DE2047672A1 - Hochfrequenz Feldeffekttransistor - Google Patents
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Description
DIPL.-ING. KLAUS BEHN
DIPL.-PHYS. ROBERT MÜNZHUBER
a München aa widenmayerstrasse β
TEL. (0811} 22 25 30-29 5192
Aktenzeichen: P 20 47 672.6
Anmelder : Kogyo Gijutsuin
Uns. Zeichens A 27070-Pp/Sc
Anmelder : Kogyo Gijutsuin
Uns. Zeichens A 27070-Pp/Sc
(NEUE) BESCHREIBUNG
29. Januar 1971
Hochfrequenz-Feldeffekttransistor
Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Feldeffekttransistor,
der keine Epitaxie- und Trennzonen erfordert und für verschiedene integrierte Schaltungen geeignet
ist. Es ist allgemein bekannt, daß der Transistor, dessen Strompfad- bzw. Kanallänge durch den Unterschied
zwischen den Diffusionslängen von Störstoffen bestimmt wird, ohne direkt durch das Photogravierverfahren beeinflußt
zu werden, eine ausgezeichnete Charakteristik bei euperhoher Frequenz hat, da die Kanal- bzw. Strompfadlänge
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läßlich.
um eine Größenordnung kürzer als der Mindestwert (mehrere
Mikron) des Transistors bei der herkömmlichen Bauart gemacht werden kann. Bei diesen herkömmlichen Transistoren
ist jedoch das sogenannte Aufwachsverfahren und das Trenndiffusionsverfahren
(isolating diffusion process) uner-
Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines
Hochfrequenz-Feldeffekttransistors für integrierte Schaltungen, der keine Epitaxie- oder Trennzonen erfordert, die
bei den herkömmlichen Transistoren bisher nötig sind.
Ferner soll durch die Erfindung ein Hochfrequenz-Feldeffekttransistor
geschaffen werden, der als Bauelement verwendet! werden kann, durch welches eine integrierte
Schaltung von hoher Leistung und geringem Substate-Effekt
erhalten wird.
Weiter soll durch die Erfindung ein Hochfrequenz-Feldeffekttransistor
mit einem schmalen Äbflußgebiet geschaffen werden. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht,
daß ein Transistoraufbau verwendet wird, bei welchem das Trägermaterial aus einem Halbleiter hergestellt ist,
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dessen Störstoff der gleiche wie der der Basiszone ist, und die Störstoffkonzentration der Basiszone von der
Qjiellenzone zur Abflußzone verringert ist und an ihrem
Übergang zur Abflußzone geringer als diejenige, der letzteren gemacht wird. Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen, in welchen gleiche bzw, äquivalente
Elemente mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. Es zeigen:
Fig. 1a
und b scheraatische Ansichten im Schnitt eines
Teiles eines Feldeffekttransistors, dessen Kanallänge durch ein herkömmliches Diffusionsverfahren
bestimmt wird;
Fig. 2 eine schematische Ansicht im Schnitt eines erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors;
Fig. 3a,
b,c,d,e,
f u. g Schnittansichten in vergrößertem Maßstab
zu den aufeinanderfolgenden Verfahrensstufen
zur Herstellung einer verbesserten, integrierten Schaltung, in welcher der erfindungsgemäße
Transistor angewendet wird; und
Fig. 5h ein Ersatzschaltbild der in Fig. 3g gezeigten
integrierten Schaltung.
In Fig. 1a ist ein Beispiel eines herkömmlichen Hochfrequenz-Feldeffekttransistors gezeigt, bei welchem
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die Bezugsziffern 1, 2, j5, 4 und 5 eine Abflußzone, eine
Basiszone, deren Leitfähigkeit derjenigen der Abflußzone entgegengesetzt 1st und einen Kanal in ihrer Lage auf
der Halbleiteroberfläche bildet, eine Quellezone, eine Torisolierschicht und eine Torelektrode bezeichnen. Zur
Anpassung des voreerwähnten Feldeffekttransistors zur
Bildung einer integrierten Schaltung, wie In Fig. 1b gezeigt, muß eine Kristallzone 100, die einen Teil der
Abflußzone bildet oder die gleiche Leitfähigkeit wie die Abflußzone hat, auf einem Substrat 200 von einem
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp als die Abflußzone gebildet werden, um eine getrennte Zone 1a in der Kristallzone
100 durch Trenndiffusionszonen 2S zu erhalten und einen Aufbau von der in Fig. 1a gezeigten Art in
der Zone 1a zu schaffen, was die Notwendigkeit eines Aufwachsverfahrens und eines Trenndiffusionsverfahrens
bedingt.
Im Gegensatz dazu wird erfindungsgemäß ein Halbleiter
vom gleichen Störstofftyp wie der der Basiszone als Substrat verwendet, wodurch die Notwendigkeit eines
Aufwachsvorganges vermieden wird. Ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel ist in Fig. 2 gezeigt, bei welchem
■'■■■•' - 5 109825/1715
die effektive Kanal- bzw. Strompfadlänge durch die Länge Lc der diffundierten Basiszone 2a an der Oberfläche des
Halbleiters bestimmt wird. Mit anderen Worten, es ist, wenn die Senkespannung niedrig ist, die Störstoffkonzentration
der diffundierten Basiszone 2a höher als diejenige des Substrats 200, so daß, wenn die Torspannung
zur Operation erhöht wird, zuerst Ladungsträger an der Oberfläche der Basiszone 2b, die durch einen Teil des
Substrats gebildet wird, erzeugt werden und dann Ladungsträger an der Oberfläche der diffundierten Basiszone
2a erzeugt werden, so daß der reelle Wert von gm durch
2a die Länge Lc der Fläche der diffundierten Basiszone/bestimmt wird und das erwähnte gm zunimmt, da der Widerstand des in der
Basiszone 2b gebildeten Strompfades bzw. Kanals niedrig ist.
Ferner werden, wenn das Substrat aus einem Halbleiter von hohem Widerstand hergestellt ist und die Senkespannung
hoch ist, alle Teile der Zone 2b zwischen der Basiszone 2a und der Senkezone 1 eine Sperrschicht und die Ka-
- bzw. Strompfadlänge wird gleich Lc. In diesem Falle
kann die Torelektrode 5 so vorgesehen werden, daß sie
nicht der Senkezone überlagert ist, wodurch die Rückkopplungskapazität
wesentlich herabgesetzt wird. Anderer- ••ite können die Senkezone 1 und die Quellezone 2 gleich-
109825/1795
zeitig durch einen Diffusionsprozeß erzeugt werden, ohne daß gleichzeitig die Senkezone 1 und das Substrat erzeugt
werden, so daß die ebene Fläche der Senkezone 1 verringert werden kann, was eine extreme Herabsetzung der Senkekapazität
ergibt. Ein Beispiel, bei welchem der vorangehend in Verbindung mit Pig. 2 beschriebene Transistor auf eine
integrierte Schaltung Anwendung gefunden hat, wird nachfolgend beschrieben.
1. wird, wie in Fig. J>& gezeigt, eine Isolierzone
für eine Diffusionsmaske mit einem Halbleitersubstrat 200 durch Oxydation oder Dampfphasenreaktion haftend
verbunden;
2. werden, wie in Fig. 5b gezeigt, Diffusionsfeneter
42^, 2H? und 401, welche zum Diffundieren der Quelle-,
der Basis- und der Senlezone J5, 2a und 1 notwendig sind,
durch Photogravieren gebildet;
2. wird eine Isolierschicht 600, welche einen Störstoff
enthält, der die Basiszone 2a bildet, gleichmäßig auf die Vorrichtung aufgebracht, wie in Fig. ?c gezeigt;
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4. wird, wie in Fig. 3d gezeigt, ein Teil 623 der Isolierschicht
600, der größer als das Diffusionsfenster 423 ist und dem anderen Diffusionsfenster nicht überlagert
ist, beim Photogravieren stehengelassen und dann ein Diffusionsprozeß in einer Hochtemperaturatmosphäre von
dem Teil 623 aus durch das Diffusionsfenster 423 durchgeführt,
wodurch ein eine Basiszone 2a bildender Teil erzeugt wird, wie in Fig. 3e gezeigt;
5. wird, wie in Fig. 3*" gezeigt., im übrigen Zustand
der Isolierschicht 623, wenn diese sehr dünn ist, oder im weggenommenen Zustand dieser Schicht, wenn diese
dick ist, der Diffusionsvorgang so ausgeführt, daß die Zone 2a mit einem Störstoff vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der des Substrats bleibt, wodurch eine Quellezone
3 des als aktives Element verwendeten Transistors, eine Senkezone 13* die als die Quellezone I3 eines
Lasttransistors verwendet werden kann, und eine Senkezone 10 des erwähnten Lasttransistors erzeugt werden;
6. werden, wie in Fig. 3g gezeigt, Torisollerschichten
4a und 4L, Torelektroden 5A und 5L und Elektroden 3W,
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2Q47672
, 1OW und 200W auf die Vorrichtung aufgebracht, wodurch
die Fabrikation der wesentlichen Teile einer integrierten Schaltung abgeschlossen ist.
Die in Pig. Jg gezeigte integrierte Schaltung kann
durch eine Ersatzschaltung dargestellt werden, wie in Fig. 5h gezeigt, bei welcher, wenn die Anschlüsse 5A,
1?W, 1OW, 2W und 200W, die den Elektroden 5A, I3W, 1OW
und 200W der in Fig. Jg entsprechen, als Eingangsanschluß, Ausgangsanschluß, Leistungsanschluß, Erdanschluß bzw.
als Steueranschluß zur Steuerung der Schleusenspannung jedes MOS-Transistors verwendet werden, die Vorrichtung als
Verstärker oder Schaltkreis arbeiten kann.
Der Anschluß 5L kann in dem Zustand verwendet werden, in welchem er mit der Leistungsspannung verbunden werden
kann. Ferner wird, wenn ein Substrat aus p-Silicium und Torisolierschichten 4A und 4L aus SiOp verwendet werden,
der Lasttransistor L ein Transistor vom Verarmungstyp,
so daß eine integrierte Schaltung vom Hochleistungstyp mit einer Vorbelastung durch einen konstanten Strom dadurch
erhalten werden kann, daß der Anschluß 5L mit dem Anschluß
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1j5W durch eine Innenverdrahtung der integrierten Schaltung
verbunden werden kann.
Bei dem vorangehend beschriebenen Beispiel kann, selbst weinn eine Isolierschicht, die durch ein Ätzmittel
aufgelöst werden kann, das von dem der Maske 400 verschieden
ist, haftend anstelle der Isolierschicht 600, die einen Störstoff enthält, aufgebracht wird und nur die Zone
623 durch Photogravieren weggenommen wird, der gleiche
Aufbau wie in Pig. 3g erhalten werden.
Wie vorangehend im einzelnen beschrieben, kann die Kanallänge eines Feldeffekttransistors, bei welchem die
effektive Kanallänge durch die Differenz zwischen den Diffusionslängen von zwei Arten von Störstoffen bestimmt
wird, kleiner als ein Mikron gemacht werden, so daß dieser Transistor als Superhoch-Frequenz-Transüor verwendet
werden kann. Andererseits hat ein Feldeffekttransistor vom sogenannten Verarmungstyp eine Belastungscharakteristik,
die im wesentlichen gleich einer Charakteristik für konstanten Strom ist, so daß der erwähnte Transistor wirksam
als integrierte Schaltung von geringer Leistung und hoher Operationsgeschwindigkeit verwendet werden kann.
- 10 109825/1795
Claims (2)
1. Feldeffekttransistor mit mindestens einer Basis-, Quellen- und Senkezone, dadurch gekennzeichnet, daß
die Störstoffkonzentration der Basiszone von der Quellezone zur Senkezone verringert ist und so gemacht
ist, daß sie an ihrem Übergang zur Senkezone geringer als diejenige der letzteren ist.
2. Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit mindestens einer Basiszone, einer Quellezone und
einer Senkezone, dadurch gekennzeichnet, daß ein Störstoff von dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie der, der
" in mindestens einem Teil des Substratkristalls enthalten
ist, durch selektrive Diffusion eindiffundiert wird, die diffundierte Zone dazu gebracht wird, daß sie mindestens
einen Teil der Zone erreicht, der in dem erwähnten Kristall vor dem Diffusionsprozeß enthalten ist
und den gleichen Leitfähigkeitstyp wie der des erwähnten Störstoffes hat, um dadurch die Basiszone zu bilden,
und ein Störstoff von einem Leitfähigkeitstyp, der dem
- 11 109825/1795
der erwähnten selektiv diffundierten Zone entgegengesetzt ist, mit Hilfe der gleichen Positionsmittel wie
die der selektiven Diffusion eindiffundiert wird, um dadurch die Quellezone zu bilden.
109825/1795
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