JP2001320256A - 圧電振動デバイスの気密封止方法 - Google Patents
圧電振動デバイスの気密封止方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超小型化が可能で、気密封止時の飛散金属が
パッケージ内部に入りにくい圧電振動デバイスの気密封
止方法を提供する。 【解決手段】 パレットＰに水晶振動板の搭載されたセ
ラミックパッケージ１を搭載し、金属フタ３により閉口
し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板Ｇを搭
載し、金属フタ３を押圧固定する。また押圧機構Ｔによ
り、セラミックパッケージ下面を矢印で示す上方に押圧
する。この状態で前記密着部分をレーザービーム溶接す
る。
パッケージ内部に入りにくい圧電振動デバイスの気密封
止方法を提供する。 【解決手段】 パレットＰに水晶振動板の搭載されたセ
ラミックパッケージ１を搭載し、金属フタ３により閉口
し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板Ｇを搭
載し、金属フタ３を押圧固定する。また押圧機構Ｔによ
り、セラミックパッケージ下面を矢印で示す上方に押圧
する。この状態で前記密着部分をレーザービーム溶接す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気密封止を必要とす
る圧電振動デバイスの気密封止方法に関するものであ
る。
る圧電振動デバイスの気密封止方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器あるいは弾
性表面波装置等の圧電体応用製品があげられる。これら
はいずれも水晶振動板（圧電振動板）の表面に金属薄膜
電極を形成し、この金属薄膜電極を外気から保護するた
め、気密封止されている。
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器あるいは弾
性表面波装置等の圧電体応用製品があげられる。これら
はいずれも水晶振動板（圧電振動板）の表面に金属薄膜
電極を形成し、この金属薄膜電極を外気から保護するた
め、気密封止されている。
【０００３】例えば表面実装型水晶振動子でよく用いら
れている気密封止方法は、シーム溶接等の抵抗溶接、超
音波溶接、電子ビーム溶接等がある。シーム溶接による
気密封止方法の例としては、特開平７−３２６６８７号
の従来例に示すように、セラミックパッケージの開口部
分に形成されたシールリング（金属枠体）と金属製のフ
タとを、抵抗溶接の１種であるシーム溶接により気密封
止した例が開示されている。シーム溶接は一般的に、露
点管理された窒素ガス雰囲気内で行われ、従って気密封
止されたパッケージ内には窒素ガスが充填されている。
しかしながら最近の水晶振動子の超小型化に伴い、水晶
振動板もより小型化され、駆動時の抵抗を軽減するため
真空雰囲気による気密封止が要求されるようになった。
ところがシーム溶接を真空中で行うためには大型のチャ
ンバーが必要となり、装置自体が大型化かつ高額になる
という欠点を有していた。
れている気密封止方法は、シーム溶接等の抵抗溶接、超
音波溶接、電子ビーム溶接等がある。シーム溶接による
気密封止方法の例としては、特開平７−３２６６８７号
の従来例に示すように、セラミックパッケージの開口部
分に形成されたシールリング（金属枠体）と金属製のフ
タとを、抵抗溶接の１種であるシーム溶接により気密封
止した例が開示されている。シーム溶接は一般的に、露
点管理された窒素ガス雰囲気内で行われ、従って気密封
止されたパッケージ内には窒素ガスが充填されている。
しかしながら最近の水晶振動子の超小型化に伴い、水晶
振動板もより小型化され、駆動時の抵抗を軽減するため
真空雰囲気による気密封止が要求されるようになった。
ところがシーム溶接を真空中で行うためには大型のチャ
ンバーが必要となり、装置自体が大型化かつ高額になる
という欠点を有していた。
【０００４】一方真空雰囲気で気密封止する方法とし
て、レーザービーム溶接、電子ビーム溶接による気密封
止がある。例えばレーザービーム溶接による封止方法
が、特開平８−４６０７５号に開示されている。
て、レーザービーム溶接、電子ビーム溶接による気密封
止がある。例えばレーザービーム溶接による封止方法
が、特開平８−４６０７５号に開示されている。
【０００５】ところが、このような各種ビーム溶接にお
いても、溶接時にはパッケージ上に金属フタを位置決め
固定する治具が必要となる。図６は電子ビーム溶接ある
いはレーザービーム溶接時の内部断面図であり、図７は
押さえ治具Ｐによる押さえしろ９１を示す平面図であ
る。図６において、７はセラミックパッケージであり、
その内部に水晶振動板８が収納されている。またセラミ
ックパッケージ７の堤部７０ａ上部には多層金属膜から
なる金属シール部７１が形成され、当該金属シール部７
１と金属フタ９とレーザービーム溶接する。なお、図６
中Ｂはビーム放射器である。
いても、溶接時にはパッケージ上に金属フタを位置決め
固定する治具が必要となる。図６は電子ビーム溶接ある
いはレーザービーム溶接時の内部断面図であり、図７は
押さえ治具Ｐによる押さえしろ９１を示す平面図であ
る。図６において、７はセラミックパッケージであり、
その内部に水晶振動板８が収納されている。またセラミ
ックパッケージ７の堤部７０ａ上部には多層金属膜から
なる金属シール部７１が形成され、当該金属シール部７
１と金属フタ９とレーザービーム溶接する。なお、図６
中Ｂはビーム放射器である。
【０００６】ところで、図６、図７に示すように電子ビ
ーム溶接あるいはレーザービーム溶接を行う際、金属フ
タ９の周囲を押さえ治具Ｐで固定し、完全に密着させる
必要があり、このような固定手段を用いることにより、
溶接を確実にしている。しかしながら、水晶振動子の超
小型化により、押さえ治具を用いると図７に示すように
金属フタ９に押さえしろ９１が必要となるため、溶接領
域が狭くなり溶接の信頼性が低下することがあった。逆
に溶接領域を確保した場合、水晶振動板の格納スペース
が小さくなり、アッセンブリが難しくなったり、水晶振
動板の設計が難しくなるという問題があり、従って、当
該溶接方法も水晶振動子の超小型化に対応させることが
困難になっていた。また、押さえしろの内側をレーザー
溶接することになるので、溶接時の飛散金属がパッケー
ジ内部に侵入することがあり、例えばこれが水晶振動板
に付着した場合、水晶振動デバイスとしての電気的特性
を低下させる原因にもなっていた。
ーム溶接あるいはレーザービーム溶接を行う際、金属フ
タ９の周囲を押さえ治具Ｐで固定し、完全に密着させる
必要があり、このような固定手段を用いることにより、
溶接を確実にしている。しかしながら、水晶振動子の超
小型化により、押さえ治具を用いると図７に示すように
金属フタ９に押さえしろ９１が必要となるため、溶接領
域が狭くなり溶接の信頼性が低下することがあった。逆
に溶接領域を確保した場合、水晶振動板の格納スペース
が小さくなり、アッセンブリが難しくなったり、水晶振
動板の設計が難しくなるという問題があり、従って、当
該溶接方法も水晶振動子の超小型化に対応させることが
困難になっていた。また、押さえしろの内側をレーザー
溶接することになるので、溶接時の飛散金属がパッケー
ジ内部に侵入することがあり、例えばこれが水晶振動板
に付着した場合、水晶振動デバイスとしての電気的特性
を低下させる原因にもなっていた。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、ビーム溶接を用いた気密封止を行う圧電
振動デバイスにおいて、圧電振動デバイスの超小型化が
可能で、かつ気密封止時の飛散金属がパッケージ内部に
入りにくい圧電振動デバイスの気密封止方法を提供する
ことを目的としている。
されたもので、ビーム溶接を用いた気密封止を行う圧電
振動デバイスにおいて、圧電振動デバイスの超小型化が
可能で、かつ気密封止時の飛散金属がパッケージ内部に
入りにくい圧電振動デバイスの気密封止方法を提供する
ことを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、請求項１に示すように、表面の周囲に
第１の金属シール部が形成されたセラミックパッケージ
と、当該セラミックパッケージに搭載される圧電振動板
と、前記第１の金属シール部とビーム溶接により気密接
合される第２の金属シール部を有するフタとからなる圧
電振動デバイスの気密封止方法であって、気密接合時
に、フタの上面を前記ビームを透過させる透過板により
押圧固定し、前記第１の金属シール部と第２の金属シー
ル部とを密着させ、当該密着状態でビーム溶接を行うこ
とを特徴としている。
めに、本発明は、請求項１に示すように、表面の周囲に
第１の金属シール部が形成されたセラミックパッケージ
と、当該セラミックパッケージに搭載される圧電振動板
と、前記第１の金属シール部とビーム溶接により気密接
合される第２の金属シール部を有するフタとからなる圧
電振動デバイスの気密封止方法であって、気密接合時
に、フタの上面を前記ビームを透過させる透過板により
押圧固定し、前記第１の金属シール部と第２の金属シー
ル部とを密着させ、当該密着状態でビーム溶接を行うこ
とを特徴としている。
【０００９】また請求項２に示すように、上部が開口
し、当該開口により形成される堤部上に第１の金属シー
ル部が形成されたセラミックパッケージと、当該セラミ
ックパッケージ内に搭載される圧電振動板と、前記第１
の金属シール部とシーム溶接により気密接合される第２
の金属シール部の形成された金属フタとからなる圧電振
動デバイスの気密封止方法であって、気密接合時に、金
属フタの上面を前記ビームを透過させる透過板により押
圧固定し、前記第１の金属シール部と第２の金属シール
部とを密着させ、当該密着状態でビーム溶接を行っても
よい。
し、当該開口により形成される堤部上に第１の金属シー
ル部が形成されたセラミックパッケージと、当該セラミ
ックパッケージ内に搭載される圧電振動板と、前記第１
の金属シール部とシーム溶接により気密接合される第２
の金属シール部の形成された金属フタとからなる圧電振
動デバイスの気密封止方法であって、気密接合時に、金
属フタの上面を前記ビームを透過させる透過板により押
圧固定し、前記第１の金属シール部と第２の金属シール
部とを密着させ、当該密着状態でビーム溶接を行っても
よい。
【００１０】このような製造方法により、透過板がフタ
を押圧固定しており、透過板をレーザービーム、電子ビ
ームが透過し、下のフタあるいは各金属シール部が加熱
される。従って、従来のように押さえ治具を必要とせ
ず、従来発生していた溶接に寄与しない押さえしろをな
くすことができる。また、従来のように押さえしろの内
側をビーム溶接することもないので、溶接時のスプラッ
シュによる飛散金属がパッケージ内部に侵入する機会が
減少する。なお、透過板の例として例えば耐熱性の高い
ガラス板をあげることができる。
を押圧固定しており、透過板をレーザービーム、電子ビ
ームが透過し、下のフタあるいは各金属シール部が加熱
される。従って、従来のように押さえ治具を必要とせ
ず、従来発生していた溶接に寄与しない押さえしろをな
くすことができる。また、従来のように押さえしろの内
側をビーム溶接することもないので、溶接時のスプラッ
シュによる飛散金属がパッケージ内部に侵入する機会が
減少する。なお、透過板の例として例えば耐熱性の高い
ガラス板をあげることができる。
【００１１】さらに請求項３に示すように、請求項１ま
たは請求項２記載の圧電振動デバイスの気密封止方法に
おいて、前記透過板は前記各金属シール部に対応する部
分が薄肉化され、前記フタまたは金属フタと接触してい
ない状態で気密封止することを特徴とする。
たは請求項２記載の圧電振動デバイスの気密封止方法に
おいて、前記透過板は前記各金属シール部に対応する部
分が薄肉化され、前記フタまたは金属フタと接触してい
ない状態で気密封止することを特徴とする。
【００１２】請求項３によれば、金属フタが加熱された
際、急激な温度ショックにより透過板が損傷を受けるこ
とを回避することができる。
際、急激な温度ショックにより透過板が損傷を受けるこ
とを回避することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明による第１の実施の形態を
表面実装型の水晶振動子を例にとり図１、図２とともに
説明する。図１は本実施の形態に用いる水晶振動子の分
解斜視図であり、図２は透過板により押圧固定した状態
においてビーム溶接を実施した状態を示す図である。
表面実装型の水晶振動子を例にとり図１、図２とともに
説明する。図１は本実施の形態に用いる水晶振動子の分
解斜視図であり、図２は透過板により押圧固定した状態
においてビーム溶接を実施した状態を示す図である。
【００１４】表面実装型水晶振動子は、全体として直方
体形状のセラミックパッケージ１と、当該パッケージの
中に収納される圧電振動素子である矩形水晶振動板２
と、パッケージを気密封止する金属フタ３とからなる。
体形状のセラミックパッケージ１と、当該パッケージの
中に収納される圧電振動素子である矩形水晶振動板２
と、パッケージを気密封止する金属フタ３とからなる。
【００１５】断面でみてセラミックパッケージ１は、凹
形に開口したセラミック基体１０と、凹形周囲の堤部１
０ａに形成される周状の第１の金属シール部１１とから
なる。第１の金属シール部１１は、タングステンからな
るメタライズ層と、メタライズ層上に形成されるニッケ
ルメッキ層と、当該ニッケルメッキ層上に銀ろう付けさ
れる金属リングとからなる。金属リングはコバールの表
面にニッケルメッキとその上面に極薄の金メッキが形成
されている。
形に開口したセラミック基体１０と、凹形周囲の堤部１
０ａに形成される周状の第１の金属シール部１１とから
なる。第１の金属シール部１１は、タングステンからな
るメタライズ層と、メタライズ層上に形成されるニッケ
ルメッキ層と、当該ニッケルメッキ層上に銀ろう付けさ
れる金属リングとからなる。金属リングはコバールの表
面にニッケルメッキとその上面に極薄の金メッキが形成
されている。
【００１６】また、セラミックパッケージ１の内部底面
には、短辺方向に並んで電極パッド１２、１３が形成さ
れており、これら電極パッドは連結電極１６，１７（１
７は図示せず）を介して、パッケージ外部の底面に引出
電極１４，１５として電気的に引き出されている。また
図示していないが、パッケージ外部の底面には、前記メ
タライズ層１１と電気的に接続されたアース電極が形成
されている。前記電極パッド１２，１３は、タングステ
ンあるいはモリブデンからなるメタライズ層，ニッケル
膜層、金膜層の順にメッキ等により形成された構成であ
る。
には、短辺方向に並んで電極パッド１２、１３が形成さ
れており、これら電極パッドは連結電極１６，１７（１
７は図示せず）を介して、パッケージ外部の底面に引出
電極１４，１５として電気的に引き出されている。また
図示していないが、パッケージ外部の底面には、前記メ
タライズ層１１と電気的に接続されたアース電極が形成
されている。前記電極パッド１２，１３は、タングステ
ンあるいはモリブデンからなるメタライズ層，ニッケル
膜層、金膜層の順にメッキ等により形成された構成であ
る。
【００１７】前記電極パッド１２，１３には圧電振動素
子である矩形の水晶振動板２が搭載され、長辺方向の一
端を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板２の
表裏面には一対の励振電極２１，２２（２２は図示せ
ず）が形成され、引出電極２１１，２２１（２２１は図
示せず）により各々電極パッド１２，１３に対応する部
分に引き出されている。励振電極と引出電極は水晶振動
板２に接して、例えば厚さ約１６オングストロームの第
１のＣｒ膜層、厚さ約５０００オングストロームのＡｕ
膜層の順にスパッタリング法または真空蒸着法等により
形成されており、電極パッドと引出電極をシリコン系等
の樹脂を用いた導電接着剤Ｓ１により導電接合する。
子である矩形の水晶振動板２が搭載され、長辺方向の一
端を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板２の
表裏面には一対の励振電極２１，２２（２２は図示せ
ず）が形成され、引出電極２１１，２２１（２２１は図
示せず）により各々電極パッド１２，１３に対応する部
分に引き出されている。励振電極と引出電極は水晶振動
板２に接して、例えば厚さ約１６オングストロームの第
１のＣｒ膜層、厚さ約５０００オングストロームのＡｕ
膜層の順にスパッタリング法または真空蒸着法等により
形成されており、電極パッドと引出電極をシリコン系等
の樹脂を用いた導電接着剤Ｓ１により導電接合する。
【００１８】金属フタ３はコバール３０を母材とし、そ
の表面に第２の金属シール部３１としてニッケルメッキ
が施されている。
の表面に第２の金属シール部３１としてニッケルメッキ
が施されている。
【００１９】次に水晶振動子を気密封止する手順につい
て説明する。真空雰囲気中で水晶振動板搭載の完了した
セラミックパッケージ１を金属フタ３によりビーム溶接
封止するにあたり、図２に示すような、治具、装置を用
いる。すなわちパレットＰに水晶振動板の搭載されたセ
ラミックパッケージ１を搭載し、金属フタ３により閉口
し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板Ｇを搭
載し、金属フタ３を押圧固定する。また押圧機構Ｔによ
り、セラミックパッケージ下面を矢印で示す上方に押圧
する。これにより前記第１の金属シール部と第２の金属
シール部が密着した状態となる。この状態で前記密着部
分をレーザービーム溶接する。当該レーザービーム溶接
においては、従来のように押さえしろがない状態で溶接
を進めることができるため、実質的な溶接領域を拡げる
ことができるとともに、各金属シール部の外周近傍を溶
接することができるので、従来のようにパッケージの内
部に向かってスプラッシュによる溶融金属の飛散する機
会を減少させることができる。
て説明する。真空雰囲気中で水晶振動板搭載の完了した
セラミックパッケージ１を金属フタ３によりビーム溶接
封止するにあたり、図２に示すような、治具、装置を用
いる。すなわちパレットＰに水晶振動板の搭載されたセ
ラミックパッケージ１を搭載し、金属フタ３により閉口
し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板Ｇを搭
載し、金属フタ３を押圧固定する。また押圧機構Ｔによ
り、セラミックパッケージ下面を矢印で示す上方に押圧
する。これにより前記第１の金属シール部と第２の金属
シール部が密着した状態となる。この状態で前記密着部
分をレーザービーム溶接する。当該レーザービーム溶接
においては、従来のように押さえしろがない状態で溶接
を進めることができるため、実質的な溶接領域を拡げる
ことができるとともに、各金属シール部の外周近傍を溶
接することができるので、従来のようにパッケージの内
部に向かってスプラッシュによる溶融金属の飛散する機
会を減少させることができる。
【００２０】本発明による第２の実施の形態を図３とと
もに説明する。基本構成は第１の実施の形態と同じ構成
であるが、この例では透過板Ｇの形状を変更し、前記各
金属シール部に対応する部分が薄く加工された薄肉部Ｇ
１が形成され、前記金属フタと接触していない状態とな
っている。この薄肉部を介してビーム溶接を行うが、金
属フタの溶接部分の温度が急激に上昇したとしても、熱
歪みが直接には透過板に伝わらないため、透過板の損傷
を防止することができる。
もに説明する。基本構成は第１の実施の形態と同じ構成
であるが、この例では透過板Ｇの形状を変更し、前記各
金属シール部に対応する部分が薄く加工された薄肉部Ｇ
１が形成され、前記金属フタと接触していない状態とな
っている。この薄肉部を介してビーム溶接を行うが、金
属フタの溶接部分の温度が急激に上昇したとしても、熱
歪みが直接には透過板に伝わらないため、透過板の損傷
を防止することができる。
【００２１】なお、量産性を考慮した場合、図４に示す
ように複数個の圧電振動デバイスをパレットＰに整列さ
せ、この状態で上面に１枚の大きな耐熱ガラス板により
押圧固定し、この状態でビーム溶接する方法が好まし
い。このような場合、セラミックパッケージ等の個々に
高さバラツキが生じることがあるため、前述のセラミッ
クパッケージ個々の下面を押圧する押圧機構Ｔにより、
金属シール部分を密着させることができる。これにより
量産時においても気密封止のバラツキを極力抑制してい
る。
ように複数個の圧電振動デバイスをパレットＰに整列さ
せ、この状態で上面に１枚の大きな耐熱ガラス板により
押圧固定し、この状態でビーム溶接する方法が好まし
い。このような場合、セラミックパッケージ等の個々に
高さバラツキが生じることがあるため、前述のセラミッ
クパッケージ個々の下面を押圧する押圧機構Ｔにより、
金属シール部分を密着させることができる。これにより
量産時においても気密封止のバラツキを極力抑制してい
る。
【００２２】本発明による第３の実施の形態を図５とと
もに説明する。この実施の形態においては、平板状のセ
ラミック板を用い、金属フタ側が逆凹形状となってい
る。セラミック板４はアルミナからなり、その表面外周
部分に周状の第１の金属シール部４１が形成されてい
る。第１の金属シール部４１は、タングステンからなる
メタライズ層と、メタライズ層上に形成されるニッケル
メッキ層とからなる。
もに説明する。この実施の形態においては、平板状のセ
ラミック板を用い、金属フタ側が逆凹形状となってい
る。セラミック板４はアルミナからなり、その表面外周
部分に周状の第１の金属シール部４１が形成されてい
る。第１の金属シール部４１は、タングステンからなる
メタライズ層と、メタライズ層上に形成されるニッケル
メッキ層とからなる。
【００２３】また、セラミック板４の周状の第１の金属
シール部４１の内側には、短辺方向に並んで電極パッド
４２，４３（４３は図示せず）が形成されており、これ
ら電極パッド４２，４３は連結電極４６、４７（４７は
図示せず）を介して、パッケージ外部の底面に引出電極
４４，４５として電気的に引き出されている。また図示
していないが、パッケージ外部の底面には、前記第１の
金属シール部４１と電気的に接続されたアース電極が形
成されている。前記電極パッドは、タングステンあるい
はモリブデンからなるメタライズ層，ニッケル膜層、金
膜層の順にメッキ等により形成された構成である。
シール部４１の内側には、短辺方向に並んで電極パッド
４２，４３（４３は図示せず）が形成されており、これ
ら電極パッド４２，４３は連結電極４６、４７（４７は
図示せず）を介して、パッケージ外部の底面に引出電極
４４，４５として電気的に引き出されている。また図示
していないが、パッケージ外部の底面には、前記第１の
金属シール部４１と電気的に接続されたアース電極が形
成されている。前記電極パッドは、タングステンあるい
はモリブデンからなるメタライズ層，ニッケル膜層、金
膜層の順にメッキ等により形成された構成である。
【００２４】前記電極パッド４２，４３には圧電振動素
子である矩形の水晶振動板５が搭載され、長辺方向の一
端を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板５の
表裏面には一対の励振電極５１，５２（図示せず）が形
成され、引出電極５１１，５２１（図示せず）により各
々電極パッド４２，４３に対応する部分に引き出されて
いる。なお、電極パッドと引出電極はシリコン系等の樹
脂を用いた導電接着剤Ｓ１により導電接合される。
子である矩形の水晶振動板５が搭載され、長辺方向の一
端を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板５の
表裏面には一対の励振電極５１，５２（図示せず）が形
成され、引出電極５１１，５２１（図示せず）により各
々電極パッド４２，４３に対応する部分に引き出されて
いる。なお、電極パッドと引出電極はシリコン系等の樹
脂を用いた導電接着剤Ｓ１により導電接合される。
【００２５】金属フタ６は逆凹型形状でフランジ部６ａ
を有する構成で、コバールを母材とし、その表面に第２
の金属シール部６１が形成されている。当該第２の金属
シール部６１はニッケルメッキ層と銀ろう層からなる
が、銀ろう層は少なくとも第１の金属シール部と接触す
るフランジ部６ａに形成されている。
を有する構成で、コバールを母材とし、その表面に第２
の金属シール部６１が形成されている。当該第２の金属
シール部６１はニッケルメッキ層と銀ろう層からなる
が、銀ろう層は少なくとも第１の金属シール部と接触す
るフランジ部６ａに形成されている。
【００２６】次に水晶振動子を気密封止する方法は、前
述した方法とほぼ同じであり、パレットＰに水晶振動板
の搭載されたセラミック板４を搭載し、金属フタ６によ
り閉口し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板
Ｇを搭載し、金属フタを押圧固定する。この実施の形態
においては金属フタが逆凹型をしているので、透過板が
溶接に寄与するフランジ部に直接は接触しない構成とな
っている。また押圧機構Ｔにより、セラミックパッケー
ジ下面を矢印で示す上方に押圧する。これにより前記第
１の金属シール部と第２の金属シール部が密着した状態
となる。この状態で前記密着部分をレーザービーム溶接
する。
述した方法とほぼ同じであり、パレットＰに水晶振動板
の搭載されたセラミック板４を搭載し、金属フタ６によ
り閉口し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板
Ｇを搭載し、金属フタを押圧固定する。この実施の形態
においては金属フタが逆凹型をしているので、透過板が
溶接に寄与するフランジ部に直接は接触しない構成とな
っている。また押圧機構Ｔにより、セラミックパッケー
ジ下面を矢印で示す上方に押圧する。これにより前記第
１の金属シール部と第２の金属シール部が密着した状態
となる。この状態で前記密着部分をレーザービーム溶接
する。
【００２７】なお、フタは金属製を例示したが、ガラ
ス、セラミック等の材料を用いてもよい。ガラスの場
合、ビームを直接接合金属部分まで透過させることがで
きるので、効率よく気密接合を行うことができ、またフ
タを押圧固定する透過板に対し熱衝撃による損傷を与え
ることもない。
ス、セラミック等の材料を用いてもよい。ガラスの場
合、ビームを直接接合金属部分まで透過させることがで
きるので、効率よく気密接合を行うことができ、またフ
タを押圧固定する透過板に対し熱衝撃による損傷を与え
ることもない。
【００２８】また、上記各例においては、溶接金属とし
てニッケルメッキ、銀ろう等を例示したが、より融点の
低い半田ろう等他の公知のろう材を用いてもよい。
てニッケルメッキ、銀ろう等を例示したが、より融点の
低い半田ろう等他の公知のろう材を用いてもよい。
【００２９】また水晶振動デバイスの例として、水晶振
動子の例を示したが、もちろん水晶フィルタや発振回路
素子を一体封止した水晶発振器等の他の水晶振動デバイ
ス、あるいは弾性表面波デバイスにも適用できる。
動子の例を示したが、もちろん水晶フィルタや発振回路
素子を一体封止した水晶発振器等の他の水晶振動デバイ
ス、あるいは弾性表面波デバイスにも適用できる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１または２によれば、透過板がフ
タを押圧固定しており、透過板をレーザービーム、電子
ビームが透過し、下のフタあるいは各金属シール部が加
熱される。従って、従来のように押さえ治具を必要とせ
ず、従来発生していた溶接に寄与しない押さえしろをな
くすことができる。また、従来のように押さえしろの内
側をビーム溶接することもないので、溶接時の飛散金属
がパッケージ内部に侵入する機会が減少する。よって、
ビーム溶接を用いた気密封止を行う圧電振動デバイスに
おいて、圧電振動デバイスの超小型化が可能で、かつ気
密封止時の飛散金属がパッケージ内部に入りにくく、電
気的的特性の安定した圧電振動デバイスの気密封止方法
を提供することができる。
タを押圧固定しており、透過板をレーザービーム、電子
ビームが透過し、下のフタあるいは各金属シール部が加
熱される。従って、従来のように押さえ治具を必要とせ
ず、従来発生していた溶接に寄与しない押さえしろをな
くすことができる。また、従来のように押さえしろの内
側をビーム溶接することもないので、溶接時の飛散金属
がパッケージ内部に侵入する機会が減少する。よって、
ビーム溶接を用いた気密封止を行う圧電振動デバイスに
おいて、圧電振動デバイスの超小型化が可能で、かつ気
密封止時の飛散金属がパッケージ内部に入りにくく、電
気的的特性の安定した圧電振動デバイスの気密封止方法
を提供することができる。
【００３１】また請求項３によれば、金属フタが加熱さ
れた際、急激な温度ショックにより透過板が損傷を受け
ることを回避することができ、確実な押圧固定を確保で
きる。
れた際、急激な温度ショックにより透過板が損傷を受け
ることを回避することができ、確実な押圧固定を確保で
きる。
【図１】第１の実施の形態を示す分解斜視図。
【図２】第１の実施の形態を示す斜視図。
【図３】第２の実施の形態を示す側面図。
【図４】第２の実施の形態を示す側面図。
【図５】第３の実施の形態を示す側面図。
【図６】従来例を示す図。
【図７】従来例を示す図。
１、４、７ セラミックパッケージ １０、４０ セラミック基体 １１，４１ 第１の金属シール部 ３１，６１ 第２の金属シール部 ２、５、８ 水晶振動板 ３、６、９ 金属フタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 5/06 Ｈ０５Ｋ 5/06 Ａ // Ｂ２３Ｋ 101:36 Ｂ２３Ｋ 101:36
Claims (3)
- 【請求項１】 表面の周囲に第１の金属シール部が形成
されたセラミックパッケージと、当該セラミックパッケ
ージに搭載される圧電振動板と、前記第１の金属シール
部とビーム溶接により気密接合される第２の金属シール
部を有するフタとからなる圧電振動デバイスの気密封止
方法であって、 気密接合時に、フタの上面を前記ビームを透過させる透
過板により押圧固定し、前記第１の金属シール部と第２
の金属シール部とを密着させ、当該密着状態でビーム溶
接を行うことを特徴とする、圧電振動デバイスの気密封
止方法。 - 【請求項２】 上部が開口し、当該開口により形成され
る堤部上に第１の金属シール部が形成されたセラミック
パッケージと、当該セラミックパッケージ内に搭載され
る圧電振動板と、前記第１の金属シール部とシーム溶接
により気密接合される第２の金属シール部の形成された
金属フタとからなる圧電振動デバイスの気密封止方法で
あって、 気密接合時に、金属フタの上面を前記ビームを透過させ
る透過板により押圧固定し、前記第１の金属シール部と
第２の金属シール部とを密着させ、当該密着状態でビー
ム溶接を行うことを特徴とする、圧電振動デバイスの気
密封止方法。 - 【請求項３】 前記透過板は前記各金属シール部に対応
する部分が薄肉化され、前記フタまたは金属フタと接触
していないことを特徴とする請求項１または請求項２記
載の圧電振動デバイスの気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000137814A JP2001320256A (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 圧電振動デバイスの気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000137814A JP2001320256A (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 圧電振動デバイスの気密封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001320256A true JP2001320256A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18645525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000137814A Pending JP2001320256A (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 圧電振動デバイスの気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001320256A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063217A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 密封リレーの封止方法及び封止構造とその装置 |
| JP2006205216A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Pioneer Electronic Corp | レーザ溶接装置、及びレーザ溶接方法 |
| JP2008229693A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Tokyu Car Corp | 金属材の接合方法及び金属材 |
| JP2009135829A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電発振器の製造方法 |
| JP2018512724A (ja) * | 2015-02-10 | 2018-05-17 | コンティ テミック マイクロエレクトロニック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉ Ｔｅｍｉｃ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＧｍｂＨ | 電子コンポーネントおよびその製造方法 |
| WO2018220909A1 (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | 日本電気硝子株式会社 | 気密パッケージの製造方法 |
| JP2020093301A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-18 | 明夫 林 | レーザー溶接用ワーク押さえ冶具およびその作製方法 |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000137814A patent/JP2001320256A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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