JP5070973B2 - 蓋体集合体および当該蓋体集合体を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 - Google Patents
蓋体集合体および当該蓋体集合体を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5070973B2 JP5070973B2 JP2007197303A JP2007197303A JP5070973B2 JP 5070973 B2 JP5070973 B2 JP 5070973B2 JP 2007197303 A JP2007197303 A JP 2007197303A JP 2007197303 A JP2007197303 A JP 2007197303A JP 5070973 B2 JP5070973 B2 JP 5070973B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- assembly
- sealing material
- base
- lid
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 108
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K silver phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])([O-])=O FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940019931 silver phosphate Drugs 0.000 description 1
- 229910000161 silver phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B tin(4+);tetraphosphate Chemical compound [Sn+4].[Sn+4].[Sn+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
前記凹部を気密封止する蓋体がマトリクス状に一体形成された蓋体集合体であって、
少なくとも前記蓋体集合体の前記ベース集合体との接合面側には、複数の前記ベースの堤部上面と一対一で対応する位置に周状の封止材が複数形成されているとともに、前記封止材の内周縁が前記堤部の内壁面よりも内側の位置まで張り出して形成され、隣接する蓋体間にも封止材が形成された蓋体集合体を用いて、前記凹部を加熱雰囲気中にて一括気密封止する封止工程と、
一括気密封止された前記蓋体集合体と前記ベース集合体とを分割切断して、複数の圧電振動デバイスを得る切断工程とを、有する圧電振動デバイスの製造方法であるので、各ベースの堤部上面に一対一で、各蓋体に形成された封止材を集合基板状態で載置することができるため、確実で効率的な気密封止を行うことができる。
−第1の実施形態−
本発明の第1の実施形態を図1乃至図2を用いて説明する。図1は本発明の第1の実施形態を示すベース集合体と蓋体集合体の斜視図であり、図2は本発明の第1の実施形態を示すベース集合体と蓋体集合体の断面図である。なお、図1乃至図2においてベース集合体の内部に形成された配線導体の記載は省略している。
本発明の第2の実施形態を図3乃至図4を用いて説明する。図3は本発明の第2の実施形態を示すベース集合体と蓋体集合体の斜視図であり、図4は本発明の第2の実施形態を示すベース集合体と蓋体集合体の断面図である。なお、図3乃至図4においてベース内部に形成された配線導体の記載は省略している。なお、前述の実施形態と同様の構成については、同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。
本発明の第3の実施形態を図5および図6を用いて説明する。図5は本発明の第3の実施形態を示すベース集合体と蓋体集合体の断面図である。図6は図5のA部拡大図である。なお、前述の実施形態と同様の構成については、同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。
本発明の第4の実施形態を図7を用いて説明する。図7は本発明の第4の実施形態を示すベース集合体と蓋体集合体の断面図の一部である。なお、前述の実施形態と同様の構成については、同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。
2 蓋体集合体
3 水晶振動素子
4 搭載パッド
5 導電性接合材
6 凹部
7 堤部
8 外部接続端子
S11、S12 第1の封止材
S21、S22、S23、S24 第2の封止材
D ダイシング予定ライン
Claims (2)
- 上部に凹部と、前記凹部を包囲する環状の堤部と、前記堤部の上面にダイシング予定ラインを挟んで一定間隔で離間した状態で形成された封止材を具備するベースが、マトリクス状に複数かつ一体形成されたベース集合体の各凹部に、少なくとも圧電振動素子を搭載する搭載工程と、
前記凹部を気密封止する蓋体がマトリクス状に一体形成された蓋体集合体であって、
少なくとも前記蓋体集合体の前記ベース集合体との接合面側には、複数の前記ベースの堤部上面と一対一で対応する位置に周状の封止材が複数形成されているとともに、前記封止材の内周縁が前記堤部の内壁面よりも内側の位置まで張り出して形成され、隣接する蓋体間にも封止材が形成された蓋体集合体を用いて、前記凹部を加熱雰囲気中にて一括気密封止する封止工程と、
一括気密封止された前記蓋体集合体と前記ベース集合体とを分割切断して、複数の圧電振動デバイスを得る切断工程とを、有する圧電振動デバイスの製造方法。 - 前記封止材が金属、あるいは低融点ガラスからなり、前記封止工程では前記封止材の加熱溶融によって一括気密封止が行われることを特徴とする請求項1に記載の圧電振動デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007197303A JP5070973B2 (ja) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 蓋体集合体および当該蓋体集合体を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007197303A JP5070973B2 (ja) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 蓋体集合体および当該蓋体集合体を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009033613A JP2009033613A (ja) | 2009-02-12 |
JP5070973B2 true JP5070973B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=40403592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007197303A Active JP5070973B2 (ja) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 蓋体集合体および当該蓋体集合体を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5070973B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009218482A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP2011160115A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
JP5398689B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-01-29 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2013098594A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
JP6394055B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-09-26 | 日本電気硝子株式会社 | セラミック−ガラス複合パッケージの製造方法及びセラミック−ガラス複合パッケージ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3463381B2 (ja) * | 1994-11-10 | 2003-11-05 | 株式会社大真空 | 表面実装型電子部品の製造方法 |
JP3432988B2 (ja) * | 1996-01-18 | 2003-08-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品パッケージ用金属製リッド基板、及び金属製リッドの製造方法 |
JPH11274881A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Sii Quartz Techno:Kk | 水晶振動子及びその製造方法 |
JP3401781B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2003-04-28 | 株式会社大真空 | 電子部品用パッケージおよび電子部品用パッケージの製造方法 |
JP2003163299A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Nippon Filcon Co Ltd | 電子素子パッケージ用封止キャップとその製造方法及びそのキャップを用いた封止方法 |
JP4758123B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-08-24 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP4673670B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-04-20 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2007166435A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Daishinku Corp | 水晶振動デバイス |
-
2007
- 2007-07-30 JP JP2007197303A patent/JP5070973B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009033613A (ja) | 2009-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7969072B2 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
JP5482788B2 (ja) | パッケージ部材集合体、パッケージ部材集合体の製造方法、パッケージ部材、およびパッケージ部材を用いた圧電振動デバイスの製造方法 | |
WO2014077278A1 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JPWO2006001125A1 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2011147054A (ja) | 電子装置、および、電子装置の製造方法 | |
JP2009124688A (ja) | 圧電振動デバイス用パッケージおよび圧電振動デバイス | |
JP5070973B2 (ja) | 蓋体集合体および当該蓋体集合体を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
US7876168B2 (en) | Piezoelectric oscillator and method for manufacturing the same | |
JP5251224B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法および圧電振動デバイス | |
JP5853702B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP5152012B2 (ja) | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2009246583A (ja) | 圧電振動デバイス | |
US12028042B2 (en) | Piezoelectric resonator device having a through hole and through electrode for conduction with an external electrode terminal | |
US20220131519A1 (en) | Piezoelectric vibrating device | |
JP2013098594A (ja) | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2013051560A (ja) | 圧電デバイス | |
JP5252992B2 (ja) | 水晶発振器用パッケージおよび水晶発振器 | |
JP2008252442A (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP5171148B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP2008289055A (ja) | シート基板とシート基板を用いた圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP6993220B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール | |
JP2008182468A (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP4144036B2 (ja) | 電子部品用パッケージ及び当該電子部品用パッケージを用いた圧電振動デバイス | |
JP4373309B2 (ja) | 電子部品用パッケージ | |
JP4893602B2 (ja) | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの気密封止方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5070973 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |