JPH0878856A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH0878856A JPH0878856A JP20673694A JP20673694A JPH0878856A JP H0878856 A JPH0878856 A JP H0878856A JP 20673694 A JP20673694 A JP 20673694A JP 20673694 A JP20673694 A JP 20673694A JP H0878856 A JPH0878856 A JP H0878856A
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- Japan
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- case
- hole
- thin film
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- conductive metal
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- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子部品の製造方法に関するもの
で、ケースの貫通孔部分の密封性を高めるとともに、電
気的な接続状態の信頼性を高めることを目的とする。 【構成】 ケース１と、このケース１内に設けられたＳ
ＡＷフィルタ５とを備え、その入出力電極７に対応する
部分に貫通孔８を設け、この貫通孔８側を下方にしてケ
ース１外からこの貫通孔８内に蒸着あるいはスパッタリ
ングにより薄膜を形成する際に、ケース１を水平方向に
振動させる。
で、ケースの貫通孔部分の密封性を高めるとともに、電
気的な接続状態の信頼性を高めることを目的とする。 【構成】 ケース１と、このケース１内に設けられたＳ
ＡＷフィルタ５とを備え、その入出力電極７に対応する
部分に貫通孔８を設け、この貫通孔８側を下方にしてケ
ース１外からこの貫通孔８内に蒸着あるいはスパッタリ
ングにより薄膜を形成する際に、ケース１を水平方向に
振動させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品の製造方法に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ケース内に素子を封入した電子部品にお
いては、素子の入出力電極をケース外に引き出すため
に、ケースに貫通孔を設け、この貫通孔内にリード線を
設けた後に、樹脂を流入させて密封構造をとっていた。
いては、素子の入出力電極をケース外に引き出すため
に、ケースに貫通孔を設け、この貫通孔内にリード線を
設けた後に、樹脂を流入させて密封構造をとっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成とした場合に
問題となるのは、貫通孔部分の密封性が不充分であると
いうことであった。すなわち、樹脂は吸水性があり、し
かも貫通孔内壁との間にどうしても微細な隙間が形成さ
れてしまい、これらの結果として、密封性が不充分にな
るのであった。
問題となるのは、貫通孔部分の密封性が不充分であると
いうことであった。すなわち、樹脂は吸水性があり、し
かも貫通孔内壁との間にどうしても微細な隙間が形成さ
れてしまい、これらの結果として、密封性が不充分にな
るのであった。
【０００４】そこで本発明は、貫通孔部分における密封
性を高めると共に、素子の入出力電極に対する電気的な
接続状態の信頼性を高めることを目的とするものであ
る。
性を高めると共に、素子の入出力電極に対する電気的な
接続状態の信頼性を高めることを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、ケースと、このケース内に設けられ
た素子とを備え、前記素子の入出力電極に対応するケー
ス部分に、貫通孔を設け、この貫通孔側を下方にしてケ
ース外からこの貫通孔内に蒸着あるいはスパッタリング
により薄膜を形成する際に、ケースを水平方向に振動さ
せて薄膜を素子の入出力電極上にも設け、その後貫通孔
内に導電性金属を流入させるものである。
るために本発明は、ケースと、このケース内に設けられ
た素子とを備え、前記素子の入出力電極に対応するケー
ス部分に、貫通孔を設け、この貫通孔側を下方にしてケ
ース外からこの貫通孔内に蒸着あるいはスパッタリング
により薄膜を形成する際に、ケースを水平方向に振動さ
せて薄膜を素子の入出力電極上にも設け、その後貫通孔
内に導電性金属を流入させるものである。
【０００６】
【作用】上記製造方法によれば、ケースを水平方向に振
動させながら貫通孔内及び、素子の入出力電極上に、薄
膜を形成するので、貫通孔内には充分な量の薄膜が形成
され、また、この水平方向の振動によりケース内におい
て、素子が水平方向に振動するので、貫通孔を介して、
形成される入出力電極上の薄膜の面積は広くなる。この
ため、次の工程で、貫通孔内に導電性金属を流入させた
場合、この導電性金属は、素子の入出力電極上に広く形
成された薄膜部分と、確実に当接し、融着され、強固に
一体化されることになる。
動させながら貫通孔内及び、素子の入出力電極上に、薄
膜を形成するので、貫通孔内には充分な量の薄膜が形成
され、また、この水平方向の振動によりケース内におい
て、素子が水平方向に振動するので、貫通孔を介して、
形成される入出力電極上の薄膜の面積は広くなる。この
ため、次の工程で、貫通孔内に導電性金属を流入させた
場合、この導電性金属は、素子の入出力電極上に広く形
成された薄膜部分と、確実に当接し、融着され、強固に
一体化されることになる。
【０００７】この点について今少し説明すると、ケース
は絶縁物よりなるので、これに直接導電性金属を密着さ
せることはできず、したがって貫通孔内壁面に薄膜を形
成し、その上に導電性金属を密着させるのである。また
素子の入出力電極も導電性金属が直接密着しにくい金属
で形成される場合も多く、その際にはその上に薄膜を形
成後導電性金属を密着させる必要がある。
は絶縁物よりなるので、これに直接導電性金属を密着さ
せることはできず、したがって貫通孔内壁面に薄膜を形
成し、その上に導電性金属を密着させるのである。また
素子の入出力電極も導電性金属が直接密着しにくい金属
で形成される場合も多く、その際にはその上に薄膜を形
成後導電性金属を密着させる必要がある。
【０００８】したがって、貫通孔部分における密封性が
高まるとともに、素子の入出力電極に対する電気的な接
続状態の信頼性を高めることができる。
高まるとともに、素子の入出力電極に対する電気的な接
続状態の信頼性を高めることができる。
【０００９】
【実施例】図１において、１はケースで、ガラス製の枠
体２とガラス製の上、下板３，４をガラスどうしの直接
接合により一体化して構成している。５は素子として用
いたＳＡＷフィルタで、その上面側には信号用電極６と
入出力電極７が設けられている。この入出力電極７に対
応する上板３には、逆円すい型の貫通孔８が形成されて
いる。この貫通孔８内と入出力電極７上には、Ｔｉ，Ｃ
ｕ，Ａｕの三層構造よりなる薄膜９が設けられている。
その状態で貫通孔８内には、導電性金属として半田１０
が流入させられており、これにより、この半田１０のケ
ース１外部分とＳＡＷフィルタ５の入出力電極７が半田
１０、薄膜９を介して電気的に接続されている。次に、
半田１０による貫通孔８の密封について説明する。ま
ず、図２のごとく、ケース１内にＳＡＷフィルタ５を収
納し、次に、加熱しながら圧力をかけて上、下板３，４
及び枠体２を一体化する。次に、図３のごとく、ケース
１を反転し、この状態で、蒸着あるいはスパッタリング
により、薄膜９を貫通孔８内及び入出力電極７上に形成
する。この場合、図示していないが、ケース１を水平方
向に振動させながら、薄膜９の形成を行う。そうする
と、ＳＡＷフィルタ５はケース１内において、水平方向
に振動し、これにより、入出力電極７のより広い部分
が、貫通孔８内に表出することになる。この結果とし
て、図１に示すごとく、入出力電極７上に形成される薄
膜９の面積は、貫通孔８の下面開口部よりも広いものと
なる。したがって、図４のようにして薄膜９を形成した
のちに、ケース１を再び反転させた後に、図１にごと
く、貫通孔８内に半田１０を流入させれば、半田１０は
貫通孔８の下面開口を介して、入出力電極７上の薄膜９
に確実に、当接し、融着され、強固に一体化されること
になる。すなわち、ＳＡＷフィルタ５は、その振動特性
を劣化させないため、下板４上には固定しておらず、図
５の状態から水平方向に移動してしまうことになるが、
上述したように、薄膜９を充分に広い面積となるように
形成しておれば、たとえ、この移動があったとしても確
実に半田１０と当接し、一体化されるのである。そして
この結果として、半田１０による電気的導通は確実に図
れることとなるのである。なお、貫通孔８上に設けた薄
膜９は、半田１０と密着し、融着され、それにより、密
封性を高めるために設けたものである。
体２とガラス製の上、下板３，４をガラスどうしの直接
接合により一体化して構成している。５は素子として用
いたＳＡＷフィルタで、その上面側には信号用電極６と
入出力電極７が設けられている。この入出力電極７に対
応する上板３には、逆円すい型の貫通孔８が形成されて
いる。この貫通孔８内と入出力電極７上には、Ｔｉ，Ｃ
ｕ，Ａｕの三層構造よりなる薄膜９が設けられている。
その状態で貫通孔８内には、導電性金属として半田１０
が流入させられており、これにより、この半田１０のケ
ース１外部分とＳＡＷフィルタ５の入出力電極７が半田
１０、薄膜９を介して電気的に接続されている。次に、
半田１０による貫通孔８の密封について説明する。ま
ず、図２のごとく、ケース１内にＳＡＷフィルタ５を収
納し、次に、加熱しながら圧力をかけて上、下板３，４
及び枠体２を一体化する。次に、図３のごとく、ケース
１を反転し、この状態で、蒸着あるいはスパッタリング
により、薄膜９を貫通孔８内及び入出力電極７上に形成
する。この場合、図示していないが、ケース１を水平方
向に振動させながら、薄膜９の形成を行う。そうする
と、ＳＡＷフィルタ５はケース１内において、水平方向
に振動し、これにより、入出力電極７のより広い部分
が、貫通孔８内に表出することになる。この結果とし
て、図１に示すごとく、入出力電極７上に形成される薄
膜９の面積は、貫通孔８の下面開口部よりも広いものと
なる。したがって、図４のようにして薄膜９を形成した
のちに、ケース１を再び反転させた後に、図１にごと
く、貫通孔８内に半田１０を流入させれば、半田１０は
貫通孔８の下面開口を介して、入出力電極７上の薄膜９
に確実に、当接し、融着され、強固に一体化されること
になる。すなわち、ＳＡＷフィルタ５は、その振動特性
を劣化させないため、下板４上には固定しておらず、図
５の状態から水平方向に移動してしまうことになるが、
上述したように、薄膜９を充分に広い面積となるように
形成しておれば、たとえ、この移動があったとしても確
実に半田１０と当接し、一体化されるのである。そして
この結果として、半田１０による電気的導通は確実に図
れることとなるのである。なお、貫通孔８上に設けた薄
膜９は、半田１０と密着し、融着され、それにより、密
封性を高めるために設けたものである。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明は、ケースと、この
ケース内に設けられた素子とを備え、前記素子の入出力
電極に対応するケース部分に、貫通孔を設け、この貫通
孔側を下方にしてケース外からこの貫通孔内に蒸着ある
いはスパッタリングにより薄膜を形成する際に、ケース
を水平方向に振動させて薄膜を素子の入出力電極上にも
設け、その後貫通孔内に導電性金属を流入させるもので
ある。
ケース内に設けられた素子とを備え、前記素子の入出力
電極に対応するケース部分に、貫通孔を設け、この貫通
孔側を下方にしてケース外からこの貫通孔内に蒸着ある
いはスパッタリングにより薄膜を形成する際に、ケース
を水平方向に振動させて薄膜を素子の入出力電極上にも
設け、その後貫通孔内に導電性金属を流入させるもので
ある。
【００１１】そして上記製造方法によれば、ケースを水
平方向に振動させながら貫通孔内及び、素子の入出力電
極上に、薄膜を形成するので、貫通孔内には充分な量の
薄膜が形成され、また、この水平方向の振動によりケー
ス内において、素子が水平方向に振動するので、貫通孔
を介して、形成される入出力電極上の薄膜の面積は広く
なる。このため、次の工程で、貫通孔内に導電性金属を
流入させた場合、この導電性金属は、素子の入出力電極
上に広く形成された薄膜部分と、確実に当接し、融着さ
れ、強固に一体化されることになる。
平方向に振動させながら貫通孔内及び、素子の入出力電
極上に、薄膜を形成するので、貫通孔内には充分な量の
薄膜が形成され、また、この水平方向の振動によりケー
ス内において、素子が水平方向に振動するので、貫通孔
を介して、形成される入出力電極上の薄膜の面積は広く
なる。このため、次の工程で、貫通孔内に導電性金属を
流入させた場合、この導電性金属は、素子の入出力電極
上に広く形成された薄膜部分と、確実に当接し、融着さ
れ、強固に一体化されることになる。
【００１２】この点について今少し説明すると、ケース
は絶縁物よりなるので、これに直接導電性金属を密着さ
せることはできず、したがって貫通孔内壁面に薄膜を形
成し、その上に導電性金属を密着させるのである。また
素子の入出力電極も導電性金属が直接密着しにくい金属
で形成される場合も多く、その際にはその上に薄膜を形
成後導電性金属を密着させる必要がある。
は絶縁物よりなるので、これに直接導電性金属を密着さ
せることはできず、したがって貫通孔内壁面に薄膜を形
成し、その上に導電性金属を密着させるのである。また
素子の入出力電極も導電性金属が直接密着しにくい金属
で形成される場合も多く、その際にはその上に薄膜を形
成後導電性金属を密着させる必要がある。
【００１３】したがって、貫通孔部分における密封性が
高まるとともに、素子の入出力電極に対する電気的な接
続状態の信頼性を高めることができるものである。
高まるとともに、素子の入出力電極に対する電気的な接
続状態の信頼性を高めることができるものである。
【図１】本発明の一実施例により製造された電子部品の
断面図
断面図
【図２】その製造方法を示す断面図
【図３】その製造方法を示す断面図
【図４】その製造方法を示す断面図
【図５】その製造方法を示す断面図
１ ケース ５ ＳＡＷフィルタ ７ 入出力電極 ８ 貫通孔 ９ 薄膜 １０ 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/25 Ａ 7259−5Ｊ Ｈ０５Ｋ 5/06 Ａ 7301−4Ｅ // Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｋ 7511−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 ケースと、このケース内に設けられた素
子とを備え、前記素子の入出力電極に対応するケース部
分に貫通孔を設け、この貫通孔側を下方にしてケース外
からこの貫通孔内に蒸着あるいはスパッタリングにより
薄膜を形成する際に、ケースを水平方向に振動させて薄
膜を素子の入出力電極上にも設け、その後貫通孔内に導
電性金属を流入させる電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 貫通孔内に薄膜を形成後、ケースを反転
させ、その状態で貫通孔内に導電性金属を流入させる請
求項１記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20673694A JP3582106B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20673694A JP3582106B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878856A true JPH0878856A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3582106B2 JP3582106B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=16528257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20673694A Expired - Fee Related JP3582106B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3582106B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1628396A1 (en) * | 2003-05-26 | 2006-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric electronic component, and production method therefor, communication equipment |
| JP2010187133A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | 電子部品の実装構造、及び電子部品の実装方法 |
| CN103057200A (zh) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | 向熙科技股份有限公司 | 外观层及提升其于工件的附着力的方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP20673694A patent/JP3582106B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1628396A1 (en) * | 2003-05-26 | 2006-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric electronic component, and production method therefor, communication equipment |
| EP1628396A4 (en) * | 2003-05-26 | 2009-01-07 | Murata Manufacturing Co | PIEZOELECTRIC ELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, COMMUNICATION EQUIPMENT |
| US8123966B2 (en) | 2003-05-26 | 2012-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric electronic component, process for producing the same, and communication apparatus |
| JP2010187133A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | 電子部品の実装構造、及び電子部品の実装方法 |
| CN103057200A (zh) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | 向熙科技股份有限公司 | 外观层及提升其于工件的附着力的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3582106B2 (ja) | 2004-10-27 |
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