JPH10150341A - １ポート型弾性表面波装置 - Google Patents
１ポート型弾性表面波装置Info
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造に際して２ポート型弾性表面波装置との治
工具類の共通化を図ることができ、かつ耐衝撃性を向上
することができる１ポート型弾性表面波装置を提供す
る。 【解決手段】１ポート表面波共振素子１０は、表面波基
板１１を有し、表面波基板１１の一方主面には、入出力
用の引出電極１４の先端部に形成された２つの入出力バ
ンプ電極１５の他に２つのダミーバンプ電極１６が形成
されている。
工具類の共通化を図ることができ、かつ耐衝撃性を向上
することができる１ポート型弾性表面波装置を提供す
る。 【解決手段】１ポート表面波共振素子１０は、表面波基
板１１を有し、表面波基板１１の一方主面には、入出力
用の引出電極１４の先端部に形成された２つの入出力バ
ンプ電極１５の他に２つのダミーバンプ電極１６が形成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１ポート表面波共
振素子とベース基板とが半田バンプ接続されてなる１ポ
ート型弾性表面波装置に関する。
振素子とベース基板とが半田バンプ接続されてなる１ポ
ート型弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ベース基板に１ポート表面波共振素子が
半田バンプ接続されて載置された従来の１ポート型弾性
表面波装置の構成を図５〜図７に示す。図５は１ポート
表面波共振素子の平面図、図６はベース基板の平面図、
図７は１ポート型弾性表面波装置の断面図である。
半田バンプ接続されて載置された従来の１ポート型弾性
表面波装置の構成を図５〜図７に示す。図５は１ポート
表面波共振素子の平面図、図６はベース基板の平面図、
図７は１ポート型弾性表面波装置の断面図である。
【０００３】この１ポート表面波共振素子１０は、図５
に示すように、表面波基板１１を有し、表面波基板１１
の一方主面には、その略中央部に１つのＩＤＴ電極１
２、ＩＤＴ電極１２の両側に反射器電極１３、ＩＤＴ電
極１２から引出された入出力用の２つの引出電極１４、
及び各引出電極１４の先端部に円形状の入出力バンプ電
極１５が形成されている。
に示すように、表面波基板１１を有し、表面波基板１１
の一方主面には、その略中央部に１つのＩＤＴ電極１
２、ＩＤＴ電極１２の両側に反射器電極１３、ＩＤＴ電
極１２から引出された入出力用の２つの引出電極１４、
及び各引出電極１４の先端部に円形状の入出力バンプ電
極１５が形成されている。
【０００４】ベース基板２０はアルミナ等のセラミック
スからなり、その一方主面には、図６に示すように、金
属キャップ３０との半田接合を果たすための角環状の接
合ランド２１、１ポート表面波共振素子１０を電気的及
び機械的に接続固定するための２つの円形状の入出力電
極ランド２２、及び各入出力電極ランド２２に連設して
所望の電気的接続を果たすための引出電極２３が形成さ
れている。なお、ベース基板２０の他方主面にはスルー
ホール２５等により引出電極２３に接続された入出力端
子電極（図示せず）が形成されている。
スからなり、その一方主面には、図６に示すように、金
属キャップ３０との半田接合を果たすための角環状の接
合ランド２１、１ポート表面波共振素子１０を電気的及
び機械的に接続固定するための２つの円形状の入出力電
極ランド２２、及び各入出力電極ランド２２に連設して
所望の電気的接続を果たすための引出電極２３が形成さ
れている。なお、ベース基板２０の他方主面にはスルー
ホール２５等により引出電極２３に接続された入出力端
子電極（図示せず）が形成されている。
【０００５】従来の１ポート型弾性表面波装置は、図７
に示すように、上記１ポート表面波共振素子１０が、フ
ェイスダウン方式、すなわち図５に示す各種電極が形成
された面を下にして、１ポート表面波共振素子１０の入
出力バンプ電極１５とベース基板２０の入出力電極ラン
ド２２とが半田バンプ５１により電気的及び機械的に接
続固定されてベース基板２０上に載置されている。そし
て、一面開口状の金属キャップ３０が、ベース基板２０
の接合ランド２１に半田５２により半田接合され、１ポ
ート表面波共振素子１０がベース基板２０と金属キャッ
プ３０からなるパッケージ内に封止されている。
に示すように、上記１ポート表面波共振素子１０が、フ
ェイスダウン方式、すなわち図５に示す各種電極が形成
された面を下にして、１ポート表面波共振素子１０の入
出力バンプ電極１５とベース基板２０の入出力電極ラン
ド２２とが半田バンプ５１により電気的及び機械的に接
続固定されてベース基板２０上に載置されている。そし
て、一面開口状の金属キャップ３０が、ベース基板２０
の接合ランド２１に半田５２により半田接合され、１ポ
ート表面波共振素子１０がベース基板２０と金属キャッ
プ３０からなるパッケージ内に封止されている。
【０００６】上記のように、１ポート表面波共振素子は
２つの入出力端子を有するものであり、従来の１ポート
型弾性表面波装置においては、１ポート表面波共振素子
１０は、２つの入出力バンプ電極１５とこれに対応する
ベース基板２０の２つの入出力電極ランド２２とを半田
バンプ接続することにより、すなわち２箇所の半田バン
プ接続によりベース基板２０上に載置されている。
２つの入出力端子を有するものであり、従来の１ポート
型弾性表面波装置においては、１ポート表面波共振素子
１０は、２つの入出力バンプ電極１５とこれに対応する
ベース基板２０の２つの入出力電極ランド２２とを半田
バンプ接続することにより、すなわち２箇所の半田バン
プ接続によりベース基板２０上に載置されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、同様の構成
の弾性表面波装置には１ポート表面波共振素子以外に２
つのＩＤＴ電極が形成された２ポート表面波共振素子を
ベース基板に半田バンプ接続した２ポート型弾性表面波
装置がある。２ポート表面波共振素子は２つの入出力端
子と２つのアース端子の４つの端子を有しており、一般
に、２ポート表面波共振素子とベース基板には４つの端
子に対応したバンプ電極、電極ランドがそれぞれ形成さ
れ、対応する各バンプ電極と各電極ランドとが半田バン
プ接続されている。
の弾性表面波装置には１ポート表面波共振素子以外に２
つのＩＤＴ電極が形成された２ポート表面波共振素子を
ベース基板に半田バンプ接続した２ポート型弾性表面波
装置がある。２ポート表面波共振素子は２つの入出力端
子と２つのアース端子の４つの端子を有しており、一般
に、２ポート表面波共振素子とベース基板には４つの端
子に対応したバンプ電極、電極ランドがそれぞれ形成さ
れ、対応する各バンプ電極と各電極ランドとが半田バン
プ接続されている。
【０００８】このため、上記従来の１ポート型弾性表面
波装置においては、２ポート型弾性表面波装置と同寸法
の表面波共振素子及びベース基板を用いて構成される場
合にも、同一の治工具を用いて製造することができない
という問題があった。すなわち、例えばベース基板に半
田バンプを付与するための治工具、半田バンプ接続する
際の治工具等はそれぞれ別のものを使用する必要があ
り、上記従来の１ポート型弾性表面波装置の製造に際し
ては、２ポート型弾性表面波装置を製造するための治工
具を使用することができず、治工具類の共通化が困難で
あり、治工具類の管理が繁雑となり、管理コスト及び製
造コストが高くなるという問題があった。
波装置においては、２ポート型弾性表面波装置と同寸法
の表面波共振素子及びベース基板を用いて構成される場
合にも、同一の治工具を用いて製造することができない
という問題があった。すなわち、例えばベース基板に半
田バンプを付与するための治工具、半田バンプ接続する
際の治工具等はそれぞれ別のものを使用する必要があ
り、上記従来の１ポート型弾性表面波装置の製造に際し
ては、２ポート型弾性表面波装置を製造するための治工
具を使用することができず、治工具類の共通化が困難で
あり、治工具類の管理が繁雑となり、管理コスト及び製
造コストが高くなるという問題があった。
【０００９】また、従来の１ポート型弾性表面波装置に
おいては、１ポート表面波共振素子は２つの半田バンプ
のみでベース基板にはんだ付けされているだけであり、
落下等に対する耐衝撃性が悪いという問題があった。
おいては、１ポート表面波共振素子は２つの半田バンプ
のみでベース基板にはんだ付けされているだけであり、
落下等に対する耐衝撃性が悪いという問題があった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、製造に際して２
ポート型弾性表面波装置との治工具類の共通化を図るこ
とができ、かつ耐衝撃性を向上することができる１ポー
ト型弾性表面波装置を提供することにある。
ポート型弾性表面波装置との治工具類の共通化を図るこ
とができ、かつ耐衝撃性を向上することができる１ポー
ト型弾性表面波装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る１ポート型弾性表面波装置は、表面
波基板に２つの入出力用バンプ電極と少なくとも２つの
ダミーバンプ電極とが形成された１ポート表面波共振素
子が、入出力電極ランドとダミー電極ランドとが形成さ
れたベース基板に、前記各バンプ電極とそれぞれに対応
する前記各電極ランドとが半田バンプ接続されて載置さ
れていることを特徴とするものである。
に、請求項１に係る１ポート型弾性表面波装置は、表面
波基板に２つの入出力用バンプ電極と少なくとも２つの
ダミーバンプ電極とが形成された１ポート表面波共振素
子が、入出力電極ランドとダミー電極ランドとが形成さ
れたベース基板に、前記各バンプ電極とそれぞれに対応
する前記各電極ランドとが半田バンプ接続されて載置さ
れていることを特徴とするものである。
【００１２】上記の構成によれば、１ポート表面波共振
素子には少なくとも４つのバンプ電極が形成され、１ポ
ート表面波共振素子を載置するベース基板には前記バン
プ電極に対応する少なくとも４つの電極ランドが形成さ
れおり、同様の構成の２ポート型弾性表面波装置の治工
具類を用いて１ポート表面波共振素子を製造することが
できるので、使用する治工具類の共通化を図ることがで
き、治工具類の種類を減らすことができる。
素子には少なくとも４つのバンプ電極が形成され、１ポ
ート表面波共振素子を載置するベース基板には前記バン
プ電極に対応する少なくとも４つの電極ランドが形成さ
れおり、同様の構成の２ポート型弾性表面波装置の治工
具類を用いて１ポート表面波共振素子を製造することが
できるので、使用する治工具類の共通化を図ることがで
き、治工具類の種類を減らすことができる。
【００１３】また、１ポート表面波共振素子は少なくと
も４箇所の半田バンプでベース基板に固定されるので、
従来例のものに比べ耐衝撃性を大幅に向上することがで
きる。
も４箇所の半田バンプでベース基板に固定されるので、
従来例のものに比べ耐衝撃性を大幅に向上することがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施例を示す
図面に基づいて説明する。本発明の一実施例の係る１ポ
ート型弾性表面波装置の構造を図１〜図３に示す。図１
は１ポート表面波共振素子の平面図、図２はベース基板
の平面図、図３は１ポート型弾性表面波装置の断面図で
ある。以下の図において、従来例と同一または相当する
部分については同一符号を付して、その詳細な説明は省
略する。
図面に基づいて説明する。本発明の一実施例の係る１ポ
ート型弾性表面波装置の構造を図１〜図３に示す。図１
は１ポート表面波共振素子の平面図、図２はベース基板
の平面図、図３は１ポート型弾性表面波装置の断面図で
ある。以下の図において、従来例と同一または相当する
部分については同一符号を付して、その詳細な説明は省
略する。
【００１５】本実施例の１ポート表面波共振素子１０に
は、図１に示すように、入出力用の引出電極１４のそれ
ぞれの先端部に形成された２つの入出力バンプ電極１５
の他に円形状の２つのダミーバンプ電極１６が形成され
ている。また、本実施例のベース基板２０には、２つの
入出力電極ランド２２の他に円形状の２つのダミー電極
ランド２４が形成されている。
は、図１に示すように、入出力用の引出電極１４のそれ
ぞれの先端部に形成された２つの入出力バンプ電極１５
の他に円形状の２つのダミーバンプ電極１６が形成され
ている。また、本実施例のベース基板２０には、２つの
入出力電極ランド２２の他に円形状の２つのダミー電極
ランド２４が形成されている。
【００１６】２つの入出力バンプ電極１５及び２つのダ
ミーバンプ電極１６は表面波基板１１のＩＤＴ電極１２
の両側の対角線上にそれぞれ配置され、これらに対応す
る入出力電極ランド２２及びダミー電極ランド２４もベ
ース基板２０の対角線上にそれぞれ配置されている。
ミーバンプ電極１６は表面波基板１１のＩＤＴ電極１２
の両側の対角線上にそれぞれ配置され、これらに対応す
る入出力電極ランド２２及びダミー電極ランド２４もベ
ース基板２０の対角線上にそれぞれ配置されている。
【００１７】そして、本実施例の１ポート型弾性表面波
装置は、図３に示すように、１ポート表面波共振素子１
０とベース基板２０とを各バンプ電極１５、１６形成面
と各電極ランド２２、２４形成面を対向させて配置し、
各バンプ電極１５、１６と各電極ランド２２、２４とを
それぞれ半田バンプ５１ではんだ付けすることにより、
１ポート表面波共振素子１０がベース基板２０に接続固
定されている。
装置は、図３に示すように、１ポート表面波共振素子１
０とベース基板２０とを各バンプ電極１５、１６形成面
と各電極ランド２２、２４形成面を対向させて配置し、
各バンプ電極１５、１６と各電極ランド２２、２４とを
それぞれ半田バンプ５１ではんだ付けすることにより、
１ポート表面波共振素子１０がベース基板２０に接続固
定されている。
【００１８】本実施例の構成における２つの入出力バン
プ電極１５は、同様の構成の２ポート表面波共振素子の
入出力バンプ電極と同位置となるように配置され、本実
施例のダミーバンプ電極１６は、同様の構成の２ポート
表面波共振素子のアースバンプ電極と同位置となるよう
に配置されている。同様に本実施例のベース基板２０の
各電極ランド２２、２４も同様の構成の２ポート表面波
共振素子が載置されるベース基板と同位置となるように
配置されている。
プ電極１５は、同様の構成の２ポート表面波共振素子の
入出力バンプ電極と同位置となるように配置され、本実
施例のダミーバンプ電極１６は、同様の構成の２ポート
表面波共振素子のアースバンプ電極と同位置となるよう
に配置されている。同様に本実施例のベース基板２０の
各電極ランド２２、２４も同様の構成の２ポート表面波
共振素子が載置されるベース基板と同位置となるように
配置されている。
【００１９】このように、本実施例の１ポート型弾性表
面波装置を構成する１ポート表面波共振素子１０及びベ
ース基板２０には、同様の構成の２ポート型弾性表面波
装置と同位置に各バンプ電極１５、１６及び各電極ラン
ド２２、２４が形成されているので、本実施例の１ポー
ト型弾性表面波装置は、同様の構成の２ポート型弾性表
面波装置の治工具類を用いて製造することができる。す
なわち、弾性表面波装置の製造に使用する治工具類の共
通化を図ることができ、治工具類の管理が容易となり、
かつ治工具の取り替え作業を減らし製造工数を削減する
ことができる。
面波装置を構成する１ポート表面波共振素子１０及びベ
ース基板２０には、同様の構成の２ポート型弾性表面波
装置と同位置に各バンプ電極１５、１６及び各電極ラン
ド２２、２４が形成されているので、本実施例の１ポー
ト型弾性表面波装置は、同様の構成の２ポート型弾性表
面波装置の治工具類を用いて製造することができる。す
なわち、弾性表面波装置の製造に使用する治工具類の共
通化を図ることができ、治工具類の管理が容易となり、
かつ治工具の取り替え作業を減らし製造工数を削減する
ことができる。
【００２０】また、本実施例の１ポート表面波共振素子
は、４箇所の半田バンプでベース基板に接続固定される
ので、従来例のものに比べ耐衝撃性が大幅に向上された
ものとなる。
は、４箇所の半田バンプでベース基板に接続固定される
ので、従来例のものに比べ耐衝撃性が大幅に向上された
ものとなる。
【００２１】なお、１ポート表面波共振素子の各バンプ
電極及びベース基板の電極ランドの配置（形成位置）
は、上記実施例に限るものではなく、例えば、図４
（ａ）〜（ｄ）に示すような各種の配置が採用される。
また、ダミーバンプ電極の数も２つに限定されるもので
はなく、図４（ｄ）に示すように３つであってもよく、
あるいは４つ以上であってもよい。この場合も、各バン
プ電極の形成位置は２ポート表面波共振素子のバンプ電
極のいずれかに対応する位置に形成される。
電極及びベース基板の電極ランドの配置（形成位置）
は、上記実施例に限るものではなく、例えば、図４
（ａ）〜（ｄ）に示すような各種の配置が採用される。
また、ダミーバンプ電極の数も２つに限定されるもので
はなく、図４（ｄ）に示すように３つであってもよく、
あるいは４つ以上であってもよい。この場合も、各バン
プ電極の形成位置は２ポート表面波共振素子のバンプ電
極のいずれかに対応する位置に形成される。
【００２２】また、ベース基板にダミー電極ランドを３
つ以上形成してもよく、ベース基板のダミー電極の数は
表面波共振素子のダミーバンプ電極よりも多くてもよ
い。この場合、余分なダミー電極ランドには半田バンプ
接続のための半田は塗布されない。このようにベース基
板に多数の電極ランドを形成することにより、多数の種
類の表面波共振素子に対して１つのベース基板を共用す
ることができる。
つ以上形成してもよく、ベース基板のダミー電極の数は
表面波共振素子のダミーバンプ電極よりも多くてもよ
い。この場合、余分なダミー電極ランドには半田バンプ
接続のための半田は塗布されない。このようにベース基
板に多数の電極ランドを形成することにより、多数の種
類の表面波共振素子に対して１つのベース基板を共用す
ることができる。
【００２３】また、上記実施例では、ＩＤＴ電極の両側
に反射器電極が形成された１ポート表面波共振素子で説
明したが、反射器電極のない端面反射型の１ポート表面
波共振素子にも本発明を適用することができる。
に反射器電極が形成された１ポート表面波共振素子で説
明したが、反射器電極のない端面反射型の１ポート表面
波共振素子にも本発明を適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る１ポ
ート型弾性表面波装置によれば、同様の構成の２ポート
型弾性表面波装置の治工具類を用いて製造することがで
き、弾性表面波装置の製造に使用する治工具類の共通化
を図ることができる。したがって、治工具類の管理が容
易となり、製造工数を削減することができ、コストを大
幅に削減することができる。
ート型弾性表面波装置によれば、同様の構成の２ポート
型弾性表面波装置の治工具類を用いて製造することがで
き、弾性表面波装置の製造に使用する治工具類の共通化
を図ることができる。したがって、治工具類の管理が容
易となり、製造工数を削減することができ、コストを大
幅に削減することができる。
【００２５】また、１ポート表面波共振素子は少なくと
も４箇所の半田バンプでベース基板に接続固定されるの
で、従来例のものに比べ耐衝撃性を大幅に向上すること
ができる。
も４箇所の半田バンプでベース基板に接続固定されるの
で、従来例のものに比べ耐衝撃性を大幅に向上すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例に係る１ポート表面波共振素
子の平面図である。
子の平面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るベース基板の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の一実施例に係る１ポート型弾性表面波
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施例の１ポー
ト表面波共振素子の平面図である。
ト表面波共振素子の平面図である。
【図５】従来の１ポート表面波共振素子の平面図であ
る。
る。
【図６】従来のベース基板の平面図である。
【図７】従来の１ポート型弾性表面波装置の断面図であ
る。
る。
１０ １ポート表面波共振素子 １１ 表面波基板 １２ ＩＤＴ電極 １５ 入出力バンプ電極 １６ ダミーバンプ電極 ２０ ベース基板 ２２ 入出力電極ランド ２４ ダミー電極ランド ３０ 金属キャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 表面波基板に２つの入出力用バンプ電極
と少なくとも２つのダミーバンプ電極とが形成された１
ポート表面波共振素子が、入出力電極ランドとダミー電
極ランドとが形成されたベース基板に、前記各バンプ電
極とそれぞれに対応する前記各電極ランドとが半田バン
プ接続されて載置されていることを特徴とする１ポート
型弾性表面波装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9088132A JPH10150341A (ja) | 1996-09-19 | 1997-04-07 | １ポート型弾性表面波装置 |
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