DE2844878A1 - Integrierbarer isolierschicht-feldeffekttransistor - Google Patents

Integrierbarer isolierschicht-feldeffekttransistor

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Description

F. G. Adam - 33 Fl 980
Integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Aus der DE-OS 21 44 436 ist ein integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor bekannt, dessen Schwellenspannung vor oder während des Betriebes der Festkörperschaltung mittels einer Zwischenelektrode und einer Hilfsschaltung auf einen bestimmten Wert, vorzugsweise auf einen sehr kleinen Viert, einstellbar ist. Die Hilfsschaltung erfordert einen zusätzlichen relativ großen Oberflächenanteil des Halbleiterplättchens der integrierten Festkörperschaltung.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Angabe eines integrierbaren Isolierschicht-Feldeffekttransistor, dessen Schwellenspannung bei wesentlich geringerem Oberflächenbedarf des Halbleiterplättchens vor oder während des Betriebes eingestellt werden kann.
Die Erfindung geht von der oben genannten DE-OS 21 44 436 aus und betrifft somit einen integrierbaren Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die oben genannte Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegegenen Erfindung gelöst.
Vorzugsweise wird der Steuerteil und die Zwischenelektrode zusammenhängend ausgebildet.
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F. G. Adam - 33
Fl 980
Die Erfindung wird im folgenden an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel anhand der Zeichnung erläutert,
deren Fig. 1
die Aufsicht eines integrierbaren Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach der Erfindung als Ausschnitt einer integrierten Festkörperschaltung zeigt,
deren Fig. 2 die Schnittansicht entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 1 bedeutet,
deren Fig. 3 die Schnittansicht entlang der Schnittlinie B-B der Fig. 1 veranschaulicht und
deren Fig. 4 die Schnittansicht entlang der Schnittlinie C-C der Fig. 1 zeigt.
Der integrierbare Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach der Erfindung kann rein äußerlich auch als ein FAMOS-Feldeffekttransistor aufgefaßt werden, wie er aus der Zeitschrift "Solid-State Electronics" (1974) Bd. 17, Seiten 517 bis 529, bekannt ist. Im Gegensatz zum Gegenstand der Erfindung sind aber beim FAMOS-Feldeffekttransistor die Dicken der Teilschichten beiderseits der Zwischenelektrode derart bemessen, daß beim Betrieb Ladungen auf diese gelangen können, da zur beabsichtigten Änderung der Schwellenspannung eine solche Programmierspannung angelegt wird, daß mittels eines AVALANCE-Durchbruchs aufge-
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heizte Ladungsträger in die Zwischenelektrode injiziert werden und dort Ladung und Potential verändern. Der Bereich der Zwischenelektrode ist beim FAMOS-Feldeffekttransistor auf den Kanalbereich begrenzt und ein besonderer Steuerteil ist nicht vorgesehen.
Beim Gegenstand der Erfindung ist die Zwischenelektrode Gf, die somit auch als eine"floating"-Gate-Elektrode angesprochen werden kann, gemäß den Fig. 1 bis 3 zwischen den Teilschichten des Gate-Dielektrikums eingebettet. Die Schichtdicken dieser beiden Teilschichten 2 sollten etwa gleich und etwa im Bereich zwischen 400 und 700 ÄE liegen, damit die Kopplungskapazität zu der Hilfselektrode bzw. zu den Hilfselektroden nicht zu klein werden.
Bei den integrierbaren Isolierschicht-Feldeffektransistören nach der Erfindung ist ferner ein Steuerteil 1 vorgesehen, wie er in der Fig. 2 und im Schnitt dargestellt ist. Dieser Steuerteil 1 ist mit der Zwischenelektrode Gf galvanisch dadurch verbunden, daß der Steuerteil 1 und die Zwischenelektrode Gf zusammenhängend ausgebildet sind.
Vorzugsweise bestehen der Steuerteil 1 und die Zwischenelektrode Gf aus stark dotiertem polykristallinem Silicium oder aus einem Metall, beispielsweise Aluminium, Wolfram, Molybdän oder Gold. Die Herstellung des Steuerteils mit der Zwischenelektrode erfolgt in üblicher Weise durch Aufdampfen oder thermische Zersetzung aus der Gasphase nach dem Aufbringen der an die Siliciumoberflache angrenzenden Teilschicht 21 des Gate-Dielektrikums auf diese Teilschicht 2' und anschließender Herausätzung der zunächst über die gesamte freiliegende Oberfläche ausgebildeten
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F. G. Adam -33 Fl 980
Schicht nach Anwendung eines photolithographischen Ätzprozesses.
Faßt man den Steuerteil 1 als Ansatz der Zwischenelektrode Gf auf, so erstreckt sich, wie die Fig. 2 veranschaulicht, die "floatende" Gate-Elektrode über den Kanalbereich des Feldeffekttransistors hinaus. Dieser Steuerteil 1 liegt ebenfalls zwischen zwei Teilschichten 21 eingebettet neben dem Kanalbereich des Feldeffekttransistors, dessen Sourcezone 6 über die Sourceelektrode S und dessen Drainzone 7 über die Drainelektrode D kontaktiert sind.
Nach Aufbringen der oberen Teilschichten 2 und 2' liegt der Steuerteil 1 innerhalb der Flächenausdehnung a und b sowie der Kanalbereich innerhalb der Flächenausdehnung W und b. Die Fig. 1, 2 und 4 veranschaulichen eine bevorzugte Ausführungsform des Isolierschicht-Feldeffekttransistors nach der Erfindung, bei der unterhalb der Fache a*b eine Zone 4 angeordnet ist, die gegenüber der schichtförmig auf der einen auf dem Steuerteil 1 angeordneten oberen Teilschicht 2' aufgebrachten Hilfselektrode G3 liegt. Durch diese Anordnung werden zwei Hilfselektroden erhalten, welche kapazitiv mit dem Steuerteil 1 gekoppelt sind und an die eine Gleichspannung gegen das Substrat 3 gelegt werden kann. Die Zone 4 ist gegenüber dem umgebenden Substrat 3 durch den pn-übergang 5 isoliert und wird auf ein Sperrpotential zwischen dem auf Null gelegten Substratpotential und der Drainversorgungsspannung gelegt. An die Hilfselektrode G3 kann dagegen eine in gewissen Grenzen beliebige Spannung gegenüber dem Substrat gelegt werden.
Die Zone 4 wird vorzugsweise gleichzeitig mit der Sourcezone
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und der Drainzone 7 in bekannter Weise unter Anwendung eines Planardiffusionsprozesses in das plattenförmige Substrat 3 eindiffundiert.
Durch geeignete Wahl der an die Hilfselektroden angelegten Spannungen und durch geeignete Bemessung der Fläche a-b kann die Schwellenspannung des Isolierschicht-Feldeffekttransistors in einem weiten Bereich eingestellt werden. Insbesondere kann der Isolierschicht-Feldeffekttransistor durch Anlegen der Drainversorgungsspannung an die die Zone 4 kontaktierende Hilfselektrode G2 und an die schichtförmig ausgebildete Hilfselektrode G3 bei genügend groß bemessener Fläche a.b als Feldeffekttransistor des Verarmungstyps betrieben werden.
Bei genügend groß bemessener Fläche a*b kann dasselbe ferner auch mit nur einer der beiden Hilfselektroden G2 bzw. G3 erreicht werden
Der integrierbare Isolierschicht-Feldeffekttransistor ist besonders vorteilhaft anwendbar in integrierten Festkörperschaltungen für kleine Versorgungsspannungen, beispielsweise in einem CMOS-Oszillator-Inverter für Armbanduhren. Dabei und in Fällen eines CMOS-Inverters mit einem Last-Feldeffekttransistor des Verarmungstyps kann dieser ohne Ionenimplantation realisiert werden. Eine weitere Anwendung ergibt sich in vorteilhafter Weise bei Eimerkettenschaltungen mit reduzierter Betriebsspannung.
18/0085
Leerseite

Claims (1)

  1. DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
    FREIBURG I. BR.
    F, G. Adam - 33 Fl 980
    ■ Patentansprüche
    Integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor, dessen Schwellenspannung in einem begrenzten Bereich mittels einer zwischen der Gate-Elektrode und dem zwischen der Sourcezone und der Gatezone liegenden Kanalbereich angeordneten Zwischenelektrode eingestellt werden kann, welche zwischen zwei Teilschichten eines Gate-Dielektrikum eingebettet ist und seitlich zur Verbindungslinie zwischen der Sourcezone und der Drainzone neben dem Kanalbereich einen Steuerteil aufweist, dadurch gekennzeichnet,
    daß der Steuerteil (1) mit der Zwischenelektrode (Gf) galvanisch verbunden ist,
    daß das Gleichspannungspotential des Steuerteils (1) und der Zwischenelektrode (Gf) bei Fehlen eines äußeren Anschlusses schwebend ist,
    daß der Steuerteil (1) ebenfalls zwischen zwei Teilschichten (21) eines Dielektrikums eingebettet ist,
    12. Oktober 1978
    Go/Be
    030018/0085
    F. G. Adam - 33 ' Fl 980
    daß die Dicke der Teilschichten (2, 21) so bemessen ist, daß im Betrieb keine Ladungen auf die Zwischenelektrode (Gf) und den Steuerteil (1) fließen kann und
    daß der Steuerteil (1) kapazitiv mit mindestens einer Hilfselektrode gekoppelt ist, an die eine Gleichspannung gegen das Substrat (3) gelegt ist.
    Integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine als Zone (4) in dem Substrat (3) unter dem Steuerteil (1) ausgebildeten Hilfselektrode, die einen pn-übergang (5) gegen das Substrat (3) bildet und/oder eine Hilfselektrode (G3) t die schichtförmig auf der einen auf dem Steuerteil (1) angeordneten Teilschicht (2') aufgebracht ist.
    3. Integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilschichten (2;2·) aus SiO2 bestehen und eine Dicke im Bereich von 400 &E bis 700 ÄE aufv/eisen.
    4. Integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenelektrode (Gf) und der Steuerteil (1) aus polykristallinem stark dotierten Silicium oder aus einem Metall besteht.
    5. Integrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenelektrode (Gf) und der Steuerteil (1) aus Aluminium, Wolfram, Molybdän o<^pQ(^p^dj b^js^gh^n. ORIGINAL INSPECTED "3~
    - 3 F. G. Adam - 33 Fl 980
    6. Ihtegrierbarer Isolierschicht-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerteil (1) und die Zwischenelektrode (Gf) zusammenhängend ausgebildet sind.
    030018/0085
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GB7934103A GB2033150B (en) 1978-10-14 1979-10-02 Integrable insulated gate field-effect transistor
IT26448/79A IT1193240B (it) 1978-10-14 1979-10-12 Transistore a effetto di campo a porta isolata
FR7925431A FR2438918A1 (fr) 1978-10-14 1979-10-12 Transistor a effet de champ a porte isolee integrale
JP13195579A JPS5553463A (en) 1978-10-14 1979-10-15 Insulated gate field effect transistor

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IT (1) IT1193240B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3926474A1 (de) * 1988-11-29 1990-05-31 Samsung Electronics Co Ltd Permanentspeicher-halbleiterelement

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4486769A (en) * 1979-01-24 1984-12-04 Xicor, Inc. Dense nonvolatile electrically-alterable memory device with substrate coupling electrode
US4561004A (en) * 1979-10-26 1985-12-24 Texas Instruments High density, electrically erasable, floating gate memory cell
US4404577A (en) * 1980-06-30 1983-09-13 International Business Machines Corp. Electrically alterable read only memory cell
JPS5759387A (en) * 1980-09-26 1982-04-09 Toshiba Corp Semiconductor storage device
JPS59500342A (ja) * 1982-03-09 1984-03-01 ア−ルシ−エ−　コ−ポレ−シヨン 電気的に改変可能の不揮発性浮動ゲ−ト記憶装置
US4605946A (en) * 1984-08-16 1986-08-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fet charge sensor and voltage probe
JPS61208865A (ja) * 1985-03-13 1986-09-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPS6260267A (ja) * 1985-09-10 1987-03-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
US6353324B1 (en) 1998-11-06 2002-03-05 Bridge Semiconductor Corporation Electronic circuit
US6414318B1 (en) 1998-11-06 2002-07-02 Bridge Semiconductor Corporation Electronic circuit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2144436A1 (de) * 1971-09-04 1973-03-08 Itt Ind Gmbh Deutsche Integrierbare festkoerperschaltung zum einstellen oder regeln der effektiven schwellenspannung eines isolierschichtfeldeffekttransistors
GB1491404A (en) * 1975-06-10 1977-11-09 Ibm Integrated circuit devices

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4004159A (en) * 1973-05-18 1977-01-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Electrically reprogrammable nonvolatile floating gate semi-conductor memory device and method of operation
US3996657A (en) * 1974-12-30 1976-12-14 Intel Corporation Double polycrystalline silicon gate memory device
JPS5279679A (en) * 1975-12-26 1977-07-04 Toshiba Corp Semiconductor memory device
JPS5853512B2 (ja) * 1976-02-13 1983-11-29 株式会社東芝 半導体記憶装置の製造方法
US4119995A (en) * 1976-08-23 1978-10-10 Intel Corporation Electrically programmable and electrically erasable MOS memory cell
FR2365859A1 (fr) * 1976-09-24 1978-04-21 Thomson Csf Memoire non volatile pour signaux rapides
JPS6037619B2 (ja) * 1976-11-17 1985-08-27 株式会社東芝 半導体メモリ装置
NL7700879A (nl) * 1977-01-28 1978-08-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
DE2728927C2 (de) * 1977-06-27 1984-06-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Ein-Transistor-Speicherelement
US4099196A (en) * 1977-06-29 1978-07-04 Intel Corporation Triple layer polysilicon cell
US4162504A (en) * 1977-12-27 1979-07-24 Rca Corp. Floating gate solid-state storage device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2144436A1 (de) * 1971-09-04 1973-03-08 Itt Ind Gmbh Deutsche Integrierbare festkoerperschaltung zum einstellen oder regeln der effektiven schwellenspannung eines isolierschichtfeldeffekttransistors
GB1491404A (en) * 1975-06-10 1977-11-09 Ibm Integrated circuit devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3926474A1 (de) * 1988-11-29 1990-05-31 Samsung Electronics Co Ltd Permanentspeicher-halbleiterelement

Also Published As

Publication number Publication date
IT7926448A0 (it) 1979-10-12
JPS5553463A (en) 1980-04-18
FR2438918A1 (fr) 1980-05-09
FR2438918B3 (de) 1981-07-10
GB2033150A (en) 1980-05-14
GB2033150B (en) 1983-02-02
IT1193240B (it) 1988-06-15
US4251829A (en) 1981-02-17

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