DE1105522B - Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper - Google Patents
Transistor mit einem scheibenfoermigen HalbleiterkoerperInfo
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Description
DEUTSCHES
Beim Betrieb von Transistoren ist man bestrebt, die am Kollektor, d. h. am Ausgang des Transistors, anliegende
Spannung schon von möglichst kleinen Werten an derart ausnutzen zu können, daß bereits bei kleinen
Spannungen möglichst große Ströme durch den Kollektor fließen. Dies hat zur Folge, daß sowohl die Verstärkereigenschaften
als auch die Schalterwirkung eines Transistors schon bei kleinen Kollektorspannungen einsetzen
und daß weiterhin zur Auslösung dieser beiden Effekte gegebenenfalls eine geringere Eingangsleistung erforderlich
ist. Diejenige Spannung, bei der ein Transistor noch nicht ausgesteuert werden kann oder noch nicht als
Schalter wirken kann, bezeichnet man als Restspannung.
Es hat sich herausgestellt, daß diese Restspannung unter sonst gleichen Bedingungen weitgehend bestimmt
ist durch die Abstände zwischen dem pn-Übergang am Emitter und dem pp+- oder nn+-Übergang an der Basis
sowie durch den Abstand zwischen den pn-Übergängen an Emitter und Kollektor einerseits und zwischen dem
pn-Übergang am Kollektor und dem pp+- oder nn+- Übergang an der Basis andererseits, d. h. durch die in den
Fig. 1 und 3 mit a, b und c bzw. c' bezeichneten Größen.
Es ist bereits aus anderen Gründen vorgeschlagen worden, die Emitterelektrode und die Kollektorelektrode
einander gegenüberliegend auf zwei parallelen Oberflächen eines Halbleiterkörpers anzubringen. Es ist auch
bereits bekannt, die Basiselektrode und die Emitterelektrode zwar gegenüber der Kollektorelektrode, aber
auf einander planparalleler Fläche anzubringen. Jedoch fehlt in allen diesen bekannten Transistoren eine Angabe
über die Abstände zwischen den Übergängen bzw. Elektroden.
Die Erfindung bezieht sich somit auf einen Transistor mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, bestehend
aus drei oder mehreren Zonen aus Halbleitermaterial unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps, die unter Bildung
von pn-Übergängen aneinandergrenzen, und auf dessen einer Oberfläche eine flächenhafte, nahezu nichtsperrende
Kollektorelektrode, auf der anderen, dazu annähernd planparallelen Oberfläche eine flächenhafte, nahezu nichtsperrende
Emitterelektrode und auf der gleichen Oberfläche wie die Emitterelektrode flächenhafte Basiselektroden
mit einem vorgelagerten nn+- bzw. pp+- Übergang angebracht sind. Erfindungsgemäß unterscheidet
sich dieser Transistor von den bisher bekannten dadurch, daß die kürzeste Entfernung α zwischen der
Schnittlinie des pn-Überganges an der Emitterelektrode und der Schnittlinie des nn+- oder pp+-Überganges mit
der Oberfläche des Halbleiterkörpers kürzer oder höchstens gleich groß ist wie die kürzeste Entfernung b zwischen
den pn-Übergängen an der Emitter- und der Kollektorelektrode und daß diese letztere Entfernung kürzer oder
höchstens gleich groß ist wie die kürzeste Entfernung c zwischen dem pn-Übergang an der Kollektorelektrode
Transistor mit einem scheibenförmigen
Halbleiterkörper
Halbleiterkörper
Anmelder:
LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H.,
Frankfurt/M. ,Theodor-Stern-Kai 1
Dipl.-Phys. Karl-Heinz Ginsbach, Warstein,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
und dem nn+- oder pp+-Übergang an der Basiselektrode.
Die Transistoren folgen also im allgemeinen Fall der Ungleichung
a < b < c oder a
< δ < c',
im Grenzfall aber der Beziehung
im Grenzfall aber der Beziehung
a = b = c oder a = b = c'.
Es ist jedoch auch eine Ausführungsform mit der Beziehung
a < b = c oder a
< b = c'
nach der Lehre der Erfindung möglich. Dabei ist zu beachten, daß die Beziehungen, die die Größe c' enthalten,
dann eintreten, wenn eine projektive Überlappung von Basis- und Kollektorelektrode vorliegt, d. h.
wenn sich die Projektionen ihrer Flächen auf eine der kontaktierten Oberflächen des Halbleiters überlappen.
An Hand der in den Figuren teilweise schematisch
dargestellten Ausführungsbeispiele wird die Lehre der Erfindung näher erläutert.
In Fig. 1 ist mit 1 ein Halbleiterkörper bezeichnet, an den die in allen Figuren gleichmäßig mit K1E B und B'
bezeichneten Kollektor-, Emitter- und Basiselektroden angebracht sind.
Die Elektroden, die mit Vorzug die Form einer Kreisscheibe oder Kreisringscheibe aufweisen und deren
Elektrodenflächen ebenso wie die zu ihnen gehörigen Übergänge der leichteren Herstellbarkeit und der übersichtlicheren
Anordnung wegen eine gemeinsame Rotationsachse haben, sind durch Anlegieren an dem Halbleiterkörper
befestigt. An der Basiselektrode wird unter Verwendung überdotierender Lote ein dicht unter der
Oberfläche liegender pp+- oder nn+-Übergang 2 ausgebildet, während unter Verwendung umdotierender
■Π» 575/332
Lote an der Kollektor- bzw. an der Emitterelektrode verhältnismäßig tief im Halbleiterkörper liegende pn-Übergänge
3 und 4 erzeugt werden. Die Basiselektrode B ist kreisringförmig ausgebildet und schließt die Emitterelektrode
E ein, die ebenso wie die Kollektorelektrode K die Form einer Kreisscheibe hat.
Zu besonders guten Resultaten gelangt man, wenn die Projektion des pn-Cberganges an der Emitterelektrode
auf eine kontaktierte Oberfläche des Halbleiterkörpers, entweder also auf die von der Emitterelektrode kontaktierte,
in Fig. 1 obere Halbleiteroberfläche oder die von der Kollektorelektrode kontaktierte, in Fig. 1 untere
Halbleiteroberfläche, vollständig innerhalb der Projektion des pn-Überganges an der Kollektorelektrode auf die
gleiche Halbleiteroberfläche liegt.
Es kann für besondere Zwecke von Vorteil sein, auch die Emitterelektrode kreisringförmig auszubilden, wie
es in Fig. 2 dargestellt ist, und es führt zu einer weiteren Verbesserung, wenn nach Fig. 3 innerhalb des Emitterkreisringes
noch eine weitere, vorzugsweise kreisförmige Basiselektrode B' vorgesehen ist. Dabei ist es günstig,
wenn die Fläche des Basiselektrode B' innerhalb des Emitterringes E kleiner ist als die Fläche der Basiselektrode
B außerhalb des Emitterringes. Es ist dabei zu beachten, daß hier für das Verhältnis zwischen dem
Kollektor und der Basis B' bereits die Beziehung
a < b < c'
in Geltung tritt.
Auch ist, wie in Fig. 4 dargestellt, die Möglichkeit gegeben, die Kollektorelektrode kreisringförmig auszubilden.
In Fig. 5 ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, bei dem eine projektive Überlappung von Kollektorelektrode
und Basiselektrode nicht nur für die Basis B' wie in Fig. 3, sondern auch für den Basisring B dargestellt ist.
Mit besonderem Vorteil wird dabei die Fläche der projektiven Überlappung kleiner gehalten als die nicht
überlappende Restfläche der Basiselektrode. In Fig. 5 gilt ausschließlich die Beziehung
a < b < c'.
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Jedoch läßt sich an Hand der Fig. 5 erkennen, daß auch der Fall
a < δ = c'
eintreten kann, wenn z. B. die Übergänge an der Basis und am Emitter gleich tief liegen. Wird dennoch die
Dicke der Halbleiterscheibe so bemessen, daß h = a
wird, dann liegt der Grenzfall
a =b = c'
Claims (9)
1. Transistor mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, bestehend aus drei oder mehreren Zonen
aus Halbleitermaterial unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps, die unter Bildung von pn-Übergängen
aneinandergrenzen, und auf dessen einer Oberfläche 60 eine flächenhafte, nahezu nichtsperrende Kollektorelektrode,
auf der anderen, dazu annähernd planparallelen Oberfläche eine flächenhafte, nahezu nichtsperrende
Emitterelektrode und auf der gleichen Oberfläche wie die Emitterelektrode flächenhafte
Basiselektroden mit einem vorgelagerten nn+- bzw. pp+-Übergang angebracht sind, dadurch gekenn
zeichnet, daß die kürzeste Entfernung (α) zwischen der Schnittlinie des pn-Überganges an der Emitterelektrode
und der Schnittlinie des nn+- bzw. pp+- Überganges mit der Oberfläche des Halbleiterkörpers
kürzer oder höchstens gleich groß ist wie die kürzeste Entfernung (b) zwischen den pn-Übergängen an der
Emitter- und der Kollektorelektrode und daß diese letztere Entfernung kürzer oder höchstens gleich groß
ist wie die kürzeste Entfernung (c) zwischen dem pn-Übergang an der Kollektorelektrode und dem
nn+- bzw. pp+-Übergang an der Basiselektrode.
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die senkrechte Projektion des pn-Überganges an der Emitterelektrode auf eine der beiden
kontaktierenden Oberflächen des Halbleiterkörpers vollständig innerhalb der senkrechten Projektion des
pn-Überganges an der Kollektorelektrode auf die gleiche Oberfläche liegt.
3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergangsflächen an den
Elektroden eines gemeinsame Rotationsachse haben.
4. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der nn+- bzw. pp+-Übergang ringförmig,
vorzugsweise kreisringförmig, ausgebildet ist.
5. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang an der Emitterelektrode
ringförmig, vorzugsweise kreisringförmig, ausgebildet ist.
6. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang an der Emitterelektrode
einen weiteren, vorzugsweise kreisringförmigen nn+- bzw. pp+-Übergang umschließt.
7. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang an der Kollektorelektrode
ringförmig, vorzugsweise kreisringförmig, ausgebildet ist.
8. Transistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des nn+- bzw. pp+-Überganges
innerhalb des Überganges an der Emitterelektrode kleiner als die Fläche des nn+- bzw. pp+-
Überganges außerhalb des Überganges an der Emitterelektrode ist.
9. Transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß bei senkrechter
Projektion die Fläche der projektiven Überlappung von den Übergängen an der Kollektor- und
der Basiselektrode kleiner ist als die nicht überlappende Restfläche des Überganges an der Basiselektrode.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1024640;
französische Patentschriften Nr. 1 103 544, 1 129 770, 424, 1162 015, 1 173 654;
belgische Patentschrift Nr. 531 626.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1024640;
französische Patentschriften Nr. 1 103 544, 1 129 770, 424, 1162 015, 1 173 654;
belgische Patentschrift Nr. 531 626.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 57&/S2 4.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL31695A DE1105522B (de) | 1958-11-12 | 1958-11-12 | Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper |
GB3825759A GB878265A (en) | 1958-11-12 | 1959-11-11 | A transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL31695A DE1105522B (de) | 1958-11-12 | 1958-11-12 | Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1105522B true DE1105522B (de) | 1961-04-27 |
Family
ID=7265655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL31695A Pending DE1105522B (de) | 1958-11-12 | 1958-11-12 | Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1105522B (de) |
GB (1) | GB878265A (de) |
Citations (7)
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FR1129770A (fr) * | 1954-08-17 | 1957-01-25 | Gen Motors Corp | Transistor perfectionné |
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-
1958
- 1958-11-12 DE DEL31695A patent/DE1105522B/de active Pending
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1959
- 1959-11-11 GB GB3825759A patent/GB878265A/en not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB878265A (en) | 1961-09-27 |
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