JPH02143563A - サイリスタ - Google Patents

サイリスタ

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JPH02143563A
JPH02143563A JP63297497A JP29749788A JPH02143563A JP H02143563 A JPH02143563 A JP H02143563A JP 63297497 A JP63297497 A JP 63297497A JP 29749788 A JP29749788 A JP 29749788A JP H02143563 A JPH02143563 A JP H02143563A
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JP
Japan
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electrode
contact plate
gate electrode
amplification
thyristor
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JP63297497A
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English (en)
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Kozo Tsukada
塚田　剛三
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、増幅ゲート構造を有するサイリスタに関する
。
〔従来の技術〕
増幅ゲート構造をもつサイリスクは、一つの半導体基板
内に補助サイリスタ領域と主サイリスク領域を並置し、
補助サイリスタに流れる負荷電流を主サイリスタのトリ
ガ電流に用いるものである。
第２図は、増幅ゲート構造をもつ電力用サイリスクの断
面を示し、ｐエミッタ層１＋　　ｎベース層２゜ｐベー
ス層３およびｎエミツタ層の４層を有するシリコン基板
のｎエミツタ層としては、主サイリスタのための主ｎエ
ミツタ層４１の中心に補助サイリスクのためのｎエミツ
タ層４２が設けられている。
ｎエミッタ層４１．４２にはそれぞれｐベース層３と短
絡する主カソード電極５１．増幅ゲート電極５２が接触
し、ｐベース層３の中心にはゲート電極６が接触してい
る。第３図は、これらの電極を平面図で示す、主カソー
ド電極５１には、通電のために、第４図に示すようにＭ
ｏ接触板７を介して１ｉｔ８ｉ体８が加圧接触する。電
極体８はフランジ９を介して容器絶縁側壁に結合されて
いる。ゲート電極６には、絶縁管１２によりＭｏ接触板
および電極体８と絶縁されたゲートリード１１の先端が
図示しないばね機構により加圧接触している０Ｍｏ接触
板７は平板であり、そのままでは増幅ゲート電極５２と
も接触するため、この接触を避けるために補助カソード
電極５２の上部には、接触板７に凹部７１が形成されて
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のような凹部７１の形成にはＭｏ接触板７の加工費
が必要となる。特に第５図のように増幅ゲート１ｔ８ｉ
５２がフィンガゲート構造をもっときには、Ｎｏ接触板
７の凹部７１をその形状に応じた複雑な形状にする必要
があるため、接触板の加工費が高価になる。またその場
合、接触板７がシリコン基板に対して相対的に回転する
と、接触板７の凹部７１でない部分が増幅ゲート電極５
２に接触するおそれがある。それを防ぐためには、シリ
コン基板と接触板との精度のよい位置決めが必要で、組
立てが面倒になる。さもなければ、接触板７がシリコン
基板に対して回転しても差し支えないように接触板７の
凹部７１の大きさを増幅ゲート電極５２の形状に比べ大
きくしなければならない、このことは、主カソード電極
５１とＭｏ接触板７との接触面積を小さくする方向であ
り、熱伝導の観点から見れば好ましくない方向である。
本発明の課題は、上記の欠点を除き、主電極に接触する
接触板に凹部を形成しなくても、また接触板が半導体基
板に対して相対的に回転しても、増幅ゲート電極が接触
仮に接触することのないサイリスクを提供することにあ
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題の解決のために、本発明は、半導体基板の一
主表面の中心にゲート電極、その周囲に増幅ゲート電極
、さらにその周囲に主電極を有し、主電極には接触板を
介して容器の電極体が加圧接触可能なサイリスタにおい
て、増幅ゲート電極の厚みが主電極の厚みより薄いもの
とする。
〔作用〕
主電極の厚みに対し、増幅ゲート電極の厚みが薄いので
、半導体基板に対向する接触板は凹部を設けなくても増
幅ゲート電極に接触することはない、また、増幅ゲート
電極がフィンガゲート構造をもつ場合も、接触板が半導
体基板に対して回転ずれを起こしても接触板が増幅ゲー
）１［と接触するおそれがない、従って、主電極と接触
板の接触面積を十分にとることができ、半導体基板と電
極体との間の良好な熱伝導が得られる。
〔実施例〕
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例のサイリスタ
の断面図を示す、このサイリスタの電８ｉｌ構造は平面
図では第５図と同様でフィンガゲート構造をもち、第１
図（４）、山）はそれぞれ第５図Ａ−Ａ＆ｌおよびＢ−
Ｂ線に沿っての断面図である０図において増幅ゲート電
８ｉ５２の厚みは５ｎ、主カソード電極５１の厚みは１
５Ｂとした０両電極およびゲート電極６にはりを用いた
。しかし、他の金属を用いてもよく、また、例えば増幅
ゲート電極５２をＡｕ、主カソード電極５１をＭと、違
う金属を用いてもよい。
このような厚みの差があるため、接触体７としては、中
心にゲートリードのための孔を有するＭｏＦｉを使うこ
とができ、複雑な加工は必要なくなった。
厚みの薄い増幅ゲート電極５２の上を、例えばポリイミ
ド樹脂のような絶縁物１３で覆うことは、阿。
接触＠７と増幅ゲート電極の間の絶縁耐圧を高くし、信
鯨性を向上させるので有効である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、増幅ゲート構造を有するサイリスクの
増幅ゲート電極を主電極より低くするだけで、主電極に
加圧接触する接触板に増幅ゲート電極の接触に対する逃
げ加工の必要がなくなった。
また、増幅ゲート電極がフィンガゲート構造であっても
、接触板と半導体基板間の相対的な回転ずれの際の増幅
ゲート電極の接触板との短絡のおそれもなくなるので、
接触板と主電極の接触面積を大きくした電力用サイリス
タが得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図ｆａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例の電極部を示
し、（ａｌ、（ｂｌがそれぞれ第５図のＡ−Ａ線、　　
Ｂ−Ｂ腺に沿っての断面図、第２図は従来の増幅ゲート
構造型サイリスクの断面図、第３図は第１図の上面図、
第４図は第２図に示したサイリスク基板をパンケージン
グした状態での要部断面図、第５図はフィンガゲート構
造をもつ増幅ゲート型サイリスタの上面図である。 ３：ｐベース層、４１：主ｎエミツタ層、４２：補助ｎ
エミツタ層、５１：主カソード電極、５２：増幅ゲート
リード、６：ゲート電極、７：Ｍ。接触仮、第１ 図 第２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）半導体基板の一主表面の中心にゲート電極、その周
    囲に増幅ゲート電極、さらにその周囲に主電極を有し、
    主電極には接触板を介して容器の電極体が加圧接触可能
    なものにおいて、増幅ゲート電極の厚みが主電極の厚み
    より薄いことを特徴とするサイリスタ。
JP63297497A 1988-11-25 1988-11-25 サイリスタ Pending JPH02143563A (ja)

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JP63297497A JPH02143563A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 サイリスタ
US07/440,557 US5134506A (en) 1988-11-25 1989-11-22 Liquid crystal device having a phase plate and particular dye composition

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JP63297497A JPH02143563A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 サイリスタ

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JPH02143563A true JPH02143563A (ja) 1990-06-01

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ID=17847273

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