JP3292898B2 - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一対の金属ポスト電極
で半導体基体を圧接して組み立てた平型の圧接型半導体
装置に係り、特に電力用の光駆動型サイリスタ、ゲート
ターンオフサイリスタ(ＧＴＯサイリスタ)、サイリス
タ、あるいはトランジスタなどに好適な圧接型半導体装
置に関する。
で半導体基体を圧接して組み立てた平型の圧接型半導体
装置に係り、特に電力用の光駆動型サイリスタ、ゲート
ターンオフサイリスタ(ＧＴＯサイリスタ)、サイリス
タ、あるいはトランジスタなどに好適な圧接型半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、トランジスタ、サイリスタ、Ｇ
ＴＯサイリスタ等の半導体装置に金属ポスト電極等を加
圧接触させて組み立てた圧接型半導体装置は、電力用の
半導体装置として広く採用されている。
ＴＯサイリスタ等の半導体装置に金属ポスト電極等を加
圧接触させて組み立てた圧接型半導体装置は、電力用の
半導体装置として広く採用されている。
【０００３】そこで、この圧接型半導体装置の従来技術
について、特開昭６３−１２８６５０に記載の平型大容
量サイリスタを例に、図３の断面図により説明する。図
中１は外部陰極電極、２は外部陽極電極、３は半導体素
子、３１は半導体素子３の半導体基体、３２は半導体素
子３の陰極電極、３３は半導体素子３のゲート電極、３
４は半導体素子３の陽極電極、４は絶縁体筒、５は外部
陽極電極２と絶縁体筒４に鑞付けされた金属薄板、６は
絶縁体筒４の前記の金属薄板５の鑞付けされた主面と反
対側の主面に鑞付けされた金属薄板、７は外部陰極電極
に鑞付けされた金属薄板、８はゲート電極３３と外部ゲ
ート電極９に接続されたゲートリード、１０は陰極電極
３２と外部電極１の内面との熱疲労を防止する金属板、
１２は半導体基体３１の端面を保護する樹脂、そして、
１１は半導体素子３の固定用のゴムであり、図４の平面
図に示すように、ゴム片１１ａとゴム片１１ｂの２つで
構成されている。。半導体基体３１と陽極電極３４はア
ルミニウム等により合金接着されている。そして従来は
陽極電極３４を固定用ゴム１１で抑えることで、陽極電
極３４に合金された半導体基体３１を位置決め固定及び
回転防止を行っていた。しかし、半導体基体が電極と合
金状態でなく、圧接力のみで接触するものについては、
配慮されていなかった。
について、特開昭６３−１２８６５０に記載の平型大容
量サイリスタを例に、図３の断面図により説明する。図
中１は外部陰極電極、２は外部陽極電極、３は半導体素
子、３１は半導体素子３の半導体基体、３２は半導体素
子３の陰極電極、３３は半導体素子３のゲート電極、３
４は半導体素子３の陽極電極、４は絶縁体筒、５は外部
陽極電極２と絶縁体筒４に鑞付けされた金属薄板、６は
絶縁体筒４の前記の金属薄板５の鑞付けされた主面と反
対側の主面に鑞付けされた金属薄板、７は外部陰極電極
に鑞付けされた金属薄板、８はゲート電極３３と外部ゲ
ート電極９に接続されたゲートリード、１０は陰極電極
３２と外部電極１の内面との熱疲労を防止する金属板、
１２は半導体基体３１の端面を保護する樹脂、そして、
１１は半導体素子３の固定用のゴムであり、図４の平面
図に示すように、ゴム片１１ａとゴム片１１ｂの２つで
構成されている。。半導体基体３１と陽極電極３４はア
ルミニウム等により合金接着されている。そして従来は
陽極電極３４を固定用ゴム１１で抑えることで、陽極電
極３４に合金された半導体基体３１を位置決め固定及び
回転防止を行っていた。しかし、半導体基体が電極と合
金状態でなく、圧接力のみで接触するものについては、
配慮されていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の圧接型
半導体装置では、半導体基体が陽極電極が合金状態で接
着している場合は陽極電極を固定することで回転を防止
出来たが、半導体基体が電極と圧接力のみで接触してい
る場合には半導体基体を固定しなければならず、陽極電
極だけを固定したのでは、半導体基体は位置決め固定で
きず、回転してしまうという問題があった。
半導体装置では、半導体基体が陽極電極が合金状態で接
着している場合は陽極電極を固定することで回転を防止
出来たが、半導体基体が電極と圧接力のみで接触してい
る場合には半導体基体を固定しなければならず、陽極電
極だけを固定したのでは、半導体基体は位置決め固定で
きず、回転してしまうという問題があった。
【０００５】また半導体基体の端面を固定用のゴム等で
固定することは、半導体基体端面が樹脂等で保護されて
いても半導体基体端面に圧力をかけることになるため、
半導体装置が特に高耐圧化した場合には、端面表面への
影響が大きく、耐電圧不良を起し、品質の低下を招く畏
れが有るという問題もあった。
固定することは、半導体基体端面が樹脂等で保護されて
いても半導体基体端面に圧力をかけることになるため、
半導体装置が特に高耐圧化した場合には、端面表面への
影響が大きく、耐電圧不良を起し、品質の低下を招く畏
れが有るという問題もあった。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、半導体基体の位置決め固定・回転防止が容
易で、かつ充分な信頼性の向上を図った圧接型半導体装
置を提供することを目的とする。
ものであり、半導体基体の位置決め固定・回転防止が容
易で、かつ充分な信頼性の向上を図った圧接型半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】 本発明の圧接型半導体装
置は、少なくとも一つ以上のＰＮ接合を有する半導体基
体を含む半導体素子と、前記半導体素子の二つの主面に
対向する少なくとも二つ以上の外部電極と、前記半導体
基体の端面を保護する保護部材と、該保護部材を支持す
る絶縁性リングと、前記外部電極を支持し、かつ前記半
導体素子を密封する絶縁体筒とを有する圧接型半導体装
置において、前記保護部材の外周面に少なくとも一つの
凸部が形成され、該凸部に嵌合する凹部が前記絶縁性リ
ングの内周面に形成されたことを特徴とする。
置は、少なくとも一つ以上のＰＮ接合を有する半導体基
体を含む半導体素子と、前記半導体素子の二つの主面に
対向する少なくとも二つ以上の外部電極と、前記半導体
基体の端面を保護する保護部材と、該保護部材を支持す
る絶縁性リングと、前記外部電極を支持し、かつ前記半
導体素子を密封する絶縁体筒とを有する圧接型半導体装
置において、前記保護部材の外周面に少なくとも一つの
凸部が形成され、該凸部に嵌合する凹部が前記絶縁性リ
ングの内周面に形成されたことを特徴とする。
【０００９】本発明の圧接型半導体装置は、少なくとも
一つ以上のＰＮ接合を有する半導体基体を含む半導体素
子と、前記半導体素子の二つの主面に対向する少なくと
も二つ以上の外部電極と、前記半導体基体の端面を保護
する保護部材と、該保護部材を支持する絶縁性リング
と、前記外部電極を支持し、かつ前記半導体素子を密封
する絶縁体筒とを有する圧接型半導体装置において、前
記保護部材の外周面に少なくとも一つの凹部が形成さ
れ、該凹部に嵌合する凸部が前記絶縁性リングの内周面
に形成されたことを特徴とする。
一つ以上のＰＮ接合を有する半導体基体を含む半導体素
子と、前記半導体素子の二つの主面に対向する少なくと
も二つ以上の外部電極と、前記半導体基体の端面を保護
する保護部材と、該保護部材を支持する絶縁性リング
と、前記外部電極を支持し、かつ前記半導体素子を密封
する絶縁体筒とを有する圧接型半導体装置において、前
記保護部材の外周面に少なくとも一つの凹部が形成さ
れ、該凹部に嵌合する凸部が前記絶縁性リングの内周面
に形成されたことを特徴とする。
【００１０】本発明の圧接型半導体装置は、前記絶縁性
リングの外周面には少なくとも一つの凹部が形成され、
かつ前記絶縁体筒の内周面に前記絶縁性リングの外周面
に形成された凹部に対応する凹部が形成されると共に、
前記絶縁体筒に絶縁性リングを嵌挿した際に前記対応す
る凹部により形成される間隙部に支持部材を挿通するこ
とにより前記絶縁体筒に絶縁性リングを固定したことを
特徴とする。
リングの外周面には少なくとも一つの凹部が形成され、
かつ前記絶縁体筒の内周面に前記絶縁性リングの外周面
に形成された凹部に対応する凹部が形成されると共に、
前記絶縁体筒に絶縁性リングを嵌挿した際に前記対応す
る凹部により形成される間隙部に支持部材を挿通するこ
とにより前記絶縁体筒に絶縁性リングを固定したことを
特徴とする。
【００１１】本発明の圧接型半導体装置は、前記絶縁性
リングが４フッ化エチレン樹脂及びシリコンゴムの少な
くとも一方の部材で形成されていることを特徴とする。
リングが４フッ化エチレン樹脂及びシリコンゴムの少な
くとも一方の部材で形成されていることを特徴とする。
【００１２】すなわち本発明では、上記目的を達成する
ために、半導体基体の端面保護の保護部材で回転止めの
役目をさせ、その保護部材の回転を固定する絶縁リング
を設け、絶縁リングと絶縁体筒との間にも回転止めを設
けるように構成している。これにより半導体基体と電極
がろう材等で接着していない半導体装置でも、半導体基
体端面に力をかけずに精度良く半導体基体を位置決め固
定及び回転防止ができる。
ために、半導体基体の端面保護の保護部材で回転止めの
役目をさせ、その保護部材の回転を固定する絶縁リング
を設け、絶縁リングと絶縁体筒との間にも回転止めを設
けるように構成している。これにより半導体基体と電極
がろう材等で接着していない半導体装置でも、半導体基
体端面に力をかけずに精度良く半導体基体を位置決め固
定及び回転防止ができる。
【００１３】
【作用】上記に使用可能な半導体基体の端面保護部材で
ある樹脂としては、一般にシリコンゴムが用いられる。
また、絶縁リングとしては４フッ化エチレン樹脂あるい
はシリコンゴムが用いられる。以下は樹脂にシリコンゴ
ム、絶縁リングに４フッ化エチレン樹脂を用いた例につ
いて説明する。
ある樹脂としては、一般にシリコンゴムが用いられる。
また、絶縁リングとしては４フッ化エチレン樹脂あるい
はシリコンゴムが用いられる。以下は樹脂にシリコンゴ
ム、絶縁リングに４フッ化エチレン樹脂を用いた例につ
いて説明する。
【００１４】保護部材としてのシリコンゴムは通常の働
きの半導体基体の端面保護を行うが、他に半導体基体の
位置決め・回転止め及び固定用として、絶縁リングと共
に働く。 絶縁リングは保護部材（シリコンゴム）を介
して、半導体基体と外部電極とを位置決め固定し、さら
に半導体基体と絶縁体筒との回転止めの働きもする。以
上によって、半導体基体は精度良く位置決め固定される
上に、回転も防止できる。
きの半導体基体の端面保護を行うが、他に半導体基体の
位置決め・回転止め及び固定用として、絶縁リングと共
に働く。 絶縁リングは保護部材（シリコンゴム）を介
して、半導体基体と外部電極とを位置決め固定し、さら
に半導体基体と絶縁体筒との回転止めの働きもする。以
上によって、半導体基体は精度良く位置決め固定される
上に、回転も防止できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による圧接型半導体装置につい
て、図示の実施例により詳細に説明する。
て、図示の実施例により詳細に説明する。
【００１６】図１はダイオード素子で半導体基体が金属
板に合金されていないものに本発明を適用した場合の一
実施例を示し、図２は図１の実施例の縦断面図である。
尚、図３に示した従来例と同一番号のものは同一又は同
等の構成部分を示す。これらの図において半導体基体３
１の両側には陰極電極３２と陽極電極３５が蒸着等で付
いている。しかし陽極の金属版３４は合金されていな
い。このため半導体基体３１は、横方向及び回転方向に
は不安定な状態である。１２は半導体基体３１の端面保
護部材として機能する樹脂であり、外周に本例は４ヵ所
あるが少なくとも１ヵ所以上の凸部１２ａを設けてい
る。ここで、端面保護樹脂１２は型成形にて作製するも
のである。
板に合金されていないものに本発明を適用した場合の一
実施例を示し、図２は図１の実施例の縦断面図である。
尚、図３に示した従来例と同一番号のものは同一又は同
等の構成部分を示す。これらの図において半導体基体３
１の両側には陰極電極３２と陽極電極３５が蒸着等で付
いている。しかし陽極の金属版３４は合金されていな
い。このため半導体基体３１は、横方向及び回転方向に
は不安定な状態である。１２は半導体基体３１の端面保
護部材として機能する樹脂であり、外周に本例は４ヵ所
あるが少なくとも１ヵ所以上の凸部１２ａを設けてい
る。ここで、端面保護樹脂１２は型成形にて作製するも
のである。
【００１７】端面保護樹脂１２を付けた半導体基体３１
を固定する絶縁リング１３は内周に前記凸部１２ａと嵌
合する凹部１３ａを有しており、これにより半導体基体
３１が絶縁リング１３に対して位置決め固定及び回転防
止の状態となる。
を固定する絶縁リング１３は内周に前記凸部１２ａと嵌
合する凹部１３ａを有しており、これにより半導体基体
３１が絶縁リング１３に対して位置決め固定及び回転防
止の状態となる。
【００１８】さらに、絶縁リング１３の外側には凹部１
３ｂが設けてあり、絶縁体筒４の側面内側にも凹部４ａ
が設けてある。これらの凹部１３ｂと凹部４ａに挿通さ
れる支持部材１４により絶縁体筒４に対して絶縁リング
１３が回転防止状態となる。
３ｂが設けてあり、絶縁体筒４の側面内側にも凹部４ａ
が設けてある。これらの凹部１３ｂと凹部４ａに挿通さ
れる支持部材１４により絶縁体筒４に対して絶縁リング
１３が回転防止状態となる。
【００１９】以上により半導体基体３１は、外部電極２
に対して絶縁体筒４、支持部材１４、絶縁リング１３、
端面保護樹脂１２を介して回転防止がなされたことにな
る。絶縁リング１３は外部電極２と図２の本発明の縦断
面図に示すように１３Ｃの部分で嵌合構造となってお
り、これにより絶縁リング１３が外部電極２に対し位置
決め固定されているが、回転防止はされていない。１３
Ｃの部分に凹凸を持たせて、回転防止を設けることも可
能であるが、電極は金属であり、その加工性から考える
と高価なものになり、また金属面は加圧接触する部分で
あり平坦度を確保しなければならないこともあるため、
この部分に凹凸を持たせることは好ましくない。
に対して絶縁体筒４、支持部材１４、絶縁リング１３、
端面保護樹脂１２を介して回転防止がなされたことにな
る。絶縁リング１３は外部電極２と図２の本発明の縦断
面図に示すように１３Ｃの部分で嵌合構造となってお
り、これにより絶縁リング１３が外部電極２に対し位置
決め固定されているが、回転防止はされていない。１３
Ｃの部分に凹凸を持たせて、回転防止を設けることも可
能であるが、電極は金属であり、その加工性から考える
と高価なものになり、また金属面は加圧接触する部分で
あり平坦度を確保しなければならないこともあるため、
この部分に凹凸を持たせることは好ましくない。
【００２０】なお、絶縁体筒４内側の凹部４ａは位置決
めの働きはせず回転止めの働きをするだけのため寸法精
度はそれほど必要としない。何故なら回転防止のみの役
目であり、位置決めは要求していないからである。この
凹部４ａの寸法精度を要求するのは絶縁体筒４の製造上
困難な事である。絶縁体筒４は耐熱性・気密性等の面か
らアルミナの焼結体などの材料が用いられ、この様な材
料では焼結時に材料収縮を起こしたり、焼結後に金属薄
板５及び６と気密接着するための熱処理により形状の変
化をおこすためである。特に大口径化に伴い絶縁体筒４
も大口径化し、変形量も大きくなり寸法精度も必然的に
大きくなってきている。従って、絶縁体筒凹部４ａは回
転止めだけになるのである。回転止めの精度を上げ、回
転を確実に止める必要が有る場合には、支持部材１４が
樹脂でできていることから、支持部材１４の寸法をでき
あがった絶縁体筒４の寸法に合わせることで対応でき
る。
めの働きはせず回転止めの働きをするだけのため寸法精
度はそれほど必要としない。何故なら回転防止のみの役
目であり、位置決めは要求していないからである。この
凹部４ａの寸法精度を要求するのは絶縁体筒４の製造上
困難な事である。絶縁体筒４は耐熱性・気密性等の面か
らアルミナの焼結体などの材料が用いられ、この様な材
料では焼結時に材料収縮を起こしたり、焼結後に金属薄
板５及び６と気密接着するための熱処理により形状の変
化をおこすためである。特に大口径化に伴い絶縁体筒４
も大口径化し、変形量も大きくなり寸法精度も必然的に
大きくなってきている。従って、絶縁体筒凹部４ａは回
転止めだけになるのである。回転止めの精度を上げ、回
転を確実に止める必要が有る場合には、支持部材１４が
樹脂でできていることから、支持部材１４の寸法をでき
あがった絶縁体筒４の寸法に合わせることで対応でき
る。
【００２１】ところで絶縁リング１３及び支持部材１４
は絶縁材であることは当然のこととして、更に非弾性
で、熱的、化学的にも安定な材質が要求される。従って
４フッ化エチレン樹脂や、シリコンゴム樹脂などの材料
によるものが好適である。
は絶縁材であることは当然のこととして、更に非弾性
で、熱的、化学的にも安定な材質が要求される。従って
４フッ化エチレン樹脂や、シリコンゴム樹脂などの材料
によるものが好適である。
【００２２】次に本発明の他の一実施例について図５に
より説明する。なお、この図５で、図１における要素と
同一符号を付した要素は同一物、相当物を示している。
より説明する。なお、この図５で、図１における要素と
同一符号を付した要素は同一物、相当物を示している。
【００２３】本実施例は、半導体基体３１の端面保護樹
脂１２の外周部分が上記実施例の凸部１２ａの代わりに
凹部１２ｂを形成し、かつ絶縁リング１３の凹部１３ａ
の代わりに凸部１３ｃを形成した点が特徴である。端面
保護樹脂１２の外周部が凹状になっていると半導体基体
３１の電気的使用面積は少なくなるが、半導体基体３１
の端面での絶縁距離は前記実施例より確保できる。
脂１２の外周部分が上記実施例の凸部１２ａの代わりに
凹部１２ｂを形成し、かつ絶縁リング１３の凹部１３ａ
の代わりに凸部１３ｃを形成した点が特徴である。端面
保護樹脂１２の外周部が凹状になっていると半導体基体
３１の電気的使用面積は少なくなるが、半導体基体３１
の端面での絶縁距離は前記実施例より確保できる。
【００２４】図６は本発明の更に他の実施例について示
すもので、図６において図１における要素と同一符号を
付した要素は同一物、相当物を示している。
すもので、図６において図１における要素と同一符号を
付した要素は同一物、相当物を示している。
【００２５】図６においては図１、図５の実施例で絶縁
リング１３の外周に形成された凹部１３ｂの代わりに凸
部１３ｄを形成したことが特徴である。凹状になってい
る図１の実施例の方が、絶縁リング１３の加工は容易で
はあるが、本実施例の方は図１の発明に対して支持部材
１４を不要とすることが出来るなど、半導体装置の組込
部品点数は上記実施例より少なくすることが出来る。
リング１３の外周に形成された凹部１３ｂの代わりに凸
部１３ｄを形成したことが特徴である。凹状になってい
る図１の実施例の方が、絶縁リング１３の加工は容易で
はあるが、本実施例の方は図１の発明に対して支持部材
１４を不要とすることが出来るなど、半導体装置の組込
部品点数は上記実施例より少なくすることが出来る。
【００２６】図７は本発明の更に別の実施例について示
したものであり、図７において図１における要素と同一
符号を付した要素は同一物、相当物を示している。
したものであり、図７において図１における要素と同一
符号を付した要素は同一物、相当物を示している。
【００２７】図７においては絶縁体筒４の側面内周に絶
縁リング１３の凹部１３ｂに係合する凸状部４ｂを形成
したことが特徴である。本発明も図６に示した実施例と
同様に支持部材１４を不要にすることができるなど、半
導体装置の組込部品点数は図１に示した実施例より少な
くすることができる。
縁リング１３の凹部１３ｂに係合する凸状部４ｂを形成
したことが特徴である。本発明も図６に示した実施例と
同様に支持部材１４を不要にすることができるなど、半
導体装置の組込部品点数は図１に示した実施例より少な
くすることができる。
【００２８】図８は光駆動型サイリスタ素子で半導体基
体３１が金属版３４に合金されていないものに本発明を
適用した場合の一実施例で、図３に示した従来例と同一
番号の要素は同一又は同等の構成部分を示す。図２に示
したダイオード素子に加え、光駆動のためのライトガイ
ド２１を有した構造となっている。ライトガイド２１及
びライトガイド支持体２０以外の構造は、図２に示した
ダイオードと同一である。
体３１が金属版３４に合金されていないものに本発明を
適用した場合の一実施例で、図３に示した従来例と同一
番号の要素は同一又は同等の構成部分を示す。図２に示
したダイオード素子に加え、光駆動のためのライトガイ
ド２１を有した構造となっている。ライトガイド２１及
びライトガイド支持体２０以外の構造は、図２に示した
ダイオードと同一である。
【００２９】図８において半導体基体３１の両側には陰
極電極３２と陽極電極３５が蒸着等で付いている。しか
し陽極の金属板３４は陽極電極３５とは合金されていな
い。このため、半導体基体３１は、横方向にはこのまま
では不安定な状態である。半導体基体３１の端面保護樹
脂１２には、外周に少なくとも１ヵ所以上の凸部１２ａ
が設けられている。ここで、端面保護樹脂１２は型成形
にて作成するものである。端面保護樹脂１２を付けた半
導体基体３１を固定する絶縁リング１３は内周に前記凸
部１２ａと嵌合する凹部１３ａを有しており、これによ
り半導体基体３１が絶縁リング１３に対して位置決め固
定及び回転防止の状態となる。
極電極３２と陽極電極３５が蒸着等で付いている。しか
し陽極の金属板３４は陽極電極３５とは合金されていな
い。このため、半導体基体３１は、横方向にはこのまま
では不安定な状態である。半導体基体３１の端面保護樹
脂１２には、外周に少なくとも１ヵ所以上の凸部１２ａ
が設けられている。ここで、端面保護樹脂１２は型成形
にて作成するものである。端面保護樹脂１２を付けた半
導体基体３１を固定する絶縁リング１３は内周に前記凸
部１２ａと嵌合する凹部１３ａを有しており、これによ
り半導体基体３１が絶縁リング１３に対して位置決め固
定及び回転防止の状態となる。
【００３０】さらに、絶縁リング１３の外側には凹部１
３ｂが設けられており、絶縁体筒４の側面内側にも凹部
４ａが設けられている。これらの凹部１３ｂと凹部４ａ
の支持部材１４により絶縁体筒４に対して絶縁リング１
３が回転防止状態となる。
３ｂが設けられており、絶縁体筒４の側面内側にも凹部
４ａが設けられている。これらの凹部１３ｂと凹部４ａ
の支持部材１４により絶縁体筒４に対して絶縁リング１
３が回転防止状態となる。
【００３１】以上により半導体基体３１は、外部電力２
及びライトガイド２１に対して絶縁体筒４、支持部材１
４、絶縁リング１３、端面保護樹脂１２を介して回転防
止がなされたことになり、半導体基体３１とライトガイ
ド２１の接触部２１ａが横方向及び回転方向に対して安
定した状態となる。
及びライトガイド２１に対して絶縁体筒４、支持部材１
４、絶縁リング１３、端面保護樹脂１２を介して回転防
止がなされたことになり、半導体基体３１とライトガイ
ド２１の接触部２１ａが横方向及び回転方向に対して安
定した状態となる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基体を組み込む
だけで、正確に位置決め固定と回転防止が行なわれるの
で、半導体基体の位置ずれ及び回転による電気的特性並
びに機械的強度に対する悪影響を除かれる。特に光駆動
型サイリスタにおいては、半導体基体にある光受光部の
ずれによる光点弧感度の低下を防止でき、またＧＴＯサ
イリスタにおいては半導体基体の回転によって生じるゲ
ート・カソード電極間の短絡を防止できる。
だけで、正確に位置決め固定と回転防止が行なわれるの
で、半導体基体の位置ずれ及び回転による電気的特性並
びに機械的強度に対する悪影響を除かれる。特に光駆動
型サイリスタにおいては、半導体基体にある光受光部の
ずれによる光点弧感度の低下を防止でき、またＧＴＯサ
イリスタにおいては半導体基体の回転によって生じるゲ
ート・カソード電極間の短絡を防止できる。
【００３３】また、本発明は半導体基体が電極とろう材
等で接着していない場合でも、半導体基体を正確に位置
決め固定かつ回転防止ができる。以上により常に信頼性
の高い光駆動型サイリスタ、ＧＴＯサイリスタ、サイリ
スタあるいはトランジスタなどの圧接型半導体装置を容
易に得ることができる。
等で接着していない場合でも、半導体基体を正確に位置
決め固定かつ回転防止ができる。以上により常に信頼性
の高い光駆動型サイリスタ、ＧＴＯサイリスタ、サイリ
スタあるいはトランジスタなどの圧接型半導体装置を容
易に得ることができる。
【００３４】
【図１】本発明による圧接型半導体装置の一実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】図１の実施例の縦断面図である
【図３】圧接型半導体装置の従来例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図４】図２の平面図である。
【図５】本発明による圧接型半導体装置の他の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明による圧接型半導体装置の更に他の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】本発明による圧接型半導体装置の更に他の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図８】本発明による圧接型半導体装置の更に他の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
１ 外部陰極電極 ２ 外部陽極電極 ３ 半導体素子 ４ 絶縁体筒 ５ 金属薄板 ６ 金属薄板 ７ 金属薄板 ８ ゲートリード ９ 外部ゲート電極 １０ 金属板 １１ 固定ゴム １２ 端面保護樹脂 １３ 絶縁リング １４ 支持部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−48079（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−108733（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−219627（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52,21/58 H01L 29/74
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも一つ以上のＰＮ接合を有する
半導体基体を含む半導体素子と、前記半導体素子の二つ
の主面に対向する少なくとも二つ以上の外部電極と、前
記半導体基体の端面を保護する保護部材と、該保護部材
を支持する絶縁性リングと、前記外部電極を支持し、か
つ前記半導体素子を密封する絶縁体筒とを有する圧接型
半導体装置において、 前記保護部材の外周面に少なくとも一つの凸部が形成さ
れ、該凸部に嵌合する凹部が前記絶縁性リングの内周面
に形成されたことを特徴とする圧接型半導体装置。 - 【請求項２】 少なくとも一つ以上のＰＮ接合を有する
半導体基体を含む半導体素子と、前記半導体素子の二つ
の主面に対向する少なくとも二つ以上の外部電極と、前
記半導体基体の端面を保護する保護部材と、該保護部材
を支持する絶縁性リングと、前記外部電極を支持し、か
つ前記半導体素子を密封する絶縁体筒とを有する圧接型
半導体装置において、 前記保護部材の外周面に少なくとも一つの凹部が形成さ
れ、該凹部に嵌合する凸部が前記絶縁性リングの内周面
に形成されたことを特徴とする圧接型半導体装置。 - 【請求項３】 前記絶縁性リングの外周面には少なくと
も一つの凹部が形成され、かつ前記絶縁体筒の内周面に
前記絶縁性リングの外周面に形成された凹部に対応する
凹部が形成されると共に、前記絶縁体筒に絶縁性リング
を嵌挿した際に前記対応する凹部により形成される間隙
部に支持部材を挿通することにより前記絶縁体筒に絶縁
性リングを固定したことを特徴とする請求項１または２
のいずれかに記載の圧接型半導体装置。 - 【請求項４】 前記絶縁性リングが４フッ化エチレン樹
脂及びシリコンゴムの少なくとも一方の部材で形成され
ていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記
載の圧接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27842693A JP3292898B2 (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27842693A JP3292898B2 (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130776A JPH07130776A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3292898B2 true JP3292898B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17597184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27842693A Expired - Fee Related JP3292898B2 (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292898B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5665452B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2015-02-04 | 三菱電機株式会社 | 圧接型ｇｔｏサイリスタ |
| CN107924882B (zh) * | 2015-05-19 | 2020-07-28 | Abb电网瑞士股份公司 | 半导体装置 |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP27842693A patent/JP3292898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130776A (ja) | 1995-05-19 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |