JPH0126538B2 - - Google Patents
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- JPH0126538B2 JPH0126538B2 JP58224335A JP22433583A JPH0126538B2 JP H0126538 B2 JPH0126538 B2 JP H0126538B2 JP 58224335 A JP58224335 A JP 58224335A JP 22433583 A JP22433583 A JP 22433583A JP H0126538 B2 JPH0126538 B2 JP H0126538B2
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Description
【発明の詳細な説明】
<発明の技術分野>
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に低
融点ガラスを介して本体およびキヤツプを封着す
るサーデイツプ型半導体装置の製造方法に関する
ものである。
融点ガラスを介して本体およびキヤツプを封着す
るサーデイツプ型半導体装置の製造方法に関する
ものである。
<技術の背景>
サーデイツプ型半導体装置は、セラミツク本体
の凹所内に半導体素子を固定した後、該本体をセ
ラミツクキヤツプで覆い、低融点ガラスを介して
両者を熱融着封止して製造される。
の凹所内に半導体素子を固定した後、該本体をセ
ラミツクキヤツプで覆い、低融点ガラスを介して
両者を熱融着封止して製造される。
<従来技術と問題点>
従来のサーデイツプ型半導体装置の製造方法に
おいては、セラミツク本体とセラミツクキヤツプ
の接着面の低融点ガラスをスクリーン印刷法によ
り一定の厚さに形成した後両者を熱融着させてい
る。このような従来の製造方法においては、特に
半導体装置の形状が大きくセラミツク本体とセラ
ミツクキヤツプの接着面が広い場合に、低融点ガ
ラスの溶融時に発生する気泡が接合部に閉じ込め
られこの部分に空隙が形成され、封止が不完全と
なり気密性が保てず、キヤツプの固定が確実にで
きない場合があつた。
おいては、セラミツク本体とセラミツクキヤツプ
の接着面の低融点ガラスをスクリーン印刷法によ
り一定の厚さに形成した後両者を熱融着させてい
る。このような従来の製造方法においては、特に
半導体装置の形状が大きくセラミツク本体とセラ
ミツクキヤツプの接着面が広い場合に、低融点ガ
ラスの溶融時に発生する気泡が接合部に閉じ込め
られこの部分に空隙が形成され、封止が不完全と
なり気密性が保てず、キヤツプの固定が確実にで
きない場合があつた。
<発明の目的>
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたも
のであつて、熱融着時の気泡による接合面の空隙
の形成を防止し確実な封止が達成される半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
のであつて、熱融着時の気泡による接合面の空隙
の形成を防止し確実な封止が達成される半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
<発明の構成>
この目的を達成するため、半導体素子を収容し
た本体を低融点ガラスを介してキヤツプで封止す
る半導体装置の製造方法において、本発明によれ
ば本体とキヤツプとの接着面の低融点ガラス上で
あつて、周囲が上記キヤツプの端辺に接しない位
置に低融点ガラスよりなる厚肉部を形成し、該厚
肉部から先に融着させて本体及びキヤツプを封止
することを構成上の特徴とする。
た本体を低融点ガラスを介してキヤツプで封止す
る半導体装置の製造方法において、本発明によれ
ば本体とキヤツプとの接着面の低融点ガラス上で
あつて、周囲が上記キヤツプの端辺に接しない位
置に低融点ガラスよりなる厚肉部を形成し、該厚
肉部から先に融着させて本体及びキヤツプを封止
することを構成上の特徴とする。
<発明の実施例>
第1図は本発明に係るサーデイツプ型半導体装
置の断面図である。セラミツク本体1の凹所2内
に金膜3を介して半導体素子4が固定される。セ
ラミツク本体1の凹所開口面を除く上面にはスク
リーン印刷法により低融点ガラス層5が形成され
る。この低融点ガラス層5上には所定間隔でリー
ド端子6が接合され各リード端子6と半導体素子
4は金綻7でボンデイングされる。このようなセ
ラミツク本体1を封止するためのセラミツクキヤ
ツプ8は、セラミツク本体1の凹所2より金綻7
のスペース分だけ大きい凹所9を有し、セラミツ
ク本体1との接着面にはスクリーン印刷法により
低融点ガラス層10が形成される。この低融点ガ
ラス層10はスクリーン印刷を2回行うことによ
り、第2図および第3図に示すように、セラミツ
ク本体1とセラミツクキヤツプ8との左右各接着
部分のほぼ中央部に厚肉部11が形成される。こ
のようなセラミツクキヤツプ8は矢印A(第1図)
のようにセラミツク本体1上に熱圧着される。こ
のときセラミツクキヤツプ8の低融点ガラス層1
0の厚肉部11が先に溶融し内部で発生する気泡
は周囲に発散され、その後周囲の低融点ガラス層
10が溶融して融着が行われるため、気泡が接合
面に残ることはない。
置の断面図である。セラミツク本体1の凹所2内
に金膜3を介して半導体素子4が固定される。セ
ラミツク本体1の凹所開口面を除く上面にはスク
リーン印刷法により低融点ガラス層5が形成され
る。この低融点ガラス層5上には所定間隔でリー
ド端子6が接合され各リード端子6と半導体素子
4は金綻7でボンデイングされる。このようなセ
ラミツク本体1を封止するためのセラミツクキヤ
ツプ8は、セラミツク本体1の凹所2より金綻7
のスペース分だけ大きい凹所9を有し、セラミツ
ク本体1との接着面にはスクリーン印刷法により
低融点ガラス層10が形成される。この低融点ガ
ラス層10はスクリーン印刷を2回行うことによ
り、第2図および第3図に示すように、セラミツ
ク本体1とセラミツクキヤツプ8との左右各接着
部分のほぼ中央部に厚肉部11が形成される。こ
のようなセラミツクキヤツプ8は矢印A(第1図)
のようにセラミツク本体1上に熱圧着される。こ
のときセラミツクキヤツプ8の低融点ガラス層1
0の厚肉部11が先に溶融し内部で発生する気泡
は周囲に発散され、その後周囲の低融点ガラス層
10が溶融して融着が行われるため、気泡が接合
面に残ることはない。
<発明の効果>
以上説明したように、本発明に係る半導体装置
の製造方法においては、セラミツク本体およびセ
ラミツクキヤツプの接着面のほぼ中央部の低融点
ガラス層に厚肉部を形成し、この厚肉部から先に
融着させているため接着面中央部で発生する気泡
は周囲に発散され内部に閉じ込められることはな
く、従つて従来特に空隙の発生が多かつた第4図
に示す接合部A,B部に空隙は形成されず気密性
の高い確実な封止が達成され、製品の信頼性が向
上する。
の製造方法においては、セラミツク本体およびセ
ラミツクキヤツプの接着面のほぼ中央部の低融点
ガラス層に厚肉部を形成し、この厚肉部から先に
融着させているため接着面中央部で発生する気泡
は周囲に発散され内部に閉じ込められることはな
く、従つて従来特に空隙の発生が多かつた第4図
に示す接合部A,B部に空隙は形成されず気密性
の高い確実な封止が達成され、製品の信頼性が向
上する。
第1図は本発明に係る半導体装置の組立前の断
面図、第2図は第1図の―矢視図、第3図は
第2図の―断面図、第4図はセラミツク本体
の上面図である。 1…セラミツク本体、4…半導体素子、5,1
0…低融点ガラス層、8…セラミツクキヤツプ、
11…厚肉部。
面図、第2図は第1図の―矢視図、第3図は
第2図の―断面図、第4図はセラミツク本体
の上面図である。 1…セラミツク本体、4…半導体素子、5,1
0…低融点ガラス層、8…セラミツクキヤツプ、
11…厚肉部。
Claims (1)
- 1 半導体素子を収容した本体を低融点ガラスを
介してキヤツプで封止する半導体装置の製造方法
において、本体とキヤツプとの接着面の低融点ガ
ラス上であつて、周囲が上記キヤツプの端辺に接
しない位置に低融点ガラスよりなる厚肉部を形成
し、該厚肉部から先に融着させて本体及びキヤツ
プを封止することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58224335A JPS60117644A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58224335A JPS60117644A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60117644A JPS60117644A (ja) | 1985-06-25 |
JPH0126538B2 true JPH0126538B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=16812141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58224335A Granted JPS60117644A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60117644A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS625647A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5059558A (en) * | 1988-06-22 | 1991-10-22 | North American Philips Corp., Signetics Division | Use of venting slots to improve hermetic seal for semiconductor dice housed in ceramic packages |
EP0347991A3 (en) * | 1988-06-22 | 1990-08-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Use of venting slots to improve hermetic seal for semiconductor dice housed in ceramic packages |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5339859A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Package |
JPS5339857A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-12 | Siemens Ag | Method of making injected domin in substrate |
JPS5434765A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of glass-sealed package |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224335A patent/JPS60117644A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5339857A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-12 | Siemens Ag | Method of making injected domin in substrate |
JPS5339859A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Package |
JPS5434765A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of glass-sealed package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60117644A (ja) | 1985-06-25 |
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