JP2002299982A - 水晶発振器の製造方法 - Google Patents
水晶発振器の製造方法Info
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- JP2002299982A JP2002299982A JP2001095662A JP2001095662A JP2002299982A JP 2002299982 A JP2002299982 A JP 2002299982A JP 2001095662 A JP2001095662 A JP 2001095662A JP 2001095662 A JP2001095662 A JP 2001095662A JP 2002299982 A JP2002299982 A JP 2002299982A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオンガスによる電極削除量が不均一になり
発振周波数の調整量が不均一になることを防いで、発振
周波数の高精度化を可能にした水晶発振器を供給する。 【解決手段】 水晶基板の下面に第１励振電極３３、水
晶基板の上面に前記第１励振電極よりも面積が大きい第
２励振電極３３を対向形成し、第１励振電極・第２励振
電極それぞれから導出された引き出し電極を導電性接着
部材によりセラミックパッケージに収容、接続してなる
水晶発振器を第２励振電極３１上方に、開口面積が第１
励振電極よりも大きく第２励振電極よりも小さい開口を
形成したマスクを配設し、その開口位置が第１励振電極
の直上で第１励振電極の形成領域全域が入るように配置
する。
発振周波数の調整量が不均一になることを防いで、発振
周波数の高精度化を可能にした水晶発振器を供給する。 【解決手段】 水晶基板の下面に第１励振電極３３、水
晶基板の上面に前記第１励振電極よりも面積が大きい第
２励振電極３３を対向形成し、第１励振電極・第２励振
電極それぞれから導出された引き出し電極を導電性接着
部材によりセラミックパッケージに収容、接続してなる
水晶発振器を第２励振電極３１上方に、開口面積が第１
励振電極よりも大きく第２励振電極よりも小さい開口を
形成したマスクを配設し、その開口位置が第１励振電極
の直上で第１励振電極の形成領域全域が入るように配置
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水晶振動子を容器内
に周波数調整を行いながら水晶発振器を製造する製造方
法に関するものである。
に周波数調整を行いながら水晶発振器を製造する製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、水晶発振器は共振特性に優れ
ていることから通信機器におけるクロック周波数等の基
準源として用いられていた。この水晶発振器５１は、図
５に示すように、水晶振動子５３を、電極パッド５２３
が形成された矩形状のセラミックパッケージである容器
体５２のキャビティ５２０内部に導電性接着部材５４を
介して接合されて配置していた。また、容器体５２の下
面には外部端子電極５２６が形成されていた。
ていることから通信機器におけるクロック周波数等の基
準源として用いられていた。この水晶発振器５１は、図
５に示すように、水晶振動子５３を、電極パッド５２３
が形成された矩形状のセラミックパッケージである容器
体５２のキャビティ５２０内部に導電性接着部材５４を
介して接合されて配置していた。また、容器体５２の下
面には外部端子電極５２６が形成されていた。
【０００３】従来の水晶振動子５１は、例えば、ＡＴカ
ットの厚みすべり振動子が用いられ、その発振周波数は
概ね水晶振動子の厚みによって決定されるが、発振周波
数の調整は一般的にはイオンガスの照射によって励振電
極の質量を減じて周波数を調整することが提案されてい
る。
ットの厚みすべり振動子が用いられ、その発振周波数は
概ね水晶振動子の厚みによって決定されるが、発振周波
数の調整は一般的にはイオンガスの照射によって励振電
極の質量を減じて周波数を調整することが提案されてい
る。
【０００４】このような水晶振動子５１の発振周波数の
調整としては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、水晶
振動子５３の両主面に対向して形成した励振電極５３
１、５３３の励振電極５３１の表面をＡｒイオンからな
るイオンガスを照射し、励振電極５３１の質量を減じる
ことにより、水晶振動子５１自身の発振周波数、ひいて
は、水晶発振器５１の発振周波数の合わせ込みを行って
いた。
調整としては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、水晶
振動子５３の両主面に対向して形成した励振電極５３
１、５３３の励振電極５３１の表面をＡｒイオンからな
るイオンガスを照射し、励振電極５３１の質量を減じる
ことにより、水晶振動子５１自身の発振周波数、ひいて
は、水晶発振器５１の発振周波数の合わせ込みを行って
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３（ｃ）に
示すように水晶振動子５３をイオンガスの照射にて周波
数調整する場合、励振電極５３１の上方に開口を有する
マスクを配設するとともに、マスクの開口の大きさによ
ってイオンガスのビームの照射される領域が決定され、
削られる励振電極５３１の質量が変わってくるものであ
る。
示すように水晶振動子５３をイオンガスの照射にて周波
数調整する場合、励振電極５３１の上方に開口を有する
マスクを配設するとともに、マスクの開口の大きさによ
ってイオンガスのビームの照射される領域が決定され、
削られる励振電極５３１の質量が変わってくるものであ
る。
【０００６】一般的にはマスクの開口を励振電極５３１
と略同等の開口を形成するとともに、励振電極５３１の
直上に、その開口に励振電極５３１がそのまま入り込む
ように配置してＡｒ+イオンを励振電極５３１の表面全
域に衝突させ励振電極５３１の厚み方向をわずかに削除
していくようになる。
と略同等の開口を形成するとともに、励振電極５３１の
直上に、その開口に励振電極５３１がそのまま入り込む
ように配置してＡｒ+イオンを励振電極５３１の表面全
域に衝突させ励振電極５３１の厚み方向をわずかに削除
していくようになる。
【０００７】しかしながら、イオンガスのビーム内にお
ける強度は、その中央部で最も強く、その周辺部ほど弱
くなるため、削除量が励振電極５３１の中央部に比べて
外周部は削除される度合いが小さくなるため、厚みが均
一とならずに発振周波数の特性が悪くなり、ＣＩ値を劣
化させることが知られていた。
ける強度は、その中央部で最も強く、その周辺部ほど弱
くなるため、削除量が励振電極５３１の中央部に比べて
外周部は削除される度合いが小さくなるため、厚みが均
一とならずに発振周波数の特性が悪くなり、ＣＩ値を劣
化させることが知られていた。
【０００８】この課題を解決するために、配置するマス
ク５３３の開口面積を図４（ａ）（ｂ）に示すように励
振電極５３１よりも若干大きくして略均一に励振電極５
３１を削除しようとすることが行われているが、励振電
極５３１が形成されていない外周の水晶振動子５３表面
に照射したＡｒ+イオンが蓄積されることになる（図４
（ｂ）参照）。
ク５３３の開口面積を図４（ａ）（ｂ）に示すように励
振電極５３１よりも若干大きくして略均一に励振電極５
３１を削除しようとすることが行われているが、励振電
極５３１が形成されていない外周の水晶振動子５３表面
に照射したＡｒ+イオンが蓄積されることになる（図４
（ｂ）参照）。
【０００９】そのような場合、その後に照射されるＡｒ
+イオンが蓄積されたＡｒ+イオンに反発され、場合によ
ってはＡｒ+イオンが励振電極５３１側に逆照射されて
しまい、設定量以上に励振電極５３１表面を削除し、発
振周波数の調整量が多くなってしまったり、蓄積された
Ａｒイオンが励振電極５３１とは反対側の外側に反射し
てしまって、結果的に励振電極５３１を削除しきれず、
何れの場合も発振周波数調整や削除量が不均一になって
しまうという問題点を有していた。その結果、安定した
発振周波数調整が困難となり、歩留まりの低下、高精度
な発振周波数の水晶発振器を供給することが難しかっ
た。
+イオンが蓄積されたＡｒ+イオンに反発され、場合によ
ってはＡｒ+イオンが励振電極５３１側に逆照射されて
しまい、設定量以上に励振電極５３１表面を削除し、発
振周波数の調整量が多くなってしまったり、蓄積された
Ａｒイオンが励振電極５３１とは反対側の外側に反射し
てしまって、結果的に励振電極５３１を削除しきれず、
何れの場合も発振周波数調整や削除量が不均一になって
しまうという問題点を有していた。その結果、安定した
発振周波数調整が困難となり、歩留まりの低下、高精度
な発振周波数の水晶発振器を供給することが難しかっ
た。
【００１０】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、水晶振動子をイオンガスの照
射により発振周波数調整を行う際に均一に励振電極を削
除することが可能となり、製品間の発振周波数のバラツ
キを簡単に調整することができる水晶発振器を提供する
ことを目的とする。
ものであり、その目的は、水晶振動子をイオンガスの照
射により発振周波数調整を行う際に均一に励振電極を削
除することが可能となり、製品間の発振周波数のバラツ
キを簡単に調整することができる水晶発振器を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、水晶基板の下面に第１励振電極と、水晶
基板の上面に前記第１励振電極よりも面積が大きい第２
励振電極を対向形成すると共に、前記第１、第２励振電
極から水晶基板の下面端部の異なる位置にそれぞれ引出
した引出電極が形成されている水晶振動子と、キャビテ
ィを有し、そのキャビティ内部底面に電極パッドが形成
され、かつ、下面に前記電極パッドから接続された外部
端子電極が形成された容器と、該容器のキャビティを封
止する蓋体とを有してなり、前記容器の電極パッドに導
電性接着部材を介して前記水晶振動子の引き出し電極を
接続し、そして、前記第２励振電極の上方に開口を有す
るマスクを配設するとともに、該マスクの開口を通じて
前記第２励振電極の表面にイオンガスを照射することで
励振電極の質量を減じて周波数調整が行われ、しかる
後、前記キャビティの開口を蓋体により気密封止してな
る水晶発振器の製造方法において、前記マスクの開口
は、その面積が第１励振電極よりも大きく、かつ第２励
振電極よりも小さくなるよう形成するとともに、その開
口位置が各励振電極の直上で該第１励振電極の形成領域
全域が入るように配置してなることを特徴とする水晶発
振器の製造方法を提供する。
めに本発明は、水晶基板の下面に第１励振電極と、水晶
基板の上面に前記第１励振電極よりも面積が大きい第２
励振電極を対向形成すると共に、前記第１、第２励振電
極から水晶基板の下面端部の異なる位置にそれぞれ引出
した引出電極が形成されている水晶振動子と、キャビテ
ィを有し、そのキャビティ内部底面に電極パッドが形成
され、かつ、下面に前記電極パッドから接続された外部
端子電極が形成された容器と、該容器のキャビティを封
止する蓋体とを有してなり、前記容器の電極パッドに導
電性接着部材を介して前記水晶振動子の引き出し電極を
接続し、そして、前記第２励振電極の上方に開口を有す
るマスクを配設するとともに、該マスクの開口を通じて
前記第２励振電極の表面にイオンガスを照射することで
励振電極の質量を減じて周波数調整が行われ、しかる
後、前記キャビティの開口を蓋体により気密封止してな
る水晶発振器の製造方法において、前記マスクの開口
は、その面積が第１励振電極よりも大きく、かつ第２励
振電極よりも小さくなるよう形成するとともに、その開
口位置が各励振電極の直上で該第１励振電極の形成領域
全域が入るように配置してなることを特徴とする水晶発
振器の製造方法を提供する。
【００１２】本発明の構成によれば、マスクの開口は、
その開口面積が第１励振電極よりも大きく、かつ第２励
振電極よりも小さくなるよう形成するとともに、その開
口位置が各励振電極の直上で該第１励振電極の形成領域
全域が入るように配置しているので、第２励振電極上の
各励振電極が重なる領域よりも広くイオンガスで削除す
ることができ、その削除量も削除した中央の領域に比べ
てその外周が均一になるように調整できるとともに、第
２励振電極よりも内側を削除するため、イオンガスが水
晶振動子表面に付着してイオンガス同士が反発し、励振
電極に不具合をもたらすことも防止できる。
その開口面積が第１励振電極よりも大きく、かつ第２励
振電極よりも小さくなるよう形成するとともに、その開
口位置が各励振電極の直上で該第１励振電極の形成領域
全域が入るように配置しているので、第２励振電極上の
各励振電極が重なる領域よりも広くイオンガスで削除す
ることができ、その削除量も削除した中央の領域に比べ
てその外周が均一になるように調整できるとともに、第
２励振電極よりも内側を削除するため、イオンガスが水
晶振動子表面に付着してイオンガス同士が反発し、励振
電極に不具合をもたらすことも防止できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の水晶発振器を図面
に基づいて詳説する。この水晶発振器は、水晶振動子で
ある水晶板、単結晶水晶基板を用いた振動子を含んだ発
振子や、この水晶振動子とともにＩＣチップ、コンデン
サ、抵抗などの電子部品素子を搭載した発振器をいう。
図１（ａ）は、本発明にかかる水晶発振器に用いられる
水晶振動子の上面図、図１（ｂ）は水晶振動子のマスク
との位置関係を示す側断面図、図２は本発明にかかる水
晶発振器の側断面図である。
に基づいて詳説する。この水晶発振器は、水晶振動子で
ある水晶板、単結晶水晶基板を用いた振動子を含んだ発
振子や、この水晶振動子とともにＩＣチップ、コンデン
サ、抵抗などの電子部品素子を搭載した発振器をいう。
図１（ａ）は、本発明にかかる水晶発振器に用いられる
水晶振動子の上面図、図１（ｂ）は水晶振動子のマスク
との位置関係を示す側断面図、図２は本発明にかかる水
晶発振器の側断面図である。
【００１４】本発明の水晶発振器１は、主に、基板２１
を有するセラミックパッケージ２、水晶振動子３、導電
性接着部材４及び蓋体６とから構成されている。
を有するセラミックパッケージ２、水晶振動子３、導電
性接着部材４及び蓋体６とから構成されている。
【００１５】セラミックパッケージ２は、矩形状の単板
セラミック基板２１と、セラミック基板２１の周囲にリ
ング状基板２２を積層して、その表面に載置されたシー
ルリング２５とから構成されている。そして、全体とし
て、図２に示すように表面側に開口を有するとともに、
水晶振動子３が収容される実質的に矩形状のキャビティ
部２０が形成される。さらにキャビティ部２０の底面、
即ち基板２１の上面の一方の電極パッド２３、２３が形
成されている。この電極パッド２３、２３は、セラミッ
クパッケージ２の短辺の幅方向に並んで夫々形成されて
いる。その形状は概略矩形状となっている。
セラミック基板２１と、セラミック基板２１の周囲にリ
ング状基板２２を積層して、その表面に載置されたシー
ルリング２５とから構成されている。そして、全体とし
て、図２に示すように表面側に開口を有するとともに、
水晶振動子３が収容される実質的に矩形状のキャビティ
部２０が形成される。さらにキャビティ部２０の底面、
即ち基板２１の上面の一方の電極パッド２３、２３が形
成されている。この電極パッド２３、２３は、セラミッ
クパッケージ２の短辺の幅方向に並んで夫々形成されて
いる。その形状は概略矩形状となっている。
【００１６】上述のシールリング２５はＦｅ−Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの金属からなり、基板２１の周囲に
リング状基板２２を積層して、その表面に形成された封
止用導体膜（図示しない）上にろう付けなどにより形成
されている。
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの金属からなり、基板２１の周囲に
リング状基板２２を積層して、その表面に形成された封
止用導体膜（図示しない）上にろう付けなどにより形成
されている。
【００１７】また、セラミックパッケージ２の底面に
は、電極パッド２３、２３と電気的に接続し、外部プリ
ント配線基板と接合するための外部端子電極２６が形成
されている。この電極パッド２３、２３と外部端子電極
２６とは、セラミックパッケージ２の一部を貫くビアホ
ール導体（不図示）によって接続されている。
は、電極パッド２３、２３と電気的に接続し、外部プリ
ント配線基板と接合するための外部端子電極２６が形成
されている。この電極パッド２３、２３と外部端子電極
２６とは、セラミックパッケージ２の一部を貫くビアホ
ール導体（不図示）によって接続されている。
【００１８】また、電極パッド２３、２３の表面、特
に、キャビティ部２０の中央部寄りには、ドット状また
は帯状に形成されたバンプ５が形成されている。このバ
ンプ５は、導電性金属ペーストの焼き付け、導電性樹脂
ペースト、絶縁性樹脂ペーストの印刷、硬化により形成
されている。
に、キャビティ部２０の中央部寄りには、ドット状また
は帯状に形成されたバンプ５が形成されている。このバ
ンプ５は、導電性金属ペーストの焼き付け、導電性樹脂
ペースト、絶縁性樹脂ペーストの印刷、硬化により形成
されている。
【００１９】水晶振動子３は、水晶基板３０と励振電極
３１、３３と引き出し電極３２、３４とから構成されて
いる。水晶基板３０は所定結晶方位角に従ってカット
（ＡＴカット）されたものが用いられ、略矩形状に形成
されている。
３１、３３と引き出し電極３２、３４とから構成されて
いる。水晶基板３０は所定結晶方位角に従ってカット
（ＡＴカット）されたものが用いられ、略矩形状に形成
されている。
【００２０】励振電極３１、３３は夫々対向する主面上
に概略矩形状に形成され、図２に示すように、セラミッ
クパッケージ２のキャビティ２０の底面寄りに配置され
る励振電極３３に対し、セラミックパッケージ２の開口
部寄りに配置される励振電極３１は少なくとも対応する
位置にあり、且つ面積は励振電極３３のほうが励振電極
３１よりも大きくなるように形成してある。
に概略矩形状に形成され、図２に示すように、セラミッ
クパッケージ２のキャビティ２０の底面寄りに配置され
る励振電極３３に対し、セラミックパッケージ２の開口
部寄りに配置される励振電極３１は少なくとも対応する
位置にあり、且つ面積は励振電極３３のほうが励振電極
３１よりも大きくなるように形成してある。
【００２１】水晶振動子３は励振電極３１、３３が上述
のように位置するようにセラミックパッケージ２底面上
に載置され接続され、その後、電気特性試験器から引き
出された測定用ピンの先端を水晶発振器１の外部端子電
極２６に接触させて該水晶発振器１の発振周波数を測定
しながら、水晶振動子３の励振電極３１に開口が位置す
るようにマスク６を当ててイオンガスを用い、Ａｒ+イ
オンなどのイオン化されたイオンガスを照射することに
より、励振電極３１の表面を削除し、それにより該励振
電極３１の質量を減ずることになり、発振周波数を高く
調整し、発振周波数の合わせこみを行う。
のように位置するようにセラミックパッケージ２底面上
に載置され接続され、その後、電気特性試験器から引き
出された測定用ピンの先端を水晶発振器１の外部端子電
極２６に接触させて該水晶発振器１の発振周波数を測定
しながら、水晶振動子３の励振電極３１に開口が位置す
るようにマスク６を当ててイオンガスを用い、Ａｒ+イ
オンなどのイオン化されたイオンガスを照射することに
より、励振電極３１の表面を削除し、それにより該励振
電極３１の質量を減ずることになり、発振周波数を高く
調整し、発振周波数の合わせこみを行う。
【００２２】本発明では、マスク６の開口面積は励振電
極３３よりも大きく励振電極３１よりも小さい矩形状で
あり、励振電極３１上の少なくとも励振電極３３と励振
電極３１が対向する部分の領域直上に前記マスクの開口
は配設され、Ａｒ+イオンなどのガスをイオンガンにて
前記開口に照射し、対応する励振電極３１上の部分を削
除し、発振周波数の調整を行う。
極３３よりも大きく励振電極３１よりも小さい矩形状で
あり、励振電極３１上の少なくとも励振電極３３と励振
電極３１が対向する部分の領域直上に前記マスクの開口
は配設され、Ａｒ+イオンなどのガスをイオンガンにて
前記開口に照射し、対応する励振電極３１上の部分を削
除し、発振周波数の調整を行う。
【００２３】このとき、前記マスク７の開口面積は励振
電極３３よりも大きく励振電極３１よりも小さく形成し
てあり、一般的に励振電極上をＡｒ+イオン照射により
電極を削除すると中心部よりも外周部は削除される度合
いが小さくなるということが起こるのだが、このように
なっても、少なくとも励振電極３１上で励振電極３３と
対応する部分は全て略一定の度合いで削除され、安定し
て発振周波数調整ができる。
電極３３よりも大きく励振電極３１よりも小さく形成し
てあり、一般的に励振電極上をＡｒ+イオン照射により
電極を削除すると中心部よりも外周部は削除される度合
いが小さくなるということが起こるのだが、このように
なっても、少なくとも励振電極３１上で励振電極３３と
対応する部分は全て略一定の度合いで削除され、安定し
て発振周波数調整ができる。
【００２４】従って、本発明により、励振電極上の削除
部が励振電極３１から外れることを防ぐことが可能にな
り、それにより、発振周波数調整後のバラツキを最小限
に小さくすることが可能である。結局、高精度な発振周
波数を実現した水晶発振器を供給できるようになり、効
率良く生産できるようになった。
部が励振電極３１から外れることを防ぐことが可能にな
り、それにより、発振周波数調整後のバラツキを最小限
に小さくすることが可能である。結局、高精度な発振周
波数を実現した水晶発振器を供給できるようになり、効
率良く生産できるようになった。
【００２５】引き出し電極３２、３４は一対の励振電極
３１、３３から夫々水晶基板３０の短辺方向の水晶基板
３０の長辺方向の一端（図では左側）に延出され、構成
されている。より具体的には、水晶基板３０の上面の短
辺近傍に延出され、その短辺近傍の一方の長辺端面（図
面では下側の端面）を介して下面側に延出されている。
逆に、下面側の励振電極３３から延出する引き出し電極
３４は、下面の短辺近傍に延出され、そして、短辺近傍
の他方の長辺端面（図面では上側の端面）を介して上面
側に延出されている。そして、この引出し電極３２、３
４は、水晶基板３０の両主面に夫々対向しあう位置に形
成され、その形状は、所定位置に配置した時に、電極パ
ッド２３、２３に導通し得る形状である。
３１、３３から夫々水晶基板３０の短辺方向の水晶基板
３０の長辺方向の一端（図では左側）に延出され、構成
されている。より具体的には、水晶基板３０の上面の短
辺近傍に延出され、その短辺近傍の一方の長辺端面（図
面では下側の端面）を介して下面側に延出されている。
逆に、下面側の励振電極３３から延出する引き出し電極
３４は、下面の短辺近傍に延出され、そして、短辺近傍
の他方の長辺端面（図面では上側の端面）を介して上面
側に延出されている。そして、この引出し電極３２、３
４は、水晶基板３０の両主面に夫々対向しあう位置に形
成され、その形状は、所定位置に配置した時に、電極パ
ッド２３、２３に導通し得る形状である。
【００２６】このような励振電極３１、３３及び引出し
電極３２、３４は、水晶基板３０の上面及び下面に、所
定形状のマスクを配置して、蒸着やスパッタ等の手段を
用いてＡｕ、Ａｇ、Ｃｒなどの蒸着などにより形成され
ている。
電極３２、３４は、水晶基板３０の上面及び下面に、所
定形状のマスクを配置して、蒸着やスパッタ等の手段を
用いてＡｕ、Ａｇ、Ｃｒなどの蒸着などにより形成され
ている。
【００２７】上述のセラミックパッケージ２と水晶振動
子３との電気的な接続及び機械的な接合は、シリコン
系、エポキシ系、ポリイミド系などの樹脂にＡｇ粉末な
どを添加して導電性樹脂ペーストを硬化した導電性接着
部材４によって達成される。具体的には、基板２１表面
の電極パッド２３、２３上に、上述の導電性樹脂ペース
トをディスペンサー等により供給し、電極パッド２３、
２３上に盛り上がった半球状の導電性樹脂ペースト上
に、水晶振動子３の一方短辺側の下面に延出された引出
し電極が当接するように水晶振動子３を載置し、導電性
樹脂ペーストを硬化する。
子３との電気的な接続及び機械的な接合は、シリコン
系、エポキシ系、ポリイミド系などの樹脂にＡｇ粉末な
どを添加して導電性樹脂ペーストを硬化した導電性接着
部材４によって達成される。具体的には、基板２１表面
の電極パッド２３、２３上に、上述の導電性樹脂ペース
トをディスペンサー等により供給し、電極パッド２３、
２３上に盛り上がった半球状の導電性樹脂ペースト上
に、水晶振動子３の一方短辺側の下面に延出された引出
し電極が当接するように水晶振動子３を載置し、導電性
樹脂ペーストを硬化する。
【００２８】これにより、水晶振動子３の一対の励振電
極３１、３３は、電極パッド２３、２３を介してセラミ
ックパッケージ２の外面の外部端子電極２６に導通する
ことになる。
極３１、３３は、電極パッド２３、２３を介してセラミ
ックパッケージ２の外面の外部端子電極２６に導通する
ことになる。
【００２９】金属製蓋体６は、実質的に平板状の金属、
例えばＦｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金（コバール）などからなる。このような金属製蓋
体６は、水晶振動子３の収容領域（キャビティ部）２０
を、窒素ガスや真空などでシーム溶接などの手法によ
り、気密的に封止する。
例えばＦｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金（コバール）などからなる。このような金属製蓋
体６は、水晶振動子３の収容領域（キャビティ部）２０
を、窒素ガスや真空などでシーム溶接などの手法によ
り、気密的に封止する。
【００３０】上述の構造によれば、セラミックパッケー
ジ２の一部である基板２１の表面に、電極パッド２３、
２３が形成されており、水晶振動子３の引出し電極３
２、３４が、導電性樹脂ペーストを硬化して成る導電性
接着部材４を介して電気的且つ機械的に接合されてい
る。
ジ２の一部である基板２１の表面に、電極パッド２３、
２３が形成されており、水晶振動子３の引出し電極３
２、３４が、導電性樹脂ペーストを硬化して成る導電性
接着部材４を介して電気的且つ機械的に接合されてい
る。
【００３１】上述の水晶発振子は以下のようにして製造
される。
される。
【００３２】概略矩形状の水晶基板３０を準備し、該水
晶基板３０の両主面の対応する位置に矩形状の励振電極
を形成するのだが、水晶基板３０の上面には下面の励振
電極３３よりも面積が大きい励振電極３１を形成し、ま
た、夫々の励振電極３１、３３から導出された引き出し
電極３２、３４とを形成し、水晶振動子３を形成する。
また、同時に、セラミックパッケージ２の底面、即ち、
基板２１の表面に一対の電極パッド２３、２３が形成さ
れ、また、キャビティ部２０の開口周囲の表面に封止用
導体膜（図示しない）、シールリング２５が形成された
セラミックパッケージ２、及び金属製蓋体６を用意す
る。
晶基板３０の両主面の対応する位置に矩形状の励振電極
を形成するのだが、水晶基板３０の上面には下面の励振
電極３３よりも面積が大きい励振電極３１を形成し、ま
た、夫々の励振電極３１、３３から導出された引き出し
電極３２、３４とを形成し、水晶振動子３を形成する。
また、同時に、セラミックパッケージ２の底面、即ち、
基板２１の表面に一対の電極パッド２３、２３が形成さ
れ、また、キャビティ部２０の開口周囲の表面に封止用
導体膜（図示しない）、シールリング２５が形成された
セラミックパッケージ２、及び金属製蓋体６を用意す
る。
【００３３】次に、電極パッド２３、２３に導電性接着
部材４となる導電性樹脂ペーストをディスペンサーなど
で供給・塗布する。この時、供給された導電性樹脂ペー
ストは、概略半球状に全体盛り上がった形状となる。
部材４となる導電性樹脂ペーストをディスペンサーなど
で供給・塗布する。この時、供給された導電性樹脂ペー
ストは、概略半球状に全体盛り上がった形状となる。
【００３４】次に、水晶振動子３を概略半球状に盛り上
がった形状に供給された導電性樹脂ペーストに載置す
る。具体的には、他方の励振電極３１がセラミックパッ
ケージ２の開口寄りに位置するように、水晶振動子３の
下面側の励振電極を導電性樹脂ペーストの供給した部分
に当接するように載置する。
がった形状に供給された導電性樹脂ペーストに載置す
る。具体的には、他方の励振電極３１がセラミックパッ
ケージ２の開口寄りに位置するように、水晶振動子３の
下面側の励振電極を導電性樹脂ペーストの供給した部分
に当接するように載置する。
【００３５】次に、導電性樹脂ペーストを硬化して、セ
ラミックパッケージ２と水晶振動子３とを接合固定す
る。具体的には、熱による印加により硬化する。
ラミックパッケージ２と水晶振動子３とを接合固定す
る。具体的には、熱による印加により硬化する。
【００３６】その後、励振電極３１上の少なくとも励振
電極３３と励振電極３１が対抗する部分の領域直上にマ
スク７の開口が位置するようにマスク７を配設し、不図
示の電気特性試験器から引き出された測定用ピンの先端
を水晶発振器１の外部端子電極２６に接触させ、発振周
波数を測定しながら、イオンガンなどにより、上述のよ
うにイオン化したＡｒ+ガスなどのイオンガスを励振電
極３１に照射することにより、Ａｕなどにより形成され
た励振電極３１を削除し、それにより質量を減ずること
により周波数調整を行う。
電極３３と励振電極３１が対抗する部分の領域直上にマ
スク７の開口が位置するようにマスク７を配設し、不図
示の電気特性試験器から引き出された測定用ピンの先端
を水晶発振器１の外部端子電極２６に接触させ、発振周
波数を測定しながら、イオンガンなどにより、上述のよ
うにイオン化したＡｒ+ガスなどのイオンガスを励振電
極３１に照射することにより、Ａｕなどにより形成され
た励振電極３１を削除し、それにより質量を減ずること
により周波数調整を行う。
【００３７】その後、所定雰囲気中で、シールリング２
５に金属製蓋体６を載置し、両者をシーム溶接にて封止
する。
５に金属製蓋体６を載置し、両者をシーム溶接にて封止
する。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、水晶基
板の両主面に励振電極を形成してなる水晶振動子をセラ
ミックパッケージに収容して、励振電極へのイオンガス
の照射により発振周波数調整を行う水晶発振器におい
て、イオンガスの照射位置を制御することができ、均一
に励振電極に照射させることが可能になる。これによ
り、安定して発振周波数を調整でき、高精度な水晶発振
器を供給することが可能になり、効率良く生産できるよ
うになる。
板の両主面に励振電極を形成してなる水晶振動子をセラ
ミックパッケージに収容して、励振電極へのイオンガス
の照射により発振周波数調整を行う水晶発振器におい
て、イオンガスの照射位置を制御することができ、均一
に励振電極に照射させることが可能になる。これによ
り、安定して発振周波数を調整でき、高精度な水晶発振
器を供給することが可能になり、効率良く生産できるよ
うになる。
【図１】（ａ）は本発明にかかる水晶振動子の上面図で
ある。（ｂ）はマスクの位置関係を含めた水晶振動子の
Ａ−Ａ側断面図である。
ある。（ｂ）はマスクの位置関係を含めた水晶振動子の
Ａ−Ａ側断面図である。
【図２】本発明にかかる水晶発振器の断面図である。
【図３】（ａ）は従来の水晶振動子の上面図である。
（ｂ）は従来の水晶振動子のＢ−Ｂ側断面図である。
（ｃ）はマスクとの位置関係も含めた、従来の水晶振動
子のＢ−Ｂ側断面図である。
（ｂ）は従来の水晶振動子のＢ−Ｂ側断面図である。
（ｃ）はマスクとの位置関係も含めた、従来の水晶振動
子のＢ−Ｂ側断面図である。
【図４】（ａ）は従来の他の例の水晶振動子の上面図で
ある。（ｂ）はマスクの位置関係を含めた従来の他の例
の水晶振動子におけるＣ−Ｃ側断面図である。
ある。（ｂ）はマスクの位置関係を含めた従来の他の例
の水晶振動子におけるＣ−Ｃ側断面図である。
【図５】従来の水晶発振子の側断面図である。
１・・・水晶発振子 ２・・・セラミックパッケージ ２０・・・キャビティ部 ２１・・・基板 ２２・・・リング状基板 ２３・・・電極パッド ２５・・・シールリング ２６・・・外部端子電極 ３・・水晶振動子 ３１、３３・・・励振電極 ３２、３４・・・引出し電極 ４・・・導電性接着部材 ６・・・金属製蓋体 ７・・・マスク ５１・・・発振器 ５２・・・セラミックパッケージ ５３・・・水晶振動子 ５４・・・導電性接着部材 ５６・・・金属製蓋体 ５７・・・マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 水晶基板の下面に第１励振電極と、水晶
基板の上面に前記第１励振電極よりも面積が大きい第２
励振電極を対向形成すると共に、前記第１、第２励振電
極から水晶基板の下面端部の異なる位置にそれぞれ引出
した引出電極が形成されている水晶振動子と、 キャビティを有し、そのキャビティ内部底面に電極パッ
ドが形成され、かつ、下面に前記電極パッドから接続さ
れた外部端子電極が形成された容器と、 該容器のキャビティを封止する蓋体とを有してなり、 前記容器の電極パッドに導電性接着部材を介して前記水
晶振動子の引き出し電極を接続し、そして、前記第２励
振電極の上方に開口を有するマスクを配設するととも
に、該マスクの開口を通じて前記第２励振電極の表面に
イオンガスを照射することで励振電極の質量を減じて周
波数調整が行われ、しかる後、前記キャビティの開口を
蓋体により気密封止してなる水晶発振器の製造方法にお
いて、 前記マスクの開口は、その開口面積が第１励振電極より
も大きく、かつ第２励振電極よりも小さくなるよう形成
するとともに、その開口位置が第１励振電極の直上で該
第１励振電極の形成領域全域が入るように配置してなる
ことを特徴とする水晶発振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001095662A JP2002299982A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 水晶発振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001095662A JP2002299982A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 水晶発振器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299982A true JP2002299982A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18949679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001095662A Withdrawn JP2002299982A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 水晶発振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299982A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006082736A1 (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子およびその製造方法 |
| JP2009044237A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイスの周波数調整方法、並びに圧電デバイス、および周波数調整用マスク |
| KR100902381B1 (ko) | 2008-02-12 | 2009-06-11 | 삼성전기주식회사 | 수정 진동자의 제조방법 |
| JP2013034217A (ja) * | 2012-09-14 | 2013-02-14 | Seiko Epson Corp | 振動デバイスの周波数調整方法、並びに振動デバイス、および電子デバイス |
| US8742651B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-06-03 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric vibrating pieces and piezoelectric devices comprising same, and methods for manufacturing same |
| JP2016220118A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片及び圧電振動子 |
| JP2017076911A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
| TWI661672B (zh) * | 2016-09-08 | 2019-06-01 | 日商村田製作所股份有限公司 | 水晶振動元件及其製造方法以及水晶振動子及其製造方法 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001095662A patent/JP2002299982A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006082736A1 (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子およびその製造方法 |
| CN101111995B (zh) * | 2005-02-01 | 2010-08-25 | 株式会社村田制作所 | 压电谐振器及其制造方法 |
| US7888849B2 (en) | 2005-02-01 | 2011-02-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method for producing the same |
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| JP2016220118A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片及び圧電振動子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050126 |