JPS5824446Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5824446Y2 JPS5824446Y2 JP1978113746U JP11374678U JPS5824446Y2 JP S5824446 Y2 JPS5824446 Y2 JP S5824446Y2 JP 1978113746 U JP1978113746 U JP 1978113746U JP 11374678 U JP11374678 U JP 11374678U JP S5824446 Y2 JPS5824446 Y2 JP S5824446Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy layer
- eutectic alloy
- layer
- gold thread
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はパッケージ内に半導体素子が気密封止された半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
半導体集積回路素子を外気から遮断して特性の劣化を防
止するために、従来第１図に示すようなパッケージが使
用されている。
止するために、従来第１図に示すようなパッケージが使
用されている。
即ち、同図ａに示すように、中央に凹陥部を有する絶縁
基体１の該中央凹陥部に半導体素子を取付けた後、この
基体１の突起部上方に金のメタライズ層５を形成し、こ
のメタライズ層５上は載置され得る大きさの枠状の金糸
共晶合金層３を載置し、更にその上に底部に上記メタラ
イズ層５と同一の大きさを有する枠状のメタライズ層４
が形成されたキャップ２を載置し、しかる後、加熱によ
り金糸共晶合金層３を溶融して前記絶縁基体１とキャッ
プ２との接着を行なうことによって同図すに示すような
気密封止パッケージを得るものである。
基体１の該中央凹陥部に半導体素子を取付けた後、この
基体１の突起部上方に金のメタライズ層５を形成し、こ
のメタライズ層５上は載置され得る大きさの枠状の金糸
共晶合金層３を載置し、更にその上に底部に上記メタラ
イズ層５と同一の大きさを有する枠状のメタライズ層４
が形成されたキャップ２を載置し、しかる後、加熱によ
り金糸共晶合金層３を溶融して前記絶縁基体１とキャッ
プ２との接着を行なうことによって同図すに示すような
気密封止パッケージを得るものである。
しかし、このようなパッケージにあっては、接着面が平
坦であるため、金糸共晶合金層３の溶融の際この金糸共
晶合金層３の表面酸化膜が破れ溶融粒子がパッケージ内
部に飛び散り、半導体素子上に取付蓋して電気的短絡を
誘発する危険が生ずるという問題があった。
坦であるため、金糸共晶合金層３の溶融の際この金糸共
晶合金層３の表面酸化膜が破れ溶融粒子がパッケージ内
部に飛び散り、半導体素子上に取付蓋して電気的短絡を
誘発する危険が生ずるという問題があった。
本考案は、かかる問題点を解決するためになされたもの
であり、その目的とするところは、半導体素子の短絡事
故を生じさせないパッケージを備えた半導体装置を提供
することにある。
であり、その目的とするところは、半導体素子の短絡事
故を生じさせないパッケージを備えた半導体装置を提供
することにある。
このような目的を遠戚するために本考案は、中央部に半
導体素子が取付けられる凹陥部を有する絶縁基体と、こ
の絶縁基体上に接着層を介して取付けられる気密封止用
キャップからなる半導体装置において、前記接着層を絶
縁基体と気密封止用キャップとによって形成される気密
空間部に露出しないように形成したことを特徴とするも
のである。
導体素子が取付けられる凹陥部を有する絶縁基体と、こ
の絶縁基体上に接着層を介して取付けられる気密封止用
キャップからなる半導体装置において、前記接着層を絶
縁基体と気密封止用キャップとによって形成される気密
空間部に露出しないように形成したことを特徴とするも
のである。
以下実施例により本考案を具体的に説明する。
第２図ないし第６図は本考案の実施例を示すものであり
、以下順次説明する。
、以下順次説明する。
本考案の第１の実施例は、第２図ａに示すように、中央
部に半導体素子取付は用の凹陥部を有する絶縁基体１の
突起部上部外周縁に切欠部Ａを設け、この切欠部Ａをメ
タライズ層５によって覆った後、この切欠部Ａに枠状の
金糸共晶合金層３を嵌合し、その上に枠状のメタライズ
層４を形成したキャップ２を載置し、しかる後、金糸共
晶合金層３を溶融することにより同図すに示すような構
造の気密封止パッケージを得る。
部に半導体素子取付は用の凹陥部を有する絶縁基体１の
突起部上部外周縁に切欠部Ａを設け、この切欠部Ａをメ
タライズ層５によって覆った後、この切欠部Ａに枠状の
金糸共晶合金層３を嵌合し、その上に枠状のメタライズ
層４を形成したキャップ２を載置し、しかる後、金糸共
晶合金層３を溶融することにより同図すに示すような構
造の気密封止パッケージを得る。
本考案の第２の実施例は、第３図ａに示すように、中央
部に凹陥部を有する絶縁基体１の突起部先端のメタライ
ズ層５上に枠状の金糸共晶合金層３を載置し、底面周縁
に切欠部Ｂが設けられ、この切欠部Ｂがメタライ層４で
覆われたキャップ２を上記合金層３上に載置した後、こ
の合金層３を溶融することにより同図すに示すような構
造の気密封止パッケージを得る。
部に凹陥部を有する絶縁基体１の突起部先端のメタライ
ズ層５上に枠状の金糸共晶合金層３を載置し、底面周縁
に切欠部Ｂが設けられ、この切欠部Ｂがメタライ層４で
覆われたキャップ２を上記合金層３上に載置した後、こ
の合金層３を溶融することにより同図すに示すような構
造の気密封止パッケージを得る。
本考案の第３の実施例は、第４図ａに示すように、中央
部に凹陥部を有する絶縁基体１の突起部上部内周縁に切
欠部Ｃを設け、この切欠部Ｃをメタライズ層５で覆った
後、外周縁にメタライズ層４が形成されたキャップ２を
前記切欠部Ｃに嵌合し、このキャップ２よりも僅かに大
きな枠状の金糸共晶合金層３を載置し、しかる後、共晶
合金層３を溶融することにより同図すに示すような構造
の気密封止パッケージを得る。
部に凹陥部を有する絶縁基体１の突起部上部内周縁に切
欠部Ｃを設け、この切欠部Ｃをメタライズ層５で覆った
後、外周縁にメタライズ層４が形成されたキャップ２を
前記切欠部Ｃに嵌合し、このキャップ２よりも僅かに大
きな枠状の金糸共晶合金層３を載置し、しかる後、共晶
合金層３を溶融することにより同図すに示すような構造
の気密封止パッケージを得る。
本考案の第４図の実施例は、第５図ａに示すように、中
央部に凹陥部を有する絶縁基体１の突起部上方に金のメ
タライズ層５を形成し、このメタライズ層５上に載置さ
れ得る大きさの枠状の金糸共晶合金層３を載置し、この
共晶合金属層３の枠内に嵌合し得る大きさを有しかつ共
晶合金層３よりも高い融点を有するワッシャー６を嵌合
させた後、メタライズ層４が形成されたキャップ２を載
置し、しかる後、金糸共晶合金層３を溶融することによ
り同図すに示すような構造の気密封止パッケージを得る
。
央部に凹陥部を有する絶縁基体１の突起部上方に金のメ
タライズ層５を形成し、このメタライズ層５上に載置さ
れ得る大きさの枠状の金糸共晶合金層３を載置し、この
共晶合金属層３の枠内に嵌合し得る大きさを有しかつ共
晶合金層３よりも高い融点を有するワッシャー６を嵌合
させた後、メタライズ層４が形成されたキャップ２を載
置し、しかる後、金糸共晶合金層３を溶融することによ
り同図すに示すような構造の気密封止パッケージを得る
。
このとき、金糸共晶合金層３の溶融温度ではワッシャー
６は溶融しない。
６は溶融しない。
本考案の第５の実施例は、第６図ａに示すように、中央
部に凹陥部を有し突起部上部にメタライズ層５が形成さ
れた絶縁基体１上に、メタライズ層５上に載置される大
きさの枠状に成し、かつ、この枠の内周縁にメッキ７が
施された金糸共晶合金層３を載置し、その上にメタライ
ズ層４が形成されたキャップ２を載置し、しかる後、金
糸共晶合金層３を溶融することにより同図すに示すよう
な構造の気密封止パッケージを得る。
部に凹陥部を有し突起部上部にメタライズ層５が形成さ
れた絶縁基体１上に、メタライズ層５上に載置される大
きさの枠状に成し、かつ、この枠の内周縁にメッキ７が
施された金糸共晶合金層３を載置し、その上にメタライ
ズ層４が形成されたキャップ２を載置し、しかる後、金
糸共晶合金層３を溶融することにより同図すに示すよう
な構造の気密封止パッケージを得る。
尚、金糸共晶合金層３の内周縁に施されたメッキ層７を
金糸共晶合金層３の融点よりも高い融点をもつ材料（例
えば金）とすれば、溶着時にこの金メッキ層が溶融する
ことはない。
金糸共晶合金層３の融点よりも高い融点をもつ材料（例
えば金）とすれば、溶着時にこの金メッキ層が溶融する
ことはない。
以上説明した半導体装置では、いずれの構造も溶着時に
金糸共晶合金層３の溶融粒子が気密封止空間に飛び散る
ことはない。
金糸共晶合金層３の溶融粒子が気密封止空間に飛び散る
ことはない。
従って、半導体素子上に溶融粒子が付着して電気的短絡
を誘発するという危険は全くない。
を誘発するという危険は全くない。
第１図ａ、ｌ）は従来のパッケージを示す構造断面図、
第２図ａ、ｂないし第６図ａ、ｌ）は、いずれも本考案
の各種の実施例を説明するための構造断面図である。 １・・・・・・基体、２・・・・・・キャップ、３・・
・・・・金糸共晶合金層、４，５・・・・・・メタライ
ズ部、６・・・・・・ワッシャ、７・・・・・・金メッ
キ層。
第２図ａ、ｂないし第６図ａ、ｌ）は、いずれも本考案
の各種の実施例を説明するための構造断面図である。 １・・・・・・基体、２・・・・・・キャップ、３・・
・・・・金糸共晶合金層、４，５・・・・・・メタライ
ズ部、６・・・・・・ワッシャ、７・・・・・・金メッ
キ層。
Claims (1)
- 内部に半導体素子が、取付けられる絶縁基体と、この絶
縁基体上に接着層を介して取付けられる気密封止用キャ
ップとからなる半導体装置において、前記接着層が絶縁
基体と気密封止用キャップとによって形成される気密空
間部に露出しないように該接着層と前記気密空間部との
間に当該接着層とは異なる金属を設けたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978113746U JPS5824446Y2 (ja) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978113746U JPS5824446Y2 (ja) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5529589U JPS5529589U (ja) | 1980-02-26 |
| JPS5824446Y2 true JPS5824446Y2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=29063851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978113746U Expired JPS5824446Y2 (ja) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824446Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59173342U (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体素子収納容器 |
| JP4710149B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2011-06-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
| JP2013120762A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Seiko Epson Corp | 蓋体、パッケージ、電子部品及びパッケージの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537172A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Hitachi Ltd | Solder-sealed ceramic package |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349044U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-04-25 |
-
1978
- 1978-08-18 JP JP1978113746U patent/JPS5824446Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537172A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Hitachi Ltd | Solder-sealed ceramic package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5529589U (ja) | 1980-02-26 |
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