JP2002141765A

JP2002141765A - 圧電基板、圧電振動子及びそれを搭載した圧電デバイス

Info

Publication number: JP2002141765A
Application number: JP2000332427A
Authority: JP
Inventors: Masao Ishibashi; 昌夫石橋
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-10-31
Filing date: 2000-10-31
Publication date: 2002-05-17

Abstract

(57)【要約】【課題】容量比がを十分小さくでき、同時にＣＩ値を
小さくできる水晶振動子、を供給し、その水晶発振子を
用いて温度補償型水晶発振器を作製した場合に、使用さ
れる全温度範囲で、発振周波数の合わせこみの余裕度を
大きくし、温度補償ができる水晶発振子を供給する。【解決手段】水晶基板３０の一方短辺側のみにベベル
加工ｂを行う。また、前記の水晶基板３０を用いて、平
坦部３０ａ上に励振電極３１、３３を形成すようにし
て、水晶発振子３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は圧電振動子を容器状
の基板などに導電性ペーストを硬化して得られる導電性
接着材を介して接合した圧電デバイスに関するものであ
る。尚、圧電振動子とは、水晶板、圧電セラミック基
板、単結晶圧電基板を用いた振動子を含み、また、圧電
デバイスとは、圧電振動素子単体のみを有する発振子
や、この圧電振動子とともにＩＣチップ、コンデンサ、
抵抗などの電子部品素子を搭載した発振器である。ま
た、基板とは、全体が平板状の絶縁基板、平板状部位に
電極パッドを有する筐体状のセラミックパッケージなど
である。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧電デバイス、例えば発振器５１
は、図７〜図８に示すように、水晶振動子５３を、電極
パッド５２３や電極パッド５２３が形成された矩形状の
容器体５２に配置していた。即ち、発振器５１は、容器
体５２、水晶振動子５３、導電性接着材５４とからな
り、図７では蓋体を省略している。また、容器体５２は
矩形状に形成されており、その裏面には外部端子電極５
２６が形成されている。さらに、電極パッド５２３は容
器体５２のキャビティ５２０底面の一方短辺側に容器体
５２の長辺側に分離して形成されている。

【０００３】従来から水晶振動子５３の構成としては、
特に、１３ＭＨｚ程度の比較的低い周波数に用いる場合
は、例えば、特開平２−１４９１１６に開示されている
ように矩形状の圧電基板５３０の短辺側両端に、その短
辺側端部に向かうにつれて厚みが薄くなるようなベベル
加工によりベベル部ａが形成されており、圧電基板５３
０の両主面の平坦部５３０ａに互いに対向する矩形状の
励振電極５３１、５３３が形成され、その励振電極５３
１、５３３から圧電基板５３０の一方短辺側に引き出し
電極５３４が形成されてなる。この引き出し電極５３４
は導電性接着部材５４により、容器体５２の電極パッド
５２３と接続されて導通させていた。なお、水晶振動子
５３を気密封止にすべく、容器体５２上に蓋体５６をシ
ーム溶接されている。

【０００４】そして、特開平２−１４９１１６に開示さ
れている水晶振動子５３は、クリスタル・インピーダン
ス値（以降、ＣＩ値という）をより小さくするために、
図６に示すようにベベル部以外の平坦部上全てに少なく
とも励振電極を設け、さらにベベル部ａにもかかるよう
に励振電極を形成していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の発振器
５１は、高精度品としてはＩＣチップやコンデンサ、サ
ーミスタ、抵抗などと組み合わせて温度補償回路を備え
ているのだが、この場合、水晶振動子固有の発振周波数
の温度変化を温度補償回路で補償することで、発振周波
数の温度変化を、例えば、−３０℃〜８０℃の使用温度
範囲全範囲にて±１．５ｐｐｍ以内に合わせ込んでい
る。

【０００６】この場合、温度補償回路に用いられるコン
デンサ、抵抗の値を変えることにより、発振周波数の温
度変化を抑えこんでいたが、励振電極の設計によって
は、、発振周波数の合わせこみの余裕度が得られず、上
述のように発振周波数の温度による変化を合わせ込めな
い場合があった。

【０００７】その理由を以下に説明する。図９に示すよ
うに、水晶振動子５３の等価回路は、等価直列抵抗Ｒ
１、励振電極５３１、５３３の振動個所で形成される等
価直列容量Ｃ１、等価インダクタンスＬ１が直列回路
に、励振電極５３１、５３３の面積に依存する等価並列
容量Ｃ０が並列に接続された構成となっている。また、
この水晶振動子５３の等価回路に不図示であるが主に発
振回路で構成される負荷容量ＣＬが負荷された状態で温
度補償型の発振器５３の等価回路が形成されることにな
る。ここで発振周波数の温度による変化の調整は周波数
感度Ｓを上げることで行われるが、その周波数感度Ｓは
以下の式により表される。

【０００８】

【数１】

【０００９】となる。ここで、容量比γが小さくなれ
ば、水晶振動子の周波数感度Ｓが大きく取れることにな
り、これにより、温度が変化しても発振周波数を調整す
ることが可能な周波数範囲を広くとれることになる。そ
の結果、温度補償型の発振器として組んだ場合に、温度
変化によらず発振周波数の調整の余裕度が大きくとれる
ことになる。

【００１０】従来のように水晶振動子５３のＣＩ値を極
力小さくとるために、圧電基板５３０の短辺側両端にベ
ベル部を形成し、かつ、その平坦部５３０ａに励振電極
５３１、５３３を形成する面積をできる限り大きめに設
計していたが、近年の部品の小型化に伴って平坦部５３
０ａの面積が小さくなり、特開平２−１４９１１６に示
すように励振電極５３１、５３３の一部がベベル部ａに
かかる設計になっていた。

【００１１】このように励振電極５３１、５３３の一部
がベベル部ａにかかる設計とした場合、ＣＩ値は低く設
計することができるものの、ベベル部ａは水晶振動子５
３の厚みが薄くなっているために、その個所に励振電極
５３１，５３３が形成されると等価並列容量Ｃ０が大き
くなって容量比γが小さくできないという問題点を有し
ていた。

【００１２】また、上述のように平坦部５３０ａの面積
が小さいために形成する励振電極５３１、５３３の面積
に限界があり、等価直列容量Ｃ１も大きくすることに限
界があり容量比γが小さくできないという問題点を有し
ていた。従って、容量比γを充分に小さくできないた
め、温度補償型水晶発振器の設計の余裕度が少なく、前
述のように水晶振動子とＩＣチップと組み合わせるコン
デンサ、抵抗の値を変えても例えば所望の±１．５ｐｐ
ｍ以内に合わせ込むことができず、設計の効率及び生産
の効率を悪くすることがあった。

【００１３】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、圧電振動子が小型化されたと
しても励振電極の形成する平坦部をできる限り形成する
ことができる圧電基板を提供することを目的とする。本
発明の他の目的は圧電振動子が励振電極の形成する平坦
部をできる限り大きくするとともに、容量比γを小さく
できる圧電振動子及び、それを温度補償型の発振器に組
み込んだ場合でも周波数可変感度が大きくとれ、設計や
生産をする際に効率を上げられる圧電デバイスを提供す
るものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、概略矩形状に形成された圧電基板であっ
て、その一方短辺側のみが、一方短辺側端部に向かうに
したがって厚みが薄くなるよう形成されたことを特徴と
する圧電基板を提供する。

【００１５】本発明の構成によれば、圧電基板の一方端
短辺側端部のみが一方短辺側端部に向かうにしたがって
厚みが薄くなるベベル部が形成されているので、小型化
したとしても平坦部の面積を大きくすることが可能とな
り、励振電極を平坦部に極大化することができる。

【００１６】また、本発明の圧電振動子は、概略矩形状
の圧電基板の一方短辺側に、その一方短辺側端部に向か
うしたがって厚みが薄くなるよう形成され、かつ該圧電
基板の両主面の平坦部上に励振電極を形成して構成され
ている。このように構成した圧電振動子は、平坦部の面
積を大きくすることができ、且つ、平坦部に形成する振
動電極を極大化することができるため、容量比γを小さ
くしつつ、ＣＩ値を小さくすることができる圧電振動子
が提供できる。

【００１７】また、本発明の圧電デバイスは、前記の圧
電振動子の一方短辺側下面に、前記各励振電極と接続し
て夫々が幅方向に分離した一対の引出し電極が形成され
ており、かつ基板の表面に一対の電極パッドを形成した
容器に、導電性接着材を介して前記圧電振動子の引出し
電極と前記容器の電極パッドとが接続するように配置し
ている。このように配置した圧電デバイスは、容量比γ
を小さくしつつ、ＣＩ値を小さくすることができる。こ
れにより、従来は容量比γを充分小さくすることができ
ず、温度補償型水晶発振器として組み立てた場合、水晶
振動子とＩＣチップと組み合わせるコンデンサ、抵抗の
値を変えても、例えば所望の±１．５ｐｐｍ以内に合わ
せ込むことができない場合があったが、本発明の圧電デ
バイスを使用すれば、温度補償型水晶発振器として組み
立てた場合にも、水晶振動子とＩＣチップと組み合わせ
るコンデンサ、抵抗の値を変えれば、発振周波数の合わ
せこみの余裕度がとれるようになり、例えば所望の±
１．５ｐｐｍ以内に合わせ込むことができる圧電デバイ
スが提供できる。以上のように、設計の効率及び生産の
効率を飛躍的に上げることができた。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の圧電デバイスを図
面に基づいて詳説する。なお、説明では、圧電振動子に
水晶振動子を用いた例で説明する。図１は、本発明にか
かる発振器である圧電デバイスの蓋体を省略した状態の
上面図、図２はその横断面図、図３は圧電デバイスに使
用される水晶振動子の斜視図である。

【００１９】本発明の圧電デバイス１は、主に、基板２
１を有する容器体２、水晶振動子３、導電性接着部材４
及び蓋体６とから構成されている。

【００２０】容器体２は、矩形状の単板セラミック基板
２１と、セラミック基板２１の周囲にリング状基板２２
を積層して、その表面に載置されたシールリング２５と
から構成されているセラミックパッケージなどである。
そして、全体として、図２に示すように表面側に開口を
有するとともに、水晶振動子３が収容される実質的に矩
形状のキャビティ部２０が形成される。さらにキャビテ
ィ部２０の底面、即ち基板２１の上面の一方の電極パッ
ド２３、２３が形成されている。この電極パッド２３、
２３は、容器体２の短辺の幅方向に並んで夫々形成され
ている。その形状は概略矩形状となっている。

【００２１】上述のシールリング２５はＦｅ−Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの金属からなり、基板２１の周囲に
リング状基板２２を積層して、その表面に形成された封
止用導体膜２４上にろう付けなどにより形成され、これ
により、キャビティ部２０の厚みを規定している。

【００２２】また、容器体２の底面には、電極パッド２
３、２３と電気的に接続し、外部プリント配線基板と接
合するための外部端子電極２６が形成されている。この
電極パッド２３、２３と外部端子電極２６とは、容器体
２の一部を貫くビアホール導体（不図示）によって接続
されている。

【００２３】また、電極パッド２３、２３の表面、特
に、キャビティ部２０の中央部寄りには、バンプ５が形
成されている。このバンプ５は、導電性金属ペーストの
焼き付け、導電性樹脂ペースト、絶縁性樹脂ペーストの
印刷、硬化により形成されており、例えば、１つの電極
パッド２３、２３の幅方向の全幅に渡って帯状に形成さ
れたり、また、ドット状に形成してもよい。

【００２４】水晶振動子３は、水晶基板３０と励振電極
３１、３３と引き出し電極３２、３４とから構成されて
いる。水晶基板３０は所定結晶方位角に従ってカット
（ＡＴカット）されたものが用いられ、略矩形状に形成
されており、水晶基板３０の一方短辺側のみにベベル加
工されている。励振電極３１、３３は、水晶基板３０の
両主面の平坦部３０ａ上のみに位置するように形成され
ている。また、好ましくは、励振電極３１、３３は前記
平坦部３０ａの外周の四辺に接触しないように形成され
る。励振電極３１、３３が平坦部３０ａの外周の四辺に
接して形成されると、大きなスプリアスが発生してしま
い、発振経路の動作に異常を起こす危険があるためであ
る。また、より好ましくは、励振電極３１、３３は前記
平坦部３０ａの外周の四辺に接触しないように形成さ
れ、且つ水晶振動子３の平坦部３０ａに比べて、その面
積が６６〜９５％となるように形成される。この場合の
条件として、固有の発振周波数が１３~１６ＭＨｚの水
晶基板を用いており、その寸法はＬ＝２．２〜４．４ｍ
ｍ、Ｗ≒１．８ｍｍである。励振電極の面積が６６〜９
５％となるようにする理由については、図４のグラフを
用いて、以下に詳説する。

【００２５】尚、図４のグラフは発振周波数が、例えば
１３ＭＨｚの水晶発振子についての、励振電極の平坦部
での電極面積比率と容量比γの関係を示したグラフであ
る。前記励振電極３１、３３の面積が６６％未満である
と、従来例の水晶振動子であって双方の短辺側にベベル
加工をした場合に、平坦部３０ａ上に６６％未満の面積
の励振電極は形成されており、従って、γは従来通り、
約２５５以上となり、本発明の目的である容量比γを小
さくすることが達成できなかった。

【００２６】また、励振電極３１、３３の面積が約９５
％というのは、本発明により励振電極３１、３３を引き
出し電極３２、３４と短辺側の逆の方向に大きくするこ
とが可能になり、達成できるようになった数値である。
即ち、励振電極３１、３３の面積が約９５％以下という
のは、以下の理由による。水晶振動子３は発振している
時、励振電極３１、３３上に励振電極３１、３３の中心
に近づくに従い大きくなるように、振動のエネルギーが
分布しており、さらには励振電極３１、３３の周囲の外
側に向かうと、逆に振動のエネルギーは小さくなってい
っているものの、振動のエネルギーが分布している。引
き出し電極３２、３４は少なくとも、上述のような励振
電極３１、３３周囲外周の振動のエネルギーが分布して
いる範囲からある程度以上の距離を離さなければ、振動
エネルギーのロスが発生してしまい、ＣＩ値を悪化させ
てしまう。特に、温度補償型発振器に用いた場合に発振
不良などの問題を起こす危険が発生する。そのため、励
振電極３１、３３と引き出し電極３２、３４はある程度
以上離して設計されなければならない。そのような点を
考慮し、励振電極３１、３３の面積が９５％であると、
平坦部３０ａ上において、その端部から影響がない距離
に離されて決定されることになるためである。

【００２７】従って、本発明により、従来の、水晶振動
子３の双方の短辺側にベベルしていた場合には、水晶振
動子３に平坦部３０ａを形成するには面積に限界があっ
たが、従来と比較して水晶振動子３に平坦部３０ａを最
大限に形成することが可能になり、それにより、励振電
極３１、３３の面積も最大限に大きくすることが可能に
なった。

【００２８】引き出し電極３２、３４は一対の励振電極
３１、３３から夫々水晶基板３０の短辺方向の水晶基板
３０の長辺方向のベベル部側（図では左側）に延出さ
れ、構成されている。より具体的には、水晶基板３０の
上面の短辺近傍に延出され、その短辺近傍の一方の長辺
端面（図面では下側の端面）を介して下面側に延出され
ている。逆に、下面側の励振電極３３から延出する引き
出し電極３４は、下面の短辺近傍に延出され、そして、
短辺近傍の他方の長辺端面（図面では上側の端面）を介
して上面側に延出されている。即ち、引出し電極３２、
３４は、図には示さないが水晶基板３０の一方短辺側の
端面に形成されることがなく、この一方の短辺に接する
長辺側の端面３面に形成され、このように引き出し電極
は長辺側の端面３面にて導通されている。そして、この
引出し電極３２、３４は、水晶基板３０の両主面に夫々
対向しあう位置に形成され、その形状は、所定位置に配
置した時に、電極パッド２３、２３に導通し得る形状で
ある。

【００２９】このような励振電極３１、３３及び引出し
電極３２、３４は、水晶基板３０の上面及び下面に、所
定形状のマスクを配置して、蒸着やスパッタ等の手段を
用いてＡｕ、Ａｇ、Ｃｒなどの蒸着などにより形成され
ている。

【００３０】上述の容器体２と水晶振動子３との電気的
な接続及び機械的な接合は、シリコン系、エポキシ系、
ポリイミド系などの樹脂にＡｇ粉末などを添加して導電
性樹脂ペーストを硬化した導電性接着部材４によって達
成される。具体的には、基板２１表面の電極パッド２
３、２３上に、上述の導電性樹脂ペーストをディスペン
サー等により供給し、電極パッド２３、２３上に盛り上
がった半球状の導電性樹脂ペースト上に、水晶振動子３
の一方短辺側の下面に延出された引出し電極が当接する
ように水晶振動子３を載置し、導電性樹脂ペーストを硬
化する。

【００３１】これにより、水晶振動子３の一対の励振電
極３１、３３は、電極パッド２３、２３を介して容器体
２の外面の外部端子電極２６に導通することになる。

【００３２】尚、実際には、水晶振動子３を電極パッド
２３、２３に電気的接続及び機械的接合を行った後、外
部端子電極２６などを用いて水晶振動子３の発振周波数
を測定し、必要に応じて、水晶振動子３の上面側励振電
極３１の表面に、Ａｇなどを蒸着して周波数の調整をお
こなう。

【００３３】金属製蓋体６は、実質的に平板状の金属、
例えばＦｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金（コバール）などからなる。このような金属製蓋
体６は、水晶振動子３の収容領域（キャビティ部）２０
を、窒素ガスや真空などでシーム溶接などの手法によ
り、気密的に封止する。

【００３４】上述の構造によれば、容器体２の一部であ
る基板２１の表面に、電極パッド２３、２３が形成され
ており、水晶振動子３の引出し電極３２、３４が、導電
性樹脂ペーストを硬化して成る導電性接着部材４を介し
て電気的且つ機械的に接合されている。

【００３５】上述の水晶基板、及び水晶発振子は以下の
ようにして製造される。水晶基板の加工方法について、
図５（ａ）〜（ｄ）、（ｃ’）〜（ｅ’）を用いて説明
する。まず、第１の工程では、図５（ａ）に示すように
所定枚数の水晶ウエハーを積層して積層体を形成する。
この接着作業は、例えばパラフィン系の熱可塑性の接着
剤を用いて行う。さらに第２の工程で積層体を図の線で
示すように切断線ｘに沿って切断する。そして、第３の
工程では図３（ｂ）に示すように第２の工程で所定幅に
切断した水晶ウエハーを、例えば１００℃程度に加熱し
て個々に分離し、図３（ｃ）に示すような形状の水晶基
板としていた。そして、第４の工程では例えば黄銅また
は鉄製の円筒容器（図示しない）に研磨剤や研磨加工を
促進させるためのメディアなどとともに上記水晶基板を
収納して密閉し、その容器を回転駆動する。このような
過程を経ることで、水晶基板の双方の短辺側を研磨し、
例えば図３（ｄ）に示すように従来の双方の短辺にベベ
ル加工された水晶基板に成形していた。しかし、本発明
においては、図３（ｃ’）に示すように、上述の第３の
工程までにブランクの長辺方向の寸法が従来の２倍程度
になるように成形する。その後、上述の第３、第４の工
程と同様に加熱し、個々に分離し、その後、円筒容器に
研磨剤やメディアなどとともに収容して密閉し、前記容
器を回転駆動させることにより、図３（ｄ’）に示すよ
うに、従来と比較し、長辺方向の長さが２倍程度で、且
つ双方の短辺がベベル加工された水晶基板を得る。さら
に、図３（ｅ’）に示すように、長辺方向に略同等の寸
法となるように、切断することにより、本発明の水晶基
板３０が得られる。

【００３６】また、水晶振動子の製造方法については、
以下に示す通りである。一方短辺側のみにベベル加工さ
れた水晶基板３０を準備し、該水晶基板３０の両主面の
平坦部３０ａにのみ励振電極３１、３３、ベベルの形成
された短辺には、励振電極３１、３３と接続された引出
し電極３２、３４を有する水晶振動子３を用意する。ま
た、同時に、容器体２の底面、即ち、基板２１の表面に
一対の電極パッド２３、２３が形成され、また、キャビ
ティ部２０の開口周囲の表面に封止用導体膜２４、シー
ルリング２５が形成された容器体２、及び金属製蓋体６
を用意する。

【００３７】次に、電極パッド２３、２３に導電性接着
部材４となる導電性樹脂ペーストをディスペンサーなど
で供給・塗布する。この時、供給された導電性樹脂ペー
ストは、概略半球状に全体盛り上がった形状となる。

【００３８】次に、水晶振動子３を概略半球状に盛り上
がった形状に供給された導電性樹脂ペーストに載置す
る。具体的には、導電性樹脂ペーストの供給した部分
に、一対の引出し電極３２、３４が当接するように水晶
振動子３を載置する。

【００３９】次に、導電性樹脂ペーストを硬化して、容
器体２と水晶振動子３とを接合固定する。具体的には、
熱による印加により硬化する。

【００４０】その後、所定雰囲気中で、シールリング２
５に金属製蓋体６を載置し、両者をシーム溶接にて封止
する。

【００４１】かくして、本発明の構成によれば、水晶振
動子３の一方短辺側のみがベベル加工をしてあり、平坦
部３０ａ上にのみ励振電極３１、３３を形成し、該励振
電極３１、３３は水晶振動子３の平坦部３０ａに、大き
く形成してある。これにより、励振電極３１、３３の面
積が大きく形成できることにより、容量比γは小さくな
るため、水晶振動子３の双方の短辺側にベベル加工をし
た場合と比較して、発振周波数の合わせ込みの余裕度を
大きく取れるようになる。結局、温度補償型水晶発振器
として組み込んだ場合でも、温度特性を満足するように
なり、効率良く生産できるようになる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明では、圧電振動子
の一方短辺側のみをベベル加工し、両主面の平坦部３０
ａ上に励振電極を形成し、ベベル部側に引き出し電極を
形成したことにより、平坦部３０ａの面積を最大限に大
きくとることができるようになった。これにより、容量
比γをさらに小さな値にすることができ、その結果、例
えば、水晶振動子を用いて温度補償型の発振器を作製し
た場合に、−３０℃〜８０℃といった使用される温度範
囲の全範囲にて問題なく温度補償させることができ、効
率良く生産することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる圧電デバイスである発振器の蓋
体を省略した状態の上面図である。

【図２】本発明にかかる圧電デバイスの断面図である。

【図３】本発明にかかる圧電デバイスに用いられる水晶
振動子の斜視図である。

【図４】本発明にかかる励振電極の面積と容量比の関係
を表したグラフである。

【図５】（ａ）〜（ｄ）、（ｃ’）（ｄ’）（ｅ’）
は、それぞれ本発明にかかる水晶基板の製造過程を説明
する斜視図である。

【図６】従来の圧電デバイスに用いられる水晶振動子の
別の実施形態を示す斜視図である。

【図７】従来の圧電デバイスである発振器の蓋体を省略
した状態の上面図である。

【図８】従来の圧電デバイスの断面図である。

【図９】水晶振動子の等価回路を示す説明図である。

【符号の説明】

１・・・圧電デバイス（発振器）２・・・容器体２０・・・キャビティ部２１・・・基板２２・・・リング状基板２３・・・電極パッド２４・・・封止用導体膜２５・・・シールリング２６・・・外部端子電極３・・水晶振動子３１、３３・・・励振電極３２、３４・・・引出し電極４・・・導電性接着部材５・・・バンプ５１・・・発振器５２・・・容器体５３・・・水晶振動子５４・・・導電性接着部材５５・・・バンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】概略矩形状に形成された圧電基板であっ
て、その一方短辺側のみが、一方短辺側端部に向かうに
したがって厚みが薄くなるよう形成されたことを特徴と
する圧電基板。
【請求項２】概略矩形状の圧電基板の一方短辺側に、
その一方短辺側端部に向かうにしたがって厚みが薄くな
るよう形成され、かつ該圧電基板の両主面の平坦部上に
励振電極を形成したことを特徴とする圧電振動子。
【請求項３】請求項２記載の圧電振動子の一方短辺側
下面に、前記各励振電極と接続して夫々が幅方向に分離
した一対の引出し電極が形成されており、かつ基板の表
面に一対の電極パッドを形成した容器に、導電性接着材
を介して前記圧電振動子の引出し電極と前記容器の電極
パッドとが接続するように配置したことを特徴とする圧
電デバイス。