JP2998510B2 - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JP2998510B2 JP2998510B2 JP22704593A JP22704593A JP2998510B2 JP 2998510 B2 JP2998510 B2 JP 2998510B2 JP 22704593 A JP22704593 A JP 22704593A JP 22704593 A JP22704593 A JP 22704593A JP 2998510 B2 JP2998510 B2 JP 2998510B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＳＡＷデバイス
や半導体装置を有する電子部品とその製造方法に関する
ものである。
や半導体装置を有する電子部品とその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、デバイスとしてＳＡＷデバイスを
用い、それを上下ケース間の収納空間に収納させたもの
は、収納空間を密封するために、上下ケースを溶接によ
り接合していた。
用い、それを上下ケース間の収納空間に収納させたもの
は、収納空間を密封するために、上下ケースを溶接によ
り接合していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電子部品に
おいては、上下ケースの溶接時に、その接合部において
発生するガスが、収納空間に侵入し、これがＳＡＷデバ
イスのＡｌ製の電極に吸着され、これによってその質量
を変動させ、この結果として周波数特性を変動させてし
まうという問題点があった。
おいては、上下ケースの溶接時に、その接合部において
発生するガスが、収納空間に侵入し、これがＳＡＷデバ
イスのＡｌ製の電極に吸着され、これによってその質量
を変動させ、この結果として周波数特性を変動させてし
まうという問題点があった。
【０００４】そこで、本発明は上下ケースの接合による
特性変動を防止することを目的とする。
特性変動を防止することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために本発明の電子部品は前記上下ケースをその表
面にＯＨ基を有するガラスにより形成し、これらの上下
ケースのガラス面同士を原子間結合により直接接合した
ものである。
するために本発明の電子部品は前記上下ケースをその表
面にＯＨ基を有するガラスにより形成し、これらの上下
ケースのガラス面同士を原子間結合により直接接合した
ものである。
【０００６】
【作用】以上の構成とすれば上下ケースは溶接等を用い
ることなく、しかも低温で接合できるので、接合部や収
納空間で不要ガスが発生することは実質的になく、この
結果としてデバイスの特性変動のおきないものとなる。
ることなく、しかも低温で接合できるので、接合部や収
納空間で不要ガスが発生することは実質的になく、この
結果としてデバイスの特性変動のおきないものとなる。
【０００７】
【実施例】図１，図２において、１は硼珪酸ガラス又は
ソーダガラスにより形成された上ケースで、このケース
の下面側には収納空間を形成するための凹部２が形成さ
れている。この凹部２は、図２に示すごとく長方形をし
たものであり、その深さは４００μｍとなっており、こ
の内部にＳＡＷデバイス３が収納される。このＳＡＷデ
バイス３は水晶又はＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3等により
構成された厚さ３８０μｍの基板４と、その表面側に設
けた厚さ約１μｍのＡｌよりなる櫛歯状電極５と、その
両端に設けた入出力電極６より構成されている。基板４
の図２における上面側は、凹部２の底面に後述する手段
により圧接させられており（もちろんこの部分をシリコ
ン樹脂で接着してもよい）、これによってＳＡＷデバイ
ス３の表面側の電極５，６は凹部２内に完全に収納され
る状態となっている。７は硼珪酸ガラス又はソーダガラ
スにより形成された板状の下ケースで、その厚さは、上
ケース１の凹部２上の底厚と同じく３００μｍもしくは
それよりも薄い２００μｍとしている。この下ケース７
と上ケース１は、不活性ガス中において、凹部２の外周
部において当接させられ、この状態でＯＨ基同士による
水素結合が行われ次に３００℃の不活性ガス雰囲気中
で、所定の時間、放置させれば、原子間結合による強固
な接合が図られる。このとき、下ケース７の入出力電極
６に対応する部分に設けた貫通孔８は開孔しているの
で、凹部２内からの不活性ガスは、この貫通孔８から流
出することになる。この一連の作業は図１，図２を反転
させ、下ケース７を上にした状態で行われ、よって貫通
孔８内へのＡｕあるいはＳｎ−Ａｇ球体９の挿入は簡単
に行われる。この球体９の直径は３００μｍで、それを
貫通孔８の下ケース７外方より棒状電極で機械的圧力お
よび超音波振動を加えて押し込み、それにより入出力電
極６と溶着される。次に、この貫通孔８の下ケース７外
表面側に外部電極１０が設けられる。この外部電極１０
はＡｇ樹脂ペーストを印刷し、その一部を貫通孔８内に
流入させて球体９と接合させるとともに他端は下ケース
７の長手方向両端の凹部１１に延長形成されている。そ
して、この状態において外部電極１０上にメッキ処理が
行われ、電子部品としては、図１，図２に示すごとく、
下ケース７側を下面にして各種基板へ、その外部電極１
０を用いて表面実装される。
ソーダガラスにより形成された上ケースで、このケース
の下面側には収納空間を形成するための凹部２が形成さ
れている。この凹部２は、図２に示すごとく長方形をし
たものであり、その深さは４００μｍとなっており、こ
の内部にＳＡＷデバイス３が収納される。このＳＡＷデ
バイス３は水晶又はＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3等により
構成された厚さ３８０μｍの基板４と、その表面側に設
けた厚さ約１μｍのＡｌよりなる櫛歯状電極５と、その
両端に設けた入出力電極６より構成されている。基板４
の図２における上面側は、凹部２の底面に後述する手段
により圧接させられており（もちろんこの部分をシリコ
ン樹脂で接着してもよい）、これによってＳＡＷデバイ
ス３の表面側の電極５，６は凹部２内に完全に収納され
る状態となっている。７は硼珪酸ガラス又はソーダガラ
スにより形成された板状の下ケースで、その厚さは、上
ケース１の凹部２上の底厚と同じく３００μｍもしくは
それよりも薄い２００μｍとしている。この下ケース７
と上ケース１は、不活性ガス中において、凹部２の外周
部において当接させられ、この状態でＯＨ基同士による
水素結合が行われ次に３００℃の不活性ガス雰囲気中
で、所定の時間、放置させれば、原子間結合による強固
な接合が図られる。このとき、下ケース７の入出力電極
６に対応する部分に設けた貫通孔８は開孔しているの
で、凹部２内からの不活性ガスは、この貫通孔８から流
出することになる。この一連の作業は図１，図２を反転
させ、下ケース７を上にした状態で行われ、よって貫通
孔８内へのＡｕあるいはＳｎ−Ａｇ球体９の挿入は簡単
に行われる。この球体９の直径は３００μｍで、それを
貫通孔８の下ケース７外方より棒状電極で機械的圧力お
よび超音波振動を加えて押し込み、それにより入出力電
極６と溶着される。次に、この貫通孔８の下ケース７外
表面側に外部電極１０が設けられる。この外部電極１０
はＡｇ樹脂ペーストを印刷し、その一部を貫通孔８内に
流入させて球体９と接合させるとともに他端は下ケース
７の長手方向両端の凹部１１に延長形成されている。そ
して、この状態において外部電極１０上にメッキ処理が
行われ、電子部品としては、図１，図２に示すごとく、
下ケース７側を下面にして各種基板へ、その外部電極１
０を用いて表面実装される。
【０００８】なお、上記実施例においては、上下ケース
１，７単品同士の接合で説明したが、実際には大板の上
下板に図１，図２に示した上下ケース１，７部分を縦横
に複数個整列させられて、複数個の接合が一度に行わ
れ、それを後で図１，図２に示す単品に切断するように
なっている。
１，７単品同士の接合で説明したが、実際には大板の上
下板に図１，図２に示した上下ケース１，７部分を縦横
に複数個整列させられて、複数個の接合が一度に行わ
れ、それを後で図１，図２に示す単品に切断するように
なっている。
【０００９】また、上記実施例においては、上ケース１
に凹部２を形成して収納空間を形成したが、この上ケー
ス１はＳＡＷデバイス３の外周を囲む枠体と、この枠体
の下ケース７とは反対側に原子間結合により直接接合し
た板体とにより形成してもよい。
に凹部２を形成して収納空間を形成したが、この上ケー
ス１はＳＡＷデバイス３の外周を囲む枠体と、この枠体
の下ケース７とは反対側に原子間結合により直接接合し
た板体とにより形成してもよい。
【００１０】さらに、この枠体又は凹部２の４つのコー
ナー部はＳＡＷデバイス３の４つのコーナー部が当接し
て収納できなくなるのを防止するために外方に向けて切
欠して、その当接を防止し、収納が確実に行われるよう
にしている。
ナー部はＳＡＷデバイス３の４つのコーナー部が当接し
て収納できなくなるのを防止するために外方に向けて切
欠して、その当接を防止し、収納が確実に行われるよう
にしている。
【００１１】さらにまた、ＳＡＷデバイス３の図１，図
２における上面側を支持する凹部２の底面には、１つあ
るいは複数の突起を設け、この突起でＳＡＷデバイス３
の基板４を支持すれば、バルク波の反射量が減少し、こ
の点でも特性が高められる。
２における上面側を支持する凹部２の底面には、１つあ
るいは複数の突起を設け、この突起でＳＡＷデバイス３
の基板４を支持すれば、バルク波の反射量が減少し、こ
の点でも特性が高められる。
【００１２】また、図１における１２は、下ケース７の
外部電極１０間に設けた導電膜で、外部電極１０の形成
時に一体に形成され、ＧＮＤ電極に接続されており、櫛
歯電極５に対する外部からのシールド電極として働く。
もちろん、上ケース１の外表面にもシールド電極１３を
設ければ、さらにその結果は高まる。
外部電極１０間に設けた導電膜で、外部電極１０の形成
時に一体に形成され、ＧＮＤ電極に接続されており、櫛
歯電極５に対する外部からのシールド電極として働く。
もちろん、上ケース１の外表面にもシールド電極１３を
設ければ、さらにその結果は高まる。
【００１３】さらに、上記実施例では、ＳＡＷデバイス
３収納させたが、凹部２にデバイスとして、基板と、そ
の表面に設けたＡｌ製の電極と、この電極に接続した半
導体素子とにより構成された半導体装置を収納してもよ
い。
３収納させたが、凹部２にデバイスとして、基板と、そ
の表面に設けたＡｌ製の電極と、この電極に接続した半
導体素子とにより構成された半導体装置を収納してもよ
い。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、前記上下ケース
は、その表面にＯＨ基を有するガラスにより形成し、こ
れらの上下ケースのガラス面同士を原子間接合により直
接接合したものであり、以上の構成とすれば上下ケース
は溶接等を用いることなく、しかも低温で接合できるの
で、接合部や収納空間で不要ガスが発生することは実質
的になく、この結果としてデバイスの特性変動のおきな
いものとなる。
は、その表面にＯＨ基を有するガラスにより形成し、こ
れらの上下ケースのガラス面同士を原子間接合により直
接接合したものであり、以上の構成とすれば上下ケース
は溶接等を用いることなく、しかも低温で接合できるの
で、接合部や収納空間で不要ガスが発生することは実質
的になく、この結果としてデバイスの特性変動のおきな
いものとなる。
【図１】本発明の電子部品の一実施例を示す断面図
【図２】同分解斜視図
１ 上ケース ２ 凹部 ３ ＳＡＷデバイス ７ 下ケース ９ 球体 １０ 外部電極 １２，１３ シールド電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−240450（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−122052（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/08 H03H 9/25
Claims (10)
- 【請求項１】 両者間に収納空間を形成すべく結合した
上ケース及び下ケースと、前記収納空間に収納させたデ
バイスとを備え、前記上下ケースは、その表面にＯＨ基
を有するガラスにより形成し、これらの上下ケースのガ
ラス面同士を原子間結合により直接接合した電子部品。 - 【請求項２】 上下ケースの少なくとも一方に貫通孔を
形成するとともに、この貫通孔のケース外表面部分には
樹脂系ペーストにより外部電極を設けた請求項１に記載
の電子部品。 - 【請求項３】 貫通孔が形成されたケースの外周端面に
内方への凹部を形成し、この凹部内に外部電極の一部を
延長させた請求項２に記載の電子部品。 - 【請求項４】 上下ケースの少なくとも一方は、デバイ
スの外周を囲む枠体と、この枠体の相手側ケースとは反
対側に原子間結合により直接接合した板体とにより形成
した請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項５】 デバイスとして、基板と、その表面に設
けたＡｌ製の電極とにより構成されたＳＡＷデバイスを
用いた請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項６】 デバイスとして、基板と、その表面に設
けたＡｌ製の電極と、この電極に接続した半導体素子と
により構成された半導体装置を用いた請求項１に記載の
電子部品。 - 【請求項７】 収納空間の底部には、突起を形成し、こ
の突起により基板を支持した請求項５又は６に記載の電
子部品。 - 【請求項８】 収納空間にデバイスを収納させた状態
で、その表面にＯＨ基を有するガラスにより形成された
上下ケースを原子間結合により直接接合し、次にデバイ
スの入出力電極に対応するケース部分に設けた貫通孔の
ケース外表面部分から導体を侵入させ、その後、この導
体のケース外表面側に外部電極を形成する電子部品の製
造方法。 - 【請求項９】 導体は、その外表面が導電層となった球
体により構成した請求項８に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項１０】 外部電極は樹脂系ペーストにより形成
した請求項８又は９に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22704593A JP2998510B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 電子部品とその製造方法 |
| KR1019940022714A KR0171921B1 (ko) | 1993-09-13 | 1994-09-09 | 전자부품과 그 제조방법 |
| US08/304,782 US5872331A (en) | 1993-09-13 | 1994-09-12 | Electronic component and method of fabricating same |
| CN94115917A CN1063894C (zh) | 1993-09-13 | 1994-09-12 | 电子零件及其制造方法 |
| DE69404588T DE69404588T2 (de) | 1993-09-13 | 1994-09-13 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP94114374A EP0643482B1 (en) | 1993-09-13 | 1994-09-13 | Electronic component and method of fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22704593A JP2998510B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786442A JPH0786442A (ja) | 1995-03-31 |
| JP2998510B2 true JP2998510B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=16854667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22704593A Expired - Fee Related JP2998510B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2998510B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3913700B2 (ja) | 2003-04-08 | 2007-05-09 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP22704593A patent/JP2998510B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786442A (ja) | 1995-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |