JP4144036B2 - 電子部品用パッケージ及び当該電子部品用パッケージを用いた圧電振動デバイス - Google Patents

Description

本発明は電子機器等に用いられる電子部品用のパッケージに関し、特に気密封止性能を向上させたパッケージ構成および当該パッケージを用いた圧電振動デバイスに関するものである。

気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスがあげられる。これら各製品はいずれも水晶振動板の表面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気から保護するため、気密封止されている。

これら圧電振動デバイスは部品の表面実装化の要求から、セラミックパッケージ内に気密的に収納する構成が増加しており、このようなセラミックパッケージを用いる場合、パッケージ本体とフタとの接合は多種多様の接合方法が検討されている。特開２００4−１０４７６６号には、堤部で囲まれた電子素子収納部を有し、平面視矩形状のパッケージを用い、フタ（リッド）により金属ろうあるいはガラス材を接合材として気密接合する旨が開示されている。パッケージの堤部上部には金属膜層（メタライズ層）を有するとともに、平面視４つの角部には凹状のキャスタレーションが形成されている。

当該キャスタレーションはパッケージにおける内外配線に必要であったり、あるいは製造面においてパッケージをウェハからの切り離す際に必要となる。すなわち、セラミックパッケージの製造は、一般的には、多数個のパッケージがマトリクス状に形成されたウェハで一体的に焼成成形される。その後必要なメッキ処理等が行われて個々のパッケージに切り離されるが、キャスタレーションはこの切り離し作業を容易にする。

ところでウェハから各パッケージへの切り離しは、予め形成されたブレイク溝に沿って小割分割されるが、このブレイク溝形成部分において、微視的に盛り上がる変形部が形成されることがあった。あるいはダイシングにより切り離す場合は、ダイシング時の応力によって、切断部が微視的に変形することがあった。図１０はパッケージ９の切断状態を示す模式的断面図であるが、パッケージ９、９間の切断部Ｃにおいては、金属膜層９１やセラミック層９０において変形部が生じることがある。これはセラミック層のグリーンシートに金属膜層（メタライズ層）のペーストをパターン印刷し、その後ブレイク溝をマトリクス状に形成する際に生じるもので、このブレイク溝形成の際、溝開口部分近傍が微視的に盛り上がる変形部が形成されることがある。この状態で焼成されることにより、変形部がそのまま残った状態となる。また、ウェハからセラミックパッケージをダイシング等により切断する場合においても、切断時に生じる応力により金属膜層が塑性変形し、変形部を形成することがあった。これは後のリッドによる気密封止時に悪影響を与えることがあった。

特に最近のように電子部品が極めて小さくなると、気密封止に用いる接合面は高精度の平坦性が求められる。平坦性が十分でない場合は、変形部９１ａの影響でリッドが部分的に浮くことにより、リッドとパッケージの接触部分の密接性が微視的に見て低下し、例えば電子ビームを用いた接合を行う際においては、十分な接合性を得ることができず、気密不良となることがあった。このような場合、圧電振動デバイスにおいては、周波数等の特性が変化し、電子部品としての信頼性が低下することがあった。
特開２００4−１０４７６６号

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、気密封止における製造歩留まりを向上させるとともに、封止後の信頼性を向上させることのできる電子部品用パッケージ及び圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。

上記の目的を達成するために、本発明は、セラミックパッケージ製造時の生じる変形による悪影響を無くすことのできるパッケージ構成を目指すものであり、次の構成により実現をすることができる。

すなわち請求項１に示すように、電子部品素子収納部の周囲に堤部を有し、当該堤部上部に第１の金属膜層を有するパッケージと、前記第１の金属膜層と接合される第２の金属膜層を有し、前記パッケージを気密封止するリッドと、を具備する電子部品用パッケージであって、
前記パッケージは平面視矩形形状で、外周の角部または／および辺部には凹形のキャスタレーションが形成された構成であり、当該キャスタレーション形成部分の堤部のみにおいて前記第１の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成された引き下がり部が形成されていることを特徴としている。

前述のとおり、セラミックパッケージは一般的にウェハによるバッチ処理で製造を行い、最終段階で当該ウェハから各パッケージへの切断を行う。この金属膜層の切断部分において、金属膜層の外周端部が上方に変形する変形部が生じることがあるが、本発明においては当該金属膜層を堤部端部にまで形成せずに、端部から所定寸法内側へ寄せた、引き下がり部を有する。当該引き下がり部においては、金属膜材料を形成せずに、パッケージのセラミック素地を露出させている構成となる。

このような構成によりブレイク溝形成時に変形部を作り出すことがなく、また個々のパッケージへの切り離し時に、金属膜層に対し無用な応力を直接加えることがないので、変形の生じることもなく、パッケージの堤部上部において平坦性に優れた金属膜層（第１の金属膜層）を得ることができる。このような平坦で変形部が形成されない第１の金属膜層により、第１の金属膜層や引き下がり部を含むセラミックパッケージ上面全面にリッドを搭載しても、セラミックパッケージの第１の金属膜層とリッドの第２の金属膜層とを密接させることができ、接合時の製造歩留まりを向上させることができる。

ところで、第１の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成されている構成、すなわち引き下がり部を有する構成は、堤部の全周に設けることが好ましいが、シールパス幅すなわちパッケージとリッドの接合に寄与する領域を確保するために、一部分に設けても良い。例えばキャスタレーション形成部分と長辺部分や、キャスタレーション形成部分と短辺部分に引き下がり部を設けても良い。また矩形状のパッケージの４つの外周の角部分に引き下がり部を設けても良いし、当該角部にキャスタレーションを設けている場合は、当該キャスタレーション形成部分に引き下がり部を設けてもよい。さらにキャスタレーションはパッケージの辺の部分に設けることもあるが、このような場合は当該キャスタレーション形成部分に引き下がり部を設けても良い。

請求項１は、引き下がり部の場所を特定した構成を示しており、電子部品用パッケージにおいて、前記パッケージは平面視矩形形状で、外周の角部または／および辺部には凹形のキャスタレーションが形成された構成であり、当該キャスタレーション形成の堤部において前記第１の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成されていることを特徴としている。キャスタレーションが角部のみに形成されている場合、あるいは辺部のみに形成している場合、あるいは両者に形成されている場合のいずれかにおいても適用することができる。

ブレイク溝を形成するにあたり、あるいはウェハからパッケージ個々へ切断するにあたり、変形部の生じやすいのは、比較的狭い領域で複雑な形状を有しているキャスタレーション形成部分や角部であることが検証により明らかになっている。これは切断等の処理時に応力が集中することによるものと考えられるが、請求項１に示すように、キャスタレーション形成部分に金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成された構成、すなわち引き下がり部を有する構成とすることにより、金属膜層に変形部が生じることなく、その平坦性を確保することができる。このような平坦で変形部が形成されない第１の金属膜層により、第１の金属膜層や引き下がり部を含むセラミックパッケージ上面全面にリッドを搭載しても、セラミックパッケージの第１の金属膜層とリッドの第２の金属膜層とを密接させることができ、接合時の製造歩留まりを向上させることができる。

また請求項２に示すように、上記構成において、前記引き下がり部の引き下がり寸法は０．０３〜０．１ｍｍであることを特徴とする構成であってもよい。

さらに請求項３はパッケージの変形に対して、パッケージの工夫とリッドの工夫によりその悪影響を除去した構成である。すなわち、前記リッドの角部の一部または全部に面取り部を有していることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子部品用パッケージ構成である。

前述のとおり、変形部の生じやすいのは、比較的狭い領域で複雑な形状を有しているキャスタレーション形成部分や角部である。従って、平面視矩形状のパッケージの角部やキャスタレーションが形成されている角部に対応する位置に、リッドの角部が当接しないような面取り部を有する構成により、パッケージの第１の金属膜層の平坦部分のみがリッドと密接することになるので、気密封止を確実に行うことができる。

請求項３に示すように、角部に面取り部を有している平面視矩形形状のリッドにより、前記パッケージを気密接合することにより、パッケージの角部に意図しない変形部が形成されたとしても、面取り部により変形部を回避することができ、気密封止時の接合信頼性を向上させることができる。

また請求項４に示すように、 前記キャスタレーションは平面視矩形形状のパッケージの４角に形成され、当該角部分において前記第１の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成された引き下がり部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３に記載の電子部品用パッケージであってもよい。

請求項５は、リッドとパッケージの接合手段を特定したものであり、請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品用パッケージにおいて、前記リッドとパッケージの気密接合がエネルギービーム接合あるいはシーム接合であることを特徴としている。

周知のとおり、エネルギービームは、電子ビームであるとかレーザービームによる接合を例示することができるが、近年電子部品用パッケージの気密封止にも用いられている。またシーム接合は、抵抗溶接による接合の一種であるが、これも電子部品用パッケージの気密封止によく用いられている。いずれの接合手段も接合時において、リッドとパッケージの密着性が求められるもので、請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品用パッケージを用いることにより、変形部を形成しないあるいは変形部を避けた接合を行うことができるので、気密封止の信頼性を向上させることができる。特にエネルギービームによる接合は、ビーム照射時にパッケージの金属膜層（第１の金属膜層）とリッドの金属膜層（第２の金属膜層）がより密着していることが求められ、前述の電子部品用パッケージ構成は接合性向上に有効に機能する。

請求項６は、請求項１乃至５のいずれかに記載の電子部品用パッケージを用い、前記電子部品素子収納部に、少なくとも励振電極形成された圧電振動素子を収納したことを特徴とする圧電振動デバイスである。例えば水晶振動子等は不活性ガスあるいは真空雰囲気中に格納することが求められ、かつその特性を安定化させるために高精度な気密性も求められている。上述のような構成によれば、気密封止時の製造歩留まり等の製造性を向上させるとともに、その後の気密封止信頼性を向上させることができるので、極めて安定した特性の圧電振動デバイスを得ることができる。

本発明によれば、セラミックパッケージ製造時の生じる変形による悪影響を無くすことができ、気密封止における製造歩留まり等の製造性を向上させるとともに、封止後の信頼性を向上させることのできる電子部品用パッケージ及び圧電振動デバイスを得ることができる。

以下、本発明による好ましい実施の形態について図面に基づいて説明する。
本発明による第１の実施の形態を表面実装型の水晶振動子を例にとり図１、図２とともに説明する。図１は本実施の形態を示す分解斜視図、図２は図１を組み立てた場合の平面図である。表面実装型水晶振動子は、上部が開口した凹部を有するセラミックパッケージ１と、当該パッケージの中に収納される圧電振動板である音叉型水晶振動板２と、パッケージの開口部に接合されるリッド３とからなる。

セラミックパッケージ１はアルミナ等のセラミックと導電材料を適宜積層した構成であり、断面でみて凹形で、電子素子収納部１０を有する構成である。電子素子収納部周囲の堤部１１の上面は平坦であり、当該堤部上に周状の第１の金属膜層１１ａが形成されている。当該第１の金属膜層１１ａの上面も平坦になるよう形成されており、タングステン、ニッケル、金の順で金属膜層を構成している。タングステンはメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、またニッケル、金の各層はメッキ技術により形成される。

セラミックパッケージ外周の４角には上下方向に伸長するキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。当該キャスタレーションは円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成であり、前述のとおりウェハからの小割切断時に必要となる。

キャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４上面の堤部上においては、第１の金属膜層１１ａが形成されない引き下がり部１ａがそれぞれ形成されている。引き下がり部１ａはキャスタレーションによってできる角部を含んで形成され、ウェハからの切り離し時に変形部が形成されにくい構成となっている。すなわち、キャスタレーション部分においては金属膜層が形成されないため、複数のセラミックパッケージが形成されたウェハにマトリクス状のブレイク溝を形成する際に、キャスタレーション部分近傍の金属膜層に変形部を形成することがなくなる。またウェハからの切り離し時の応力が当該金属膜層に伝わることがなく、金属膜層に塑性変形による変形部が形成されにくくなる。このため、第１の金属膜層全体として微視的に見ても上方に突出する部分を有さないので、良好な平坦性を確保することができる。

前述の引き下がり部の寸法は、０.０３ｍｍ〜０.１ｍｍが好ましく、より好ましくは０.０４ｍｍ〜０.０７ｍｍである。０.０３ｍｍより小さいと残りの金属膜層に対しブレイク溝形成時の変形層が形成されてしまい、金属膜層の平坦度が悪化する可能性が高くなる。またメタライズパターンが印刷形成時の誤差により形成されなくなる可能性もある。また引き下がり寸法が０.１ｍｍ以上になると気密封止に寄与するシールパス領域が小さくなり、気密封止性能を低下させることがある。なお、セラミックパッケージの積層形成誤差を考慮すると、０.０４ｍｍ〜０.０７ｍｍの引き下がり部の寸法が好ましい。当該引き下がり部の寸法はセラミックパッケージサイズが変化しても、電子部品用のサイズのパッケージに対してはほぼ適用することができる。

なお、第１の金属膜層１１ａはセラミックパッケージ形成されたビアホール（図示せず）あるいは前記キャスタレーション部分に形成された導電膜（図示せず）により、セラミックパッケージ下面（裏面）に形成された外部接続電極（図示せず）に電気的に接続され、最終的にアース接続される。

セラミックパッケージ１の内部底面には電極パッド１２、１３が形成されており、これら電極パッドは連結電極（図示せず）を介して、パッケージ外部の底面に形成された外部接続電極１４，１５（図示せず）にそれぞれ入出力端子として引き出されている。

前記電極パッド１２，１３間には圧電振動板である音叉型水晶振動板２が搭載されている。音叉型水晶振動板２は周知のとおり、１対の振動椀部とこれら振動椀部を連結する基部とからなる。図示していないが、一方の振動椀部の表裏面と他方の振動椀部の両側面に形成された励振電極を共通接続することにより一方の電極組とし、一方の振動椀部の両側面と他方の振動椀部の表裏面に形成された励振電極を共通接続することにより他方の電極組とし、それぞれの電極組に交流電圧を引加することにより音叉屈曲振動を励起する。これら各電極組は基部に形成された引出電極に引き出され、前記セラミックパッケージの電極パッド１２，１３と、図示しない導電性接合材により導電接合されている。

セラミックパッケージを気密封止するリッド３は平面視矩形状の平板構成である。当該リッド３は、コバールからなるコア材３１に第２の金属膜層３２として金属ろう材が形成された構成であり、より詳しくは、例えば上面からニッケル層、コバールコア材、銅層、銀ろう層の順の多層構成であり、第２の金属膜層である銀ろう層がセラミックパッケージの第１の金属膜層と接合される構成となる。なお、リッドの平面視外形はセラミックパッケージの当該外形と同じである。

セラミックパッケージ１の電子素子収納部１０に音叉型水晶振動板２を格納し、電極パッド１２，１３と音叉型水晶振動板２の引出電極とを半田や導電性樹脂接着剤（導電フィラーを添加した樹脂接着剤）により導電接合する。その後、真空雰囲気中にて気密封止を行う。本実施の形態においては、電子ビームを熱源として前記リッドに形成された銀ろうを溶融硬化させ、気密封止を行う。具体的には、図２（ａ）,（ｂ）に示すようにセラミックパッケージの第１の金属膜層上にリッド３を搭載し、この状態を図示しない治具にて固定する。なお、図２（ａ）はリッドをセラミックパッケージに搭載した際の平面図であり、リッド３の下方に位置するパッケージ構成は点線で示している。また図２（ｂ）はリッドに対して電子ビーム照射領域を示したもので、セラミックパッケージの構成については図示していない。そして真空雰囲気中において、リッドの外周近傍に沿ってエネルギービームとして電子ビームを照射する。照射領域Ｍは加熱され、下方にある銀ろう層が溶融後、硬化し、第１の金属膜層と第２の金属膜層が接合される。

電子ビームによる気密封止は、セラミックパッケージの堤部１１に形成された第１の金属膜層１１ａの平坦性とリッドに形成された第２の金属膜層３２との平坦性が良好であることが求められるが、本発明によれば、両者の平坦性が良好であるので信頼性の高い気密封止を行うことができる。この平坦性の確保はパッケージ角部の引き下がり部の上方にリッドを配置させることを可能にし、前述のとおり、リッドとパッケージの平面視外形を等しくすることができる。このような構成によりシールパス領域（気密封止に適用する領域）を拡大させることができ、このようなエネルギービーム封止の気密封止性を向上させるには有効である。

また気密封止はシーム溶接による接合を用いてもよい。シーム接合の場合はセラミックパッケージ平面視外形に対してリッドのサイズは小さなものを選ぶことにより、シーム接合をより効率的に行うことができる。このように接合方法に応じてセラミックパッケージとリッドのサイズを決定すればよい。

本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えばセラミックパッケージに形成された第１の金属膜層の構成として、図３、図４、図５に示す構成をあげることができる。図３は、セラミックパッケージの平面図を示しており、セラミックパッケージ外周に形成された堤部の上面には第１の金属膜層１７が形成されている。当該第１の金属膜層１７においては、キャスタレーションの形成により新たに形成された角部において金属膜層が形成されない構成となっている。すなわち引き下がり部１ｂが、新たな各角部分について形成されている。従来技術の問題点にあげた変形部は当該角部に顕著に現れる傾向がある。本案はこのような現象に対するものであり、他の部分において金属膜層を残すことにより、接合領域を確保することができ、接合方法によっては有効に機能する場合がある。

また図４もセラミックパッケージ１の平面図を示しており、セラミックパッケージ外周に形成された堤部の上面には第１の金属膜層１８が形成されている。当該第１の金属膜層１８においては、全周に渡って堤部の外周端部より内側に形成された、引き下がり部１ｃを有する構成である。本実施の形態においては、全周において引き下がり部を有しているので、セラミックパッケージをウェハから切り離す際に生じる変形部の影響をなくすことができ、第１の金属膜層の平坦性を確保できるので気密封止の信頼性を向上させることができる。

図５に示すセラミックパッケージの平面図はキャスタレーション部分と長辺部分のみ引き下がり部を有する構成である。変形部が形成される箇所は、平面視矩形状のセラミックパッケージの場合、短辺においては比較的変形部が形成されにくいことが検証実験で確かめられている。従って本件例示は当該短辺においては引き下がり部を形成しない構成とすることにより、接合領域を確保し、全体的な接合強度を良好にすることを目指した構成である。

本発明による第２の実施の形態について、図６の分解斜視図、図７の平面図とともに説明する。本実施の形態はリッド側の工夫により気密封止性能を向上させるものである。表面実装型水晶振動子は、上部が開口した凹部を有するセラミックパッケージ４と、当該パッケージの中に収納される圧電振動板である矩形水晶振動板５と、パッケージの開口部に接合されるリッド６とからなる。

セラミックパッケージ４はアルミナ等のセラミックと導電材料を積層した構成であり、断面でみて凹形で、電子素子収納部４０を有する構成である。電子素子収納部周囲の堤部４１の上面は平坦であり、当該堤部上の全面に周状の第１の金属膜層４１ａが形成されている。当該第１の金属膜層４１ａの上面も平坦になるよう形成されており、タングステン、ニッケル、金の層構成を有している。タングステンはメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、またニッケル、金の各層はメッキ技術により形成される。

セラミックパッケージ外周の４角には上下方向に伸長するキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。当該キャスタレーションは円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成であり、前述のとおりウェハからの小割切断時に必要となる。

なお、第１の金属膜層４１ａはセラミックパッケージに形成されたビアホール（図示せず）あるいは前記キャスタレーション部分に形成された導電膜により、セラミックパッケージ下面（裏面）に形成された外部接続電極４６（図示せず）に電気的に接続され、最終的にアース接続される。

セラミックパッケージ４の内部底面には電極パッド４２、４３が形成されており、これら電極パッドは連結電極（図示せず）を介して、パッケージ外部の底面に形成された外部接続電極４４，４５（図示せず）にそれぞれ入出力端子として引き出されている。

前記電極パッド４２，４３間には圧電振動板であるＡＴカット水晶振動板５が搭載されている。ＡＴカット水晶振動板５には、図示していないがその表裏に一対の励振電極が形成された構成であり、当該励振電極から引出電極が外周端部に引き出されている。当該引出電極は、前記セラミックパッケージの電極パッド４２，４３と、図示しない導電性接合材により導電接合されている。これによりＡＴカット水晶振動板の長辺方向一端を片持ち保持される構成となっている。

セラミックパッケージ４を気密封止するリッド６は平面視矩形状の平板構成である。当該リッド６は、コバールからなるコア材６１に第２の金属膜層６２として金属ろう材が形成された構成であり、例えば、ニッケル層、コバールコア材、銀ろう層の多層構成であり第２の金属膜層である銀ろう層がセラミックパッケージの第１の金属膜層と接合される構成となる。当該リッド６の４つの角部はそれぞれ面取り部６ａが形成されている。本実施の形態においては、面取り部６ａは曲率を有する凹形の面取り構成であり、その大きさは図７に示すように、セラミックパッケージのキャスタレーションのサイズよりも大きなサイズに設定されている。より具体的にはリッドの外形サイズ自体はセラミックパッケージの平面視サイズとほぼ同様であるが、キャスタレーションの曲率部の曲率半径より、リッドの面取り部６ａの曲率半径が大きく設定されている。

セラミックパッケージ４の電子素子収納部４０にＡＴカット水晶振動板５を格納し、電極パッド４２，４３とＡＴカット水晶振動板５の引出電極とを導電性樹脂接着剤（導電フィラーを添加した樹脂接着剤）により導電接合する。その後、真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中にて気密封止を行う。気密封止方法は、前述の電子ビーム等のエネルギービームであっても良いし、シーム溶接を用いた接合であっても良い。またリッドに形成された銀ろうに代えて、より融点の低いろう材を用い加熱炉等により加熱を行う雰囲気加熱方法であってもよい。

本実施の形態においては、セラミックパッケージは従前と同じように、堤部の外周端部まで金属膜層を形成した構成である。よって、ウェハからパッケージへの分離の際にキャスタレーション形成部分の金属膜層上に変形部が形成されることがあるが、この場合でも前述のリッドの面取り部６ａが当該変形部を回避する。これによりリッドが部分的に浮き上がることを防ぎ、セラミックパッケージに形成された第１の金属膜層４１ａと、リッドに形成された第２の金属膜層６２が密接し、気密封止における信頼性が向上する。

このような面取りを行ったリッドを第１の実施の形態に用いたセラミックパッケージ構成すなわち引き下がり部を有する構成に適用してもよい。図８は気密封止された電子部品用パッケージの平面図であるが、ここで用いるセラミックパッケージ１は第１の実施の形態に用いた構成と同様であり、各キャスタレーション形成部分の堤部上部に引き下がり部を形成している。またリッド６２は第２の実施の形態に用いた構成と同様であり、各角部に面取り部６２ａを有している。リッドの外形サイズは、図８に示すように金属膜層の外形より小さな構成となっているが、一部キャスタレーション部分においては、引き下がり部にまではみ出した構成となっている。図８においても点線表示部がリッドの下方に位置する構成部分を示している。なお、リッドは金属膜層の外形と同様のサイズであってもよい。

図９は他の例を示す平面図である。図９（ａ）はセラミックパッケージの平面図、図９（ｂ）はリッドの平面図、図９（ｃ）はセラミックパッケージをリッドで閉蓋した状態の平面図である。図９（ａ）に示すように、平面視矩形状のセラミックパッケージ７において、４つの角部にキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を設けるとともに、各長辺にそれぞれにキャスタレーションＣ５，Ｃ６が形成されている場合を示している。このうち角部のキャスタレーションについては、キャスタレーションＣ４についてのみ引き下がり部７ａが形成され、キャスタレーションＣ５，Ｃ６についても引き下がり部７ｂ、７ｂが形成されている。引き下がり部７ａは平坦性確保のためと、セラミックパッケージの方向性の明示にも寄与する。

図９（ｂ）に示すように気密封止に用いるリッド８は平面視矩形状であり、前記キャスタレーションＣ４に対応する部分以外の角部はそれぞれ直線上の面取り部８ａが形成されている。また角部８２は面取り処理が施されていないが、引き下がり部７ａに対応して配置されるので、気密封止性に悪影響を与えない。なお、キャスタレーションＣ５，Ｃ６についても引き下がり部７ｂ、７ｂが形成されていることにより、金属膜層の平坦性を保つことができ、良好な気密封止に寄与する。

以上の各実施の形態において、リッドの面取りは一部のみに対して行ってもよい。またセラミックパッケージに引き下がり部を有する構成を形成する場合は、実施の形態に示した各構成と組み合わせてもよいし、また実施例に限定されない構成との組み合わせも可能である。

なお、上記各実施形態の例示においては、音叉型水晶振動板やＡＴカット水晶振動板を用いた表面実装型の水晶振動子を例示したが、水晶フィルタや、水晶振動板と他の電子素子をパッケージに格納した構成であってもよい。また圧電振動板も圧電セラミック振動板等、他の圧電材料を用いてもよく、他の電子部品素子に適用してもよく、上記実施形態の例示に限定されるものではない。

水晶振動子をはじめとする電子部品の量産に適用できる。

第１の実施形態による水晶発振器の開蓋状態の分解斜視図。 第１の実施形態による閉蓋した状態の平面図。 他の実施の形態を示す平面図。 他の実施の形態を示す平面図。 他の実施の形態を示す平面図。 第２の実施形態による水晶発振器の開蓋状態の分解斜視図。 第２の実施形態による閉蓋した状態の平面図。 他の実施の形態を示す図 他の実施の形態を示す図 従来例を説明する図

符号の説明

１、４ セラミックパッケージ
１ａ 引き下がり部
１１、４１ 堤部
１２、４２ 電極パッド
１３、４３ 電極パッド
２ 音叉型水晶振動板
３、６ リッド
５ ＡＴカット水晶振動板

Claims (6)

1. 電子部品素子収納部の周囲に堤部を有し、当該堤部上部に第１の金属膜層を有するパッケージと、前記第１の金属膜層と接合される第２の金属膜層を有し、前記パッケージを気密封止するリッドと、を具備する電子部品用パッケージであって、
   前記パッケージは平面視矩形形状で、外周の角部または／および辺部には凹形のキャスタレーションが形成された構成であり、当該キャスタレーション形成部分の堤部のみにおいて前記第１の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成された引き下がり部が形成されていることを特徴とする電子部品用パッケージ。
2. 前記引き下がり部の引き下がり寸法は０．０３〜０．１ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の電子部品用パッケージ。
3. 前記リッドの角部の一部または全部に面取り部を有していることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子部品用パッケージ。
4. 前記キャスタレーションは平面視矩形形状のパッケージの４角に形成され、当該角部分において前記第１の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成された引き下がり部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子部品用パッケージ。
5. 前記リッドとパッケージの気密接合がエネルギービーム接合あるいはシーム接合であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品用パッケージ。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の電子部品用パッケージを用い、前記電部品素子収納部に、少なくとも励振電極形成された圧電振動素子を収納したことを特徴とする圧電振動デバイス。

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