JPH10150341A - 1ポート型弾性表面波装置 - Google Patents

1ポート型弾性表面波装置

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JPH10150341A
JPH10150341A JP9088132A JP8813297A JPH10150341A JP H10150341 A JPH10150341 A JP H10150341A JP 9088132 A JP9088132 A JP 9088132A JP 8813297 A JP8813297 A JP 8813297A JP H10150341 A JPH10150341 A JP H10150341A
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electrodes
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Koji Nakajima
幸司 中島
Hideya Morishita
英也 森下
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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造に際して2ポート型弾性表面波装置との治
工具類の共通化を図ることができ、かつ耐衝撃性を向上
することができる1ポート型弾性表面波装置を提供す
る。 【解決手段】1ポート表面波共振素子10は、表面波基
板11を有し、表面波基板11の一方主面には、入出力
用の引出電極14の先端部に形成された2つの入出力バ
ンプ電極15の他に2つのダミーバンプ電極16が形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、1ポート表面波共
振素子とベース基板とが半田バンプ接続されてなる1ポ
ート型弾性表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ベース基板に1ポート表面波共振素子が
半田バンプ接続されて載置された従来の1ポート型弾性
表面波装置の構成を図5〜図7に示す。図5は1ポート
表面波共振素子の平面図、図6はベース基板の平面図、
図7は1ポート型弾性表面波装置の断面図である。
【0003】この1ポート表面波共振素子10は、図5
に示すように、表面波基板11を有し、表面波基板11
の一方主面には、その略中央部に1つのIDT電極1
2、IDT電極12の両側に反射器電極13、IDT電
極12から引出された入出力用の2つの引出電極14、
及び各引出電極14の先端部に円形状の入出力バンプ電
極15が形成されている。
【0004】ベース基板20はアルミナ等のセラミック
スからなり、その一方主面には、図6に示すように、金
属キャップ30との半田接合を果たすための角環状の接
合ランド21、1ポート表面波共振素子10を電気的及
び機械的に接続固定するための2つの円形状の入出力電
極ランド22、及び各入出力電極ランド22に連設して
所望の電気的接続を果たすための引出電極23が形成さ
れている。なお、ベース基板20の他方主面にはスルー
ホール25等により引出電極23に接続された入出力端
子電極(図示せず)が形成されている。
【0005】従来の1ポート型弾性表面波装置は、図7
に示すように、上記1ポート表面波共振素子10が、フ
ェイスダウン方式、すなわち図5に示す各種電極が形成
された面を下にして、1ポート表面波共振素子10の入
出力バンプ電極15とベース基板20の入出力電極ラン
ド22とが半田バンプ51により電気的及び機械的に接
続固定されてベース基板20上に載置されている。そし
て、一面開口状の金属キャップ30が、ベース基板20
の接合ランド21に半田52により半田接合され、1ポ
ート表面波共振素子10がベース基板20と金属キャッ
プ30からなるパッケージ内に封止されている。
【0006】上記のように、1ポート表面波共振素子は
2つの入出力端子を有するものであり、従来の1ポート
型弾性表面波装置においては、1ポート表面波共振素子
10は、2つの入出力バンプ電極15とこれに対応する
ベース基板20の2つの入出力電極ランド22とを半田
バンプ接続することにより、すなわち2箇所の半田バン
プ接続によりベース基板20上に載置されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、同様の構成
の弾性表面波装置には1ポート表面波共振素子以外に2
つのIDT電極が形成された2ポート表面波共振素子を
ベース基板に半田バンプ接続した2ポート型弾性表面波
装置がある。2ポート表面波共振素子は2つの入出力端
子と2つのアース端子の4つの端子を有しており、一般
に、2ポート表面波共振素子とベース基板には4つの端
子に対応したバンプ電極、電極ランドがそれぞれ形成さ
れ、対応する各バンプ電極と各電極ランドとが半田バン
プ接続されている。
【0008】このため、上記従来の1ポート型弾性表面
波装置においては、2ポート型弾性表面波装置と同寸法
の表面波共振素子及びベース基板を用いて構成される場
合にも、同一の治工具を用いて製造することができない
という問題があった。すなわち、例えばベース基板に半
田バンプを付与するための治工具、半田バンプ接続する
際の治工具等はそれぞれ別のものを使用する必要があ
り、上記従来の1ポート型弾性表面波装置の製造に際し
ては、2ポート型弾性表面波装置を製造するための治工
具を使用することができず、治工具類の共通化が困難で
あり、治工具類の管理が繁雑となり、管理コスト及び製
造コストが高くなるという問題があった。
【0009】また、従来の1ポート型弾性表面波装置に
おいては、1ポート表面波共振素子は2つの半田バンプ
のみでベース基板にはんだ付けされているだけであり、
落下等に対する耐衝撃性が悪いという問題があった。
【0010】そこで、本発明の目的は、製造に際して2
ポート型弾性表面波装置との治工具類の共通化を図るこ
とができ、かつ耐衝撃性を向上することができる1ポー
ト型弾性表面波装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る1ポート型弾性表面波装置は、表面
波基板に2つの入出力用バンプ電極と少なくとも2つの
ダミーバンプ電極とが形成された1ポート表面波共振素
子が、入出力電極ランドとダミー電極ランドとが形成さ
れたベース基板に、前記各バンプ電極とそれぞれに対応
する前記各電極ランドとが半田バンプ接続されて載置さ
れていることを特徴とするものである。
【0012】上記の構成によれば、1ポート表面波共振
素子には少なくとも4つのバンプ電極が形成され、1ポ
ート表面波共振素子を載置するベース基板には前記バン
プ電極に対応する少なくとも4つの電極ランドが形成さ
れおり、同様の構成の2ポート型弾性表面波装置の治工
具類を用いて1ポート表面波共振素子を製造することが
できるので、使用する治工具類の共通化を図ることがで
き、治工具類の種類を減らすことができる。
【0013】また、1ポート表面波共振素子は少なくと
も4箇所の半田バンプでベース基板に固定されるので、
従来例のものに比べ耐衝撃性を大幅に向上することがで
きる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施例を示す
図面に基づいて説明する。本発明の一実施例の係る1ポ
ート型弾性表面波装置の構造を図1〜図3に示す。図1
は1ポート表面波共振素子の平面図、図2はベース基板
の平面図、図3は1ポート型弾性表面波装置の断面図で
ある。以下の図において、従来例と同一または相当する
部分については同一符号を付して、その詳細な説明は省
略する。
【0015】本実施例の1ポート表面波共振素子10に
は、図1に示すように、入出力用の引出電極14のそれ
ぞれの先端部に形成された2つの入出力バンプ電極15
の他に円形状の2つのダミーバンプ電極16が形成され
ている。また、本実施例のベース基板20には、2つの
入出力電極ランド22の他に円形状の2つのダミー電極
ランド24が形成されている。
【0016】2つの入出力バンプ電極15及び2つのダ
ミーバンプ電極16は表面波基板11のIDT電極12
の両側の対角線上にそれぞれ配置され、これらに対応す
る入出力電極ランド22及びダミー電極ランド24もベ
ース基板20の対角線上にそれぞれ配置されている。
【0017】そして、本実施例の1ポート型弾性表面波
装置は、図3に示すように、1ポート表面波共振素子1
0とベース基板20とを各バンプ電極15、16形成面
と各電極ランド22、24形成面を対向させて配置し、
各バンプ電極15、16と各電極ランド22、24とを
それぞれ半田バンプ51ではんだ付けすることにより、
1ポート表面波共振素子10がベース基板20に接続固
定されている。
【0018】本実施例の構成における2つの入出力バン
プ電極15は、同様の構成の2ポート表面波共振素子の
入出力バンプ電極と同位置となるように配置され、本実
施例のダミーバンプ電極16は、同様の構成の2ポート
表面波共振素子のアースバンプ電極と同位置となるよう
に配置されている。同様に本実施例のベース基板20の
各電極ランド22、24も同様の構成の2ポート表面波
共振素子が載置されるベース基板と同位置となるように
配置されている。
【0019】このように、本実施例の1ポート型弾性表
面波装置を構成する1ポート表面波共振素子10及びベ
ース基板20には、同様の構成の2ポート型弾性表面波
装置と同位置に各バンプ電極15、16及び各電極ラン
ド22、24が形成されているので、本実施例の1ポー
ト型弾性表面波装置は、同様の構成の2ポート型弾性表
面波装置の治工具類を用いて製造することができる。す
なわち、弾性表面波装置の製造に使用する治工具類の共
通化を図ることができ、治工具類の管理が容易となり、
かつ治工具の取り替え作業を減らし製造工数を削減する
ことができる。
【0020】また、本実施例の1ポート表面波共振素子
は、4箇所の半田バンプでベース基板に接続固定される
ので、従来例のものに比べ耐衝撃性が大幅に向上された
ものとなる。
【0021】なお、1ポート表面波共振素子の各バンプ
電極及びベース基板の電極ランドの配置(形成位置)
は、上記実施例に限るものではなく、例えば、図4
(a)〜(d)に示すような各種の配置が採用される。
また、ダミーバンプ電極の数も2つに限定されるもので
はなく、図4(d)に示すように3つであってもよく、
あるいは4つ以上であってもよい。この場合も、各バン
プ電極の形成位置は2ポート表面波共振素子のバンプ電
極のいずれかに対応する位置に形成される。
【0022】また、ベース基板にダミー電極ランドを3
つ以上形成してもよく、ベース基板のダミー電極の数は
表面波共振素子のダミーバンプ電極よりも多くてもよ
い。この場合、余分なダミー電極ランドには半田バンプ
接続のための半田は塗布されない。このようにベース基
板に多数の電極ランドを形成することにより、多数の種
類の表面波共振素子に対して1つのベース基板を共用す
ることができる。
【0023】また、上記実施例では、IDT電極の両側
に反射器電極が形成された1ポート表面波共振素子で説
明したが、反射器電極のない端面反射型の1ポート表面
波共振素子にも本発明を適用することができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る1ポ
ート型弾性表面波装置によれば、同様の構成の2ポート
型弾性表面波装置の治工具類を用いて製造することがで
き、弾性表面波装置の製造に使用する治工具類の共通化
を図ることができる。したがって、治工具類の管理が容
易となり、製造工数を削減することができ、コストを大
幅に削減することができる。
【0025】また、1ポート表面波共振素子は少なくと
も4箇所の半田バンプでベース基板に接続固定されるの
で、従来例のものに比べ耐衝撃性を大幅に向上すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る1ポート表面波共振素
子の平面図である。
【図2】本発明の一実施例に係るベース基板の平面図で
ある。
【図3】本発明の一実施例に係る1ポート型弾性表面波
装置の断面図である。
【図4】(a)〜(c)は本発明の他の実施例の1ポー
ト表面波共振素子の平面図である。
【図5】従来の1ポート表面波共振素子の平面図であ
る。
【図6】従来のベース基板の平面図である。
【図7】従来の1ポート型弾性表面波装置の断面図であ
る。
【符号の説明】
10 1ポート表面波共振素子 11 表面波基板 12 IDT電極 15 入出力バンプ電極 16 ダミーバンプ電極 20 ベース基板 22 入出力電極ランド 24 ダミー電極ランド 30 金属キャップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面波基板に2つの入出力用バンプ電極
    と少なくとも2つのダミーバンプ電極とが形成された1
    ポート表面波共振素子が、入出力電極ランドとダミー電
    極ランドとが形成されたベース基板に、前記各バンプ電
    極とそれぞれに対応する前記各電極ランドとが半田バン
    プ接続されて載置されていることを特徴とする1ポート
    型弾性表面波装置。
JP9088132A 1996-09-19 1997-04-07 1ポート型弾性表面波装置 Pending JPH10150341A (ja)

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