JP2002100955A

JP2002100955A - 圧電振動子及び圧電デバイス

Info

Publication number: JP2002100955A
Application number: JP2000289649A
Authority: JP
Inventors: Fumio Fujisaki; 文生藤崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-09-22
Filing date: 2000-09-22
Publication date: 2002-04-05
Anticipated expiration: 2020-09-22
Also published as: JP3934322B2

Abstract

(57)【要約】【課題】容器体のキャビティ内に圧電振動子を収容し
電極を接続して固定する際に、圧電振動子の励振電極に
導電性樹脂ペーストの低分子成分が流れ出して固着する
ことを防ぐことができ、安定して良好な高周波発振を行
うことができる圧電振動子及び圧電デバイスを提供す
る。【解決手段】矩形状の圧電基板３０の両主面に励振電
極３１，３３を形成し、一方の短辺側の少なくとも下面
に励振電極３１，３３と接続し、幅方向に分離した一対
の引き出し電極３２，３４を形成した圧電振動子３にお
いて、この圧電振動子３の上面の励振電極３３から導出
された引き出し電極３４の電極３４ａは、圧電振動子３
の側面を経由して、側面電極３４ｂを介して、圧電振動
子３の下面に形成された電極３４ｃ，３４ｄに接続され
ている構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、容器体のキャビテ
ィ内に圧電振動子を収容した圧電デバイスに関し、特に
オーバートーンを用いた高周波発振に適した圧電振動子
及び圧電デバイスに関する。ここで、圧電振動子とは、
水晶板、圧電セラミック基板、単結晶圧電基板を用いた
振動子を含む。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧電デバイスの一例である水晶発
振器は、例えば、図５〜図８に示す構造を有する。

【０００３】この水晶発振器５１は、セラミックパッケ
ージ５２、圧電振動子である水晶振動子５３、導電性接
着部材５４とから主に構成されている。

【０００４】セラミックパッケージ５２は、図５及び図
６に示すように、水晶振動子５３を搭載する基板５２１
を有し、その表面には水晶振動子５３の引き出し電極５
３２，５３４と対向するように電極パッド５２３，５２
３が形成されている。この電極パッド５２３，５２３の
略中央には、接続支持用バンプ５５が形成されている。

【０００５】このバンプ５５が形成された電極パッド５
２３，５２３上に導電性接着部材５４が硬化する前の導
電性樹脂ぺーストを塗布し、水晶振動子５３を、固定端
側が接続支持用バンプ５５に載置するように配置した
後、この導電性樹脂ぺーストを硬化させることにより、
水晶振動子５３を基板５２１に電気的に接続すると共に
機械的に接合している。

【０００６】尚、セラミックパッケージ５２は、アルミ
ナ等のセラミック絶縁板を積層したものであり、内部に
水晶振動子５３を収容するキャビティ部５２０が形成さ
れている。このキャビティ部５２０の底面となる基板
が、水晶振動子５３を実装する基板５２１となる。

【０００７】このセラミックパッケージ５２の下面に
は、図８に示すように、電極パッド５２３，５２３と接
続する外部端子電極５２６が形成されている。さらに、
セラミックパッケージ５２のキャビティ部５２０の開口
周囲には、金属製蓋体５６をシーム溶接にて接続するた
めのシールリング５２５が配設されている。そして、水
晶振動子５３をキャビティ５２０に収容配置した後、水
晶振動子５３の発振周波数を測定しながら、ＡｕやＡｇ
によって形成された励振電極５３３にＡｇなどを蒸着に
より付着させたり、イオンガンなどによりＡｒなどの不
活性ガスを励振電極５３３に打ち付け励振電極５３３の
表面を削る手法を用い、励振電極５３３の質量の増減を
行うことにより、発振周波数を合わせ込む工程を経た
後、水晶振動子５３を気密的に封止すべく、セラミック
パッケージ５２上に金属製蓋体５６が被着されている。

【０００８】より詳しくは、水晶振動子５３は、図８
（ａ）に示すように、矩形状の水晶基板５３０の両主面
に励振電極５３１，５３３が被着されていると共に、水
晶基板５３０の一方の短辺側に、各励振電極５３１，５
３３から延出する引き出し電極５３２，５３４が被着さ
れている。また、水晶振動子５３の表裏の各電極が対称
になるように形成されており、引き出し電極５３４は、
図８（ｂ）に示すように、水晶基板５３０の上面の励振
電極５３３から延出する電極５３４ａ，５３４ｂが側面
電極５３４ｃを介して下面の電極５３４ｄに導通するよ
うに形成されている。また、引き出し電極５３２は、図
８（ｃ）に示すように、水晶基板５３０の下面の励振電
極５３１から延出する電極５３２ａ，５３２ｂが側面電
極５３２ｃを介して上面の電極５３２ｄに導通するよう
に形成されている。尚、この水晶基板５３０の一方の短
辺側を固定端といい、他方の短辺側を自由端という。

【０００９】上記した従来の水晶振動子５３では、硬化
して導電性接着部材となる導電性樹脂ぺーストを電極パ
ッド５２３，５２３上に塗布し、その上部に水晶振動子
５３の下面の引き出し電極５３２ｂ，５３４ｄが当接す
るように水晶振動子５３を載置し、導電性樹脂ぺースト
をバンプ５５の上部にのるように流し込ませて、水晶振
動子５３の短辺側両端面やその近傍の長辺側両端面にも
導電性樹脂ぺーストを付着させ、水晶振動子５３と電極
パッド５２３，５２３との接着を確実なものにしてい
た。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法では、水晶振動子５３の短辺側両端面やその
近傍の長辺側両端面に沿って導電性樹脂ぺーストはい上
がり、水晶基板３０の上側主面の位置までくるか、その
近くまではい上がり、導電性樹脂ぺーストが硬化するま
での間に、導電性樹脂ぺーストに含まれる低分子成分３
５が、図９に示すように水晶振動子５３の上面側の引き
出し電極５３４ａ，５３４ｂから励振電極５３３へ流れ
出してしまい、その後導電性樹脂ぺーストを乾燥する工
程において、低分子成分３５も励振電極５３３上に固着
してしまう。

【００１１】このように低分子成分３５が励振電極５３
３上に固着した状態では、その後の周波数調整工程で、
イオンガンなどを用い、Ａｒガスなどの不活性ガスを励
振電極５３３に打ち付けることにより、励振電極５３３
の質量を減少させ、発振周波数の調整を行う際に、励振
電極５３３の表面の低分子成分３５が固着した領域Ｓ１
は、固着した低分子成分３５が質量を減少させる励振電
極５３３のＡｕやＡｇを削ることを防いでしまう。その
結果、固着した低分子成分３５も励振電極５３３上の引
き出し電極５３４ａ寄りに残り、そのほかの領域Ｓ２の
励振電極５３３だけが削られるということになり、励振
電極５３３全体における質量の減少の仕方に偏りが生じ
ていた。

【００１２】このように、偏って励振電極３３の面が削
られた状態の水晶振動子５３を発振器に使用した場合、
従来のように基本波を用いて発振させる１３ＭＨｚ〜２
８ＭＨｚの周波数帯で使用する比較的低周波の発振器で
は、電気特性面であまり影響しないことが確認されてい
たが、３倍波などのオーバートーン発振を用いて、さら
に高周波である１００ＭＨｚ以上の発振器として使用し
た場合、振動の閉じ込め率が良いため、不要なスプリア
スを発生させるばかりでなく、主振動や３倍波等のオー
バートーン発振が劣化し、共振抵抗値であるＣＩ（クリ
スタルインピーダンス）値を増大させてしまい、場合に
よっては発振停止などの問題を発生させるおそれがあっ
た。

【００１３】本発明は、こうした従来技術の課題を解決
するものであり、容器体のキャビティ内に圧電振動子を
収容し、圧電振動子の励振電極と容器体の電極パッドと
を接続固定する際に、圧電振動子の上側の励振電極表面
に硬化前の導電性樹脂ぺーストの低分子成分が流れ出し
て励振電極に固着することを防ぐことができ、安定して
良好な高周波発振を行うことができる圧電振動子及び圧
電デバイスを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の圧電振動子は、
矩形状の圧電基板の両主面に励振電極を形成し、該圧電
基板の一方短辺側の少なくとも下側主面に、該各励振電
極から導出され、且つ前記圧電基板の幅方向に分離した
引き出し電極部を有した一対の引き出し電極を形成しな
る圧電振動子であって、前記圧電基板の上側主面から導
出される導出路は、前記引き出し電極部の少なくとも励
振電極側端部から前記励振電極が形成された位置までの
前記圧電基板の側面を経由している構成である。

【００１５】上記構成によれば、圧電基板の上面に励振
電極から導出された導出路が形成されていないため、圧
電デバイスの容器体に圧電振動子を固定する工程におい
て硬化前の導電性樹脂ペーストが圧電基板の上面に付着
しても、その低分子成分が圧電基板の側面を流れるだけ
で、圧電振動子の上面の励振電極に流れ出すことがなく
なる。

【００１６】これにより、周波数調整工程において、励
振電極に導電性樹脂ぺーストの低分子成分で固着される
ことに起因して発生していた圧電振動子のＣＩ（クリス
タルインピーダス）値などの電気特性が低下するのを防
ぐことが可能となる。その結果、オーバートーン発振を
用いた安定して良好な高周波発振を行うことが可能とな
る。

【００１７】また、前記圧電振動子の引き出し電極が、
該圧電振動子の下面及び側面の両方に形成されている構
成にすると、上記と同様の作用効果を奏することに加え
て、圧電振動子が、その下面及び側面の両方に形成され
た引き出し電極に導電性接着部材を介して容器体の各電
極パッドに接続できるため、圧電振動子を容器体に更に
強固に固定することが可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて具体的に説明する。尚、ここで説明するオ
ーバートーン発振を用いた高周波発振用の圧電デバイス
は、例えば水晶振動子を用いた水晶発振器に使用され
る。

【００１９】図１〜図３は、本発明による水晶振動子３
を用いた圧電デバイス１の構成例を示す。ここで、図１
は圧電デバイス１を蓋体を省略して示す上視図であり、
図２はその断面図である。

【００２０】この圧電デバイス１は、主に、基板２１を
有する容器体であるセラミックパッケージ２、水晶振動
子３、導電性接着部材４及び蓋体６とから構成されてい
る。セラミックパッケージ２は、略矩形状の単板セラミ
ック基板２１と、セラミック基板２１の周囲にリング状
基板２２を積層して、その表面に載置されたシールリン
グ２５とから構成されている。尚、このシールリング２
５は、封止用導体膜２４を介してろう付け固定されてい
る。そして、このセラミックパッケージ２は、上方が開
口した略矩形状のキャビティ部２０が形成されていて、
そこに水晶振動子３が収容されるようになっている。さ
らにキャビティ部２０の底面、即ち基板２１の上面にお
ける一方の短辺側には、略矩形状の一対の電極パッド２
３，２３が容器体２の短辺の幅方向に並ぶように夫々形
成されている。

【００２１】より詳しくは、シールリング２５は、Ｆｅ
−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの金属からなり、基板２
１の周囲にリング状基板２２を積層して、その表面に形
成された封止用導体膜２４上にろう付けなどにより形成
され、これにより、キャビティ部２０の厚さを規定して
いる。

【００２２】また、セラミックパッケージ２の底面に
は、電極パッド２３，２３と電気的に接続し、外部プリ
ント配線基板（図示せず）と接合するための外部端子電
極２６が形成されている。この電極パッド２３，２３と
外部端子電極２６とは、セラミックパッケージ２の一部
を貫くビアホール導体によって接続されている。尚、電
極パッド２３，２３と外部端子電極２６の形成位置とが
対応しない場合には、キャビティ部２０の底面に所定形
状の配線導体を形成すれば、ビアホール導体によって簡
単に接続することができる。また、基板２１を例えば２
層に積層して、その層間に内部配線を形成する構成とし
てもよく、この場合には、内部配線の一端がビアホール
導体を介して電極パッド２３，２３に接続され、内部配
線の他端が外部端子電極２６に接続される。

【００２３】また、電極パッド２３，２３の表面には、
キャビティ部２０の中央部寄りに帯状のバンプ５が形成
されている。このバンプ５は、導電性金属ぺーストの焼
き付け、導電性樹脂ぺーストの印刷、硬化により形成さ
れる。尚、ここでは、帯状のバンプ５を１つの電極パッ
ド２３，２３の幅方向の全幅に渡って形成する例を示し
たが、バンプの形状は適宜変更してもよく、例えばドッ
ト状に形成してもよい。

【００２４】電極パッド２３、封止用導体膜２４及びバ
ンプ５は、モリブデン、タングステンなどの金属から構
成される。これらの導体（電極パッド２３、導体膜２
４、バンプ部材５）は、基板２１の表面に導電性樹脂ぺ
ーストの焼き付けにより形成した後、その表面にＮｉ，
Ａｕメッキ処理を施して形成される。

【００２５】例えば、導電性金属ぺーストの焼き付けに
よりバンプ５を形成する場合、電極パッド２３，２３の
下地導体となる導体を導電性金属ぺーストにより印刷形
成し、乾燥後に、その表面に導電性金属のぺーストを用
いてバンプ５の形状に応じて印刷形成し、その後、両者
を焼成処理することにより形成される。

【００２６】これらの導体（電極パッド２３、導体膜２
４、バンプ５）の厚さは、約１０μｍ〜３０μｍであ
り、これにより、基板２１の表面からバンプ５の頂点ま
で高さは、２０μｍ〜４０μｍの高さとなる。

【００２７】水晶振動子３は、例えば、図３に示すよう
に、所定結晶方位角に従ってカット（ＡＴカット）され
た略矩形状の水晶基板３０の両主面に励振電極３１，３
３が形成され、一方の短辺側の少なくとも下面に励振電
極３１，３３と接続し、幅方向に分離した一対の引き出
し電極３２，３４が形成されている。

【００２８】この水晶振動子３の上面の励振電極３１か
ら導出された引き出し電極３４は、図３（ｂ）に示すよ
うに、水晶基板３０の上面の励振電極３３から延出する
導出路３４ａが、その引き出し電極３ａの少なくとも励
振電極３１側の端部から励振電極３３が形成された水晶
基板３０の位置までの水晶基板３０の側面に引き出さ
れ、そこから水晶振基板３０の側面の導出路３４ｂを介
して、下面の導出路３４ｃ、引き出し電極部３４ｄに導
通するように形成されている。

【００２９】また、引き出し電極３２は、図３（ｃ）に
示すように、水晶基板３０の下面の励振電極３１から延
出する導出路３２ａ，引き出し電極部３２ｂが下面のみ
に形成されている。そして、この引き出し電極３２，３
４の電極３４ｄ，３２ｂの形状は、水晶振動子３が所定
位置に配置された時、電極パッド２３，２３に対応する
形状となっている。

【００３０】このような励振電極３１，３３及び引き出
し電極３２，３４は、水晶基板３０の上面、側面及び下
面に、所定形状のマスクを配置して、蒸着やスパッタ等
の手段を用いてＡｕ，Ａｇ，Ｃｒなどの蒸着などにより
形成されている。

【００３１】セラミックパッケージ２と水晶振動子３と
の電気的な接続及び機械的な接合は、シリコン系、エポ
キシ系、ポリイミド系などの樹脂にＡｇ粉末などを添加
した導電性樹脂ぺーストを硬化させて接着する導電性接
着部材４によって行う。

【００３２】具体的には、基板２１表面の電極パッド２
３，２３上に、導電性樹脂ペーストをディスペンサー等
により供給し、電極パッド２３，２３上に半球状に盛り
上がった導電性樹脂ペースト上に、水晶振動子３の一方
短辺側の下面に延出された引き出し電極３２，３４が当
接するように、水晶振動子３を載置し、導電性樹脂ペー
ストを硬化させる。これにより、水晶振動子３の一対の
励振電極３１，３３は、電極パッド２３，２３を介して
セラミックパッケージ２の外面の外部端子電極２６に導
通することになる。

【００３３】金属製蓋体６は、平板状の金属、例えばＦ
ｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コ
バール）などからなる。このような金属製蓋体６は、水
晶振動子３の収容するキャビティ２０を、窒素ガスや真
空などで気密的に封止する。具体的には、所定雰囲気
で、金属製蓋体６をセラミックパッケージ２のシールリ
ング２５上に載置して、シールリング２５の表面の金属
と金属製蓋体６の金属の一部とが溶接されるように所定
電流を印加してシーム溶接を行う。尚、この溶接を確実
に行うために、金属製蓋体６の接合面側に、Ａｇろう層
などを予め形成しておくとよい。また、溶接によって溶
融したろう材が、金属製蓋体６の表面側に回り込み、接
合に寄与するろう材が減少しないように、金属製蓋体６
の表面側に、Ｎｉメッキ層を形成しておいてもよい。

【００３４】上述した圧電デバイス１は、以下に示す製
造工程を経て作製される。

【００３５】まず、略矩形状の水晶基板３０を準備す
る。次に、水晶基板３０の両主面に励振電極３１，３３
を形成し、引き出し電極３２，３４を形成し、水晶振動
子３とする。また、セラミックパッケージ２の底面とな
る基板２１の表面に一対の電極パッド２３，２３が形成
されると共に、キャビティ２０の開口周囲の表面に封止
用導体膜２４、シールリング２５が形成されたセラミッ
クパッケージ２、及び金属製蓋体６を用意する。

【００３６】次に、電極パッド２３，２３に導電性樹脂
ペーストをディスペンサーなどで供給し塗布する。この
時、供給された導電性樹脂ペーストは、略半球状に全体
が盛り上がった形状となる。

【００３７】次に、水晶振動子３を略半球状に盛り上が
った形状をなす導電性樹脂ペーストに載置する。具体的
には、導電性樹脂ペーストを供給した部分に、一対の引
き出し電極３２，３４が当接するように水晶振動子３を
載置する。

【００３８】次に、導電性樹脂ペーストを加熱硬化さ
せ、セラミックパッケージ２と水晶振動子３とを接合固
定する。

【００３９】次に、外部端子電極２６などを用いて水晶
振動子３の発振周波数を測定し、必要に応じて、水晶振
動子３の上面側励振電極３１の表面に、イオンガンなど
を用いＡｒなどの不活性ガスを励振電極３１に打ち付け
て、励振電極３１を削り、励振電極３１の質量を減らす
ことによって、周波数を調整する。

【００４０】その後、所定雰囲気中で、水晶振動子３が
接合固定されたセラミックパッケージ２のシールリング
２５に金属製蓋体６を載置し、両者をシーム溶接にて封
止する。これによって、圧電デバイス１が完成する。

【００４１】尚、上記水晶振動子３は、図４に示す別の
形態とすることもできる。

【００４２】この水晶振動子３’は、上面の励振電極３
１から導出された引き出し電極３４’は、図４（ｂ）に
示すように、水晶基板３０の上面の励振電極３３から延
出する導出路３４ａ’が、その引き出し電極３４’の少
なくとも励振電極３１側の端部から励振電極３３が形成
された水晶基板３０の位置までの水晶基板３０の側面に
引き出され、そこから水晶基板３０の側面に長く形成さ
れた導出路３４ｂ’を介して下面の引き出し電電極部３
４ｃ’に導通するように形成されている。また、引き出
し電極３２’は、図４（ｃ）に示すように、水晶基板３
０の下面の励振電極３１から延出する導出路３２ａ’
が、その引き出し電極３２’の少なくとも励振電極３１
側の端部から励振電極３３が形成された水晶基板３０の
位置までの水晶基板３０の側面に引き出され、そこから
水晶基板３０の側面に長く形成された導出路３２ｂ’を
介して下面の引き出し電極部３２ｃ’に導通するように
形成されている。そして、この引き出し電極３２’，３
４’の導出路３４ｃ’，３２ｃ’の形状は、水晶振動子
３’が所定位置に配置された時、電極パッド２３，２３
に対応する形状となっている。

【００４３】上述した圧電デバイス１は、図１に示すよ
うに、導電性樹脂ペーストをバンプ５にかかるように、
予め、水晶振動子３（又は３’）の内側寄りに塗布し、
その上部に水晶振動子３（又は３’）の下面の引き出し
電極３２，３４が当接するように水晶振動子３（又は
３’）を載置する。

【００４４】この水晶振動子３（又は３’）は、上面に
引き出し電極３２が形成されていないので、導電性樹脂
ペーストが硬化するまでに、水晶振動子３（又は３’）
上面にて導電性樹脂ペーストに含まれる低分子成分が引
き出し電極３２から励振電極３１に流れ出すことを防ぐ
ことができる。その結果、その後の周波数調整工程で、
Ａｒなどの不活性ガスを打ち付けて、励振電極３１を削
り、質量を減らすことにより、周波数を調整する際に、
励振電極３１に導電性樹脂ペーストの低分子成分が流れ
込んでいないので、励振電極３１全体が均一に削られ
る。

【００４５】これにより、励振電極３１が導電性樹脂ペ
ーストの低分子成分で固着されることに起因して周波数
調整工程で発生していた水晶振動子３（又は３’）のＣ
Ｉ値などの電気特性が低下するのを防ぐことができるの
で、上記水晶振動子３（又は３’）を用いた圧電デバイ
ス１を使用すればオーバートーンを用いた安定して良好
な高周波発振を行うことができる。

【００４６】尚、周波数が１０６．２５ＭＨｚ（３倍
波）で、長さ３．５ｍｍ、幅２．０ｍｍである本発明に
よる水晶振動子３（又は３’）にて、ＣＩ値などの電気
特性や耐落下などの信頼性確認を行ったが、電気特性、
強度面とも悪化することなく、従来と同等以上の結果が
得られた。

【００４７】また、水晶振動子３’は、その下面及び側
面の両方に形成された引き出し電極３２’，３４’で導
電性樹脂ペーストを介して容器体２の電極パッド２３，
２３に接続されるため、水晶振動子３’を容器体２に更
に強固に固定することができる。

【００４８】以上、本発明の圧電振動子及び圧電デバイ
スは、上記した各実施形態の具体的構成に限定されるも
のではなく、必要に応じ適宜構成を変形、追加又は削除
した構成としてもよいことは言うまでもない。

【００４９】例えば、上記では、３倍波で１０６．２５
ＭＨｚの水晶振動子を使用する圧電デバイスの例を用い
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、オーバートーンを用いる１００ＭＨｚ以上の高周波
の圧電振動子を使用する圧電デバイスであれば、同様に
本発明を適用することができる。例えば、１００ＭＨｚ
以上の１０６．２５ＭＨｚ以外の周波数で、５倍波や７
倍波といった高次のオーバートーンを用いる高周波の圧
電振動子を使用する圧電デバイスにも本発明を適用する
ことができる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、圧電基板の上面に
励振電極から導出された導出路が形成されていないた
め、圧電デバイスの容器体に圧電振動子を固定する工程
において硬化前の導電性樹脂ペーストが圧電基板の上面
に付着しても、その低分子成分が圧電基板の側面を流れ
るだけで、圧電振動子の上面の励振電極に流れ出すこと
がなくなる。

【００５１】これにより、周波数調整工程において、励
振電極に導電性樹脂ぺーストの低分子成分で固着される
ことに起因して発生していた圧電振動子のＣＩ（クリス
タルインピーダス）値などの電気特性が低下するのを防
ぐことが可能となる。その結果、オーバートーン発振を
用いた安定して良好な高周波発振を行うことが可能とな
る。

【００５２】また、前記圧電振動子の引き出し電極が、
該圧電振動子の下面及び側面の両方に形成されている構
成にすると、上記と同様の作用効果を奏することに加え
て、圧電振動子が、その下面及び側面の両方に形成され
た引き出し電極に導電性接着部材を介して容器体の各電
極パッドに接続できるため、圧電振動子を容器体に更に
強固に固定することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による圧電デバイスの構成例を、蓋体を
省略して表す上視図である。

【図２】本発明による圧電デバイスの構成例を示す断面
図である。

【図３】本発明による圧電振動子の構成例を示す図であ
って、（ａ）は斜視図を、（ｂ）は上視図を、（ｃ）は
下視図をそれぞれ表す。

【図４】本発明による圧電振動子の他の構成例を示す図
であって、（ａ）は斜視図を、（ｂ）は上視図を、
（ｃ）は下視図をそれぞれ表す。

【図５】従来の圧電デバイスの構成例を、蓋体を省略し
て表す上視図である。

【図６】従来の圧電デバイスの構成例を示す断面図であ
る。

【図７】従来の圧電デバイスにおいて、圧電振動子の励
振電極に導電性樹脂ペーストの低分子成分が付着した状
態を、蓋体を省略して表す上視図である。

【図８】従来の圧電振動子の構成例を示す図であって、
（ａ）は斜視図を、（ｂ）は上視図を、（ｃ）は下視図
をそれぞれ表す。

【符号の説明】

１圧電デバイス２セラミックパッケージ（容器体）３、３’ 水晶振動子（圧電振動子）４導電性接着部材２０キャビティ２３電極パッド３０圧電基板３１，３３励振電極３２，３２’，３４，３４’ 引き出し電極３２ａ，３２ａ’，３２ｂ’，３４ａ，３４ａ’，３４
ｂ，３４ｂ’ 導出路３２ｂ，３４ｄ，３２ｃ’，３４ｃ’ 引き出し電極
部３５低分子成分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】矩形状の圧電基板の両主面に励振電極を
形成し、該圧電基板の一方短辺側の少なくとも下側主面
に、該各励振電極から導出され、且つ前記圧電基板の幅
方向に分離した引き出し電極部を有した一対の引き出し
電極を形成しなる圧電振動子であって、前記圧電基板の上側主面から導出される導出路は、前記
引き出し電極部の少なくとも励振電極側端部から前記励
振電極が形成された位置までの前記圧電基板の側面を経
由していることを特徴とする圧電振動子。
【請求項２】前記圧電振動子の引き出し電極は、該圧
電基板の下側主面及び側面の両方に連続して形成されて
いる請求項１記載の圧電振動子。
【請求項３】請求項１又は請求項２記載の圧電振動子
と、矩形状のキャビティを有し、該キャビティの底面におけ
る一方短辺側に一対の電極パッドを設けた容器体とを備
え、前記圧電振動子は前記容器体のキャビティ内に収容され
ると共に、該圧電振動子の前記各引き出し電極が導電性
接着部材を介して前記容器体の各電極パッドに接続され
ていることを特徴とする圧電デバイス。