JPH02220452A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02220452A
JPH02220452A JP4248789A JP4248789A JPH02220452A JP H02220452 A JPH02220452 A JP H02220452A JP 4248789 A JP4248789 A JP 4248789A JP 4248789 A JP4248789 A JP 4248789A JP H02220452 A JPH02220452 A JP H02220452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating member
gate
cathode
semiconductor element
conductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP4248789A
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English (en)
Inventor
Kazuhiko Niwayama
和彦 庭山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 この発明は、押圧部材により陰極導電体の溝にはめこま
れたゲート部材を半導体エレメントのゲート電極に押え
付けるように構成されている半導体装置に関し、特にゲ
ート部材及び押圧部材と陰極導電体間の絶縁に圓するも
のである。
〔従来の技術〕
第3図は、従来の半導体装置の縦断面図である。
図において、半導体エレメント1は円板状をなす。
半導体エレメント1は、導電材料からなり陽極電極を兼
ねる補強板1aの上に半導体基板1bを適当なろう材で
接着して構成されている。半導体基板1bの上面は適当
な金属によって図示しないゲート電極と陰極電極とを外
周域と内周域とに分割して形成した陰極面とされ、補強
板1aの下面は半導体エレメント1の陽極面とされてい
る。この半導体エレメントの陰極面側には、金属からな
り概形が円板状の陰極8B電体2が上記した陰極電極に
のみ電気的に接触するように押し付けられている。また
半導体エレメント1の陽極面側には、導電材料からなり
概形が円板状の陽極導電体3が上記した陽極電極に電気
的に接触するように押し付けられている。陰極導電体2
の外周には陰極7ランジ4が設けられる一方、陽極導電
体3の外周にも陽極フランジ5が設けられ、この陰極フ
ランジ4と陽極フランジ5とを絶縁筒体6で結合するこ
とによって、陰極導電体2と陽極導電体3とは電気的な
絶縁状態を保った状態で一体に連結されている。陰極導
電体2の下半部外周には絶縁部材7を介して導電材料か
らなるゲートリング8が外嵌めされている。このゲート
リング8は陰極導電体2の外周に設けられた平座金9.
10で支持されているばね11によって半導体エレメン
ト1の陰極面に押し付けられ、これによって陰極面のゲ
ート電極に対してゲートリング8が電気的接触を保つよ
うに構成されている。平座金10とゲートリング8との
間には絶縁部材12が設けられており、この絶縁部材1
2と上記した絶縁部材7とによってゲートリング8と陰
極導電体2との間が電気的に絶縁されている。またゲー
トリング8は、ゲートリード線13を介して外部のゲー
ト端子14に電気的に接続され、ゲート端子14に与え
られる制御信号を、ゲートリード線13.ゲートリング
8を通して半導体エレメント1のゲート電極に伝達する
ように構成されている。さらに、陰極導電体2の外周に
は絶縁材料からなるガイドリング15が外嵌めされ、こ
れによって半導体エレメント1を位置決めするように構
成されている。
第4図は、ゲートリング8近傍の拡大図を示す。
第4図に示したゲートリング8近傍の組立は、陰極導電
体2に設けられた円形の溝部に、順に平座金9.バネ1
1.平座金9.バネ11.平座金10、バネ12.ゲー
トリング8を入れゲートリング8と陰極導電体2の間に
、帯状の絶縁部材7を差し込み、しかる後に半導体エレ
メントを挿入する、といった手順で行われる。このとき
、2つのバネ11は、ゲートリング8を半導体エレメン
トの陰極面に約60バタの荷重で押し付ける役目をする
。一般に陰極導電体2には銅等の軟金属が使用されるた
め大きな荷重を加えると、陰極導電体2の溝部の底に変
形を生じる。これを防止するため、比較・的硬い金属、
例えば、鉄−ニッケル合金等の材料からなる平座金9を
、バネ11と陰極導電体2の間に挿入している。また、
一般に絶縁部材12もマイカ等のわれやすく変形しやす
い材料により構成されており、大きな荷重を加えるとわ
れたり変形したりする。これを防止するため、硬い金属
からなる平座金10をバネ11と絶縁部材12との間に
挿入している。絶縁部材7はゲートリング8に与えられ
制御信号を直接に陰極導電体2に伝えないために、また
絶縁部材12はゲートリング8に与えられた制御信号を
平座金10.バネ11、平座金9を介して陰極導電体2
に伝えないために設けられている。
(発明が解決しようとする課題) 従来の半導体装置は以上のように構成されており、ゲー
トリング8と陰極導電体2と間の絶縁を絶縁部材7と絶
縁部材12の2つの部品により実現しているため、組立
部品の点数が多くなるという問題点があった。また半導
体装置の組立時において、半導体エレメント1を挿入す
るとき絶縁部材7が正規の位置から脱落し、陰極導電体
2と半導体エレメント1との間にはさみこまれる危険性
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、絶縁部材の脱落を防止するとともに、部品点
数の少ない半導体装置を得ることを目的とする。
C8題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、片面がゲート電極と陰極
電極を有する陰極面とされ、他の片面が陽極電極を有す
る陽極面とされた半導体エレメントと、半導体エレメン
トの陰極面側にその陰極電極にのみ接触するように押し
当てられる陰極導電体と、陰極導電体と絶縁体を介して
一体化され、半導体エレメントの陽極面側に、その陽極
電極に接触するように押し当てられる陽極導電体と、陰
極導電体の溝部にはめこまれ、前記半導体エレメントの
ゲート電極に接触するように設けられたゲート部材と、
ゲート部材を介して半導体エレメントのゲート電極に制
御信号を伝達する!11111信号伝達部材と、ゲート
部材と前記陰極IJ導電体間に設けられ、ゲート部材を
前記半導体エレメントのゲート電極に押し当てるため押
圧部材と、ゲート部材と前記陰極導電体との直接の電気
的接触を防止する第1の絶縁部材と、第1の絶縁部材と
一体化され、ゲート部材と前記陰極導電体との押圧部材
を介した電気的接触を防止する第2の絶縁部材とを備え
ている。
〔作用〕
この発明においては、ゲート部材と陰極導電体の押圧部
材を介した電気的接触を防止するための第2の絶縁部材
をゲート部材と陰極導電体の直接の電気的接触を防止す
る第1の絶縁部材と一体化したので、部品数が減少する
とともに、第2の絶縁部材が脱落することがない。
〔実施例〕
第1図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す縦
断面図である。第3図に示した従来装置との相違点は、
平座金10及び絶縁部材12をなくし、新たに絶縁部材
7aを設け、絶縁部材7aに従来装置で用いられていた
絶縁部材7,12の役割を持たせたことである。つまり
、絶縁部材7aは、ゲートリング8に与えられた制御信
号が陰極導電体2へ直接漏れるのを防止するとともに、
平座金9及びバネ11を介し陰極導電体2へ漏れるのを
防止する。その他の構成は第3図に示した従来装置と同
様である。
第2図は、第1図に示した装置のゲートリング8近傍の
拡大図である。ゲートリング8近傍の組立は、まず、陰
極導電体2に設けられた円形の溝部に、絶縁部材7aを
挿入する。次に平座金9により絶縁部材7aを押えつけ
、その上に順にバネ11、平座金9.バネ11.ゲート
リング8を重ね、しかる後に半導体エレメント1を挿入
するといった手順で行われる。
上記のような手順で組立てられた半導体装置においては
、従来用いられた絶縁部材7.12の役目を果たす絶縁
部材7aを設けたので、部品点数が少なくなるとともに
、絶縁部材7aが平座金9により押えられているため半
導体装置の組立時に絶縁部材7aが正規の位置から脱落
し、陰極導電体2と半導体エレメント1の間にはさみこ
まれる危険性がなくなる。さらに、絶縁部材12を用い
る必要がなくなったことに伴い、絶縁部材12の保護の
ための平座金10も不要になり、さらに部品点数を少な
くすることができる。
ここで用いられている絶縁部材78は、例えばテフロン
より成り、所望の形に成型することにより得られる。な
お、絶縁部材7aに接している平座金9は、絶縁部材7
aに圧力が集中し破壊することがないように絶縁部材7
aを保護する役目を有する。
なお、上記実施例では、絶縁部材7aを比較的剛性の低
いテフロンを用いた場合について説明したが、剛性の高
い絶縁部材を用いてもよい。こうすると、絶縁部材7a
保護のための平座金9も不要となり、さらに部品点数を
少なくすることができる。この場合、陰極導電体2の保
護は絶縁部材7aがする。
また、上記実施例では、絶縁部材7aを陰極導電体2の
溝の内部表面に設けたが、第2B図に示すようにゲート
リング8と陰極導電体2の間及びゲートリング8と平座
金9との間に挟まれるように設け、ゲートリング8によ
り絶縁部材7aの脱落を防止してもよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ゲート部材と陰極導電
体の押圧部材を介した電気的接触を防止する第2の絶縁
部材をゲート部材と陰極導電体の直接の電気的接触を防
止する第1の絶縁部材と−体化したので、部品点数が少
なくなるとともに、半導体装置組立時に絶縁部材が正規
の位置から脱落しないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す縦
断面図、第2A図は第1図に示した装置のゲートリング
近傍の拡大図、第2B図はこの発明の他の実施例を示す
ゲートリング近傍の拡大図、第3図は従来の半導体装置
の一例を示す縦断面図、第4図は第3図に示した装置の
ゲートリング近傍の拡大図である。 図において、1は半導体エレメント、1aは補強板、1
bは半導体基板、2は11! 11i導電体、3は陽極
IJ電休体4は陰極フランジ、5は陽極7ランジ、6は
絶縁筒体、7aは絶縁部材、8はゲートリング、9は平
座金、11はばね、13はゲートリード線、14はゲー
ト端子である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第2A図 a  1b し−一一ノ 第2all

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)片面がゲート電極と陰極電極を有する陰極面とさ
    れ、他の片面が陽極電極を有する陽極面とされた半導体
    エレメントと、 前記半導体エレメントの陰極面側にその陰極電極にのみ
    接触するように押し当てられる陰極導電体と、 前記陰極導電体と絶縁体を介して一体化され、前記半導
    体エレメントの陽極面側に、その陽極電極に接触するよ
    うに押し当てられる陽極導電体と、前記陰極導電体の溝
    部にはめこまれ、前記半導体エレメントのゲート電極に
    接触するように設けられたゲート部材と、 前記ゲート部材を介して前記半導体エレメントのゲート
    電極に制御信号を伝達する制御信号伝達部材と、 前記ゲート部材と前記陰極導電体の間に設けられ、前記
    ゲート部材を前記半導体エレメントのゲート電極に押し
    当てる押圧部材と、 前記ゲート部材と前記陰極導電体との直接の電気的接触
    を防止する第1の絶縁部材と、 前記第1の絶縁部材と一体化され、前記ゲート部材と前
    記陰極導電体との前記押圧部材を介した電気的接触を防
    止する第2の絶縁部材とを備えた半導体装置。
JP4248789A 1989-02-21 1989-02-21 半導体装置 Pending JPH02220452A (ja)

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JP4248789A JPH02220452A (ja) 1989-02-21 1989-02-21 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04352457A (ja) * 1991-05-30 1992-12-07 Mitsubishi Electric Corp 圧接型半導体装置及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04352457A (ja) * 1991-05-30 1992-12-07 Mitsubishi Electric Corp 圧接型半導体装置及びその製造方法

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