을 진공상태의 챔버내에 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 타켓의 가장자리부를 포함하는 전체에 걸쳐 자계가 형성되어 플라즈마 지역이 타켓의 전체에 걸쳐 형성되도록 단면이 ㄷ형상의 타켓 및 상기 타켓에 대응하는 ㄷ형상의 자석을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 달성될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치를 첨부도면에 의하여 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명의 바람직한 일 실시예를 나타낸 것으로, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 진공상태의 챔버(11)내에는 웨이퍼(15)상에 증착하기 위한 물질로 이루어진 타켓(12)이 설치되고, 이 타켓(12)은 고정판(13)에 의해 고정되어지며, 타켓(12)의 후방에는 타켓(12)에 자계를 형성하기 위한 자석(14)이 설치되어 있다.
이때 상기 타켓(12)의 가장자리부에는 수직연장부(12a)가 일체로 형성되어 있고, 자석(14)에는 상기 타켓(12)과 대응하는 형상으로 역시 가장자리부에 수직연장부(14a)가 형성되어 도면에 도시된 바와 같이 타켓(12)의 가장자리부를 포함하는 전체에 걸쳐 자계가 형성되도록 구성되어 있다 .
즉, 상기 타켓(12)의 가장자리부를 포함하는 전체에 걸쳐 자계가 형성되어 플라즈마 지역이 타켓의 전체에 걸쳐 형성되도록 단면이 ㄷ형상의 타켓(12) 및 상기 타켓(12)에 대응하는 ㄷ형상의 자석을 구비하여 이루어지는 것이다.
이러한 본 발명의 타켓(12)은 가장자리부를 포함하는 전체에 자계가 형성됨으로써 타켓(12)에서 방출되는 전자는 자계의 영향에 의해 타켓(12)의 전체에 걸쳐 부근에 있게 되고, 이로써 챔버(11)내로 주입된 아르곤 가스가 타켓(12)에서 방출된 전자와 반응함으로써 형성되는 플라즈마 지역(16)이 타켓(12) 전체에 걸쳐 형성되는 것이다.
따라서 타켓 전체에 걸쳐 플라즈마에 의한 스퍼터링이 이루어지게 됨으로서 타켓에 그을음이 생기는 것이 방지되는 것이고, 이로써 스퍼터링 공정시 그을음에 의한 불량발생이 미연에 방지되는 효과가 있다.
본 발명은 이상에서 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 사상과 범위내에서 다양한 변형이나 수정이 가능함은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 이러한 변형이나 수정이 첨부된 특허 청구범위에 속함은 당연하다.
Claims (1)
- 웨이퍼상에 증착하기 위한 물질로 이루어진 타켓과, 상기 타켓에 자계를 형성하기 위한 자석을 진공상태의 챔버내에 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 타켓의 가장자리부를 포함하는 전체에 걸쳐 자계가 형성되어 플라즈마 지역이 타켓의 전체에 걸쳐 형성되도록 단면이 ㄷ형상의 타켓 및 상기 타켓에 대응하는 ㄷ형상의 자석을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056602A KR0174988B1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056602A KR0174988B1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970043271A KR970043271A (ko) | 1997-07-26 |
| KR0174988B1 true KR0174988B1 (ko) | 1999-02-18 |
Family
ID=19444441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950056602A KR0174988B1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0174988B1 (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056602A patent/KR0174988B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970043271A (ko) | 1997-07-26 |
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