TWI802380B - 聲波裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種聲波裝置包含壓電基板、換能器及下凹部。換能器設置在壓電基板的表面上，且包含第一母線、第一電極、第二母線及第二電極。第一母線沿第二方向延伸。第一電極具有第一末端，及從第一母線沿第一方向延伸至第一末端。第二母線沿第二方向延伸。第二電極具有第二末端，及從第二母線沿第一方向延伸至第二末端。第一電極與第二電極在第二方向上間隔設置，及第一電極的第一末端與第二母線的邊緣之間形成間隙。下凹部形成於壓電基板中且從壓電基板的表面凹陷。在深度方向上，第一電極的第一末端與下凹部的側壁連續接合。

Description

聲波裝置及其製造方法
本發明關於射頻通訊，特別是用於射頻通訊中的一種聲波裝置及其製造方法。
表面聲波(surface acoustic wave，SAW)裝置可用於電訊號與聲訊號的轉換及傳遞。表面聲波裝置具有諸多用途。舉例而言，SAW濾波器用以濾除雜訊及留下特定頻段的無線訊號，具有傳輸損耗小、抗電磁干擾性能佳、體積小的特性，因此被廣泛應用於各種通訊產品。然而現有的SAW濾波器會產生能量洩漏，造成品質因數下降。此外，表面聲波裝置亦可用作諧振器(resonator)。
本發明實施例提供一種聲波裝置，包含壓電基板、換能器及下凹部。換能器設置在壓電基板的表面上，且包含第一母線、第一電極、第二母線及第二電極。第一母線沿第二方向延伸。第一電極具有第一末端，及從第一母線沿第一方向延伸至第一末端。第二母線沿第二方向延伸。第二電極具有第二末端，及從第二母線沿第一方向延伸至第二末端，第二電極與第一電極在第二方向上間隔設置，及第一電極的第一末端與第二母線的邊緣之間形成間隙。下凹部形成於壓電基板中且從壓電基板的表面凹陷。在深度方向上，第一電極的第一末端與下凹部的側壁連續接合。
本發明實施例提供另一種聲波裝置的製造方法，包含提供壓電基板，在壓電基板的表面上形成導電層，及使導電層圖案化，以形成圖案化導電層，圖案化導電層包含第一母線，沿第二方向延伸，第一電極具有第一末端，及從第一母線沿第一方向延伸至第一末端。第二母線沿第二方向延伸。第二電極具有第二末端，及從第二母線沿第一方向延伸至第二末端，第二電極與第一電極在第二方向上間隔設置，及第一電極的第一末端與第二母線的邊緣之間形成間隙。製造方法另包含在壓電基板中形成下凹部，且從壓電基板的表面凹陷。在深度方向上，第一電極的第一末端與下凹部的側壁連續接合。
第1圖係為本發明實施例中之一種聲波裝置1的俯視圖。在一些實施例中，聲波裝置1可為表面聲波(surface acoustic wave，SAW)濾波器。例如，聲波裝置1可將來自天線的射頻訊號轉換為聲波，對聲波進行處理以産生濾波訊號，及輸出濾波訊號。射頻訊號及濾波訊號係為電性訊號。此處僅舉例說明SAW裝置1的用途，惟本發明不限於此，在其他實施例中，SAW裝置1亦可用於其他用途。
在一些實施例中，聲波裝置1可包含壓電基板10及設置在壓電基板10表面上的換能器(transducer)11。壓電基板10可包含基板及設置在基板上的壓電材料層。舉例而言，壓電基板10的基板可包含矽基板。壓電材料層可包含壓電單晶體、壓電多晶體（壓電陶瓷）、壓電聚合物、和壓電複合材料。舉例而言，壓電材料層可包含氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）、及鉭酸鋰(LiTaO 3)。換能器11可包含金屬材料，金屬材料可包含鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)及鎢(W)的任意組合。
在一些實施例中，換能器11可設置在壓電基板10的表面101上，且可包含母線(bus bar)121、電極131至133、母線122及電極141至143。如第1圖所示，母線121可沿方向D2延伸。電極131至133分別具有末端131e至133e，及可從母線121沿方向D1分別延伸至末端131e至133e。類似的，母線122可沿方向D2延伸。電極141至143分別具有末端141e至143e，及可從母線122沿方向D1分別延伸至末端141e至143e。電極141至143分別與電極131至133在方向D2上間隔設置，舉例而言，電極141與電極131在方向D2上係隔開的。電極131至133可平行於電極141至143，且母線121可平行於母線122。在上述實施例中，方向D2可垂直于方向D1，且方向D1與方向D2皆平行於壓電基板10的表面101。惟本發明不限于此，在其他實施例中，方向D2與方向D1之間可形成非90度的夾角。
在一些實施例中，在電極131至133的末端131e至133e與母線122的邊緣122e之間，可分別形成第一間隙。在電極141至143的末端141e至143e與母線121的邊緣121e之間，可分別形成第二間隙。各第一間隙沿方向D1可具有相同或不同尺寸，及/或各第二間隙沿方向D1可具有相同或不同尺寸。舉例而言，沿方向D2，末端131e至133e可互相對齊，及/或末端141e至143e可互相對齊。
母線121及電極131至133可形成第一組叉指(interdigital)結構，母線122及電極141至143可形成第二組叉指結構，第一組叉指結構及第二組叉指結構可沿方向D1呈叉指設置。在一些實施例中，電極131至133、電極141至143、母線121、及母線122的材料包含金屬，其中金屬可選自以下至少一者：鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鎢(W)、及其組合。
在一些實施例中，換能器11可用作輸入換能器或輸出換能器。以輸入換能器為例，電訊號可由母線121/122輸入，經由壓電基板10及其上的電極131、141、132、142、133、及143轉換為聲訊號，聲訊號可沿方向D2傳播。在其他實施例中，換能器11亦可用作將聲訊號轉換爲電訊號的輸出換能器。沿方向D2對齊的末端131e至133e以及沿方向D2對齊的末端141e至143e可用來界定聲訊號的有效傳導範圍。詳細而言，以第1圖所示方向爲例，連接末端131e、132e、及133e的虛擬直綫可爲聲訊號有效傳導範圍的右邊界，連接末端141e、142e、及143e的虛擬直綫可爲聲訊號有效傳導範圍的左邊界。在一些實施例中，SAW裝置1可以活塞(piston)模式運作，使能量不會或較少的經由電極131至133分別與母線122之間的第一間隙、及/或電極141至143分別與母線121之間的第二間隙洩漏。
第2A至2C圖顯示第1圖中聲波裝置1沿切線2-2’的剖面圖。同時參考第1圖及第2A圖，在一些實施例中，聲波裝置1還可包含下凹部21，其可對位於電極131與母線122之間的第一間隙。進一步講，下凹部21可對位於電極131的末端131e與母線122邊緣122e之間的第一間隙。如第2A圖所示，下凹部21可形成於壓電基板10中且例如沿方向D3從壓電基板10的表面101凹陷。下凹部21具有第一側壁w1及第二側壁w2。在方向D3上，電極131的末端131e與下凹部21的第一側壁w1連續接合。進一步講，母線122的邊緣122e亦可與下凹部21第二側壁w2連續接合。類似於下凹部21，聲波裝置1還可包含下凹部22至23，其可分別對位於電極132至133的末端132e至133e分別與母線122的邊緣122e之間的第一間隙。下凹部22至23可分別形成於壓電基板10中且例如沿方向D3從壓電基板10的表面101凹陷。
如第1圖所示， 聲波裝置1還可包含下凹部31至33，其可對位於電極141至143分別與母線121之間的第二間隙。下凹部31至33的設置可類似於下凹部21至23，差別在於，下凹部31至33可分別對位於電極141至143的末端141e至143e分別與母線121的邊緣121e之間的第二間隙。以下凹部31為例，下凹部31可具有第三側壁及第四側壁。在方向D3上，電極141的末端141e可與下凹部31的第三側壁連續接合。進一步講，母線121的邊緣121e可與下凹部31的第四側壁連續接合。在上述實施例中，方向D3可垂直於方向D1及方向D2。
在一些實施例中，同時參考第1圖及第2A圖，聲波裝置1還可包括填充金屬部151。如第2A圖所示，填充金屬部151可填充於壓電基板10的下凹部21中，填充金屬部151可具有填充金屬表面1511及填充金屬底部1512。在方向D3上，壓電基板10的表面101與填充金屬表面1511之間存在距離d1。再者，填充金屬表面1511與填充金屬底部1512之間之的厚度為d2，距離d1及厚度d2大於零。類似於填充金屬部151，如第1圖所示，聲波裝置1還可包括填充金屬部152至153，其可分別填充於下凹部22至23。進一步講，聲波裝置1還可包括填充金屬部161至163，其可分別填充於下凹部31至33。在一些實施例中，填充金屬部152至153、161至163分別與下凹部22至23、31至33的設置關係類似於填充金屬部151與下凹部21的設置關係，在此不作贅述。
在上述實施例中，換能器11及填充金屬部可包含相同或不同之金屬。例如，填充金屬部151至153及161至163可包含金屬，其中金屬可選自以下至少一者：鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鎢(W)、及其組合。在此情形中，填充金屬部的材料密度可大於壓電基板10的材料密度，亦即，就相等體積而言，填充金屬部的重量可大於壓電材料。因此，下凹部21至23及31至33中的填充金屬部151至153及161至163可分別在電極的末端位置處形成重量負載。於聲波裝置1運作時，下凹部21至23及31至33中，填充金屬部形成的重量負載會阻擋聲訊號沿方向D1的傳導（亦即，減小或停止聲訊號沿方向D1的傳導），使聲訊號的能量較少的或不會經由第一間隙及第二間隙洩漏，從而使得聲訊號較多的或全部的沿方向D2傳導，藉以提高聲波裝置1的品質因數(quality factor，Q factor)。
以下以填充金屬部151與下凹部21為例加以說明，其他填充金屬部及下凹部可類似之。在一些實施例中，形成於電極131末端131e與母線122邊緣122e之間的第一間隙沿方向D1具有頂部尺寸d3，且下凹部21沿方向D1具有底部尺寸d4。第一間隙的頂部尺寸d3與下凹部21的底部尺寸d4的比率(ratio)可介於0.8及1.2之間。第2A圖顯示第一間隙的頂部尺寸d3與下凹部21的底部尺寸d4的比率可實質上為1，亦即第一間隙的頂部尺寸d3實質上等於下凹部21的底部尺寸d4。在此情形中，第一間隙及下凹部21的輪廓可形成為矩形。惟本發明不限於此，在其他實施例中，以第2B圖為例，尺寸d3與尺寸d4的比率約為1.2。在此情形中，第一間隙及下凹部21的輪廓可形成為倒梯形。以第2C圖為例，尺寸d3與尺寸d4的比率約為0.8。在此情形中，第一間隙及下凹部21的輪廓可形成為正梯形。
在一些實施例中，聲波裝置1可處理具有波長λ的聲訊號。舉例而言，距離d1的範圍可介於波長λ之5%至10%之間，以避免填充金屬部151與電極131、及/或填充金屬部151與母線122的短路。再者，厚度d2的範圍可與波長λ相關，例如可等於波長λ之2%~6%，例如等於波長λ之4%，以提供較佳的聲訊號阻擋效果。例如波長λ可為2μm，距離d1可介於0.1μm至0.2μm之間，厚度d2可等於0.08μm。
在第2A至2C圖所示的實施例中，母線122的邊緣122e與下凹部21第二側壁w2連續接合，本發明不限於此。第3圖係為聲波裝置1的另一種下凹部21的示意圖，可用於替代第2A至2C圖的下凹部21。如第3圖所示，母線122的邊緣122e與下凹部21第二側壁w2並非連續接合，舉例而言，母線122邊緣122e及下凹部21第二側壁w2可在壓電基板10的表面101處形成階梯。詳細而言，下凹部21在壓電基板10的表面101處沿方向D1可具有尺寸d5，其可小於第一間隙沿方向D1的頂部尺寸d3，及/或可等於下凹部21沿方向D1的底部尺寸d6。第3圖中填充金屬部151的設置和第2A圖相似，其解釋在此不再贅述。
以下以填充金屬部161與下凹部31為例加以說明，其他填充金屬部及下凹部可類似之。第4A至4C圖顯示第1圖中聲波裝置1沿切線4-4’的剖面圖。電極141沿方向D2可具有尺寸d7，下凹部31沿方向D2可具有尺寸d8。下凹部31的尺寸d8可等於（第4A圖）、小於（第4C圖）、或大於（第4B圖）電極141的尺寸d7。尺寸d8越大，則下凹部31可填充的金屬部161的體積越大，藉以增加重量負載，以改善聲波裝置1的品質因數。
第5圖係為本發明實施例中之另一種聲波裝置5的俯視圖。聲波裝置5可包含壓電基板10、換能器51、下凹部21至23及31至33、及填充金屬部151至153及161至163。聲波裝置5和聲波裝置1的差異在於換能器51另包含偽電極171至173及偽電極181至183。偽電極171至173分別具有僞末端171e至173e，及可從母線122沿方向D1分別延伸至僞末端171e至173e。偽電極181至183分別具有僞末端181e至183e，及可從母線121沿方向D1分別延伸至僞末端181e至183e。沿方向D1，偽電極171至173的僞末端171e至173e可分別與電極131至133的末端131e至133e對齊，偽電極181至183的僞末端181e至183e可分別與電極141至143的末端141e至143e對齊。進一步講，沿方向D2，偽末端171e至173e可互相對齊，及僞末端181e至183e可互相對齊。在第5圖所示實施例中，第一間隙可分別形成於電極131至133的末端131e至133e與偽電極 171至173的僞末端171e至173e之間，及第二間隙可分別形成於電極141至143的末端141e至143e與偽電極181至183的僞末端181e至183e之間。
在聲波裝置5中，舉例而言，在方向D3上，電極131的末端131e可與下凹部21的第一側壁連續接合。進一步講，偽電極171的僞末端171e亦可與下凹部21的第二側壁連續接合。類似的，電極141 3的末端141e可與下凹部31的第三側壁連續接合。進一步講，偽電極181的僞末端181e亦可與下凹部31的第四側壁連續接合。第一間隙沿方向D1的頂部尺寸與下凹部21沿方向D1的底部尺寸的比率可介於0.8及1.2之間，且第二間隙沿方向D1的頂部尺寸與下凹部31沿方向D1的底部尺寸的比率可介於0.8及1.2之間。
在上述聲波裝置5中，藉由設置偽電極171至173、及/或181至183，可進一步減少聲訊號沿方向D1的洩漏，藉以提高聲波裝置5的品質因數。在一些實施例中，偽電極171至173、及/或181至183的材料包含金屬，其中金屬可選自以下至少一者：鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鎢(W)、及其組合。
在聲波裝置1及5中，熟習此技藝者亦可依照本發明原則變更電極131-133的數目、及/或電極141-143的數目，以符合實際應用的需求。
第6至8圖係為聲波裝置之製造方法的示意圖。第6圖顯示壓電基板10及設置在壓電基板10表面上的導電層，其中該導電層例如可經由圖案化方法而形成圖案化導電層。在一些實施例中，圖案化導電層例如可包含母線121、電極131、及母線122。進一步講，圖案化導電層還可包含焊墊60。第6至8圖僅顯示換能器的部分例示性結構，惟圖案化導電層可另包含其他結構。
在一些實施例中，如第7圖所示，在壓電基板10中形成下凹部21，下凹部21從壓電基板10的表面101凹陷。下凹部21第一側壁w1與電極131的末端131e連續接合，且下凹部21的第二側壁w2與母線122的邊緣122e連續接合。
在一些實施例中，如第8圖所示，例如利用金屬材料填充下凹部21，以形成填充金屬部151，其具有填充金屬表面1511。在深度方向上，壓電基板10的表面101與填充金屬表面1511之間存在大於零的一距離。
在一些實施例中，如第6至8圖所示，製造方法還包括形成絕緣的橋接層62，其至少部分的位于焊墊60與母線121之間。形成連接層64，其用以將電極131、母線121、及/或母線122連接至外部電路。
在一些實施例中，如第8圖所示，製造方法還包括形成絕緣層80，以保護聲波裝置。
第9圖係為聲波裝置1或5之製造方法900的流程圖。製造方法900包括步驟S902至S916，用以製造聲波裝置1或5。任何合理的步驟改變、順序或調整都落在本公開內容的範圍內。步驟S902至S916例示性解釋如下：
步驟S902:  提供壓電基板10；
步驟S904:  在壓電基板10的表面上形成導電層；
步驟S906:  利用遮罩使導電層圖案化，以形成圖案化導電層，其中圖案化導電層可包含焊墊60、母線121、電極131、及母線122；
步驟S908:  在壓電基板10中形成下凹部21，其中下凹部21從壓電基板10的表面凹陷，在方向D3上，電極131的末端131e與下凹部21的第一側壁w1連續接合；
步驟S910:  利用金屬材料填充下凹部21，以形成填充金屬部151；
步驟S912:  形成橋接層62，其中橋接層62可至少部分的位于焊墊60與母線121之間；
步驟S914:  形成連接層64，其中連接層64用以將電極131、母線121、及/或母線122連接至外部電路；
步驟S916:  形成絕緣層80，其中該絕緣層80可位于焊墊60、連接層64、橋接層62、電極131 、金屬部151及母線122上方。
參考第6圖，在一些實施例中，在步驟S906中，圖案化導電層中的焊墊60可與母線121、電極131、及母線122同時形成。在其他實施例中，亦可形成與母線122電性連接的偽電極。參考第7圖，在步驟S908中，可使用遮罩利用蝕刻製程來形成下凹部21。參考第8圖，在步驟S910中，例如可使用金屬Mo於下凹部21中形成填充金屬部151。填充金屬部151的厚度與圖案化導電層的厚度可相同或相異。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1,5:聲波裝置 10:壓電基板 101:表面 11,51:換能器 121及122:母線 121e及122e:邊緣 131至133,141至143:電極 131e至133e,141e至143e:末端 171至173,181至183:偽電極 171e至173e,181e至183e:偽末端 21至23,31至33:下凹部 151至153,161至163:填充金屬部 1511:金屬表面 1512:金屬底部 60:焊墊 62:橋接層 64:連接層 80:絕緣層 900:製造方法 S902至S916:步驟 d1:距離 d2:厚度 d3,d5:頂部尺寸 d4,d6:底部尺寸 d7,d8:尺寸 D1,D2,D3:方向 w1:第一側壁 w2:第二側壁
第1圖係為本發明實施例中之一種聲波裝置的俯視圖。 第2A至2C圖顯示第1圖中之聲波裝置沿切線2-2’的剖面圖。 第3圖係為第1圖中之聲波裝置的另一種下凹部的示意圖。 第4A至4C圖顯示第1圖中之聲波裝置沿切線4-4’的剖面圖。 第5圖係為本發明實施例中之另一種聲波裝置的俯視圖。 第6至8圖係為聲波裝置之製造方法的示意圖。 第9圖係為聲波裝置之製造方法的流程圖。
1:聲波裝置
10:壓電基板
101:表面
11:換能器
121及122:母線
121e及122e:邊緣
131至133,141至143:電極
131e至133e,141e至143e:末端
21至23,31至33:下凹部
151至153,161至163:填充金屬部
D1,D2,D3:方向

Claims (20)

  1. 一種聲波裝置，包含： 一壓電基板，具有一第一表面； 一換能器，設置在該壓電基板的該第一表面上，該換能器包含： 一第一母線，沿一第二方向延伸； 一第一電極，具有一第一末端，該第一電極從該第一母線沿一第一方向延伸至該第一末端； 一第二母線，沿該第二方向延伸；及 一第二電極，具有一第二末端，該第二電極從該第二母線沿該第一方向延伸至該第二末端，該第二電極與該第一電極在該第二方向上間隔設置，及該第一電極的該第一末端與該第二母綫的一邊緣之間形成一第一間隙； 一第一下凹部，形成於該壓電基板中且從該壓電基板的該第一表面凹陷，該第一下凹部具有一第一側壁，在一深度方向上，該第一電極的該第一末端與該第一下凹部的該第一側壁連續接合。
  2. 如請求項1所述之聲波裝置，其中： 該第一下凹部另具有一第二側壁； 在該深度方向上，該第二母綫的該邊緣與該第一下凹部的該第二側壁連續接合；及 該第一間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第一下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率(ratio)介於0.8及1.2之間。
  3. 如請求項1所述之聲波裝置，另包含： 一第一填充金屬部，填充於該壓電基板的該第一下凹部，該第一填充金屬部具有一第一填充金屬表面，其中在該深度方向上，該第一表面與該第一填充金屬表面之間存在一第一距離，該第一距離大於零。
  4. 如請求項1所述之聲波裝置，其中： 該第二電極的該第二末端與該第一母綫的一邊緣之間形成一第二間隙；該聲波裝置另包含： 一第二下凹部，形成於該壓電基板中且從該壓電基板的該第一表面凹陷，該第二下凹部具有一第三側壁，在該深度方向上，該第二電極的該第二末端與該第二下凹部的該第三側壁連續接合。
  5. 如請求項4所述之聲波裝置，其中： 該第一下凹部另具有一第二側壁； 該第二下凹部另具有一第四側壁； 在該深度方向上，該第二母綫的該邊緣與該第一下凹部的該第二側壁連續接合，且該第一母線的該邊緣與該第二下凹部的該第四側壁連續接合；及 該第一間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第一下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率介於0.8及1.2之間，且該第二間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第二下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率介於0.8及1.2之間。
  6. 如請求項4所述之聲波裝置，其中： 該換能器另包含： 一第一偽電極，從該第二母線開始沿該第一方向延伸，具有一第一僞末端，其中沿該第一方向，該第一偽電極的該第一僞末端與該第一電極的該第一末端對齊；及 一第二偽電極，從該第一母線開始沿該第一方向延伸，具有一第二僞末端，其中沿該第一方向，該第二偽電極的該第二僞末端與該第二電極的該第二末端對齊；其中 該第一間隙形成於該第一電極的該第一末端與該第一偽電極的該第一偽末端之間；及 該第二間隙形成於該第二電極的該第二末端與該第二偽電極的該第二偽末端之間。
  7. 如請求項6所述之聲波裝置，其中： 該第一下凹部另具有一第二側壁； 該第二下凹部另具有一第四側壁； 在該深度方向上，該第一偽電極的該第一僞末端與該第一下凹部的該第二側壁連續接合，且該第二偽電極的該第二僞末端與該第二下凹部的該第四側壁連續接合；及 該第一間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第一下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率介於0.8及1.2之間，且該第二間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第二下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率介於0.8及1.2之間。
  8. 如請求項4所述之聲波裝置，另包含： 一第一填充金屬部，填充於該壓電基板的該第一下凹部，該第一填充金屬部具有一第一填充金屬表面； 一第二填充金屬部，填充於該壓電基板的該第二下凹部，該第二填充金屬部具有一第二填充金屬表面，其中 在該深度方向上，該第一表面與該第一填充金屬表面之間存在一第一距離，該第一表面與該第二填充金屬表面之間存在一第二距離，該第一距離大於零，且該第二距離大於零。
  9. 如請求項8所述之聲波裝置，其中該第一距離等於該第二距離。
  10. 如請求項8所述之聲波裝置，其中： 該聲波裝置用以處理一聲波，該聲波具有一波長λ； 該第一填充金屬部于該深度方向上的一第一厚度爲該波長λ之2%~6%；及 該第二填充金屬部于該深度方向上的一第二厚度爲該波長λ之2%~6%。
  11. 如請求項8所述之聲波裝置，其中： 該聲波裝置用以處理一聲波，該聲波具有一波長λ； 該第一距離的一範圍介於該波長λ之5%至10%；及 該第二距離的一範圍介於該波長λ之5%至10%。
  12. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該第二方向垂直于該第一方向。
  13. 如請求項8所述之聲波裝置，該第一電極、該第二電極、該第一母線、及該第二母線的材料包含一金屬，其中該金屬選自以下至少一者：鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鎢(W)、及其組合。
  14. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該第一下凹部沿該第二方向的尺寸等于、小于、或大于該第一電極沿該第二方向的尺寸。
  15. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該第一電極平行於該第二電極，且該第一母線平行於該第二母線。
  16. 一種聲波裝置的製造方法，包含： 提供一壓電基板，該壓電基板具有一第一表面； 在該第一表面上形成一導電層； 使該導電層圖案化，以形成一圖案化導電層，該圖案化導電層包含： 一第一母線，沿一第二方向延伸； 一第一電極，具有一第一末端，該第一電極從該第一母線沿一第一方向延伸至該第一末端； 一第二母線，沿該第二方向延伸；及 一第二電極，具有一第二末端，該第二電極從該第二母線沿該第一方向延伸至該第二末端，該第二電極與該第一電極在該第二方向上間隔設置，及該第一電極的該第一末端與該第二母綫的一邊緣之間形成一第一間隙； 在該壓電基板中形成一第一下凹部，其中該第一下凹部從該壓電基板的該第一表面凹陷，該第一下凹部具有一第一側壁，在一深度方向上，該第一電極的該第一末端與該第一下凹部的該第一側壁連續接合。
  17. 如請求項16所述之方法，另包含： 於該第一下凹部填充一第一填充金屬部，該第一填充金屬部具有一第一填充金屬表面，在該深度方向上，該第一表面與該第一填充金屬表面之間存在一第一距離，該第一距離大於零。
  18. 如請求項17所述之方法，其中： 該圖案化導電層另包含： 一第一偽電極，從該第二母線開始沿該第一方向延伸，具有一第一僞末端，其中沿該第一方向，該第一偽電極的該第一僞末端與該第一電極的該第一末端對齊；及 一第二僞電極，從該第一母綫開始沿該第一方向延伸，具有一第二僞末端，其中沿該第一方向，該第二偽電極的該第二僞末端與該第二電極的該第二末端對齊；其中該第一間隙形成於該第一電極的該第一末端與該第一偽電極的該第一偽末端之間，且一第二間隙形成於該第二電極的該第二末端與該第二偽電極的該第二偽末端之間； 該方法另包含： 在該壓電基板中形成一第二下凹部，其中該第二下凹部從該壓電基板的該第一表面凹陷，該第二下凹部具有一第三側壁，在該深度方向上，該第二電極的該第二末端與該第二下凹部的該第三側壁連續接合；及 於該第二下凹部填充一第二填充金屬部，該第二填充金屬部具有一第二填充金屬表面，在該深度方向上，該第一表面與該第二填充金屬表面之間存在一第二距離，該第二距離大於零。
  19. 如請求項18所述之方法，其中： 該第一下凹部另具有一第二側壁； 該第二下凹部另具有一第四側壁； 在該深度方向上，該第一偽電極的該第一僞末端與該第一下凹部的該第二側壁連續接合，且 該第二偽電極的該第二僞末端與該第二下凹部的該第四側壁連續接合；及 該第一間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第一下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率介於0.8及1.2之間，且該第二間隙沿該第一方向的一頂部尺寸與該第二下凹部沿該第一方向的一底部尺寸的一比率介於0.8及1.2之間。
  20. 如請求項18所述之方法，其中： 該第一填充金屬部具有一第一填充金屬表面； 該第二填充金屬部具有一第二填充金屬表面；及 在該深度方向上，該第一表面與該第一填充金屬表面之間存在一第一距離，該第一表面與該第二填充金屬表面之間存在一第二距離，該第一距離大於零，且該第二距離大於零。
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