JP2001274649A - 水晶振動デバイスの気密封止方法 - Google Patents
水晶振動デバイスの気密封止方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの内部を真空にし、かつ気密封止
時の飛散金属がパッケージ内部に入りにくい水晶振動デ
バイスの気密封止方法を提供する。 【解決手段】 不活性ガス雰囲気中で水晶振動板搭載の
完了したセラミックパッケージ１を金属フタ３によりシ
ーム溶接封止する。まず矢印Ａ，Ａに示す長辺方向一端
側から他端に向かってパラレルシーム溶接する。当該シ
ーム溶接は長辺方向を完全には溶接しない。その後、矢
印Ｂ、Ｂに示す方向に他端側まで全部溶接する。その後
水晶振動子内のガスを除去し、この状態で前記未溶接領
域Ｃ、Ｃをスポット抵抗溶接し、気密封止の完了とな
る。
時の飛散金属がパッケージ内部に入りにくい水晶振動デ
バイスの気密封止方法を提供する。 【解決手段】 不活性ガス雰囲気中で水晶振動板搭載の
完了したセラミックパッケージ１を金属フタ３によりシ
ーム溶接封止する。まず矢印Ａ，Ａに示す長辺方向一端
側から他端に向かってパラレルシーム溶接する。当該シ
ーム溶接は長辺方向を完全には溶接しない。その後、矢
印Ｂ、Ｂに示す方向に他端側まで全部溶接する。その後
水晶振動子内のガスを除去し、この状態で前記未溶接領
域Ｃ、Ｃをスポット抵抗溶接し、気密封止の完了とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気密封止を必要とす
る水晶振動デバイスの気密封止方法に関するものであ
る。
る水晶振動デバイスの気密封止方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも水晶振動板の表
面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気か
ら保護するため、気密封止されている。
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも水晶振動板の表
面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気か
ら保護するため、気密封止されている。
【０００３】水晶振動デバイスでよく用いられている気
密封止方法は、シーム溶接等の抵抗溶接、超音波溶接、
電子ビーム溶接等がある。シーム溶接による気密封止方
法の例としては、特開平７−３２６６８７号の従来例に
示すように、セラミックパッケージの開口部分に形成さ
れたシールリング（金属枠体）と金属製の蓋体とを、抵
抗溶接の１種であるシーム溶接により気密封止した例が
開示されている。シーム溶接は一般的に、露点管理され
た窒素ガス雰囲気内で行われ、従って気密封止されたパ
ッケージ内には窒素ガスが充填されている。しかしなが
ら最近の水晶振動デバイスの超小型化に伴い、水晶振動
板もより小型化され、駆動時の抵抗を軽減するため真空
雰囲気による気密封止が要求されるようになった。とこ
ろがシーム溶接を真空中で行うためには大型のチャンバ
ーが必要となり、装置自体が大型化かつ高額になるとい
う欠点を有していた。
密封止方法は、シーム溶接等の抵抗溶接、超音波溶接、
電子ビーム溶接等がある。シーム溶接による気密封止方
法の例としては、特開平７−３２６６８７号の従来例に
示すように、セラミックパッケージの開口部分に形成さ
れたシールリング（金属枠体）と金属製の蓋体とを、抵
抗溶接の１種であるシーム溶接により気密封止した例が
開示されている。シーム溶接は一般的に、露点管理され
た窒素ガス雰囲気内で行われ、従って気密封止されたパ
ッケージ内には窒素ガスが充填されている。しかしなが
ら最近の水晶振動デバイスの超小型化に伴い、水晶振動
板もより小型化され、駆動時の抵抗を軽減するため真空
雰囲気による気密封止が要求されるようになった。とこ
ろがシーム溶接を真空中で行うためには大型のチャンバ
ーが必要となり、装置自体が大型化かつ高額になるとい
う欠点を有していた。
【０００４】一方真空雰囲気で気密封止する方法とし
て、レーザービーム溶接、電子ビーム溶接による気密封
止がある。例えばレーザービーム溶接による封止方法
が、特開平８−４６０７５号に開示されている。
て、レーザービーム溶接、電子ビーム溶接による気密封
止がある。例えばレーザービーム溶接による封止方法
が、特開平８−４６０７５号に開示されている。
【０００５】ところが、このような各種ビーム溶接にお
いても、溶接時にはパッケージ上に金属フタを位置決め
固定する治具が必要となる。図５は電子ビーム溶接ある
いはレーザービーム溶接時の内部断面図であり、図６は
押さえ治具Ｐによる押さえしろ９１を示す平面図であ
る。図５において、７はセラミックパッケージであり、
その内部に水晶振動板８が収納されている。またセラミ
ックパッケージ７の堤部７０ａ上部には多層金属膜から
なる金属シール部７１が形成され、当該金属シール部７
１と金属フタ９とレーザービーム溶接する。なお、図５
中Ｂはビーム放射器である。
いても、溶接時にはパッケージ上に金属フタを位置決め
固定する治具が必要となる。図５は電子ビーム溶接ある
いはレーザービーム溶接時の内部断面図であり、図６は
押さえ治具Ｐによる押さえしろ９１を示す平面図であ
る。図５において、７はセラミックパッケージであり、
その内部に水晶振動板８が収納されている。またセラミ
ックパッケージ７の堤部７０ａ上部には多層金属膜から
なる金属シール部７１が形成され、当該金属シール部７
１と金属フタ９とレーザービーム溶接する。なお、図５
中Ｂはビーム放射器である。
【０００６】ところで、図５、図６に示すように電子ビ
ーム溶接あるいはレーザービーム溶接を行う際、金属フ
タの周囲を押さえ治具Ｐで固定し、完全に密着させる必
要があり、このような固定手段を用いることにより、溶
接を確実にしている。しかしながら、水晶振動子の超小
型化により、押さえ治具を用いると図６に示すように押
さえしろ９１が必要となるため、溶接領域が狭くなり溶
接の信頼性が低下することがあった。逆に溶接領域を確
保した場合、水晶振動板の格納スペースが小さくなり、
アッセンブリが難しくなったり、水晶振動板の設計が難
しくなるという問題があり、従って、当該溶接方法も水
晶振動子の超小型化に対応させることが困難になってい
た。また、押さえしろの内側をレーザー溶接することに
なるので、溶接時の飛散金属がパッケージ内部に侵入す
ることがあり、例えばこれが水晶振動板に付着した場
合、水晶振動デバイスとしての電気的特性を低下させる
原因にもなっていた。
ーム溶接あるいはレーザービーム溶接を行う際、金属フ
タの周囲を押さえ治具Ｐで固定し、完全に密着させる必
要があり、このような固定手段を用いることにより、溶
接を確実にしている。しかしながら、水晶振動子の超小
型化により、押さえ治具を用いると図６に示すように押
さえしろ９１が必要となるため、溶接領域が狭くなり溶
接の信頼性が低下することがあった。逆に溶接領域を確
保した場合、水晶振動板の格納スペースが小さくなり、
アッセンブリが難しくなったり、水晶振動板の設計が難
しくなるという問題があり、従って、当該溶接方法も水
晶振動子の超小型化に対応させることが困難になってい
た。また、押さえしろの内側をレーザー溶接することに
なるので、溶接時の飛散金属がパッケージ内部に侵入す
ることがあり、例えばこれが水晶振動板に付着した場
合、水晶振動デバイスとしての電気的特性を低下させる
原因にもなっていた。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、シーム溶接を用いた気密封止を行う水晶
振動デバイスにおいて、パッケージの内部を真空にし、
かつ気密封止時の飛散金属がパッケージ内部に入りにく
い水晶振動デバイスの気密封止方法を提供することを目
的としている。
されたもので、シーム溶接を用いた気密封止を行う水晶
振動デバイスにおいて、パッケージの内部を真空にし、
かつ気密封止時の飛散金属がパッケージ内部に入りにく
い水晶振動デバイスの気密封止方法を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、請求項１に示すように、上部が開口
し、当該開口により形成される堤部上に第１の金属シー
ル部が形成されたセラミックパッケージと、当該セラミ
ックパッケージ内に収納される水晶振動板と、前記第１
の金属シール部とシーム溶接により気密接合される第２
の金属シール部の形成された金属フタとからなる水晶振
動デバイスの気密封止方法であって、前記シーム溶接は
気密接合されるべき領域のうち一部の未溶接領域を残し
て当該溶接を終了させ、前記未溶接領域を介してセラミ
ックパッケージ内のガスを排気した状態で、当該未溶接
領域に対しスポット抵抗溶接またはビーム溶接を行い、
気密封止することを特徴としている。
めに、本発明は、請求項１に示すように、上部が開口
し、当該開口により形成される堤部上に第１の金属シー
ル部が形成されたセラミックパッケージと、当該セラミ
ックパッケージ内に収納される水晶振動板と、前記第１
の金属シール部とシーム溶接により気密接合される第２
の金属シール部の形成された金属フタとからなる水晶振
動デバイスの気密封止方法であって、前記シーム溶接は
気密接合されるべき領域のうち一部の未溶接領域を残し
て当該溶接を終了させ、前記未溶接領域を介してセラミ
ックパッケージ内のガスを排気した状態で、当該未溶接
領域に対しスポット抵抗溶接またはビーム溶接を行い、
気密封止することを特徴としている。
【０００９】請求項１によれば、シーム溶接は図３に示
すように、金属フタの稜部分を主に溶接することも相ま
って、パッケージ内部に微細な飛散金属が入りにくい。
また、未溶接領域からパッケージ内部の残留ガスを真空
排気するので、真空気密封止が可能となる。さらに溶接
領域あるいは水晶振動板の格納スペースが確保でき、ア
センブリが容易になる。
すように、金属フタの稜部分を主に溶接することも相ま
って、パッケージ内部に微細な飛散金属が入りにくい。
また、未溶接領域からパッケージ内部の残留ガスを真空
排気するので、真空気密封止が可能となる。さらに溶接
領域あるいは水晶振動板の格納スペースが確保でき、ア
センブリが容易になる。
【００１０】また、請求項２に示すように、請求項１記
載の水晶振動デバイスの気密封止方法において、第１の
金属シール部または第２の金属シール部の少なくとも一
方が銀ろうからなる構成としてもよい。
載の水晶振動デバイスの気密封止方法において、第１の
金属シール部または第２の金属シール部の少なくとも一
方が銀ろうからなる構成としてもよい。
【００１１】請求項２によれば、銀ろう材は融点７００
度前後でシーム溶接により局部的な加熱を行うため、水
晶振動子内部の接着剤、水晶振動板に悪影響を与えるこ
となく気密封止できる。また前記融点は水晶振動子を実
装する際のリフローソルダリング温度以上であり、実装
基板へのリフローソルダリングを可能にしている。また
最終気密封止において、溶融したろう材がスムーズに未
溶接領域をシールする。
度前後でシーム溶接により局部的な加熱を行うため、水
晶振動子内部の接着剤、水晶振動板に悪影響を与えるこ
となく気密封止できる。また前記融点は水晶振動子を実
装する際のリフローソルダリング温度以上であり、実装
基板へのリフローソルダリングを可能にしている。また
最終気密封止において、溶融したろう材がスムーズに未
溶接領域をシールする。
【００１２】さらに、請求項３に示すように、請求項１
記載または請求項２記載の水晶振動デバイスの気密封止
方法において、前記第１の金属シール部または第２の金
属シール部の少なくとも一方の未溶接領域に排気を促進
する微小切除部が形成され、当該未溶接領域に対しスポ
ット抵抗溶接またはビーム溶接を行い、当該微小切除部
を溶融させ気密封止してもよい。
記載または請求項２記載の水晶振動デバイスの気密封止
方法において、前記第１の金属シール部または第２の金
属シール部の少なくとも一方の未溶接領域に排気を促進
する微小切除部が形成され、当該未溶接領域に対しスポ
ット抵抗溶接またはビーム溶接を行い、当該微小切除部
を溶融させ気密封止してもよい。
【００１３】請求項３によれば、微小切除部により排気
を促進するので、パッケージ内部の真空度を高めること
ができ、特に金属シール部に銀ろう材を用いた場合、溶
融したろう材がよりスムーズに未溶接領域をシールす
る。
を促進するので、パッケージ内部の真空度を高めること
ができ、特に金属シール部に銀ろう材を用いた場合、溶
融したろう材がよりスムーズに未溶接領域をシールす
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明による第１の実施の形態を
表面実装型の水晶振動子を例にとり図１、図２、図３と
ともに説明する。図１は本実施の形態に用いる水晶振動
子の分解斜視図であり、図２は溶接順序を示す図、図３
はシーム溶接を示す図である。
表面実装型の水晶振動子を例にとり図１、図２、図３と
ともに説明する。図１は本実施の形態に用いる水晶振動
子の分解斜視図であり、図２は溶接順序を示す図、図３
はシーム溶接を示す図である。
【００１５】表面実装型水晶振動子は、全体として直方
体形状のセラミックパッケージ１と、当該パッケージの
中に収納される圧電振動素子である矩形水晶振動板２
と、パッケージを気密封止する金属フタ３とからなる。
体形状のセラミックパッケージ１と、当該パッケージの
中に収納される圧電振動素子である矩形水晶振動板２
と、パッケージを気密封止する金属フタ３とからなる。
【００１６】断面でみてセラミックパッケージ１は、凹
形に開口したセラミック基体１０と、凹形周囲の堤部１
０ａに形成される周状の第１の金属シール部１１とから
なる。第１の金属シール部１１は、タングステンからな
るメタライズ層と、メタライズ層上に形成されるニッケ
ルメッキ層と、当該ニッケルメッキ層上に銀ろう付けさ
れる金属リングとからなる。金属リングはコバールの表
面にニッケルメッキとその上面に極薄の金メッキが形成
されている。
形に開口したセラミック基体１０と、凹形周囲の堤部１
０ａに形成される周状の第１の金属シール部１１とから
なる。第１の金属シール部１１は、タングステンからな
るメタライズ層と、メタライズ層上に形成されるニッケ
ルメッキ層と、当該ニッケルメッキ層上に銀ろう付けさ
れる金属リングとからなる。金属リングはコバールの表
面にニッケルメッキとその上面に極薄の金メッキが形成
されている。
【００１７】また、セラミックパッケージ１の内部底面
には、短辺方向に並んで電極パッド１２、１３が形成さ
れており、これら電極パッドは連結電極（図示せず）を
介して、パッケージ外部の底面に引出電極１４，１５と
して電気的に引き出されている。また図示していない
が、パッケージ外部の底面には、前記メタライズ層１１
と電気的に接続されたアース電極が形成されている。前
記電極パッドは、タングステンあるいはモリブデンから
なるメタライズ層１２ａ，ニッケル膜層１２ｂ、金膜層
１２ｃの順にメッキ等により形成された構成である。
には、短辺方向に並んで電極パッド１２、１３が形成さ
れており、これら電極パッドは連結電極（図示せず）を
介して、パッケージ外部の底面に引出電極１４，１５と
して電気的に引き出されている。また図示していない
が、パッケージ外部の底面には、前記メタライズ層１１
と電気的に接続されたアース電極が形成されている。前
記電極パッドは、タングステンあるいはモリブデンから
なるメタライズ層１２ａ，ニッケル膜層１２ｂ、金膜層
１２ｃの順にメッキ等により形成された構成である。
【００１８】前記電極パッド１２，１３には圧電振動素
子である矩形の水晶振動板２が搭載され、長辺方向の一
端を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板２の
表裏面には一対の励振電極２１，２２（２２は図示せ
ず）が形成され、引出電極２１１，２２１（２２１は図
示せず）により各々電極パッド１２，１３に対応する部
分に引き出されている。励振電極と引出電極は水晶振動
板２に接して、例えば厚さ約１６オングストロームの第
１のＣｒ膜層２１ａ，２２ａ、厚さ約５０００オングス
トロームのＡｕ膜層２１ｂ、２２ｂの順にスパッタリン
グ法または真空蒸着法等により形成されており、電極パ
ッドと引出電極をシリコン系等の樹脂を用いた導電接着
剤（図示せず）により導電接合する。
子である矩形の水晶振動板２が搭載され、長辺方向の一
端を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板２の
表裏面には一対の励振電極２１，２２（２２は図示せ
ず）が形成され、引出電極２１１，２２１（２２１は図
示せず）により各々電極パッド１２，１３に対応する部
分に引き出されている。励振電極と引出電極は水晶振動
板２に接して、例えば厚さ約１６オングストロームの第
１のＣｒ膜層２１ａ，２２ａ、厚さ約５０００オングス
トロームのＡｕ膜層２１ｂ、２２ｂの順にスパッタリン
グ法または真空蒸着法等により形成されており、電極パ
ッドと引出電極をシリコン系等の樹脂を用いた導電接着
剤（図示せず）により導電接合する。
【００１９】金属フタ３はコバール３０を母材とし、そ
の表面に第２の金属シール部３１としてニッケルメッキ
が施されている。
の表面に第２の金属シール部３１としてニッケルメッキ
が施されている。
【００２０】次に水晶振動子を気密封止する手順につい
て説明する。窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で水晶振
動板搭載の完了したセラミックパッケージ１を金属フタ
３によりシーム溶接封止する。図３に示すように、シー
ム溶接は汎用されているパラレルシーム溶接機を用い、
２つのシームローラＲをパラレルに走行させて溶接を行
う。図２に示すように、まず金属フタの短辺の両端部分
を長辺方向に、すなわち矢印Ａ，Ａに示す長辺方向一端
側から他端に向かってパラレルシーム溶接する。当該シ
ーム溶接は他端に至る直前で終了させ、長辺方向を完全
には溶接しない。その後、短辺方向を一端側から矢印
Ｂ、Ｂに示す方向に他端側まで全部溶接する。この状態
では、Ｃ、Ｃで示す領域が未溶接領域として残される。
この状態の水晶振動子をスポット抵抗溶接機を具備した
真空チャンバー内に格納し、チャンバー内を真空排気す
ることにより、水晶振動子内のガスを除去する。この状
態で前記未溶接領域Ｃ、Ｃをスポット抵抗溶接し、気密
封止の完了となる。
て説明する。窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で水晶振
動板搭載の完了したセラミックパッケージ１を金属フタ
３によりシーム溶接封止する。図３に示すように、シー
ム溶接は汎用されているパラレルシーム溶接機を用い、
２つのシームローラＲをパラレルに走行させて溶接を行
う。図２に示すように、まず金属フタの短辺の両端部分
を長辺方向に、すなわち矢印Ａ，Ａに示す長辺方向一端
側から他端に向かってパラレルシーム溶接する。当該シ
ーム溶接は他端に至る直前で終了させ、長辺方向を完全
には溶接しない。その後、短辺方向を一端側から矢印
Ｂ、Ｂに示す方向に他端側まで全部溶接する。この状態
では、Ｃ、Ｃで示す領域が未溶接領域として残される。
この状態の水晶振動子をスポット抵抗溶接機を具備した
真空チャンバー内に格納し、チャンバー内を真空排気す
ることにより、水晶振動子内のガスを除去する。この状
態で前記未溶接領域Ｃ、Ｃをスポット抵抗溶接し、気密
封止の完了となる。
【００２１】本発明による第２の実施の形態を図４とと
もに説明する。基本構成は第１の実施の形態と同じ構成
であるが、この例ではセラミックパッケージに金属リン
グを形成せずに、金属フタに形成した銀ろうを溶融させ
ることにより、気密封止している。
もに説明する。基本構成は第１の実施の形態と同じ構成
であるが、この例ではセラミックパッケージに金属リン
グを形成せずに、金属フタに形成した銀ろうを溶融させ
ることにより、気密封止している。
【００２２】表面実装型水晶振動子は、凹形に開口した
セラミックパッケージ４と、当該パッケージの中に収納
される圧電振動素子である矩形水晶振動板５と、パッケ
ージの開口部に接合される金属フタ６とからなる。
セラミックパッケージ４と、当該パッケージの中に収納
される圧電振動素子である矩形水晶振動板５と、パッケ
ージの開口部に接合される金属フタ６とからなる。
【００２３】セラミックパッケージの凹部周囲の堤部４
０ａに形成される周状の第１の金属シール部４１は、タ
ングステンからなるメタライズ層と、メタライズ層上に
形成されるニッケルメッキ層と、当該ニッケルメッキ上
に形成される金メッキ層とからなる。
０ａに形成される周状の第１の金属シール部４１は、タ
ングステンからなるメタライズ層と、メタライズ層上に
形成されるニッケルメッキ層と、当該ニッケルメッキ上
に形成される金メッキ層とからなる。
【００２４】また、セラミックパッケージ４の内部底面
には、短辺方向に並んで電極パッド（図示せず）が形成
されており、これら電極パッドは連結電極を介して、パ
ッケージ外部の底面に引出電極４４，４５（４５は図示
せず）として電気的に引き出されている。
には、短辺方向に並んで電極パッド（図示せず）が形成
されており、これら電極パッドは連結電極を介して、パ
ッケージ外部の底面に引出電極４４，４５（４５は図示
せず）として電気的に引き出されている。
【００２５】前記電極パッドには圧電振動素子である矩
形の水晶振動板５が搭載され、長辺方向の一端を片持ち
支持する構成となっている。水晶振動板５の表裏面には
一対の励振電極５１，５２（５２は図示せず）が形成さ
れ、引出電極５１１，５２１（２２１は図示せず）によ
り各々電極パッド部分に引き出されている。電極パッド
と引出電極を導電接着剤（図示せず）により導電接合す
る。
形の水晶振動板５が搭載され、長辺方向の一端を片持ち
支持する構成となっている。水晶振動板５の表裏面には
一対の励振電極５１，５２（５２は図示せず）が形成さ
れ、引出電極５１１，５２１（２２１は図示せず）によ
り各々電極パッド部分に引き出されている。電極パッド
と引出電極を導電接着剤（図示せず）により導電接合す
る。
【００２６】金属フタ６はコバールを母材とし、前記周
状の第１の金属シール部に対応した第２の金属シール部
６１が形成されている。当該金属シール部６１は厚肉の
銀ろうからなり、後述の未溶接領域に対応する位置のみ
を薄肉にした微小切除部６１ａ，６１ａを有している。
状の第１の金属シール部に対応した第２の金属シール部
６１が形成されている。当該金属シール部６１は厚肉の
銀ろうからなり、後述の未溶接領域に対応する位置のみ
を薄肉にした微小切除部６１ａ，６１ａを有している。
【００２７】気密封止は、第１の実施の形態と同じく、
図２に示すようにパラレルシーム溶接機を用いて、まず
未溶接領域Ｃ、Ｃを残すように溶接する。このとき未溶
接領域Ｃ、Ｃが前記微小切除部６１ａ，６１ａに位置す
るように制御する。そして、この状態の水晶振動子をス
ポット溶接機を具備した真空チャンバー内に格納し、チ
ャンバー内を真空排気することにより、水晶振動子内の
ガスを除去する。この状態で前記未溶接領域Ｃ、Ｃをス
ポット溶接し、気密封止の完了となる。
図２に示すようにパラレルシーム溶接機を用いて、まず
未溶接領域Ｃ、Ｃを残すように溶接する。このとき未溶
接領域Ｃ、Ｃが前記微小切除部６１ａ，６１ａに位置す
るように制御する。そして、この状態の水晶振動子をス
ポット溶接機を具備した真空チャンバー内に格納し、チ
ャンバー内を真空排気することにより、水晶振動子内の
ガスを除去する。この状態で前記未溶接領域Ｃ、Ｃをス
ポット溶接し、気密封止の完了となる。
【００２８】なお、上記各実施の形態において、最後の
気密封止をスポット溶接にて行ったが、レーザービーム
等のビーム溶接にて行ってもよい。また、第２の実施の
形態において、第２の金属シール部６１を第１の金属シ
ール部に対応させた周状としたが、封止面全面に形成し
てもよく、また当該金属ろうの形成をクラッド化しても
よい。さらに、第２の金属シール部６１に銀ろうを使用
したが他の公知の金属ろう材を用いてもよい。
気密封止をスポット溶接にて行ったが、レーザービーム
等のビーム溶接にて行ってもよい。また、第２の実施の
形態において、第２の金属シール部６１を第１の金属シ
ール部に対応させた周状としたが、封止面全面に形成し
てもよく、また当該金属ろうの形成をクラッド化しても
よい。さらに、第２の金属シール部６１に銀ろうを使用
したが他の公知の金属ろう材を用いてもよい。
【００２９】また水晶振動デバイスの例として、水晶振
動子の例を示したが、もちろん水晶フィルタ、あるいは
発振回路素子を一体封止した水晶発振器等の他の水晶振
動デバイスにも適用できる。
動子の例を示したが、もちろん水晶フィルタ、あるいは
発振回路素子を一体封止した水晶発振器等の他の水晶振
動デバイスにも適用できる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１によれば、セラミックパッケー
ジと金属フタとの主たる接合をシーム溶接により行うの
で、パッケージ内部に微細な飛散金属が入りにくい。ま
た、未溶接領域からパッケージ内部の残留ガスを真空排
気するので、真空気密封止が可能となる。さらに溶接領
域あるいは水晶振動板の格納スペースが確保でき、気密
封止の信頼性が向上または電気的特性を向上させること
ができ、またアセンブリも容易になる。従って、超小型
化しても電気的特性の良好な水晶振動デバイスを得るこ
とができる。
ジと金属フタとの主たる接合をシーム溶接により行うの
で、パッケージ内部に微細な飛散金属が入りにくい。ま
た、未溶接領域からパッケージ内部の残留ガスを真空排
気するので、真空気密封止が可能となる。さらに溶接領
域あるいは水晶振動板の格納スペースが確保でき、気密
封止の信頼性が向上または電気的特性を向上させること
ができ、またアセンブリも容易になる。従って、超小型
化しても電気的特性の良好な水晶振動デバイスを得るこ
とができる。
【００３１】請求項２によれば、銀ろう材は融点７００
度前後でシーム溶接により局部的な加熱を行うため、水
晶振動子内部の接着剤、水晶振動板に悪影響を与えるこ
となく気密封止できる。また前記融点は水晶振動子を実
装する際のリフローソルダリング温度以上であり、実装
基板へのリフローソルダリングを可能にしている。また
最終気密封止において、溶融したろう材がスムーズに未
溶接領域をシールする。従って、気密性が良好で、超小
型化しても電気的特性の良好な水晶振動デバイスを得る
ことができる。
度前後でシーム溶接により局部的な加熱を行うため、水
晶振動子内部の接着剤、水晶振動板に悪影響を与えるこ
となく気密封止できる。また前記融点は水晶振動子を実
装する際のリフローソルダリング温度以上であり、実装
基板へのリフローソルダリングを可能にしている。また
最終気密封止において、溶融したろう材がスムーズに未
溶接領域をシールする。従って、気密性が良好で、超小
型化しても電気的特性の良好な水晶振動デバイスを得る
ことができる。
【００３２】請求項３によれば、微小切除部により排気
を促進するので、パッケージ内部の真空度を高めること
ができ、特に金属シール部に銀ろう材を用いた場合、溶
融したろう材がよりスムーズに未溶接領域をシールす
る。従ってパッケージ内をより良好な真空状態に保つこ
とができ、超小型化しても電気的特性の良好な水晶振動
デバイスを得ることができる。
を促進するので、パッケージ内部の真空度を高めること
ができ、特に金属シール部に銀ろう材を用いた場合、溶
融したろう材がよりスムーズに未溶接領域をシールす
る。従ってパッケージ内をより良好な真空状態に保つこ
とができ、超小型化しても電気的特性の良好な水晶振動
デバイスを得ることができる。
【図１】第１の実施の形態を示す分解斜視図。
【図２】第１の実施の形態を示す斜視図。
【図３】第１の実施の形態を示す側面図。
【図４】第２の実施の形態を示す斜視図。
【図５】従来例を示す図。
【図６】従来例を示す図。
１、４、７ セラミックパッケージ １０、４０ セラミック基体 １１，４１ 第１の金属シール部 ２、５、８ 水晶振動板 ３、６、９ 金属フタ
Claims (3)
- 【請求項１】 上部が開口し、当該開口により形成され
る堤部上に第１の金属シール部が形成されたセラミック
パッケージと、当該セラミックパッケージ内に収納され
る水晶振動板と、前記第１の金属シール部とシーム溶接
により気密接合される第２の金属シール部の形成された
金属フタとからなる水晶振動デバイスの気密封止方法で
あって、 前記シーム溶接は気密接合されるべき領域のうち一部の
未溶接領域を残して当該溶接を終了させ、前記未溶接領
域を介してセラミックパッケージ内のガスを真空排気し
た状態で、当該未溶接領域に対しスポット抵抗溶接また
はビーム溶接を行い、気密封止することを特徴とする、
水晶振動デバイスの気密封止方法。 - 【請求項２】 第１の金属シール部または第２の金属シ
ール部の少なくとも一方が銀ろうからなることを特徴と
する、請求項１記載の水晶振動デバイスの気密封止方
法。 - 【請求項３】 前記第１の金属シール部または第２の金
属シール部の少なくとも一方の未溶接領域に排気を促進
する微小切除部が形成され、当該未溶接領域に対しスポ
ット抵抗溶接またはビーム溶接を行い、当該微小切除部
を溶融させ気密封止することを特徴とする、請求項１記
載または請求項２記載の水晶振動デバイスの気密封止方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085320A JP2001274649A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 水晶振動デバイスの気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085320A JP2001274649A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 水晶振動デバイスの気密封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274649A true JP2001274649A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18601675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000085320A Pending JP2001274649A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 水晶振動デバイスの気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274649A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008113234A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振器 |
| CN101913551A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-15 | 台晶(宁波)电子有限公司 | 一种真空气密式系统整合封装结构 |
| US8056198B2 (en) | 2004-02-26 | 2011-11-15 | Kyocera Corporation | Method of manufacturing electronic device |
| CN103769747A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 精工爱普生株式会社 | 电子器件的制造方法、接合装置、电子设备及移动体设备 |
| US9516773B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-12-06 | Seiko Epson Corporation | Lid body, package, electronic apparatus, moving object, and method for manufacturing package |
| US10396002B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-08-27 | Kyocera Corporation | Electronic component storage substrate and housing package |
-
2000
- 2000-03-24 JP JP2000085320A patent/JP2001274649A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8056198B2 (en) | 2004-02-26 | 2011-11-15 | Kyocera Corporation | Method of manufacturing electronic device |
| JP2008113234A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振器 |
| CN101913551A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-15 | 台晶(宁波)电子有限公司 | 一种真空气密式系统整合封装结构 |
| CN103769747A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 精工爱普生株式会社 | 电子器件的制造方法、接合装置、电子设备及移动体设备 |
| US9516773B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-12-06 | Seiko Epson Corporation | Lid body, package, electronic apparatus, moving object, and method for manufacturing package |
| US10396002B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-08-27 | Kyocera Corporation | Electronic component storage substrate and housing package |
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