JPH07303022A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH07303022A JPH07303022A JP6094982A JP9498294A JPH07303022A JP H07303022 A JPH07303022 A JP H07303022A JP 6094982 A JP6094982 A JP 6094982A JP 9498294 A JP9498294 A JP 9498294A JP H07303022 A JPH07303022 A JP H07303022A
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- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
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- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＩＤＴ電極両端間の距離に対する
導波路方向の入出力電極間の距離の比を、３．５より小
さい範囲に選定することによって、半田バンプ接続によ
る断線不良を軽減し、周波数シフト量を低減し、温度係
数を小さくし、温度周波数変移曲線の最大値を中心温度
（３０℃）に近づけ、そして昇温および降温測定におけ
る周波数変移曲線のヒステリシスを改善した弾性表面波
装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、ＳＡＷチップが搭載されたパッケ
ージのチップキャリアに、パッケージのキャップが導電
部材で接合されている弾性表面波装置において、前記Ｓ
ＡＷチップの入出力ＩＤＴ電極導波路の両側に設けられ
た導波路方向の入出力電極の中心間の距離Ｌ２と、前記
入出力ＩＤＴ電極の両外側端間の距離Ｌ３とが、Ｌ２＜
３．５Ｌ３の関係式で形成されている弾性表面波装置。
導波路方向の入出力電極間の距離の比を、３．５より小
さい範囲に選定することによって、半田バンプ接続によ
る断線不良を軽減し、周波数シフト量を低減し、温度係
数を小さくし、温度周波数変移曲線の最大値を中心温度
（３０℃）に近づけ、そして昇温および降温測定におけ
る周波数変移曲線のヒステリシスを改善した弾性表面波
装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、ＳＡＷチップが搭載されたパッケ
ージのチップキャリアに、パッケージのキャップが導電
部材で接合されている弾性表面波装置において、前記Ｓ
ＡＷチップの入出力ＩＤＴ電極導波路の両側に設けられ
た導波路方向の入出力電極の中心間の距離Ｌ２と、前記
入出力ＩＤＴ電極の両外側端間の距離Ｌ３とが、Ｌ２＜
３．５Ｌ３の関係式で形成されている弾性表面波装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入出力電極間の距離と
ＩＤＴ電極の両外側端間の距離との比を所定値に選定す
ることにより、中心周波数の温度特性を改善した弾性表
面波装置に関する。
ＩＤＴ電極の両外側端間の距離との比を所定値に選定す
ることにより、中心周波数の温度特性を改善した弾性表
面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波装置は、図７に示され
るように、ＳＡＷチップ１１が、チップキャリア１２
に、フェイスダウンボンドされ、そしてキャップ１３が
チップキャリア１２に半田バンプ接続されて、ＳＡＷチ
ップ１１がキャップ１３の中に収納される構造である。
るように、ＳＡＷチップ１１が、チップキャリア１２
に、フェイスダウンボンドされ、そしてキャップ１３が
チップキャリア１２に半田バンプ接続されて、ＳＡＷチ
ップ１１がキャップ１３の中に収納される構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の弾性表面波装置においては、ＳＡＷチップ１１と、
パッケージ（チップキャリア１２およびキャップ１３）
との熱膨脹率を同じにするのが理想であるが、実際に
は、理想通りにはいかない。そこで、なるべく熱膨脹率
の近いものを選んでいるが、ヒートサイクル等の信頼性
試験で、周波数シフトが大きくなる、また、半田バンプ
接続での断線が発生する、などの問題が生じる。
来の弾性表面波装置においては、ＳＡＷチップ１１と、
パッケージ（チップキャリア１２およびキャップ１３）
との熱膨脹率を同じにするのが理想であるが、実際に
は、理想通りにはいかない。そこで、なるべく熱膨脹率
の近いものを選んでいるが、ヒートサイクル等の信頼性
試験で、周波数シフトが大きくなる、また、半田バンプ
接続での断線が発生する、などの問題が生じる。
【０００４】したがって、本発明は、ＳＡＷチップ材料
とパッケージ材料との熱膨脹率の違いには言及せずに、
ＳＡＷチップの電極パターンに着目して、特に、そのＩ
ＤＴ電極両端間の距離に対する導波路方向の入出力電極
間の距離の比を、３．５よりも小さい範囲に選定するこ
とによって、半田バンプ接続による断線不良を軽減し、
周波数シフト量を低減し、温度係数を小さくし、温度周
波数変移曲線の最大値を中心温度（３０℃）に近づけ、
そして昇温および降温測定における周波数変移曲線のヒ
ステリシスを改善した弾性表面波装置を提供することを
目的とする。
とパッケージ材料との熱膨脹率の違いには言及せずに、
ＳＡＷチップの電極パターンに着目して、特に、そのＩ
ＤＴ電極両端間の距離に対する導波路方向の入出力電極
間の距離の比を、３．５よりも小さい範囲に選定するこ
とによって、半田バンプ接続による断線不良を軽減し、
周波数シフト量を低減し、温度係数を小さくし、温度周
波数変移曲線の最大値を中心温度（３０℃）に近づけ、
そして昇温および降温測定における周波数変移曲線のヒ
ステリシスを改善した弾性表面波装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＳＡＷチップ
が搭載されたパッケージのチップキャリアに、パッケー
ジのキャップが導電部材で接合されている弾性表面波装
置において、前記ＳＡＷチップの入出力ＩＤＴ電極導波
路の両側に設けた導波路方向の入出力電極の中心間の距
離Ｌ２と、前記入出力ＩＤＴ電極の両外側端間の距離Ｌ
３とが、Ｌ２＜３．５Ｌ３ の関係式で形成されている
弾性表面波装置である。
が搭載されたパッケージのチップキャリアに、パッケー
ジのキャップが導電部材で接合されている弾性表面波装
置において、前記ＳＡＷチップの入出力ＩＤＴ電極導波
路の両側に設けた導波路方向の入出力電極の中心間の距
離Ｌ２と、前記入出力ＩＤＴ電極の両外側端間の距離Ｌ
３とが、Ｌ２＜３．５Ｌ３ の関係式で形成されている
弾性表面波装置である。
【０００６】
【作用】本発明は、ＩＤＴ電極両端間の距離に対する導
波路方向の入出力電極間の距離の比を、３．５以下に選
定することによって、半田バンプ接続による断線不良が
軽減し、周波数シフト量が低減し、温度係数が小さくな
り、温度周波数変移曲線の最大値が中心温度（３０℃）
に近づき、そして昇温および降温測定における周波数変
移曲線のヒステリシスが改善される。
波路方向の入出力電極間の距離の比を、３．５以下に選
定することによって、半田バンプ接続による断線不良が
軽減し、周波数シフト量が低減し、温度係数が小さくな
り、温度周波数変移曲線の最大値が中心温度（３０℃）
に近づき、そして昇温および降温測定における周波数変
移曲線のヒステリシスが改善される。
【０００７】
【実施例】つぎに、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は、本実施例の弾性表面波装置の形
態図を示すものである。同図において、１はＳＡＷチッ
プで、チップキャリア２にフェイスダウンボンディング
される。３はキャップで、チップキャリア２に半田バン
プ接続される。
して説明する。図１は、本実施例の弾性表面波装置の形
態図を示すものである。同図において、１はＳＡＷチッ
プで、チップキャリア２にフェイスダウンボンディング
される。３はキャップで、チップキャリア２に半田バン
プ接続される。
【０００８】図２は、図１に示す２ポートＳＡＷチップ
１の平面図を示すもので、圧電基板４にＩＤＴ電極５
ａ、５ｂが設けられ、その両側に反射器電極６ａ、６ｂ
が設けられている。このＩＤＴ電極５ａ、５ｂは、２ポ
ートＳＡＷ共振子電極を構成している。このＩＤＴ電極
５ａからは、入出力電極７ａ、７ｂが導出されて、反射
器電極６ａの両側にそれぞれ設けられている。また、Ｉ
ＤＴ電極５ｂからは、入出力電極８ａ、８ｂが導出され
て、反射器電極６ｂの両側にそれぞれ設けられている。
１の平面図を示すもので、圧電基板４にＩＤＴ電極５
ａ、５ｂが設けられ、その両側に反射器電極６ａ、６ｂ
が設けられている。このＩＤＴ電極５ａ、５ｂは、２ポ
ートＳＡＷ共振子電極を構成している。このＩＤＴ電極
５ａからは、入出力電極７ａ、７ｂが導出されて、反射
器電極６ａの両側にそれぞれ設けられている。また、Ｉ
ＤＴ電極５ｂからは、入出力電極８ａ、８ｂが導出され
て、反射器電極６ｂの両側にそれぞれ設けられている。
【０００９】そして、ＳＡＷチップ１のこれらの電極等
の大きさを、図示のように符号化する。即ち、 Ｌ１： 圧電基板４の長さ方向（導波路方向）の長さ Ｌ２： 入出力電極７ａと８ａ（７ｂと８ｂ、７ａと８
ｂ、７ｂと８ａ）の中心間の導波路方向と引出線間距離 Ｌ３： ＩＤＴ電極５ａと５ｂとの外側端間の距離 Ｗ１： 圧電基板４の幅方向（導波路方向と直角方向）
の長さ Ｗ２： 入出力電極７ａと７ｂ（８ａと８ｂ）の中心間
の距離 Φ ： 入出力電極７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂの直径 ここに、中心周波数４３３ＭＨｚの２ポートＳＡＷ発振
子として、下記寸法のものを製作した。
の大きさを、図示のように符号化する。即ち、 Ｌ１： 圧電基板４の長さ方向（導波路方向）の長さ Ｌ２： 入出力電極７ａと８ａ（７ｂと８ｂ、７ａと８
ｂ、７ｂと８ａ）の中心間の導波路方向と引出線間距離 Ｌ３： ＩＤＴ電極５ａと５ｂとの外側端間の距離 Ｗ１： 圧電基板４の幅方向（導波路方向と直角方向）
の長さ Ｗ２： 入出力電極７ａと７ｂ（８ａと８ｂ）の中心間
の距離 Φ ： 入出力電極７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂの直径 ここに、中心周波数４３３ＭＨｚの２ポートＳＡＷ発振
子として、下記寸法のものを製作した。
【００１０】Ｌ１＝３８４０μｍ Ｌ２＝（下記、３
例） Ｌ３＝６５６μｍ Ｗ１＝２３８０μｍ Ｗ２＝１５８０μｍ Φ
＝３００μｍ ここに、Ｌ２以外の寸法は上記値にして、Ｌ２の値を、
１）８４０μｍ、２）１６７０μｍ、３）２５００μｍ
に選定して、３つのサンプルを作成して、Ｌ２に対する
中心周波数ｆ0 のシフト量および断線不良率の変化の状
況を計測した。その結果は図４の通りであった。なお、
実線は中心周波数ｆ0 のシフト量、点線は断線不良率で
ある。この図４から、Ｌ２に対し、中心周波数ｆ0 のシ
フト量も断線不良率も、ほぼ比例して増減していること
が解る。
例） Ｌ３＝６５６μｍ Ｗ１＝２３８０μｍ Ｗ２＝１５８０μｍ Φ
＝３００μｍ ここに、Ｌ２以外の寸法は上記値にして、Ｌ２の値を、
１）８４０μｍ、２）１６７０μｍ、３）２５００μｍ
に選定して、３つのサンプルを作成して、Ｌ２に対する
中心周波数ｆ0 のシフト量および断線不良率の変化の状
況を計測した。その結果は図４の通りであった。なお、
実線は中心周波数ｆ0 のシフト量、点線は断線不良率で
ある。この図４から、Ｌ２に対し、中心周波数ｆ0 のシ
フト量も断線不良率も、ほぼ比例して増減していること
が解る。
【００１１】ところで、信頼性試験での中心周波数ｆ0
のシフト量は、７０ｋＨｚ以下であることが要求されて
いるので、この７０ｋＨｚに相当するＬ２の値は、この
図４より約２３００μｍとなる。
のシフト量は、７０ｋＨｚ以下であることが要求されて
いるので、この７０ｋＨｚに相当するＬ２の値は、この
図４より約２３００μｍとなる。
【００１２】これから、Ｌ２とＬ３との比Ｌ２／Ｌ３は
３．５となる。即ち、Ｌ２（＝２３００μｍ）／Ｌ３
（＝６５６μｍ）＝約３．５となる。したがって、本発
明は、この結果より、Ｌ２とＬ３との比Ｌ２／Ｌ３を
３．５より小さく選定するものである。即ち、 Ｌ２＜
３．５Ｌ３ の関係式により、上記目的を達成するもの
である。
３．５となる。即ち、Ｌ２（＝２３００μｍ）／Ｌ３
（＝６５６μｍ）＝約３．５となる。したがって、本発
明は、この結果より、Ｌ２とＬ３との比Ｌ２／Ｌ３を
３．５より小さく選定するものである。即ち、 Ｌ２＜
３．５Ｌ３ の関係式により、上記目的を達成するもの
である。
【００１３】つぎに、本実施例と従来例との比較を図表
により説明する。
により説明する。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１に示す条件にて、本実施例と従来例と
を作製し、その結果を表２に示す。
を作製し、その結果を表２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】この表２より、本実施例が、従来例に比較
して、信頼性試験でのｆ0 シフト量、中心周波数温
度特性の温度係数および中心周波数温度特性曲線の最
大値温度が、改善されていることが理解できる。
して、信頼性試験でのｆ0 シフト量、中心周波数温
度特性の温度係数および中心周波数温度特性曲線の最
大値温度が、改善されていることが理解できる。
【００１８】また、昇温および降温測定における周波数
変移曲線のヒステリシス特性について、本実施例を図５
に、従来例を図６にそれぞれ示す。なお、両図におい
て、実線は昇温測定、点線は降温測定を示す。この図５
と図６により、従来例に比べて本実施例は、昇温カーブ
と降温カーブとにヒステリシスが現れていないことが理
解できる。
変移曲線のヒステリシス特性について、本実施例を図５
に、従来例を図６にそれぞれ示す。なお、両図におい
て、実線は昇温測定、点線は降温測定を示す。この図５
と図６により、従来例に比べて本実施例は、昇温カーブ
と降温カーブとにヒステリシスが現れていないことが理
解できる。
【００１９】なお、上記実施例においては、２ポートＳ
ＡＷ共振子について説明したが、図３に示すように、Ｉ
ＤＴ電極５ｃを有する１ポートＳＡＷ共振子について
も、入出力電極９ａ、９ｂを導波路の両側にそれぞれ導
出して、それらの入出力電極９ａ、９ｂの中心間の導波
路方向と直行する引出線間距離をＬ２とした場合には、
本発明は、１ポートＳＡＷ共振子についても適用でき
る。また、本発明は、トランスバーサルフィルタについ
ても、適用できる。
ＡＷ共振子について説明したが、図３に示すように、Ｉ
ＤＴ電極５ｃを有する１ポートＳＡＷ共振子について
も、入出力電極９ａ、９ｂを導波路の両側にそれぞれ導
出して、それらの入出力電極９ａ、９ｂの中心間の導波
路方向と直行する引出線間距離をＬ２とした場合には、
本発明は、１ポートＳＡＷ共振子についても適用でき
る。また、本発明は、トランスバーサルフィルタについ
ても、適用できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、ＩＤＴ電極両端間の距離に対
する導波路方向の入出力電極間の距離の比を、３．５以
下に選定することによって、半田バンプ接続による断線
不良を軽減し、周波数シフト量を低減し、温度係数を小
さくし、温度周波数変移曲線の最大値を中心温度（３０
℃）に近づけ、そして昇温および降温測定における周波
数変移曲線のヒステリシスを改善することができる。
する導波路方向の入出力電極間の距離の比を、３．５以
下に選定することによって、半田バンプ接続による断線
不良を軽減し、周波数シフト量を低減し、温度係数を小
さくし、温度周波数変移曲線の最大値を中心温度（３０
℃）に近づけ、そして昇温および降温測定における周波
数変移曲線のヒステリシスを改善することができる。
【図１】 本発明の一実施例の概略断面図
【図２】 図１の２ポートＳＡＷチップの平面図
【図３】 他の実施例の１ポートＳＡＷチップの平面図
【図４】 図２記載実施例の片側入出力電極間の距離に
対する中心周波数シフト量および断線不良率の図
対する中心周波数シフト量および断線不良率の図
【図５】図２記載実施例の昇温および降温測定における
周波数変移曲線のヒステリシス特性図
周波数変移曲線のヒステリシス特性図
【図６】 従来例の昇温および降温測定における周波数
変移曲線のヒステリシス特性図
変移曲線のヒステリシス特性図
【図７】 従来例の概略断面図
１ ２ポートＳ
ＡＷチップ １ａ １ポートＳ
ＡＷチップ ２ チップキャ
リア ３ キャップ ４ 圧電基板 ５ａ、５ｂ、５ｃ ＩＤＴ電極 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 反射器電極 ７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂ 入出力電極
ＡＷチップ １ａ １ポートＳ
ＡＷチップ ２ チップキャ
リア ３ キャップ ４ 圧電基板 ５ａ、５ｂ、５ｃ ＩＤＴ電極 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 反射器電極 ７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂ 入出力電極
Claims (1)
- 【請求項１】ＳＡＷチップが搭載されたパッケージのチ
ップキャリアに、パッケージのキャップが導電部材で接
合されている弾性表面波装置において、 前記ＳＡＷチップの入出力ＩＤＴ電極導波路の両側に設
けた導波路方向の入出力電極の中心間の距離Ｌ２と、前
記入出力ＩＤＴ電極の両外側端間の距離Ｌ３とが、Ｌ２
＜３．５Ｌ３ の関係式で形成されている弾性表面波装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094982A JPH07303022A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 弾性表面波装置 |
| EP95106866A EP0682408B1 (en) | 1994-05-09 | 1995-05-05 | SAW device |
| DE69517556T DE69517556T2 (de) | 1994-05-09 | 1995-05-05 | Oberflächenwellenanordnung |
| KR1019950011288A KR0180806B1 (ko) | 1994-05-09 | 1995-05-09 | 표면파 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094982A JPH07303022A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07303022A true JPH07303022A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14125112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094982A Pending JPH07303022A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0682408B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07303022A (ja) |
| KR (1) | KR0180806B1 (ja) |
| DE (1) | DE69517556T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088834A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | １ポート弾性表面波共振子装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10150341A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Murata Mfg Co Ltd | １ポート型弾性表面波装置 |
| JP3275775B2 (ja) | 1997-05-16 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US8623709B1 (en) | 2000-11-28 | 2014-01-07 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount silicon condenser microphone packages |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| JP2002344284A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置 |
| WO2013066343A1 (en) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138115A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Murata Mfg Co Ltd | チップ状圧電振動部品の製造方法 |
| JPH02170611A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP6094982A patent/JPH07303022A/ja active Pending
-
1995
- 1995-05-05 EP EP95106866A patent/EP0682408B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-05 DE DE69517556T patent/DE69517556T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-09 KR KR1019950011288A patent/KR0180806B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088834A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | １ポート弾性表面波共振子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0180806B1 (ko) | 1999-04-01 |
| EP0682408A1 (en) | 1995-11-15 |
| DE69517556T2 (de) | 2001-03-08 |
| KR950035058A (ko) | 1995-12-30 |
| EP0682408B1 (en) | 2000-06-21 |
| DE69517556D1 (de) | 2000-07-27 |
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