DE1764513B1 - Feldeffekt halbleitersteuerelement - Google Patents

Feldeffekt halbleitersteuerelement

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DE1764513B1
DE1764513B1 DE19681764513 DE1764513A DE1764513B1 DE 1764513 B1 DE1764513 B1 DE 1764513B1 DE 19681764513 DE19681764513 DE 19681764513 DE 1764513 A DE1764513 A DE 1764513A DE 1764513 B1 DE1764513 B1 DE 1764513B1
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silicon dioxide
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field effect
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Harold Eugene Hokendauqua Stach Joseph Centre County Tung Shiu Kang Bethlehem. Pa Nigh (V St A )
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Western Electric Co Inc
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Description

Die Erfindung betrifft ein Feldeffekt-Halbleitersteuerelement mit einer isolierten Steuerelektrode und einer Aufbaureihenfolge des Typs »Metall-Isolator-Halbleiter«, wobei die isolierte Steuerelektrode einen aus mindestens zwei gesonderten Isolierschichten bestehenden Isolierfilm aufweist und eine der Isolierschichten aus Siliciumdioxid besteht. Zum Gegenstand der Erfindung gehört ferner eine integrierte Halbleiterschaltung, die wenigstens zwei derartige Halbleitersteuerelemente umfaßt. ίο
Feldeffekt-Halbleitersteuerelemente, insbesondere Feldeffekt-Transistoren, der vorgenannten Art weisen z. B. einen Leitkanal auf, der an einem Ende durch eine Quellenzone und am anderen Ende durch eine Senkenzone begrenzt ist, wobei die letztgenannten Zonen bezüglich des Leitkanals vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sein können. Die Leitfähigkeit bzw. der Stromfluß in diesem Kanal wird durch das Potential der isolierten Steuerelektrode bestimmt.
Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Steuerelektrode können im allgemeinen im Stromerhöhungsbzw. Ladungsträgerüberschußbetrieb (enhancement mode) oder aber im Stromdrossel- bzw. Ladungsträgermangelbereich (depletion mode) arbeiten. Feldeffekt-Transistoren des erstgenannten Typs haben bei verschwindender Vorspannung zwischen Steuerelektrode und Senkenelektrode einen praktisch verschwindenden Ruhestrom und werden durch ausreichende Vorspannung auf einen entsprechenden Arbeitsstrom ausgesteuert, während Feldeffekt-Transistoren des letztgenannten Typs bei der Vorspannung 0 einen vergleichsweise hohen Ruhestrom aufweisen, der durch entsprechende Vorspannung gedrosselt oder aber auch noch weiter erhöht werden kann. Die Polarität der zur Einstellung des Arbeitsstromes erforderlichen Vorspannung hängt hierbei von der Polarität der die Leitfähigkeit bestimmenden Ladungsträger ab.
Die dem Übergang des Leitkanals in den stromführenden Zustand zugeordnete Vorspannung wird im allgemeinen als »Schwellspannung« bezeichnet. Im vorliegenden Zusammenhang soll hierunter derjenige Vorspannungswert verstanden werden, bei welchem die Konzentration der Minoritätsladungsträger im Leitkanal gerade der Konzentration der Minoritätsladungsträger im Halbleiterkörper gleich ist. Für die meisten Anwendungsfälle von Feldeffekt-Halbleitersteuerelementen mit isolierter Steuerelektrode, insbesondere auch für integrierte Halbleiterschaltungen mit solchen Steuerelementen, ist eine möglichst niedrige Schwellspannung erwünscht. Diese kann z. B. durch Verminderung der Isolierfilmdicke erreicht werden, womit jedoch eine Verschlechterung anderer wesentlicher Eigenschaften des Steuerelementes, insbesondere eine Verminderung der Durchbruchsspannung zwischen der Steuerelektrode und dem Halbleiterkörper, verbunden ist. Ein solcher Spannungsdurchbruch macht das Steuerelement unbrauchbar.
Feldeffekt-Halbleitersteuerelemente mit mehrschichtig isolierter Steuerelektrode sind in verschiedenen Ausführungen bekannt. Eine bekannte Ausführung dieser Art (französische Patentschrift 1 389 820) weist eine organische Isolierschicht und eine weitere, aus einer Mischung von Halbleiter- und Isoliermaterial bestehende Isolierschicht auf, welch letztere an der Oberfläche eines stromführenden Halbleiterkörpers angeordnet ist. Derartige Steuerelemente weisen extrem hohe Steuerspannungen bei sehr geringem Stromfluß auf und eignen sich daher allenfalls für den Einsatz als Gleichrichter, nicht aber für die üblichen Anwendungsfälle von Transistoren in Verstärkern u. dgl.
Bei einer anderen bekannten Ausführung eines Feldeffekt-Halbleitersteuerelementes mit mehrschichtiger Steuerelektrodenisolierung (Zeitschrift »Electronics«, Bd. 40, Heft 12, S. 82 bis 90) ist ein Halbleiterkörper aus Galliumarsenid mit einer inneren Isolierschicht aus Siliciumnitrid und einer äußeren Isolierschicht aus Siliciumdioxid vorgesehen, welch letztere im Bereich der Steuerelektrode jedoch für unmittelbaren Kontakt zwischen dem Elektrodenmetall und der inneren Isolierschicht durchbrochen ist. Dieser Galliumarsenid-Feldeffekt-Transistor weist zwar im Vergleich zu den üblichen Silicium-Feldeffekt-Transistoren gewisse vorteilhafte Eigenschaften hinsichtlich der Steuersteilheit und der oberen Grenzfrequenz auf, ist jedoch andererseits mit dem Nachteil eines höheren Absolutwertes der Schwellspannung behaftet. Im Falle einer Ausführung als Stromdrossel-Steuerelement beträgt der Absolutwert der Abschnürspannung z. B. 2,5 Volt gegenüber 1,5 Volt bei üblichen Silicium-Feldeffekt-Transistoren gleicher Form und Größe.
Aufgabe der Erfindung ist in diesem Zusammenhang die Schaffung eines Feldeffekt-Halbleitersteuerelementes mit isolierter Steuerelektrode, dessen Schwellspannung bei unverminderter Durchbruchsspannung gegenüber den bisher bekannten Ausführungen geringere Werte aufweist. Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe kennzeichnet sich bei einem Halbleitersteuerelement der eingangs erwähnten Art hauptsächlich dadurch, daß die innerste Isolierschicht aus Siliciumdioxid besteht und daß der Isolierfilm eine weitere, aus Aluminiumoxid oder einem Aluminiumsilikat bestehende Isolierschicht aufweist. Durch eingehende Untersuchungen wurde bestätigt, daß sich mit einer derartigen Ausbildung der Isolierstruktur nicht nur die verlangte Verminderung der Schwellspannung bei im wesentlichen unverminderter Spannungsfestigkeit, sondern darüber hinaus auch eine bisher nicht erreichbare Konstanz der übrigen Kenndaten in einem weiteren Bereich von Arbeits- und Umgehungsbedingungen erzielen läßt.
Weiterhin wurde festgestellt, daß sich die Schwellspannung bei einem derartig ausgebildeten Halbleitersteuerelement durch unterschiedliche Dickenbemessung der inneren Siliciumdioxidschicht in einem weiten Bereich verändern läßt. Auf diese Weise kann sogar ein Übergang vom Stromerhöhungszum Stromdrosselbetrieb erzielt werden, so daß also durch bloße Dickenverminderung der inneren Isolierschicht, wie in den Ansprüchen gekennzeichnet, die Herstellung von Stromerhöhungs-Steuerelementen sowie durch Verstärkung der inneren Isolierschicht, wie ebenfalls aus den Ansprüchen hervorgeht, die Herstellung von Stromdrosselelementen, vorzugsweise innerhalb einer einzigen integrierten Schaltung, möglich ist. Es ist zwar prinzipiell schon bekannt, zwei komplementäre MOS-Feldeffekt-Transistoren innerhalb eines einzigen Halbleiter-Grundkörpers anzuordnen (Zeitschrift »SCP and Solid State Technology«, Bd. 9, März 1966, S. 23 bis 29), jedoch ist bisher nicht bekanntgeworden, bei zwei auf dem gleichen Halbleiter-Grundkörper angeordneten MOS-Feldeffekt-Transistoren den Übergang vom Stromerhöhungs- zum Stromdrosselbetrieb durch Verände-
3 4
rung der inneren Schichtdicke von zwei Isolierschich- wird daher mit einer der gewünschten Schwellspanten zu erzielen. Es läßt sich mit einer derartigen in nung entsprechenden Dicke hergestellt, z. B. in einem den Ansprüchen gekennzeichneten Anordnung den Bereich von 100 bis 1000 Ä. Die auf der Halbleiterverschiedenen Anforderungen und insbesondere oberfläche verbliebenen Abschnitte der vorangehen-Leistungs- sowie Lastverhältnissen innerhalb einer 5 den Siliciumdioxidschicht werden hierdurch entSchaltung optimal Rechnung tragen. sprechend weiterverstärkt.
Die Erfindung wird weiter an Hand der in den Als nächstes wird eine Aluminiumoxidschicht
Zeichnungen veranschaulichten Ausführungsbeispiele (Al2O3) über der gesamten Oberfläche aufgebracht,
erläutert. Hierin zeigt und zwar mit einer Dicke von etwa 300 bis 1000 Ä.
Fig. 1 den schematischen Querschnitt eines Teiles io Die Bildung dieser Schicht erfolgt z. B. durch Pyro-
einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Feld- lyse von Aluminiumchlorid in einer Kohnendioxid-
effekt-Halbleitersteuerelement mit isolierter Steuer- Wasserstoffatmosphäre.
elektrode, wie es in den Ansprüchen gekennzeichnet ~Es folgt eine Reihe von Arbeitsschritten, die sich
ist, mit der Bildung der Ausnehmungen für die Quellen-
F i g. 2 einen Ausschnitt einer integrierten Halb- 15 und Senkenelektrode 18 bzw. 19 an der Silicium-
leiterschaltung ähnlich derjenigen nach Fig. 1, je- oberfläche befassen. Hierzu wird in einer weiteren
doch mit einem im Ladungsträgermangelbetrieb sowie aufgebrachten Siliciumdioxidschicht mit Hilfe des
einem im Ladungsträgerüberschußbetrieb arbeitenden bekannten Fotoresist-Maskierungsverfahrens eine
Halbleitersteuerelement, und entsprechende Maske gebildet. Die hierbei verwen-
F i g. 3 den Zusammenhang zwischen der Schwell- so dete Siliciumdioxidschicht wird über der Aluminiumspannung und der Dicke des zweischichtigen Isolier- oxidschicht aufgebracht, und zwar z. B. durch pyrofilms der Steuerelektrode in Form eines Diagramms. lytische Zerlegung von Siliciumtetrachlorid mit Sauer-
Der in F i g. 1 dargestellte Abschnitt 10 einer inte- Stoffinjektion gemäß bekannter Technik. Die Kongrierten Halbleiterschaltung entspricht einem Feld- taktflächen der Quellen- und Senkenzone werden effekt-Halbleitersteuerelement mit isolierter Steuer- «5 dann in der Siliciumdioxidschicht entsprechend der elektrode. Dieses Steuerelement ist bis auf den zwei- Maske bis auf die Oberfläche der darunter befindschichtigen Isolierfilm zwischen der Steuerelektrode liehen Aluminiumoxidschicht ausgeätzt, und zwar und dem Halbleiterkörper von üblichem Aufbau. z. B. wiederum mit Hilfe einer gepufferten Lösung Innerhalb des dargestellten Abschnitts befinden sich von Fluorwasserstoffsäure. Die Aluminiumoxidp-leitende Zonen 11 und 12, welche die Quellen- 30 schicht wird dann ihrerseits mittels heißer Phosphor- und Senkenzone innerhalb des η-leitenden Halbleiter- säure bis auf die darunter befindliche, thermisch erkörpers 13 bilden. An der Oberfläche des Halbleiter- zeugte Siliciumdioxidschicht ausgeätzt, welch letztere körpers im Bereich zwischen der Quellen- und Sen- sodann wieder mit Hilfe von Fluorwasserstoffsäure kenzone ist ein Stromflußkanal 14 gebildet, oberhalb entfernt wird. Die Fläche der somit insgesamt erzeugdessen sich die von dem Halbleiterkörper durch den 35 ten Ausnehmung ist geringer als diejenige der urzweischichtigen Isolierfilm getrennte Steuerelektrode sprünglichen Ausnehmungsfläche in der obersten 17 befindet. Der Isolierfilm besteht aus einer inneren Schicht, so daß die anschließend aufgebrachte Metall-Siliciumdioxidschicht 15 und einer äußeren Alumi- schicht der Elektrode eine dünnere Siliciumdioxidniumoxidschicht 16. Die Steuerelektrode 17 besteht schicht mit einer darüberliegenden Aluminiumoxidaus einer dünnen Metallschicht, beispielsweise aus 4° schicht umfaßt, welche mit der Metallschicht eine Titan oder Aluminium. Entsprechende Elektroden- Kante der Siliciumdioxidschicht abdeckende Dichschichten 18 und 19 sind für die Kontaktierung der tung bildet. Hierdurch wird das Eindringen von Quellen- und Senkenzone vorgesehen und bilden störenden Fremdstoffen verhindert, insbesondere von somit die Quellen- bzw. Senkenelektrode. Natriumatomen.
Das Halbleiterelement nach F i g. 1 kann z. B. in 45 Während des letzten Ätzschrittes wird innerhalb
üblicher Planartechnik mit Oxid- und Fotomaskie- der durch die Fotomaske freigegebenen Flächen-
rung sowie Festkörperdiffusion hergestellt werden. bereiche alles restliche Siliciumdioxid bis zur Frei-
Die p-leitenden Quellen- und Senkenzonen 11 bzw. legung der Aluminiumoxidoberfläche des Isolierfilms
12 werden in dieser Weise durch Oxidmaskierung der Steuerelektrode entfernt. Sodann wird die ge-
und Eindiffundieren eines p-leitenden Fremdstoffes 50 samte Anordnung durch Aufdampfen metallisiert,
wie Bor in den aus Silicium bestehenden Halbleiter- Zweckmäßig wird z. B. eine Aluminiumschicht oder körper gebildet. Die Oberfläche wird sodann durch " r ein mehrschichtiger Platin-Titan-Platin-Goldfilm auf-
Reinigen und thermische Reoxydierung für den ; gebracht (s. hierzu USA.-Patentschrift 3 287 612). Die
nächsten Maskierungs- und Ätzschritt vorbereitete vorgesehene Flächenbegrenzung der als Elektroden
Sodann wird eine die Flächenbereiche der Quellen- 55 dienenden Metallflächen wird sodann durch einen
und Senkenelektrode 18 bzw. 19 und der Steuer-" weiteren Maskierungs- und Ätzvorgang herbeigeführt,
elektrode 17 bestimmende Fotomaske aufgebracht. Statt dessen kann z. B. auch ein Sprühverfahren
Aus noch zu erläuternden Gründen ist es vorteilhaft, ' angewendet werden (s. hierzu USA.-Patentschrift
die Kontaktflächen der Quellen- und Senkenzone be- 3 271286). Mit der Anbringung der Kontaktdrähte
züglich ihrer endgültigen Abmessungen um ein ge- 60 20 und 21 bzw. 22 der Quellen- und Senkenelektrode
ringes Maß größer auszuätzen. Das Ausätzen der von bzw. der Steuerelektrode ist der Herstellungsvorgang
der Maske freigegebenen Abschnitte der Silicium- im wesentlichen abgeschlossen (s. auch hierzu die
dioxidschicht bis zur Oberfläche des Silicium-Halb- ' letztgenannte USA.-Patentschrift).
leiterkörpers erfolgt z. B. mit einer gepufferten Lö- Für die Aufbringung der Aluminiumoxid- und
sung von Fluorwasserstoffsäure. 65 Aluminiumsilikatschichten sind noch folgende Einzel-Nach gründlicher Reinigung wird die Oberfläche 1V heiten von Bedeutung. Als Ausgangsmaterial für die
abermals thermisch reoxydiert. Die so erzeugte Oxid-;'* Aufbringung der Aluminiumoxidschicht dient z.B. schicht bildet einen Bestandteil des Isolierfilms und ^; Aluminiumchlorid (AlCl3), d. h. ein Feststoff mit bei
Senkenzonen 31, 32 bzw. 34, 35 und jeweils zwischen diesen beiden Zonen der angeordneten Steuerelektroden 36 bzw. 37 vorgesehen. Das Steuerelement 29 ist in Fig. 2 nur teilweise dargestellt, da die Quellenzone und Quellenelektrode identisch mit derjenigen des Elementes 30 ist. Die Steuerelektrode des Elementes 29 weist jedoch innerhalb des Isolierfilms eine Siliciumdioxidschicht 42 mit einer Dicke von weniger als 500 Ä auf, während die entsprechende
Raumtemperatur sehr geringem Dampfdruck. Die Verdampfung erfolgt daher in der Modifikation Al2Cl6 bei erhöhter Temperatur. Die gasförmige AIuminiumverbindung wird sodann mit Wasserstoff als Trägergas und einem geringen Zusatz von Kohlendioxid verdünnt und der Reaktionszone an der SiIiciumdioxidoberfläche zugeführt. Hierbei ist es zweckmäßig, die Zuführleitung für das Gas auf einer gegenüber der Reaktionskammer um 30 bis 50° C höheren
Temperatur zu halten, um eine Kondensation inner- io Siliciumdioxidschicht 43 des Elementes 30 eine Dicke halb der Leitung zu vermeiden. von etwa 1000 Ä hat. Die darüberliegende Alumi-
Vor dem Niederschlag dieser Schicht wird die SiIi- niumoxidschicht 46 hat in beiden Elementen eine ciumdioxidoberfläche für eine Zeitdauer von etwa Dicke von weniger als 500 Ä. Hervorzuheben ist 1 Minute mit einer gepufferten Lösung von Fluor- noch, daß diese Steuerelemente, insoweit es sich um wasserstoffsäure geätzt. Hierfür wird eine Lösung mit 15 Majoritätsträger-Elemente handelt, keine Isolierung 15 Teilen Wasser auf 1 Teil Fluorwasserstoffsäure gegen die benachbarten Elemente innerhalb der intehandelsüblicher Konzentration verwendet. Während
der Ablagerung wird die Temperatur der Reaktionskammer auf etwa 900° C gehalten.
Die Zusammensetzung des für die Ablagerung ver- 20 an den Steuerelektroden haben die Halbleitersteuerwendeten Gasstromes betrug in typischen Ausfüh- elemente 29 und 30 beträchtlich verschiedene rungsbeispielen 0,15 % Aluminiumchlorid in Gas- Schwellspannungen. Die Schwellspannung beträgt bei form, 2% Kohlendioxid mit restlichem Wasserstoff- dem Element 30 mit der stärkeren Siliciumdioxidanteil (Volumprozent), womit sich eine Ablagerungs- schicht etwa — 1V entsprechend einem Ladungsgeschwindigkeit von etwa 200 Ä Schichtdicke pro as trägerüberschußbetrieb, während das Element 29 mit
grierten Schaltung benötigen, und zwar im Gegensatz zu Minoritätsträger-Elementen. Wegen der unterschiedlichen Dicke der Siliciumdioxidschichten
Minute ergab. Die Ablagerungstemperatur kann sich in einem Bereich von 750 bis 1100° C bewegen. Im allgemeinen führen niedrigere Temperaturen zur Erzeugung einer größeren Anzahl von Oberflächenzuständen sowie zu einer geringeren Ablagerungsgeschwindigkeit. Höhere Temperaturen können die bereits eindiffundierten p-n-Grenzschichten innerhalb des Halbleiterkörpers beeinträchtigen. Für die Ablagerung von Aluminimumsilikat werseiner wesentlich dünneren Siliciumdioxidschicht eine positive Schwellspannung von einigen zehntel Volt entsprechend einem Ladungsträgermangelbetrieb aufweist.
Das in F i g. 3 wiedergegebene Diagramm zeigt die Abhängigkeit der Schwellspannung von der in Ä aufgetragenen Dicke einer dem gesamten zweischichtigen Isolierfilm äquivalenten Siliciumdioxidschicht. Hierbei gilt für diese Dicke teq einer äquivalenten
Dicke tA\ o^ der tatsächlichen Aluminiumoxidschicht
SiO.
den die gleichen Verfahrenbedingungen angewendet, 35 Siliciumdioxidschicht in Abhängigkeit von der Dicke jedoch unter Zusatz von Siliciumtetrachlorid in der tsip2 der tatsächlichen Siliciumdioxidschicht und der Gasmischung. Im allgemeinen ergeben sich bei
einem Volumenverhältnis 50%: 50% von Al2O6 zu
Siliciumtetrachlorid zufriedenstellende Silikatschichten. Gegebenenfalls können jedoch auch mit noch 40
zufriedenstellenden Ergebnissen Volumenanteile der
gasförmigen Aluminiumverbindung von 30 bis 70%
angewendet werden.
In einem Ausführungsbeispiel wurden Halbleitersteuerelemente der in Fig. 1 dargestellten Art auf einem Silicium-Einkristall der Orientierung (100) mit einer Siliciumdioxidschicht von 1000 Ä und einer darüberliegenden Aluminiumoxidschicht von gleicher Dicke hergestellt. Die gemessene Durchbruchspan- Uq —
wobei K die Dielektrizitätskonstanten der indizierten Substanzen bedeutet, und zwar speziell
= 3,9 und Kaxa = 9 ·
Aus dieser Darstellung ergibt sich, daß die Schwellspannung bei einer äquivalenten Schichtdicke von weniger als etwa 500 Ä einen Betrieb im Ladungs
trägermangelbereich ermöglicht. Dies ist für manche nung zwischen der Steuerelektrode und dem Halb- 50 Anwendungsfälle besonders vorteilhaft, da derartige
leiterkörper betrug mehr als 150 V, während die Schwellspannung etwa — 1V betrug. Bei einer Dicke der Siliciumdioxidschicht von 500 Ä und sonst entsprechendem Aufbau betrug die Schwellspannung 0,6 V und die Durchbruchspannung über 100 V. Derartige zweischichtige Isolierfilme zeigen nicht nur eine geringe Schwellspannung, sondern auch eine hochgradige Reproduzierbarkeit und Stabilität unter verschiedenen Betriebsbedingungen. Steuerelemente als Leistungselemente besonders geeignet sind.
Die Herstellung der Halbleitervorrichtung nach Fig. 2 erfolgt entsprechend den Erläuterungen zu Fig. 1, wobei jedoch abweichend ein zusätzlicher Maskierungs- und Ätzschnitt für die Reduzierung der Dicke der Siliciumdioxidschicht 42 des Steuerelementes 29 vor dem Aufbringen der Aluminiumoxidschicht erforderlich ist. Es versteht sich, daß inner-
Die Halbleitersteuerelemente der integrierten Schal- 60 halb einer größeren integrierten Halbleiterschaltung
tung nach F i g. 2 stellen eine besondere Anwendung der Abhängigkeit zwischen der Schwellspannung und der wirksamen Isolierfilmdicke dar. Im Beispielsfall sind zwei Feldeffekt-Halbleitersteuerelemente 29 und
Wie im Beispiel nach F i g. 1 ist ein η-leitender Halbleiterkörper 33 mit zwei Paaren von Quellen- und eine entsprechende Anzahl von Ladungsträgerüberschuß- und Ladungsträgermangelelementen vorgesehen sein kann, so daß der zusätzliche Ätzschritt für eine entsprechende Anzahl von Steuerelementen
30 mit isolierter Steuerelektrode als benachbarte 65 gleichzeitig ausgenutzt werden kann.
Elemente einer integrierten Schaltung angeordnet. Insbesondere kann an Stelle der äußeren Alu
miniumoxidschicht des Isolierfilms gegebenenfalls auch eine Aluminiumsilikatschicht für den gleichen
Zweck vorgesehen werden. Insbesondere haben sich Mischverbindungen von Aluminiumoxid und Siliciumdioxid mit einem Molekulargewichtsanteil von 100% Al2O3 bis zu 50% A12O? und 50% SiO2 als vorteilhaft erwiesen. Diese Verbindungen haben eine Dielektrizitätskonstante zwischen den Werten 3,9 und 9,0 bei mit Aluminiumoxid vergleichbaren Dichtungseigenschaften.
Es versteht sich ferner, daß die Erfindung abweichend von den dargestellten Verhältnissen mit p-leitendem Stromflußkanal und ebensolcher Quellen- und Senkenzone sowie η-leitendem Halbleiterkörper auch für umgekehrte Anordnungen mit n-leitendem Stromflußkanal und ebensolchen Quellen- und Senkenelektroden bei p-leitendem Halbleiterkörper anwendbar ist. Die Umkehrung des Leitfähigkeitstyps bedingt hierbei einen Polaritätswechsel der Betriebsspannungen. Ferner versteht es sich, daß die Erfindung auch für andere Halbleiter anwendbar ist, insbesondere für Germanium und Verbindungen der so Gruppen III und V des Periodischen Systems.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Feldeffekt-Halbleitersteuerelement mit einer isolierten Steuerelektrode und einer Aufbaureihenfolge des Typs »Metall-Isolator-Halbleiter«, wobei die isolierte Steuerelektrode einen aus mindestens zwei gesonderten Isolierschichten bestehenden Isolierfilm aufweist und eine der Isolierschichten aus Siliciumdioxid besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die innerste Isolierschicht (15) aus Siliciumdioxid besteht und daß der Isolierfilm eine weitere, aus Aluminiumoxid oder einem Aluminiumsilikat bestehende Isolierschicht (16) aufweist.
2. Feldeffekt-Halbleitersteuerelement nach Anspruch 1 mit einem aus Silicium bestehenden Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Siliciumdioxid bestehende Isolierschicht (15) der Steuerelektrode eine Dicke von etwa 100 bis 1000 Ä und die äußere Isolierschicht (16) eine Dicke von etwa 300 bis 1000 A aufweist.
3. Integrierte Halbleiterschaltung, die wenigstens zwei Feldeffekt-Halbleitersteuerelemente mit isolierter Steuerelektrode gemäß Anspruch 1 oder 2 umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes Halbleitersteuerelement (30) eine Isolierfilmanordnung aufweist, welche einen Betrieb im Ladungsträgerüberschußzustand ermöglicht, und daß ein zweites Halbleitersteuerelement (29) eine Isolierfilmanordnung aufweist, welche einen Betrieb im Ladungsträgermangelzustand ermöglicht.
4. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 3 mit einem aus n-leitendem Silicium bestehenden Halbleiterkörper und mit p-leitenden Quellen- und Senkenzonen der Feldeffekt-Halbleitersteuerelemente mit isolierter Steuerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumdioxid-Isolierschicht (43) des Ladungsträgerüberschuß-Halbleitersteuerelementes (30) eine größere Dicke als die Siliciumdioxid-Isolierschicht (42) des Ladungsträgermangel-Halbleitersteuerelementes (29) aufweist und daß die übrigen Schichten der beiden Halbleitersteuerelemente im wesentlichen die gleiche Dicke aufweisen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen copy
109515/290
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SE (1) SE329214B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0066730A2 (de) * 1981-06-05 1982-12-15 Ibm Deutschland Gmbh Gateisolations-Schichtstruktur, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE3628399A1 (de) * 1985-08-27 1987-03-05 Rca Corp Verfahren zum herstellen eines dielektrischen films auf einem halbleiterkoerper und danach hergestelltes halbleiterbauelement

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3767463A (en) * 1967-01-13 1973-10-23 Ibm Method for controlling semiconductor surface potential
USRE28402E (en) * 1967-01-13 1975-04-29 Method for controlling semiconductor surface potential
JPS4844385B1 (de) * 1969-02-18 1973-12-24
US4015281A (en) * 1970-03-30 1977-03-29 Hitachi, Ltd. MIS-FETs isolated on common substrate
US3671820A (en) * 1970-04-27 1972-06-20 Rudolph R Haering High voltage thin-film transistor
US3731161A (en) * 1970-09-05 1973-05-01 Nippon Electric Co Semiconductor integrated circuit
US3694704A (en) * 1970-09-28 1972-09-26 Sony Corp Semiconductor device
US3798512A (en) * 1970-09-28 1974-03-19 Ibm Fet device with guard ring and fabrication method therefor
US3829888A (en) * 1971-01-08 1974-08-13 Hitachi Ltd Semiconductor device and the method of making the same
US3694700A (en) * 1971-02-19 1972-09-26 Nasa Integrated circuit including field effect transistor and cerment resistor
JPS5124341B2 (de) * 1971-12-24 1976-07-23
JPS5417269B2 (de) * 1972-04-26 1979-06-28
US3897282A (en) * 1972-10-17 1975-07-29 Northern Electric Co Method of forming silicon gate device structures with two or more gate levels
US3832574A (en) * 1972-12-29 1974-08-27 Ibm Fast insulated gate field effect transistor circuit using multiple threshold technology
US5168075A (en) * 1976-09-13 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Random access memory cell with implanted capacitor region
US5434438A (en) * 1976-09-13 1995-07-18 Texas Instruments Inc. Random access memory cell with a capacitor
JPS56120166A (en) * 1980-02-27 1981-09-21 Hitachi Ltd Semiconductor ic device and manufacture thereof
GB8624637D0 (en) * 1986-10-14 1986-11-19 Emi Plc Thorn Electrical device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1389820A (fr) * 1963-03-16 1965-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dispositif semi-conducteur

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USB381501I5 (de) * 1964-07-09
GB1095412A (de) * 1964-08-26

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1389820A (fr) * 1963-03-16 1965-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dispositif semi-conducteur

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0066730A2 (de) * 1981-06-05 1982-12-15 Ibm Deutschland Gmbh Gateisolations-Schichtstruktur, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
EP0066730A3 (en) * 1981-06-05 1983-08-03 Ibm Deutschland Gmbh Process for manufacturing an isolating layered structure for a gate, and use of that structure
DE3628399A1 (de) * 1985-08-27 1987-03-05 Rca Corp Verfahren zum herstellen eines dielektrischen films auf einem halbleiterkoerper und danach hergestelltes halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
FR1572628A (de) 1969-06-27
IE32133L (en) 1968-12-20
GB1232286A (de) 1971-05-19
IE32133B1 (en) 1973-04-18
SE329214B (de) 1970-10-05
BE713660A (de) 1968-08-16
IL30180A0 (en) 1968-08-22
NL6808396A (de) 1968-12-23
NL144091B (nl) 1974-11-15
ES355679A1 (es) 1970-01-16
IL30180A (en) 1971-07-28
US3502950A (en) 1970-03-24

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