JPH04321257A - 低融点ガラス封止型半導体装置 - Google Patents
低融点ガラス封止型半導体装置Info
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- JPH04321257A JPH04321257A JP3090171A JP9017191A JPH04321257A JP H04321257 A JPH04321257 A JP H04321257A JP 3090171 A JP3090171 A JP 3090171A JP 9017191 A JP9017191 A JP 9017191A JP H04321257 A JPH04321257 A JP H04321257A
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- lead frame
- glass
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- ceramic substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低融点ガラス封止型半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の低融点ガラス封止型半導体装置は
、図３に示すように，セラミック基板３０１ 上に低融
点ガラスをシ−ルガラス３０２ として塗布し、続いて
この上に、あらかじめプレス加工して形成されたリ−ド
フレ−ム３０３ を載せて約３８０ ℃で加熱し、シ−
ルガラス３０２ を溶かす。その後、常温で冷却して固
着させる。続いて、半導体チップ３０４ をセラミック
基板３０１ 上に固着させ、半導体チップ３０４ とリ
−ドフレ−ム３０３ を金、アルミニウム等の金属を用
いてボンディングワイヤ−３０５ で電気的に接続させ
る。次に図３に示した様にシ−ルガラス３０６ を塗布
してあるセラミック製のキャップ３０７ を用意し、半
導体チップ３０４ の搭載されているセラミック基板３
０１ 上に重ね合わせて約３８０ ℃で加熱し、シ−ル
ガラス３０６ を溶かし、常温で冷却して固着し、気密
封止する。 この様にして従来の低融点ガラス封止型半導体装置は製
造される。尚、リ−ドフレ−ム３０３ の表面はセラミ
ック基板３０１との接面に対して平行である。
、図３に示すように，セラミック基板３０１ 上に低融
点ガラスをシ−ルガラス３０２ として塗布し、続いて
この上に、あらかじめプレス加工して形成されたリ−ド
フレ−ム３０３ を載せて約３８０ ℃で加熱し、シ−
ルガラス３０２ を溶かす。その後、常温で冷却して固
着させる。続いて、半導体チップ３０４ をセラミック
基板３０１ 上に固着させ、半導体チップ３０４ とリ
−ドフレ−ム３０３ を金、アルミニウム等の金属を用
いてボンディングワイヤ−３０５ で電気的に接続させ
る。次に図３に示した様にシ−ルガラス３０６ を塗布
してあるセラミック製のキャップ３０７ を用意し、半
導体チップ３０４ の搭載されているセラミック基板３
０１ 上に重ね合わせて約３８０ ℃で加熱し、シ−ル
ガラス３０６ を溶かし、常温で冷却して固着し、気密
封止する。 この様にして従来の低融点ガラス封止型半導体装置は製
造される。尚、リ−ドフレ−ム３０３ の表面はセラミ
ック基板３０１との接面に対して平行である。
【０００３】以上の述べた様に、従来の技術では、低融
点ガラス半導体装置の製造工程で、リ−ドフレ−ム３０
３ をシ−ルガラス３０２ を介して、セラミック基板
３０１ 上に加熱封着させ、常温で冷却して固着させて
いる。
点ガラス半導体装置の製造工程で、リ−ドフレ−ム３０
３ をシ−ルガラス３０２ を介して、セラミック基板
３０１ 上に加熱封着させ、常温で冷却して固着させて
いる。
【０００４】しかしながら、加熱封着する過程でシ−ル
ガラス３０２ が流動状態になる為に、リ−ドフレ−ム
３０３ が動き易くなり、セラミック基板３０１ に対
する装着位置よりズレてしまう。この為に、半導体チッ
プ３０４ とリ−ドフレ−ム３０３ を接続しているボ
ンディングワイヤ−３０５ が接合部からとれてしまう
という不良を招く。また、冷却した後の半導体装置に外
部から衝撃が加わると、衝撃に対する強度という面での
低下から、リ−ドフレ−ム３０３ とシ−ルガラス３０
６ の境界面を境に、シ−ルガラス３０６ がセラミッ
ク製キャップ３０７ に付着した状態で剥がれるため、
耐水性の低下、不純物の混入という問題が出てくる。従
来技術ではこの様な問題があり、半導体装置の信頼性を
著しく低下させることになる。
ガラス３０２ が流動状態になる為に、リ−ドフレ−ム
３０３ が動き易くなり、セラミック基板３０１ に対
する装着位置よりズレてしまう。この為に、半導体チッ
プ３０４ とリ−ドフレ−ム３０３ を接続しているボ
ンディングワイヤ−３０５ が接合部からとれてしまう
という不良を招く。また、冷却した後の半導体装置に外
部から衝撃が加わると、衝撃に対する強度という面での
低下から、リ−ドフレ−ム３０３ とシ−ルガラス３０
６ の境界面を境に、シ−ルガラス３０６ がセラミッ
ク製キャップ３０７ に付着した状態で剥がれるため、
耐水性の低下、不純物の混入という問題が出てくる。従
来技術ではこの様な問題があり、半導体装置の信頼性を
著しく低下させることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】リ−ドフレ−ムを加熱
封着させる過程で起きる装着位置のズレ、それによるボ
ンディングワイヤ−接合部の不良、また半導体装置に対
する外部衝撃によりセラミック製キャップが剥がれ、そ
のために起こる半導体装置の耐水性の低下、不純物混入
という問題である。本発明の解決する課題は、以上の様
な半導体装置の信頼性の低下である。 ［発明の構成］
封着させる過程で起きる装着位置のズレ、それによるボ
ンディングワイヤ−接合部の不良、また半導体装置に対
する外部衝撃によりセラミック製キャップが剥がれ、そ
のために起こる半導体装置の耐水性の低下、不純物混入
という問題である。本発明の解決する課題は、以上の様
な半導体装置の信頼性の低下である。 ［発明の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、低融点ガラス
封止型半導体装置のリ−ドフレ−ム表面に突出部分を形
成し、リ−ドフレ−ムとセラミック基板、およびリ−ド
フレ−ムとセラミック製キャップとがシ−ルガラスを介
して接着する際に、その突出部を、加熱封着を経てその
シ−ルガラス内に埋込むようにする。加熱封着時に起こ
るリ−ドフレ−ムの装着位置のズレを防ぎ、半導体装置
に対して外部から衝撃が加わった時に起こるセラミック
製キャップの剥がれを防ぐものである。
封止型半導体装置のリ−ドフレ−ム表面に突出部分を形
成し、リ−ドフレ−ムとセラミック基板、およびリ−ド
フレ−ムとセラミック製キャップとがシ−ルガラスを介
して接着する際に、その突出部を、加熱封着を経てその
シ−ルガラス内に埋込むようにする。加熱封着時に起こ
るリ−ドフレ−ムの装着位置のズレを防ぎ、半導体装置
に対して外部から衝撃が加わった時に起こるセラミック
製キャップの剥がれを防ぐものである。
【０００７】
【作用】本発明を用いて、低融点ガラス半導体装置のリ
−ドフレ−ム表面に突出した部分を形成する。リ−ドフ
レ−ムとセラミック基板、およびリ−ドフレ−ムとセラ
ミック製キャップがシ−ルガラスを介して接しているの
で、この様にすると、リ−ドフレ−ムをシ−ルガラスに
加熱封着した際には突出した部分がシ−ルガラス内に埋
め込まれるために、ガラスが流動性を帯びてもリ−ドフ
レ−ムがその影響を受けて装着位置からズレることはな
い。そのため、ボンディングワイヤ−接合部の不良を防
ぐことができる。
−ドフレ−ム表面に突出した部分を形成する。リ−ドフ
レ−ムとセラミック基板、およびリ−ドフレ−ムとセラ
ミック製キャップがシ−ルガラスを介して接しているの
で、この様にすると、リ−ドフレ−ムをシ−ルガラスに
加熱封着した際には突出した部分がシ−ルガラス内に埋
め込まれるために、ガラスが流動性を帯びてもリ−ドフ
レ−ムがその影響を受けて装着位置からズレることはな
い。そのため、ボンディングワイヤ−接合部の不良を防
ぐことができる。
【０００８】また、半導体装置が外部から衝撃を受けて
も、シ−ルガラスの付着した状態でセラミック製キャッ
プが剥がれるということはないので、耐水性、不純物混
入の問題を解決することができる。
も、シ−ルガラスの付着した状態でセラミック製キャッ
プが剥がれるということはないので、耐水性、不純物混
入の問題を解決することができる。
【０００９】
【実施例】以下、第１の実施例は図１を参照して説明す
る。
る。
【００１０】まず、図１に示すように、セラミック基板
１０１ 上に融点が約３８０ ℃の低融点ガラスをシ−
ルガラス１０２ として塗布する。あらかじめプレス加
工して作られたリ−ドフレ−ム１０３ のリ−ド線の一
部を、０．５ｍｍ 程度（ リ−ドフレ−ム１０３ の
リ−ド線の厚さを含む） 曲げ、突出部１０４ を形成
する。この突出部１０４はリ−ドフレ−ム１０３ の各
々のリ−ド線の上下各面に２つずつ形成する。この０．
５ ｍｍ（ リ−ドフレ−ム１０３ のリ−ド線の厚さ
を含む） という長さは、シ−ルガラス１０２ の厚さ
よりも若干短い程度ある。ここで形成されたリ−ドフレ
−ム１０３ はセラミック基板１０１ 上に装着され、
シ−ルガラス１０２，１０７ の融点に相当する３８０
℃程度の温度で加熱封着させ、その後、常温で冷却し
て固着させる。半導体チップ１０５ をセラミック基板
１０１ 上に固着させる。半導体チップ１０５ とリ−
ドフレ−ム１０３ は、アルミニウムをボンディグワイ
ヤ−１０６ として用い、超音波によって電気的に接続
させる。その後、低融点ガラスをシ−ルガラス１０７
として塗布してあるセラミック製のキャップ１０８ を
、半導体チップ１０５ の搭載されているセラミック基
板１０１の上に重ね合わせ、約３８０ ℃で加熱封着さ
せた後、常温で冷却し固着させ、気密封止させる。
１０１ 上に融点が約３８０ ℃の低融点ガラスをシ−
ルガラス１０２ として塗布する。あらかじめプレス加
工して作られたリ−ドフレ−ム１０３ のリ−ド線の一
部を、０．５ｍｍ 程度（ リ−ドフレ−ム１０３ の
リ−ド線の厚さを含む） 曲げ、突出部１０４ を形成
する。この突出部１０４はリ−ドフレ−ム１０３ の各
々のリ−ド線の上下各面に２つずつ形成する。この０．
５ ｍｍ（ リ−ドフレ−ム１０３ のリ−ド線の厚さ
を含む） という長さは、シ−ルガラス１０２ の厚さ
よりも若干短い程度ある。ここで形成されたリ−ドフレ
−ム１０３ はセラミック基板１０１ 上に装着され、
シ−ルガラス１０２，１０７ の融点に相当する３８０
℃程度の温度で加熱封着させ、その後、常温で冷却し
て固着させる。半導体チップ１０５ をセラミック基板
１０１ 上に固着させる。半導体チップ１０５ とリ−
ドフレ−ム１０３ は、アルミニウムをボンディグワイ
ヤ−１０６ として用い、超音波によって電気的に接続
させる。その後、低融点ガラスをシ−ルガラス１０７
として塗布してあるセラミック製のキャップ１０８ を
、半導体チップ１０５ の搭載されているセラミック基
板１０１の上に重ね合わせ、約３８０ ℃で加熱封着さ
せた後、常温で冷却し固着させ、気密封止させる。
【００１１】本発明の第１の実施例により、リ−ドフレ
−ム１０３ をセラミック基板１０１ に加熱封着させ
る時に従来技術において起こる装着位置のズレを抑える
ことができる。その結果、ボンディグワイヤ−１０６
が半導体チップ１０５ とリ−ドフレ−ム１０３双方と
の接合部分からとれてしまうというようなことを防ぐこ
とができる。
−ム１０３ をセラミック基板１０１ に加熱封着させ
る時に従来技術において起こる装着位置のズレを抑える
ことができる。その結果、ボンディグワイヤ−１０６
が半導体チップ１０５ とリ−ドフレ−ム１０３双方と
の接合部分からとれてしまうというようなことを防ぐこ
とができる。
【００１２】また、半導体装置に影響を与える外部衝撃
に対しても強度を増し、耐水性、不純物の混入等の問題
も解決できるので半導体装置としての信頼性が向上する
という効果がある。次に、第２の実施例を図２を参照し
て説明する。
に対しても強度を増し、耐水性、不純物の混入等の問題
も解決できるので半導体装置としての信頼性が向上する
という効果がある。次に、第２の実施例を図２を参照し
て説明する。
【００１３】第２の実施例においては、第１の実施例で
用いられたリ−ドフレ−ム２０３ の部分の形状を図２
の拡大図に示すように、リ−ド線の部分に上部に穴を開
けた半球状の突出部２０４ を形成する。この突出部２
０４ は、リ−ドフレ−ム２０３ のリ−ド線の表面上
から０．５ｍｍ 程度（リ−ドフレ−ム２０３ のリ−
ド線の厚さを含む） 突出させる。この半球状の突出部
２０４ は、リ−ド線部分をプレス加工時に裏から押上
げて形成するのでリ−ドフレ−ム２０３ と同じ物質を
用いている。上部に開けた穴の位置は空気を抜くための
ものである。この半球状の突出部２０４ は、当然、リ
−ド線の表面の両方に形成しても良いのだが、上下どち
らか一方の面に形成するだけでこの穴が作用して、第１
の実施例で形成された突出部１０４ よりも広範囲にシ
−ルガラス２０２，２０７ 内に埋め込むことができる
。尚、突出部２０４ の形状やリ−ド線の表面上に形成
する突出部２０４ の数を限定する必要はないことは言
うまでもない。
用いられたリ−ドフレ−ム２０３ の部分の形状を図２
の拡大図に示すように、リ−ド線の部分に上部に穴を開
けた半球状の突出部２０４ を形成する。この突出部２
０４ は、リ−ドフレ−ム２０３ のリ−ド線の表面上
から０．５ｍｍ 程度（リ−ドフレ−ム２０３ のリ−
ド線の厚さを含む） 突出させる。この半球状の突出部
２０４ は、リ−ド線部分をプレス加工時に裏から押上
げて形成するのでリ−ドフレ−ム２０３ と同じ物質を
用いている。上部に開けた穴の位置は空気を抜くための
ものである。この半球状の突出部２０４ は、当然、リ
−ド線の表面の両方に形成しても良いのだが、上下どち
らか一方の面に形成するだけでこの穴が作用して、第１
の実施例で形成された突出部１０４ よりも広範囲にシ
−ルガラス２０２，２０７ 内に埋め込むことができる
。尚、突出部２０４ の形状やリ−ド線の表面上に形成
する突出部２０４ の数を限定する必要はないことは言
うまでもない。
【００１４】以上から、第２の実施例でも第１の実施例
と同様に、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。加えて、突出部２０４ をリ−ド線表面のどちらか
一方に形成するだけで上部に開けた穴が作用し、第１の
実施例で形成された突出部１０４ よりもシ−ルガラス
２０２ 内に広範囲に埋め込まれるので半導体装置の強
度を増す。加えて製造工程も簡単であるという効果があ
る。
と同様に、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。加えて、突出部２０４ をリ−ド線表面のどちらか
一方に形成するだけで上部に開けた穴が作用し、第１の
実施例で形成された突出部１０４ よりもシ−ルガラス
２０２ 内に広範囲に埋め込まれるので半導体装置の強
度を増す。加えて製造工程も簡単であるという効果があ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上詳しく述べた様に、本発明によれば
、低融点ガラス封止型半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。
、低融点ガラス封止型半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例を表す半導体装置の斜視
図。
図。
【図２】本発明の第２の実施例を表す半導体装置の斜視
図。
図。
【図３】従来技術を表す半導体装置の斜視図。
１０１，２０１，３０１ ……セラミック基板、１０２
，２０２，３０２ ……シ−ルガラス、１０３，２０３
，３０３ ……リ−ドフレ−ム、１０４，２０４ ……
突出部、 １０５，２０５，３０４ ……半導体チップ、１０６，
２０６，３０５ ……ボンディングワイヤ−、１０７，
２０７，３０６ ……シ−ルガラス、１０８，２０８，
３０７ ……セラミック製キャップ。
，２０２，３０２ ……シ−ルガラス、１０３，２０３
，３０３ ……リ−ドフレ−ム、１０４，２０４ ……
突出部、 １０５，２０５，３０４ ……半導体チップ、１０６，
２０６，３０５ ……ボンディングワイヤ−、１０７，
２０７，３０６ ……シ−ルガラス、１０８，２０８，
３０７ ……セラミック製キャップ。
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック基板と、このセラミック基
板上に塗布された低融点ガラスと、この低融点ガラスに
埋め込まれ、突出した部分を有するリ−ドフレ−ムと、
前記セラミック基板上に載置された半導体チップと、こ
の半導体チップと、前記リ−ドフレ−ムとを電気的に接
続するボンディグワイヤ−と、を具備することを特徴と
する低融点ガラス封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記リ−ドフレ−ムが、表面および裏
面、またはそのどちらか一方の面に前記突出した部分を
有することを特徴とする請求項１に記載の低融点ガラス
封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記リ−ドフレ−ムの突出した部分を
、前記リ−ドフレ−ム表面に設け、このリ−ドフレ−ム
の突出した部分が穴を有していることを特徴とする請求
項１に記載の低融点ガラス封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3090171A JPH04321257A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 低融点ガラス封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3090171A JPH04321257A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 低融点ガラス封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321257A true JPH04321257A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=13991048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3090171A Pending JPH04321257A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 低融点ガラス封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04321257A (ja) |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3090171A patent/JPH04321257A/ja active Pending
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