JPH0786487A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH0786487A JPH0786487A JP23273293A JP23273293A JPH0786487A JP H0786487 A JPH0786487 A JP H0786487A JP 23273293 A JP23273293 A JP 23273293A JP 23273293 A JP23273293 A JP 23273293A JP H0786487 A JPH0786487 A JP H0786487A
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- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体チップを樹脂により封止して
なる薄型の半導体パッケージ装置において、半導体チッ
プの破壊強度を向上できるようにすることを最も主要な
特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ10を枠体11内には
め込み、この枠体11により半導体チップ10の側面の
変位を拘束する。また、枠体11をリードフレーム12
に接続し、そのリード端子(インナリード部)12aと
半導体チップ10の電極パッド10aとをボンディング
用のワイヤ13によりそれぞれ接続する。この後、ワイ
ヤ13の接続部を含んで、上記半導体チップ10を封止
樹脂14により封止することで、チップの破壊強度が高
い薄型の半導体パッケージ装置を得る構成となってい
る。
なる薄型の半導体パッケージ装置において、半導体チッ
プの破壊強度を向上できるようにすることを最も主要な
特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ10を枠体11内には
め込み、この枠体11により半導体チップ10の側面の
変位を拘束する。また、枠体11をリードフレーム12
に接続し、そのリード端子(インナリード部)12aと
半導体チップ10の電極パッド10aとをボンディング
用のワイヤ13によりそれぞれ接続する。この後、ワイ
ヤ13の接続部を含んで、上記半導体チップ10を封止
樹脂14により封止することで、チップの破壊強度が高
い薄型の半導体パッケージ装置を得る構成となってい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体チッ
プを樹脂により封止してなる半導体装置およびその製造
方法に関するもので、特に薄型の半導体パッケージ装置
に使用されるものである。
プを樹脂により封止してなる半導体装置およびその製造
方法に関するもので、特に薄型の半導体パッケージ装置
に使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】たとえば、一般的な半導体パッケージ装
置(プラスチックパッケージ)は、図18に示すよう
に、半導体チップ100、このチップ100を搭載する
リードフレーム101、このフレーム101のリード端
子(インナリード部)101aと上記チップ100上の
電極パッド100aとを電気的に接続するワイヤ10
2、およびワイヤ102の接続部を含んで上記チップ1
00を封止する封止樹脂103からなっている。
置(プラスチックパッケージ)は、図18に示すよう
に、半導体チップ100、このチップ100を搭載する
リードフレーム101、このフレーム101のリード端
子(インナリード部)101aと上記チップ100上の
電極パッド100aとを電気的に接続するワイヤ10
2、およびワイヤ102の接続部を含んで上記チップ1
00を封止する封止樹脂103からなっている。
【0003】ここで示したような半導体パッケージ装置
では、半導体チップ100はリードフレーム101のチ
ップ搭載部(ダイパッド)101b上に搭載される。ま
た、封止の後、上記フレーム101のリード端子101
aの、上記封止樹脂103の外側におけるアウタリード
部の成形(フォーミング)が行われる構成とされてい
る。
では、半導体チップ100はリードフレーム101のチ
ップ搭載部(ダイパッド)101b上に搭載される。ま
た、封止の後、上記フレーム101のリード端子101
aの、上記封止樹脂103の外側におけるアウタリード
部の成形(フォーミング)が行われる構成とされてい
る。
【0004】しかしながら、上記した従来装置において
は、その厚さ方向に半導体チップ100、リードフレー
ム101のチップ搭載部101b、ワイヤ102、およ
び封止樹脂103などが存在するため、その薄型化には
限界があった。
は、その厚さ方向に半導体チップ100、リードフレー
ム101のチップ搭載部101b、ワイヤ102、およ
び封止樹脂103などが存在するため、その薄型化には
限界があった。
【0005】すなわち、半導体パッケージ装置を薄型化
する場合、半導体チップ100自身の薄型化に加え、リ
ードフレーム101や封止樹脂103をどれだけ薄くで
きるかが重要となってくる。
する場合、半導体チップ100自身の薄型化に加え、リ
ードフレーム101や封止樹脂103をどれだけ薄くで
きるかが重要となってくる。
【0006】しかし、耐湿性などの半導体パッケージ装
置の信頼性を考慮すると、半導体チップ100上におけ
る封止樹脂103にはある程度の厚さが必要であり、ま
た実装性を考慮するとリードフレーム101もあまり薄
くすることができない。
置の信頼性を考慮すると、半導体チップ100上におけ
る封止樹脂103にはある程度の厚さが必要であり、ま
た実装性を考慮するとリードフレーム101もあまり薄
くすることができない。
【0007】また、半導体パッケージ装置の厚さ方向に
は、半導体チップ100を中心として線膨張係数などの
異なるチップ搭載部101bや封止樹脂103などが存
在するために、薄型化が進むにつれて反りの発生が問題
となってくる。
は、半導体チップ100を中心として線膨張係数などの
異なるチップ搭載部101bや封止樹脂103などが存
在するために、薄型化が進むにつれて反りの発生が問題
となってくる。
【0008】たとえば、チップ搭載部101bの材料は
金属であり、その膨張係数やヤング率は、高分子材料が
用いられる封止樹脂103や半導体チップ100と大き
く異なる。
金属であり、その膨張係数やヤング率は、高分子材料が
用いられる封止樹脂103や半導体チップ100と大き
く異なる。
【0009】したがって、反りの発生を抑制し得る材料
や厚さの選択が必要となり、薄型化はいっそう困難なも
のとなっている。そこで、チップ搭載部をなくすことで
薄型化を図った半導体パッケージ装置が提案されてい
る。
や厚さの選択が必要となり、薄型化はいっそう困難なも
のとなっている。そこで、チップ搭載部をなくすことで
薄型化を図った半導体パッケージ装置が提案されてい
る。
【0010】この半導体パッケージ装置は、たとえば図
19に示すように、半導体チップ200の側面に絶縁性
のマウント剤201を介してリードフレーム202のリ
ード端子(インナリード部)202aが接着され、その
インナリード部と上記チップ200上の電極パッドとが
ワイヤ203により電気的に接続される。
19に示すように、半導体チップ200の側面に絶縁性
のマウント剤201を介してリードフレーム202のリ
ード端子(インナリード部)202aが接着され、その
インナリード部と上記チップ200上の電極パッドとが
ワイヤ203により電気的に接続される。
【0011】そして、このワイヤ203の接続部を含ん
で、上記チップ200が封止樹脂204により封止され
た後、上記リード端子202aのアウタリード部がフォ
ーミングされることで、構成されるようになっている。
で、上記チップ200が封止樹脂204により封止され
た後、上記リード端子202aのアウタリード部がフォ
ーミングされることで、構成されるようになっている。
【0012】しかしながら、上記した装置の場合、半導
体チップ200をサポートするチップ搭載部をなくした
分、薄型化にともなう半導体チップ200の破壊強度の
低下が著しいという問題があった。
体チップ200をサポートするチップ搭載部をなくした
分、薄型化にともなう半導体チップ200の破壊強度の
低下が著しいという問題があった。
【0013】すなわち、半導体チップ200の上方より
外力が加えられた場合、チップ200は側面の変位が自
由なために大きく曲げられ、裏面の中心部に著しい引っ
張りの応力が発生する。半導体チップ200の場合、破
壊として最も問題となるのは、その研削加工された裏面
の引っ張りの応力による破壊である。
外力が加えられた場合、チップ200は側面の変位が自
由なために大きく曲げられ、裏面の中心部に著しい引っ
張りの応力が発生する。半導体チップ200の場合、破
壊として最も問題となるのは、その研削加工された裏面
の引っ張りの応力による破壊である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、薄型化により半導体チップの破壊強度が著
しく低下されるため、わずかな曲げによる応力でチップ
の破壊を招くという問題があった。
においては、薄型化により半導体チップの破壊強度が著
しく低下されるため、わずかな曲げによる応力でチップ
の破壊を招くという問題があった。
【0015】そこで、この発明は、半導体チップの裏面
に生じる応力を軽減でき、半導体チップの破壊強度を向
上することが可能な半導体装置およびその製造方法を提
供することを目的としている。
に生じる応力を軽減でき、半導体チップの破壊強度を向
上することが可能な半導体装置およびその製造方法を提
供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、上面に電極が
設けられた半導体チップと、この半導体チップを、その
側面に圧力をかけて固定する固定部材と、この固定部材
により固定された前記半導体チップの電極と電気的に接
続されるリード端子と、このリード端子と前記半導体チ
ップの電極との接続部および前記固定部材を含んで、前
記半導体チップを封止する封止体とから構成されてい
る。
めに、この発明の半導体装置にあっては、上面に電極が
設けられた半導体チップと、この半導体チップを、その
側面に圧力をかけて固定する固定部材と、この固定部材
により固定された前記半導体チップの電極と電気的に接
続されるリード端子と、このリード端子と前記半導体チ
ップの電極との接続部および前記固定部材を含んで、前
記半導体チップを封止する封止体とから構成されてい
る。
【0017】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、半導体チップを封止してなる場合において、
前記半導体チップを、その側面に圧力をかけて固定し、
この状態で、前記半導体チップ上の電極とリード端子と
の接続、および前記封止を行うようになっている。
あっては、半導体チップを封止してなる場合において、
前記半導体チップを、その側面に圧力をかけて固定し、
この状態で、前記半導体チップ上の電極とリード端子と
の接続、および前記封止を行うようになっている。
【0018】
【作用】この発明は、上記した手段により、半導体チッ
プの側面の変位を拘束できるようになるため、半導体チ
ップの裏面の中心部における引っ張りの応力の発生を抑
制することが可能となるものである。
プの側面の変位を拘束できるようになるため、半導体チ
ップの裏面の中心部における引っ張りの応力の発生を抑
制することが可能となるものである。
【0019】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1,図2,図3は、第1の実施例にか
かる半導体パッケージ装置の概略を示すものである。な
お、図1は装置の要部を示す構成図、図2は同装置の製
造工程を説明するために示す分解図、図3は同装置の効
果を説明するために示す図である。
して説明する。図1,図2,図3は、第1の実施例にか
かる半導体パッケージ装置の概略を示すものである。な
お、図1は装置の要部を示す構成図、図2は同装置の製
造工程を説明するために示す分解図、図3は同装置の効
果を説明するために示す図である。
【0020】すなわち、この半導体パッケージ装置は、
たとえば図1(a),(b)に示すように、半導体チッ
プ10、このチップ10の側面を固定する固定部材とし
ての枠体11、リードフレーム12、このフレーム12
のリード端子(インナリード部)12aと上記チップ1
0上の電極パッド10aとを電気的に接続するワイヤ1
3、およびワイヤ13による接続部を含んで上記チップ
10を封止する封止体としての封止樹脂14からなって
いる。
たとえば図1(a),(b)に示すように、半導体チッ
プ10、このチップ10の側面を固定する固定部材とし
ての枠体11、リードフレーム12、このフレーム12
のリード端子(インナリード部)12aと上記チップ1
0上の電極パッド10aとを電気的に接続するワイヤ1
3、およびワイヤ13による接続部を含んで上記チップ
10を封止する封止体としての封止樹脂14からなって
いる。
【0021】枠体11は、たとえば絶縁性の材料(セラ
ミックなど)によって構成され、その高さが上記半導体
チップ10の厚さとほぼ同じ大きさとされるとともに、
内側のサイズが上記半導体チップ10の外形のサイズよ
りも少し小さ目に形成されている。
ミックなど)によって構成され、その高さが上記半導体
チップ10の厚さとほぼ同じ大きさとされるとともに、
内側のサイズが上記半導体チップ10の外形のサイズよ
りも少し小さ目に形成されている。
【0022】リードフレーム12は、金属薄板をフォト
エッチングまたはスタンピング加工することにより製造
されるもので、上記チップ10上の各電極パッド10a
とそれぞれ接続される複数のリード端子12a、および
上記枠体11をサポートする一対のサポートリード12
bからなっている。
エッチングまたはスタンピング加工することにより製造
されるもので、上記チップ10上の各電極パッド10a
とそれぞれ接続される複数のリード端子12a、および
上記枠体11をサポートする一対のサポートリード12
bからなっている。
【0023】さて、このような構成の半導体パッケージ
装置は、たとえば図2に示すように、まず、半導体チッ
プ10が枠体11内にはめ込まれる。これにより、半導
体チップ10は、上記枠体11によって、その側面が囲
まれた状態で固定される。
装置は、たとえば図2に示すように、まず、半導体チッ
プ10が枠体11内にはめ込まれる。これにより、半導
体チップ10は、上記枠体11によって、その側面が囲
まれた状態で固定される。
【0024】そして、この枠体11が、少なくともリー
ドフレーム12のサポートリード12bと接着剤などに
より接続される。この、枠体11とサポートリード12
bとの接続は、たとえばチップ10の上面とサポートリ
ード12bの上面とが同一平面となるように行われる。
ドフレーム12のサポートリード12bと接着剤などに
より接続される。この、枠体11とサポートリード12
bとの接続は、たとえばチップ10の上面とサポートリ
ード12bの上面とが同一平面となるように行われる。
【0025】この後、上記半導体チップ10の電極パッ
ド10と上記リードフレーム12のリード端子(インナ
リード部)12aとが、ボンディング用のワイヤ13に
よりそれぞれ接続される。
ド10と上記リードフレーム12のリード端子(インナ
リード部)12aとが、ボンディング用のワイヤ13に
よりそれぞれ接続される。
【0026】この場合、枠体11は絶縁性の材料によっ
て構成されているため、上記ワイヤ13が接触されても
問題はなく、むしろ接触させてワイヤ13の形状を制御
することで、半導体パッケージ装置の高さ方向の厚さの
制御が可能となる。
て構成されているため、上記ワイヤ13が接触されても
問題はなく、むしろ接触させてワイヤ13の形状を制御
することで、半導体パッケージ装置の高さ方向の厚さの
制御が可能となる。
【0027】そして、上記ワイヤ13の接続部を含ん
で、上記半導体チップ10の封止樹脂14による封止が
行われた後、上記リード端子(アウタリード部)12a
のフォーミングが行われることで、得られる。
で、上記半導体チップ10の封止樹脂14による封止が
行われた後、上記リード端子(アウタリード部)12a
のフォーミングが行われることで、得られる。
【0028】このような構成によれば、たとえば図3に
示すように、半導体チップ10は、その側面が上記枠体
11によって囲まれた状態で固定されることになるた
め、チップ側面の変位が拘束されることになる。
示すように、半導体チップ10は、その側面が上記枠体
11によって囲まれた状態で固定されることになるた
め、チップ側面の変位が拘束されることになる。
【0029】この結果、半導体チップ10の変形が小さ
くなる、つまり半導体チップ10の上方より外力が加え
られた場合においても、チップ10は側面の変位が不自
由なために大きく曲げられることがない。
くなる、つまり半導体チップ10の上方より外力が加え
られた場合においても、チップ10は側面の変位が不自
由なために大きく曲げられることがない。
【0030】したがって、チップ10の裏面の中心部に
発生する引っ張りの応力を軽減することができ、その
分、半導体チップ10の破壊強度を向上できるようにな
るものである。
発生する引っ張りの応力を軽減することができ、その
分、半導体チップ10の破壊強度を向上できるようにな
るものである。
【0031】因みに、材料力学による「平板」の理論式
によると、等分布荷重を受ける正方形平板の中心部に生
じる応力は、側面を固定した場合、側面を単純に支持し
た場合の約1/2程度にまで減少される。
によると、等分布荷重を受ける正方形平板の中心部に生
じる応力は、側面を固定した場合、側面を単純に支持し
た場合の約1/2程度にまで減少される。
【0032】このように、半導体チップの側面の変位を
拘束することにより、破壊強度に対して弱いチップの裏
面に生じる応力を減少できるようになるため、よってチ
ップの破壊強度が高い薄型の半導体パッケージ装置を容
易に製造することが可能となるものである。
拘束することにより、破壊強度に対して弱いチップの裏
面に生じる応力を減少できるようになるため、よってチ
ップの破壊強度が高い薄型の半導体パッケージ装置を容
易に製造することが可能となるものである。
【0033】また、ダイパッドを用いていない分、反り
を調整するための材料や厚さの選択が容易となり、反り
などのない信頼性の高い半導体パッケージ装置とするこ
とができる。
を調整するための材料や厚さの選択が容易となり、反り
などのない信頼性の高い半導体パッケージ装置とするこ
とができる。
【0034】なお、上記第1の実施例においては、枠体
11の高さを半導体チップ10の厚さとほぼ同じとし、
また枠体11とサポートリード12bとの上面が同一平
面となるように接続する場合について説明したが、他の
方式により行うことも可能である。
11の高さを半導体チップ10の厚さとほぼ同じとし、
また枠体11とサポートリード12bとの上面が同一平
面となるように接続する場合について説明したが、他の
方式により行うことも可能である。
【0035】図4は、枠体11とサポートリード12b
との接続の例を示すものである。たとえば、同図(a)
には、枠体11の高さを半導体チップ10の厚さとほぼ
同じとし、枠体11とサポートリード12bとの下面が
同一平面となるように接続した場合を示している。
との接続の例を示すものである。たとえば、同図(a)
には、枠体11の高さを半導体チップ10の厚さとほぼ
同じとし、枠体11とサポートリード12bとの下面が
同一平面となるように接続した場合を示している。
【0036】同図(b)には、たとえば枠体11の高さ
をサポートリード12bの厚さとほぼ同じ(半導体チッ
プ10の厚さよりも小さく)とし、枠体11とサポート
リード12bとの上面が半導体チップ10の上面と同一
平面となるように接続した場合を示している。
をサポートリード12bの厚さとほぼ同じ(半導体チッ
プ10の厚さよりも小さく)とし、枠体11とサポート
リード12bとの上面が半導体チップ10の上面と同一
平面となるように接続した場合を示している。
【0037】同図(c)には、たとえば枠体11の高さ
をサポートリード12bの厚さとほぼ同じとし、枠体1
1とサポートリード12bとの下面が半導体チップ10
の下面と同一平面となるように接続した場合を示してい
る。
をサポートリード12bの厚さとほぼ同じとし、枠体1
1とサポートリード12bとの下面が半導体チップ10
の下面と同一平面となるように接続した場合を示してい
る。
【0038】同図(d)には、たとえば枠体11の高さ
を半導体チップ10の厚さよりも大きくし、枠体11の
下面が半導体チップ10の下面と、サポートリード12
bの上面が半導体チップ10の上面と、それぞれ同一平
面となるように接続した場合を示している。
を半導体チップ10の厚さよりも大きくし、枠体11の
下面が半導体チップ10の下面と、サポートリード12
bの上面が半導体チップ10の上面と、それぞれ同一平
面となるように接続した場合を示している。
【0039】同図(e)には、たとえば枠体11の高さ
を半導体チップ10の厚さよりも大きくし、枠体11の
上面が半導体チップ10の上面と、サポートリード12
bの下面が半導体チップ10の下面と、それぞれ同一平
面となるように接続した場合を示している。
を半導体チップ10の厚さよりも大きくし、枠体11の
上面が半導体チップ10の上面と、サポートリード12
bの下面が半導体チップ10の下面と、それぞれ同一平
面となるように接続した場合を示している。
【0040】また、上記第1の実施例においては、枠体
11をリードフレーム12に接続する、つまり枠体11
とサポートリード12bとが別体として形成されてなる
場合について示したが、枠体とサポートリードとが一体
的に形成されたリードフレームを用いることもできる。
11をリードフレーム12に接続する、つまり枠体11
とサポートリード12bとが別体として形成されてなる
場合について示したが、枠体とサポートリードとが一体
的に形成されたリードフレームを用いることもできる。
【0041】図5は、枠体とサポートリードとが一体的
に形成されてなるリードフレームを用いて構成される、
半導体パッケージ装置の概略を示すものである。すなわ
ち、この半導体パッケージ装置に用いられるリードフレ
ーム22は、たとえばサポートリード(吊りピン)22
bにより支持されたダイパッド部に、半導体チップ10
をはめ込むための開口が形成されることで、枠体21が
一体的に形成された構成とされている。
に形成されてなるリードフレームを用いて構成される、
半導体パッケージ装置の概略を示すものである。すなわ
ち、この半導体パッケージ装置に用いられるリードフレ
ーム22は、たとえばサポートリード(吊りピン)22
bにより支持されたダイパッド部に、半導体チップ10
をはめ込むための開口が形成されることで、枠体21が
一体的に形成された構成とされている。
【0042】この場合、半導体チップ10を枠体21内
にはめ込むことで、チップマウント、つまりリードフレ
ーム22上への搭載(固定)が可能となるため、製造の
簡素化が図れる。
にはめ込むことで、チップマウント、つまりリードフレ
ーム22上への搭載(固定)が可能となるため、製造の
簡素化が図れる。
【0043】上記半導体チップ10の固定には、たとえ
ば温度変化により枠体21を収縮させるなどの方法が用
いられる。この固定の後、上記第1の実施例と同様に、
半導体チップ10の電極パッド10aとリードフレーム
22のリード端子(インナリード)22aとがワイヤ1
3により接続され、さらに封止樹脂14による封止が行
われる。
ば温度変化により枠体21を収縮させるなどの方法が用
いられる。この固定の後、上記第1の実施例と同様に、
半導体チップ10の電極パッド10aとリードフレーム
22のリード端子(インナリード)22aとがワイヤ1
3により接続され、さらに封止樹脂14による封止が行
われる。
【0044】この場合においても、前記の図4に示した
ように、枠体21の高さを半導体チップ10の厚さとほ
ぼ同じとし、枠体21とサポートリード22bとの上面
が同一平面となるように形成する場合に限らず、他の方
式により行うことも可能である。
ように、枠体21の高さを半導体チップ10の厚さとほ
ぼ同じとし、枠体21とサポートリード22bとの上面
が同一平面となるように形成する場合に限らず、他の方
式により行うことも可能である。
【0045】また、上記第1の実施例においては、金属
薄板よりなるリードフレーム12を例に示したが、たと
えばTAB(Tape Automated Bond
ing)方式のリードフレーム(TABテープ)を用い
ることもできる。
薄板よりなるリードフレーム12を例に示したが、たと
えばTAB(Tape Automated Bond
ing)方式のリードフレーム(TABテープ)を用い
ることもできる。
【0046】図6は、TABテープを用いて構成される
半導体パッケージ装置の概略を示すものである。この場
合、半導体チップ10は枠体11にはめ込まれること
で、上記第1の実施例と同様に固定される。
半導体パッケージ装置の概略を示すものである。この場
合、半導体チップ10は枠体11にはめ込まれること
で、上記第1の実施例と同様に固定される。
【0047】そして、固定の後、半導体チップ10の電
極パッドと、TABテープ32上の、たとえば絶縁性フ
ィルム(ポリイミドフィルム)32a上に接着剤を用い
て銅などの導電層がラミネートされた後、選択エッチン
グ技術により形成されてなるTABリード32bとが、
バンプ33を介して接続され、さらに封止樹脂14によ
る封止が行われる。
極パッドと、TABテープ32上の、たとえば絶縁性フ
ィルム(ポリイミドフィルム)32a上に接着剤を用い
て銅などの導電層がラミネートされた後、選択エッチン
グ技術により形成されてなるTABリード32bとが、
バンプ33を介して接続され、さらに封止樹脂14によ
る封止が行われる。
【0048】次に、この発明の第2の実施例について説
明する。図7は、第2の実施例にかかる半導体パッケー
ジ装置の概略を示すものである。
明する。図7は、第2の実施例にかかる半導体パッケー
ジ装置の概略を示すものである。
【0049】すなわち、この半導体パッケージ装置の場
合、半導体チップ10の4つの側面、つまりチップ10
の上面における4つの辺に対応するそれぞれの面のほぼ
中央部分が、リードフレーム42のサポートリード42
bによって個々にサポート(固定)される構成とされて
いる。
合、半導体チップ10の4つの側面、つまりチップ10
の上面における4つの辺に対応するそれぞれの面のほぼ
中央部分が、リードフレーム42のサポートリード42
bによって個々にサポート(固定)される構成とされて
いる。
【0050】そして、これら4つのサポートリード42
bによって半導体チップ10の側面が固定された状態に
おいて、チップ10の電極パッド10aとリードフレー
ム42のリード端子42aとがワイヤ13を介して接続
される。
bによって半導体チップ10の側面が固定された状態に
おいて、チップ10の電極パッド10aとリードフレー
ム42のリード端子42aとがワイヤ13を介して接続
される。
【0051】この後、上述した樹脂による封止が行われ
ることで、本実施例の半導体パッケージ装置が得られ
る。なお、本実施例における上記半導体チップ10の固
定には、たとえばサポートリード42bの変形(塑性変
形)、もしくはサポートリード42bの収縮(弾性変
形)などが利用される。
ることで、本実施例の半導体パッケージ装置が得られ
る。なお、本実施例における上記半導体チップ10の固
定には、たとえばサポートリード42bの変形(塑性変
形)、もしくはサポートリード42bの収縮(弾性変
形)などが利用される。
【0052】図8は、サポートリード42bの変形によ
る半導体チップ10の固定方法を示すものである。この
場合、サポートリード42bの一点にあらかじめ折り曲
げ加工が施されおり、サポートリード42b間に半導体
チップ10が位置された状態において、上記サポートリ
ード42bの加工点(図示矢印部分)がプレスによって
延ばされることで、上記半導体チップ10のメカニカル
的な固定が行われる。
る半導体チップ10の固定方法を示すものである。この
場合、サポートリード42bの一点にあらかじめ折り曲
げ加工が施されおり、サポートリード42b間に半導体
チップ10が位置された状態において、上記サポートリ
ード42bの加工点(図示矢印部分)がプレスによって
延ばされることで、上記半導体チップ10のメカニカル
的な固定が行われる。
【0053】これにより、半導体チップ10は、その側
面が圧力をかけられた状態で固定されることとなり、樹
脂封止後における変形を抑えるべく、チップ側面の変位
が拘束されることとなる。
面が圧力をかけられた状態で固定されることとなり、樹
脂封止後における変形を抑えるべく、チップ側面の変位
が拘束されることとなる。
【0054】図9は、サポートリード42bの収縮によ
る半導体チップ10の固定方法を示すものである。この
場合、サポートリード42b間が弾性限度内で押し広げ
られ、そこに半導体チップ10が位置決めされることに
より、その反力によって上記半導体チップ10の固定が
行われる。
る半導体チップ10の固定方法を示すものである。この
場合、サポートリード42b間が弾性限度内で押し広げ
られ、そこに半導体チップ10が位置決めされることに
より、その反力によって上記半導体チップ10の固定が
行われる。
【0055】この方法によっても、半導体チップ10
は、その側面が圧力をかけられた状態で支持されること
となり、樹脂封止後における変形を抑えるべく、チップ
側面の変位が拘束されることとなる。
は、その側面が圧力をかけられた状態で支持されること
となり、樹脂封止後における変形を抑えるべく、チップ
側面の変位が拘束されることとなる。
【0056】また、サポートリード42bの塑性変形に
よる固定としては、上記した折り曲げ加工された部分を
プレスにより延ばす方法に限らず、たとえば全体的また
は部分的に縮めることで固定するようにしても良い。
よる固定としては、上記した折り曲げ加工された部分を
プレスにより延ばす方法に限らず、たとえば全体的また
は部分的に縮めることで固定するようにしても良い。
【0057】図10は、全体的に縮めることで固定する
場合のサポートリード42bの例を示すものである。こ
のサポートリード42bは、たとえば均等に塑性が変化
しやすい構成とされており、強制的に押し広げられるこ
とで、その塑性が全体的に変形される。
場合のサポートリード42bの例を示すものである。こ
のサポートリード42bは、たとえば均等に塑性が変化
しやすい構成とされており、強制的に押し広げられるこ
とで、その塑性が全体的に変形される。
【0058】図11は、部分的に縮めることで固定する
場合のサポートリード42bの例を示すものである。こ
のサポートリード42bは、たとえばその途中に塑性変
形しやすい部分(応力集中部)があらかじめ形成されて
おり、この部分で塑性が変形される。
場合のサポートリード42bの例を示すものである。こ
のサポートリード42bは、たとえばその途中に塑性変
形しやすい部分(応力集中部)があらかじめ形成されて
おり、この部分で塑性が変形される。
【0059】図12は、上記のサポートリード42bの
形状例を示すものである。同図(a)に示すサポートリ
ード42bは、たとえば特に応力集中部を設けることな
く、全体的に塑性変形されるような形状とされている
(前記の図10)。
形状例を示すものである。同図(a)に示すサポートリ
ード42bは、たとえば特に応力集中部を設けることな
く、全体的に塑性変形されるような形状とされている
(前記の図10)。
【0060】同図(b)に示すサポートリード42b
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと長
方形の穴とからなり、ピンが穴の部分を弾性限界内で押
すことにより塑性変形されるような形状とされている。
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと長
方形の穴とからなり、ピンが穴の部分を弾性限界内で押
すことにより塑性変形されるような形状とされている。
【0061】同図(c)に示すサポートリード42b
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に交互に2本のスリット状の切り
込みからなる応力集中部が形成されて、その位置で塑性
変形されるような形状とされている。
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に交互に2本のスリット状の切り
込みからなる応力集中部が形成されて、その位置で塑性
変形されるような形状とされている。
【0062】同図(d)に示すサポートリード42b
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する太目のピンと円
形の穴とからなり、この部分で塑性変形されるような形
状とされている。
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する太目のピンと円
形の穴とからなり、この部分で塑性変形されるような形
状とされている。
【0063】同図(e)に示すサポートリード42b
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと円
形の小穴とからなり、この部分で塑性変形されるような
形状とされている。
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと円
形の小穴とからなり、この部分で塑性変形されるような
形状とされている。
【0064】同図(f)に示すサポートリード42b
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと正
方形の小穴とからなり、この部分で塑性変形されるよう
な形状とされている。
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと正
方形の小穴とからなり、この部分で塑性変形されるよう
な形状とされている。
【0065】同図(g)に示すサポートリード42b
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を平行に支持する細目の2
本のピンと長方形の穴とからなり、この部分で塑性変形
されるような形状とされている。
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて長い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を平行に支持する細目の2
本のピンと長方形の穴とからなり、この部分で塑性変形
されるような形状とされている。
【0066】同図(h)に示すサポートリード42b
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて短い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと三
角形の穴とからなり、この部分で塑性変形されるような
形状とされている。
は、たとえばその先端の半導体チップ10の側面をサポ
ートする部分が細くて短い形状とされるとともに、応力
集中部が、そのサポート部分を支持する細目のピンと三
角形の穴とからなり、この部分で塑性変形されるような
形状とされている。
【0067】同図(i)に示すサポートリード42b
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に円形の穴と細目のピンとからな
る応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形される
ような形状とされている。
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に円形の穴と細目のピンとからな
る応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形される
ような形状とされている。
【0068】同図(j)に示すサポートリード42b
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に細目のピンと円形の穴とからな
る応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形される
ような形状とされている。
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に細目のピンと円形の穴とからな
る応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形される
ような形状とされている。
【0069】同図(k)に示すサポートリード42b
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に細目のピンと長方形の穴とから
なる応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形され
るような形状とされている。
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に細目のピンと長方形の穴とから
なる応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形され
るような形状とされている。
【0070】同図(l)に示すサポートリード42b
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に半円形の穴と細目のピンとから
なる応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形され
るような形状とされている。
は、たとえば半導体チップ10の側面をサポートする部
分から遠く離れた位置に半円形の穴と細目のピンとから
なる応力集中部が形成されて、その位置で塑性変形され
るような形状とされている。
【0071】このように、サポートリード42bの所定
位置に塑性変形しやすい応力集中部を形成しておくこと
で、接着剤などを用いることなく、メカニカル的な固定
が可能とされている。
位置に塑性変形しやすい応力集中部を形成しておくこと
で、接着剤などを用いることなく、メカニカル的な固定
が可能とされている。
【0072】ここで、上記したサポートリード42bの
塑性変形により半導体チップ10の側面を固定する場合
の方法について、具体例を2つだけあげて説明する。図
13は、第1の具体例を示すものである。
塑性変形により半導体チップ10の側面を固定する場合
の方法について、具体例を2つだけあげて説明する。図
13は、第1の具体例を示すものである。
【0073】たとえば、半導体チップ10は固定部材5
1上に固定され、この半導体チップ10の上面の端部
に、後端が支持部材52によって支持されたサポートリ
ード42bの先端が当てられる(同図(a))。
1上に固定され、この半導体チップ10の上面の端部
に、後端が支持部材52によって支持されたサポートリ
ード42bの先端が当てられる(同図(a))。
【0074】この状態で、部材53によって、サポート
リード42bの先端と半導体チップ10の側面とが精度
良く位置合わせされる(同図(b))。そして、サポー
トリード42bの先端が半導体チップ10の側面に当接
された後、サポートリード42bと半導体チップ10と
が平行とされることにより(同図(c))、サポートリ
ード42bが塑性変形されて、その変形にともなう反力
により半導体チップ10は固定される。
リード42bの先端と半導体チップ10の側面とが精度
良く位置合わせされる(同図(b))。そして、サポー
トリード42bの先端が半導体チップ10の側面に当接
された後、サポートリード42bと半導体チップ10と
が平行とされることにより(同図(c))、サポートリ
ード42bが塑性変形されて、その変形にともなう反力
により半導体チップ10は固定される。
【0075】図14は、第2の具体例を示すものであ
る。たとえば、半導体チップ10は固定部材61上に固
定され、サポートリード42bは先端と後端とが支持部
材62,63によりそれぞれ支持される(同図
(a))。
る。たとえば、半導体チップ10は固定部材61上に固
定され、サポートリード42bは先端と後端とが支持部
材62,63によりそれぞれ支持される(同図
(a))。
【0076】そして、上記支持部材62が上方向に移動
されながら、サポートリード42bの先端と半導体チッ
プ10の側面とが精度良く位置合わせされる(同図
(b))。
されながら、サポートリード42bの先端と半導体チッ
プ10の側面とが精度良く位置合わせされる(同図
(b))。
【0077】この後、サポートリード42bの先端が半
導体チップ10の側面に当接された状態で、サポートリ
ード42bと半導体チップ10とが平行とされることに
より(同図(c))、サポートリード42bが塑性変形
されて、その変形にともなう反力により半導体チップ1
0は固定される。
導体チップ10の側面に当接された状態で、サポートリ
ード42bと半導体チップ10とが平行とされることに
より(同図(c))、サポートリード42bが塑性変形
されて、その変形にともなう反力により半導体チップ1
0は固定される。
【0078】その他、たとえばサポートリード42bの
先端を半導体チップ10の側面に当接させ、サポートリ
ード42bと半導体チップ10とが平行とされている状
態より、サポートリード42bを圧縮させることで固定
する方法なども適用できる。
先端を半導体チップ10の側面に当接させ、サポートリ
ード42bと半導体チップ10とが平行とされている状
態より、サポートリード42bを圧縮させることで固定
する方法なども適用できる。
【0079】なお、上記した第2の実施例においては、
半導体チップ10の4つの側面をそれぞれサポートリー
ド42bによってサポートする構成とした場合について
説明したが、これに限らず、たとえば半導体チップ10
の対向する2つの面をサポートする構成とすることもで
きる。
半導体チップ10の4つの側面をそれぞれサポートリー
ド42bによってサポートする構成とした場合について
説明したが、これに限らず、たとえば半導体チップ10
の対向する2つの面をサポートする構成とすることもで
きる。
【0080】図15は、半導体チップ10の対向する2
つの面のみをサポートしてなる半導体パッケージ装置の
概略を示すものである。すなわち、この半導体パッケー
ジ装置の場合、たとえば半導体チップ10の4つの側面
のうち、向かい合う1組の面のほぼ中央部分が、リード
フレーム72のサポートリード72bによって個々にサ
ポート(固定)される構成とされている。
つの面のみをサポートしてなる半導体パッケージ装置の
概略を示すものである。すなわち、この半導体パッケー
ジ装置の場合、たとえば半導体チップ10の4つの側面
のうち、向かい合う1組の面のほぼ中央部分が、リード
フレーム72のサポートリード72bによって個々にサ
ポート(固定)される構成とされている。
【0081】そして、これら2つのサポートリード72
bによって半導体チップ10の側面が固定された状態に
おいて、チップ10の電極パッド10aとリードフレー
ム72のリード端子72aとがワイヤ13を介して接続
される。
bによって半導体チップ10の側面が固定された状態に
おいて、チップ10の電極パッド10aとリードフレー
ム72のリード端子72aとがワイヤ13を介して接続
される。
【0082】この後、上述した樹脂による封止が行われ
ることで、本構成の半導体パッケージ装置が得られる。
この場合、上記の4つの面をサポートする場合に比し
て、半導体チップ10の側面に対する拘束力は低下する
が、外力の加わる方向を考慮することにより十分な効果
が期待できる。
ることで、本構成の半導体パッケージ装置が得られる。
この場合、上記の4つの面をサポートする場合に比し
て、半導体チップ10の側面に対する拘束力は低下する
が、外力の加わる方向を考慮することにより十分な効果
が期待できる。
【0083】また、本構成においても、4つの面をサポ
ートする場合と同様に、サポートリード72bによる固
定の方法ならびにその形状については各種のものが適用
できる。
ートする場合と同様に、サポートリード72bによる固
定の方法ならびにその形状については各種のものが適用
できる。
【0084】次に、この発明の第3の実施例について説
明する。図16は、第3の実施例にかかる半導体パッケ
ージ装置の概略を示すものである。
明する。図16は、第3の実施例にかかる半導体パッケ
ージ装置の概略を示すものである。
【0085】すなわち、この半導体パッケージ装置の場
合、半導体チップ10の4つの側面の端部、つまりチッ
プ10の4つの側面の端部により挟まれたそれぞれの角
部が、リードフレーム82のサポートリード82bによ
って個々にサポートされる構成とされている。
合、半導体チップ10の4つの側面の端部、つまりチッ
プ10の4つの側面の端部により挟まれたそれぞれの角
部が、リードフレーム82のサポートリード82bによ
って個々にサポートされる構成とされている。
【0086】そして、これら4つのサポートリード82
bによって半導体チップ10の角部がそれぞれ固定され
た状態において、チップ10の電極パッド10aとリー
ドフレーム82のリード端子82aとがワイヤ13を介
して接続される。
bによって半導体チップ10の角部がそれぞれ固定され
た状態において、チップ10の電極パッド10aとリー
ドフレーム82のリード端子82aとがワイヤ13を介
して接続される。
【0087】この後、上述した樹脂による封止が行われ
ることで、本実施例の半導体パッケージ装置が得られ
る。この場合、半導体チップ10の側面が圧力をかけら
れた状態で支持されることとなり、樹脂封止後における
変形を抑えるべく、チップ側面の変位が拘束されること
となる。
ることで、本実施例の半導体パッケージ装置が得られ
る。この場合、半導体チップ10の側面が圧力をかけら
れた状態で支持されることとなり、樹脂封止後における
変形を抑えるべく、チップ側面の変位が拘束されること
となる。
【0088】なお、本実施例においても、たとえば第2
の実施例と同様に、サポートリード82bによる固定の
方法ならびにその形状については各種のものが適用でき
る。また、上記した第3の実施例においては、半導体チ
ップ10の4つの角部をそれぞれサポートリード82b
によってサポートする構成とした場合について説明した
が、これに限らず、たとえば半導体チップ10の2つの
側面の端部によって挟まれた対向する2つの角部をサポ
ートする構成とすることもできる。
の実施例と同様に、サポートリード82bによる固定の
方法ならびにその形状については各種のものが適用でき
る。また、上記した第3の実施例においては、半導体チ
ップ10の4つの角部をそれぞれサポートリード82b
によってサポートする構成とした場合について説明した
が、これに限らず、たとえば半導体チップ10の2つの
側面の端部によって挟まれた対向する2つの角部をサポ
ートする構成とすることもできる。
【0089】図17は、半導体チップ10の対向する2
つの角部のみをサポートしてなる半導体パッケージ装置
の概略を示すものである。すなわち、この半導体パッケ
ージ装置の場合、たとえば半導体チップ10の4つの角
部のうち、向かい合う1組の角部が、リードフレーム9
2のサポートリード92bによって個々にサポートされ
る構成とされている。
つの角部のみをサポートしてなる半導体パッケージ装置
の概略を示すものである。すなわち、この半導体パッケ
ージ装置の場合、たとえば半導体チップ10の4つの角
部のうち、向かい合う1組の角部が、リードフレーム9
2のサポートリード92bによって個々にサポートされ
る構成とされている。
【0090】そして、これら2つのサポートリード92
bによって半導体チップ10の角部が固定された状態に
おいて、チップ10の電極パッド10aとリードフレー
ム92のリード端子92aとがワイヤ13を介して接続
される。
bによって半導体チップ10の角部が固定された状態に
おいて、チップ10の電極パッド10aとリードフレー
ム92のリード端子92aとがワイヤ13を介して接続
される。
【0091】この後、上述した樹脂による封止が行われ
ることで、本構成の半導体パッケージ装置が得られる。
この場合、上記の4つの角部をサポートする場合に比し
て、半導体チップ10の側面に対する拘束力は低下する
が、外力の加わる方向を考慮することにより十分な効果
が期待できる。
ることで、本構成の半導体パッケージ装置が得られる。
この場合、上記の4つの角部をサポートする場合に比し
て、半導体チップ10の側面に対する拘束力は低下する
が、外力の加わる方向を考慮することにより十分な効果
が期待できる。
【0092】また、本構成においても、4つの角部をサ
ポートする場合と同様に、サポートリード92bによる
固定の方法ならびにその形状については各種のものが適
用できる。
ポートする場合と同様に、サポートリード92bによる
固定の方法ならびにその形状については各種のものが適
用できる。
【0093】上記したように、半導体チップの側面の変
位を拘束できるようにしている。すなわち、半導体チッ
プは一般に圧縮応力が高い(引っ張り応力には弱い)こ
とを利用して、半導体チップの側面に圧力をかけて、こ
れを支持するようにしている。これにより、半導体チッ
プの外力に対する変形を小さくできるようになるため、
半導体チップの裏面の中心部における引っ張りの応力の
発生を抑制することが可能となる。したがって、ダイパ
ッドをなくして薄型化を図った半導体パッケージ装置に
あっても、半導体チップの破壊強度を向上し得、信頼性
の高いものとすることができるものである。
位を拘束できるようにしている。すなわち、半導体チッ
プは一般に圧縮応力が高い(引っ張り応力には弱い)こ
とを利用して、半導体チップの側面に圧力をかけて、こ
れを支持するようにしている。これにより、半導体チッ
プの外力に対する変形を小さくできるようになるため、
半導体チップの裏面の中心部における引っ張りの応力の
発生を抑制することが可能となる。したがって、ダイパ
ッドをなくして薄型化を図った半導体パッケージ装置に
あっても、半導体チップの破壊強度を向上し得、信頼性
の高いものとすることができるものである。
【0094】また、半導体パッケージ装置の薄型化に際
しては、リードフレームの厚さを変える必要がないた
め、実装における容易性が低下されることもない。さら
に、接着剤などを用いることなく、半導体チップの側面
をサポートリードによりサポートすることでメカニカル
的に固定するようにしているため、以下のような効果も
期待できる。
しては、リードフレームの厚さを変える必要がないた
め、実装における容易性が低下されることもない。さら
に、接着剤などを用いることなく、半導体チップの側面
をサポートリードによりサポートすることでメカニカル
的に固定するようにしているため、以下のような効果も
期待できる。
【0095】たとえば、加熱硬化型の接着剤を用いて半
導体チップをマウントするものに比して、接着後の加熱
処理が不要となる分、時間の短縮化が図れる。また、接
着剤の管理が不要、つまり接着剤の硬化を防ぐため、長
時間使用しない場合などは接着剤を塗布する装置を洗浄
しなければならないといった手間から解放される。
導体チップをマウントするものに比して、接着後の加熱
処理が不要となる分、時間の短縮化が図れる。また、接
着剤の管理が不要、つまり接着剤の硬化を防ぐため、長
時間使用しない場合などは接着剤を塗布する装置を洗浄
しなければならないといった手間から解放される。
【0096】また、接着による固定の場合、その後の硬
化過程などにより接着位置の精度を上げるのが難しいと
いった問題も、容易に解決できる。また、揮発性の溶剤
を含む接着剤を用いた場合の、リードフレームや半導体
チップが汚染されて封止樹脂に対する密着性が低下する
といった心配もない。
化過程などにより接着位置の精度を上げるのが難しいと
いった問題も、容易に解決できる。また、揮発性の溶剤
を含む接着剤を用いた場合の、リードフレームや半導体
チップが汚染されて封止樹脂に対する密着性が低下する
といった心配もない。
【0097】また、樹脂性の接着剤を用いた場合には、
水分を吸収しやすいために高温下での基板への実装時
に、接着剤の吸湿水分の気化によりパッケージが膨れて
クラックが発生する、などの不具合を招くこともない。
水分を吸収しやすいために高温下での基板への実装時
に、接着剤の吸湿水分の気化によりパッケージが膨れて
クラックが発生する、などの不具合を招くこともない。
【0098】なお、上記実施例においては、いずれも正
方形状の半導体チップを例に説明したが、これに限ら
ず、たとえば長方形状の半導体チップを封止してなる半
導体パッケージ装置にも適用できる。
方形状の半導体チップを例に説明したが、これに限ら
ず、たとえば長方形状の半導体チップを封止してなる半
導体パッケージ装置にも適用できる。
【0099】さらに、いずれの実施例においても、リー
ドフレームの厚さはリード端子およびサポートリードと
も同じ場合に限らず、リード端子よりもサポートリード
を全体的に厚くするようにしても良いし、サポートリー
ドの先端部分を加工してチップの厚さに合わせるなど、
厚さを変えることによりその拘束力を高めるようにする
ことも容易である。その他、この発明の要旨を変えない
範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
ドフレームの厚さはリード端子およびサポートリードと
も同じ場合に限らず、リード端子よりもサポートリード
を全体的に厚くするようにしても良いし、サポートリー
ドの先端部分を加工してチップの厚さに合わせるなど、
厚さを変えることによりその拘束力を高めるようにする
ことも容易である。その他、この発明の要旨を変えない
範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
【0100】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、半導体チップの裏面に生じる応力を軽減でき、半導
体チップの破壊強度を向上することが可能な半導体装置
およびその製造方法を提供できる。
ば、半導体チップの裏面に生じる応力を軽減でき、半導
体チップの破壊強度を向上することが可能な半導体装置
およびその製造方法を提供できる。
【図1】この発明の第1の実施例にかかる半導体パッケ
ージ装置の概略を示す構成図。
ージ装置の概略を示す構成図。
【図2】同じく、同装置の製造工程を説明するために示
す分解図。
す分解図。
【図3】同じく、同装置の効果を説明するために示す
図。
図。
【図4】枠体とサポートリードとの接続の例を示す図。
【図5】枠体とサポートリードとが一体的に形成されて
なるリードフレームを用いて構成される、半導体パッケ
ージ装置の概略を示す構成図。
なるリードフレームを用いて構成される、半導体パッケ
ージ装置の概略を示す構成図。
【図6】TABテープを用いて構成される半導体パッケ
ージ装置の概略を示す断面図。
ージ装置の概略を示す断面図。
【図7】この発明の第2の実施例にかかる半導体パッケ
ージ装置の概略を示す構成図。
ージ装置の概略を示す構成図。
【図8】サポートリードの変形による半導体チップの固
定方法を説明するために示す図。
定方法を説明するために示す図。
【図9】サポートリードの収縮による半導体チップの固
定方法を説明するために示す図。
定方法を説明するために示す図。
【図10】全体的に縮めることで固定する場合のサポー
トリードの例を示す図。
トリードの例を示す図。
【図11】部分的に縮めることで固定する場合のサポー
トリードの例を示す図。
トリードの例を示す図。
【図12】サポートリードの形状例を示す図。
【図13】サポートリードの塑性変形により半導体チッ
プの側面を固定する場合の第1の具体例について説明す
るために示す図。
プの側面を固定する場合の第1の具体例について説明す
るために示す図。
【図14】サポートリードの塑性変形により半導体チッ
プの側面を固定する場合の第2の具体例について説明す
るために示す図。
プの側面を固定する場合の第2の具体例について説明す
るために示す図。
【図15】半導体チップの対向する2つの面のみをサポ
ートしてなる半導体パッケージ装置の概略を示す構成
図。
ートしてなる半導体パッケージ装置の概略を示す構成
図。
【図16】この発明の第3の実施例にかかる半導体パッ
ケージ装置の概略を示す構成図。
ケージ装置の概略を示す構成図。
【図17】同じく、半導体チップの対向する2つの角部
のみをサポートしてなる半導体パッケージ装置の概略を
示す構成図。
のみをサポートしてなる半導体パッケージ装置の概略を
示す構成図。
【図18】従来技術とその問題点を説明するために示す
半導体パッケージ装置の構成図。
半導体パッケージ装置の構成図。
【図19】同じく、ダイパッドを省いてなる薄型の半導
体パッケージ装置を示す図。
体パッケージ装置を示す図。
10…半導体チップ、10a…電極パッド、11…枠
体、12,22,42,72,82,92…リードフレ
ーム、12a,22a,42a,72a,82a,92
a…リード端子、12b,22b,42b,72b,8
2b,92b…サポートリード、13…ワイヤ、14…
封止樹脂、32…TABテープ。
体、12,22,42,72,82,92…リードフレ
ーム、12a,22a,42a,72a,82a,92
a…リード端子、12b,22b,42b,72b,8
2b,92b…サポートリード、13…ワイヤ、14…
封止樹脂、32…TABテープ。
Claims (13)
- 【請求項1】 上面に電極が設けられた半導体チップ
と、 この半導体チップを、その側面に圧力をかけて固定する
固定部材と、 この固定部材により固定された前記半導体チップの電極
と電気的に接続されるリード端子と、 このリード端子と前記半導体チップの電極との接続部お
よび前記固定部材を含んで、前記半導体チップを封止す
る封止体とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記固定部材は、前記半導体チップの側
面の変位を拘束することを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置。 - 【請求項3】 前記固定部材は、前記半導体チップの側
面の全部を囲むことを特徴とする請求項1または2のい
ずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記固定部材は、前記半導体チップの側
面の一部を囲むことを特徴とする請求項1または2のい
ずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項5】 前記半導体チップの側面の一部を囲む前
記固定部材は、前記半導体チップの4つの側面の中央部
分をそれぞれ支持することを特徴とする請求項4に記載
の半導体装置。 - 【請求項6】 前記半導体チップの側面の一部を囲む前
記固定部材は、前記半導体チップの4つの側面のうち、
対向する2つの側面の中央部分をそれぞれ支持すること
を特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 【請求項7】 前記半導体チップの側面の一部を囲む前
記固定部材は、前記半導体チップの4つの側面の端部に
よりそれぞれ挟まれた角部を支持することを特徴とする
請求項4に記載の半導体装置。 - 【請求項8】 前記半導体チップの側面の一部を囲む前
記固定部材は、前記半導体チップの4つの側面のうち、
2つの側面の端部によりそれぞれ挟まれた対向する角部
を支持することを特徴とする請求項4に記載の半導体装
置。 - 【請求項9】 前記半導体チップの側面の全部を囲む前
記固定部材は、変形により前記半導体チップの側面を支
持することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 【請求項10】 前記半導体チップの側面の一部を囲む
前記固定部材は、弾性変形により前記半導体チップの側
面を支持することを特徴とする請求項4,5,6,7ま
たは8のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項11】 前記半導体チップの側面の一部を囲む
前記固定部材は、塑性変形により前記半導体チップの側
面を支持することを特徴とする請求項4,5,6,7ま
たは8のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項12】 前記固定部材は、前記リード端子と一
体的に構成されることを特徴とする請求項1に記載の半
導体装置。 - 【請求項13】 半導体チップを封止してなる半導体装
置の製造方法において、 前記半導体チップを、その側面に圧力をかけて固定し、
この状態で、前記半導体チップ上の電極とリード端子と
の接続、および前記封止を行うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23273293A JPH0786487A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23273293A JPH0786487A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786487A true JPH0786487A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16943918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23273293A Pending JPH0786487A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0786487A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021241017A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 株式会社日立パワーデバイス | 接合治具および半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23273293A patent/JPH0786487A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021241017A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 株式会社日立パワーデバイス | 接合治具および半導体装置の製造方法 |
JP2021190540A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社 日立パワーデバイス | 接合治具および半導体装置の製造方法 |
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