JP2525558Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2525558Y2
JP2525558Y2 JP1991003721U JP372191U JP2525558Y2 JP 2525558 Y2 JP2525558 Y2 JP 2525558Y2 JP 1991003721 U JP1991003721 U JP 1991003721U JP 372191 U JP372191 U JP 372191U JP 2525558 Y2 JP2525558 Y2 JP 2525558Y2
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Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案はトランジスタやサイリス
タ等の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び考案が解決しようとする課題】トラン
ジスタやサイリスタでは、半導体基板の一方の主面に絶
縁膜が形成され、主電極はこの絶縁膜に形成された開口
を通じて半導体基板に接続されている。また、主電極に
はリード細線の一端が接続されて外部リード等と電気的
に接続されている。ところで、近年これらの半導体装置
の大電力化はめざましいものがあり、このため装置の大
電流容量化が急務となっている。
【０００３】そこで、本考案は、大電流容量化を実現で
きる新規な構造の半導体装置を提供することを目的とし
ている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本考案は、半導体領域と、前記半導体領域の主面上に
形成された平面形状四角形の電極と、前記電極に接続さ
れたリード細線とを有する半導体装置において、同一の
リード細線の少なくとも２箇所が前記平面形状四角形の
電極の１つの対角線上に接続されており、前記リード細
線の前記２箇所の内の１つは前記リード細線の端部であ
り、前記リード細線の前記２箇所の内の残りの１つは前
記リード細線の前記端部と前記電極からの導出部との間
の部分であり、前記リード細線の前記２箇所は互いに離
間していることを特徴とする半導体装置に係わるもので
ある。
【０００５】
【作用】本考案の半導体装置によれば、電極に対して同
一のリード細線が２箇所以上で接続されているので、リ
ード細線及びリード細線に達する半導体領域及び電極内
の電流通路の電流密度を低減できる。
【０００６】
【実施例】以下、図１及び図２を参照して本考案の一実
施例に係わる半導体装置を説明する。
【０００７】本実施例の半導体装置は、半導体基板１と
絶縁膜２と金属電極３とリード細線４とを有する。半導
体基板１はＰ形領域１ａと、半導体基板１の一方の主面
にその上面を露出させてＰ形領域１ａに隣接包囲されて
いるＮ+ 形領域１ｂとを有する。絶縁膜２はシリコン酸
化膜等から成り、これに形成された開口５からはＮ+形
領域１ｂの上面が露出する。金属電極３は、相対的に薄
い第１の金属膜６と相対的に厚い第２の金属膜７から成
る。第１の金属膜６は、Ｐ形領域１ａとＮ+ 形領域１ｂ
とのＰＮ接合８が半導体基板１の上面に露出している部
分よりも外側まで延在し、周知のフィールドプレートと
して機能する。第２の金属膜７は平面的に見てＮ+ 形領
域１ｂの内側に形成されている。
【０００８】リード細線４は、約４００μｍの直径を有
するＡｌ（アルミニウム）線であり、金属電極３の第２
の金属膜７に対して互いに離間した２箇所で接続されて
いる。更に詳述すると、リード細線４は、図２から明ら
かなように平面形状四角形の第２の金属膜７の対角線上
に配設されており、第２の金属膜７に対する第１の接続
部４ａ及び第２の接続部４ｂはこの対角線上に位置す
る。リード細線４の延在する方向における第１の接続部
４ａの長さＬ1 、第１の接続部４ａと第２の接続部４ｂ
との間の長さＬ2 及び第２の接続部４ｂの長さＬ3 はそ
れぞれ約９５０μｍに設定されている。リード細線４は
キャピラリによってその径方向に押圧されて第２の金属
膜７に接続されるので、第１及び第２の接続部４ａ、４
ｂは図１のように扁平化してその幅Ｗはリード細線４の
径の約２．５倍となる。本実施例では、第２の金属膜７
は２．５ｍｍ×２．５ｍｍの略正方形の平面形状を有
し、その対角線方向にボンディング領域９を設けるの
で、このボンディング領域９に幅Ｗの接続部４ａ、４ｂ
を収めることができる。ボンディング領域９の長さはＬ
1とＬ2 とＬ3 の和よりも勿論長い。
【０００９】本実施例の半導体装置によれば、リード細
線４が電極３に対して互いに離間した２箇所で接続され
ているので、従来のようにリード細線が電極に対して一
点で接続されている場合に比べて電流容量を増大するこ
とができた。この理由は第１にリード細線４と電極３と
の接続部の面積が増大し、電流密度が低くなるためであ
り、第２にリード細線４の接続部４ａ、４ｂが電極３の
両側に離間して配設されているので、Ｐ形領域１ａとＮ
+ 形領域１ｂと電極３からリード細線４に達する主たる
電流通路が左右に分れ、それぞれの電流密度が小さくな
るためと考えられる。特に、本実施例ではリード細線４
が電極３の対角線方向に張られており、第１の接続部４
ａと第２の接続部４ｂとの間隔Ｌ2 を長くとれるので有
利である。また、第１の接続部１ａと第２の接続部１ｂ
がこの間のリード部分も含めて一直線上にあるので、ス
ティッチボンディングを良好に行うことができる。
【００１０】
【変形例】本考案は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。
【００１１】本考案はトランジスタ、サイリスタ等に適
用可能である。
【００１２】電極３の面積が大きい時には、Ｌ2 をＬ1
及びＬ3 よりも大きくして電流集中を更に緩和すること
ができる。
【００１３】電極３は第１の金属膜６を肉厚に形成し
て、第２の金属膜７を省いた構成にすることもできる。
また第２の金属膜７を絶縁膜２の上側まで延在させて第
１の金属膜６の上面を完全に被覆するようにすることも
できる。しかしながら、実際の半導体装置では、この電
極３の周囲にＥＱＲ（等電位リング）や他の電極の金属
層が形成されるので、これとの分離がエッチングによっ
て良好に行えるよう、電極３を二層以上とする。この場
合、下側にエッチングが容易な相対的に薄い金属膜を形
成し、上側に電流容量の増大に寄与する相対的に厚い金
属膜を形成する。
【００１４】
【考案の効果】本考案は次の効果を有する。 （イ）リード細線が半導体領域上の電極に対して互いに
離間して少なくとも２箇所で接続されているので、リー
ド細線を通って半導体領域に流れる電流が少なくとも２
箇所に分けられた状態に流れる。この結果、半導体領域
における電流の集中が緩和され、電流容量が増大する。
即ち、半導体領域において電流密度の高い領域が集中的
に生じなくなり、半導体装置が電流によって破壊し難く
なり、この分だけ電流容量の増大を図ることができる。 （ロ）リード細線は四角形の電極の対角線上に接続され
るので、電極の面積が小さい場合であってもリード細線
の２箇所以上の接続を容易且つ確実に達成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の実施例に係わる半導体装置の一部を示
すための図２の１−１線に相当する部分の断面図であ
る。
【図２】図１の一部を示す平面図である。
【符号の説明】 １ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 電極 ４ リード細線 ４ａ 第１の接続部 ４ｂ 第２の接続部

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体領域と、前記半導体領域の主面上
    に形成された平面形状四角形の電極と、前記電極に接続
    されたリード細線とを有する半導体装置において、 同一のリード細線の少なくとも２箇所が前記平面形状四
    角形の電極の１つの対角線上に接続されており、 前記リード細線の前記２箇所の内の１つは前記リード細
    線の端部であり、前記リード細線の前記２箇所の内の残
    りの１つは前記リード細線の前記端部と前記電極からの
    導出部との間の部分であり、 前記リード細線の前記２箇所は互いに離間していること
    を特徴とする半導体装置。
JP1991003721U 1991-01-11 1991-01-11 半導体装置 Expired - Lifetime JP2525558Y2 (ja)

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