TWI839707B - 聲波裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種聲波裝置包含壓電基板及換能器。壓電基板具有表面。換能器設置在壓電基板的表面上。換能器包含第一電極、第二電極及至少凸起部。第一電極沿著第一方向延伸，且具有第一末端。第二電極沿著第一方向延伸，且具有第二末端，第二電極與第一電極沿第二方向間隔設置。至少凸起部設置於第一電極的第一末端處，至少凸起部沿第一方向延伸且不完全覆蓋第一末端。

Description

聲波裝置及其製造方法

本發明關於射頻通訊，特別是用於射頻通訊中的一種聲波裝置及其製造方法。

聲波裝置，例如表面聲波(surface acoustic wave，SAW)裝置，可用於電訊號與聲訊號的轉換及傳遞。聲波裝置具有諸多用途。舉例而言，聲波裝置可用作濾波器，以濾除雜訊及留下特定頻段的無線訊號，具有傳輸損耗小、抗電磁干擾性能佳、體積小的特性，因此被廣泛應用於各種通訊產品。然而由於製造誤差，現有的SAW裝置會產生能量洩漏，造成品質因數下降。此外，聲波裝置亦可用作諧振器(resonator)。

本發明實施例提供一種聲波裝置，包含壓電基板及換能器。壓電基板具有表面。換能器設置在壓電基板的表面上。換能器包含第一電極、第二電極及至少第一凸起部。第一電極沿著第一方向延伸，且具有第一末端。第二電極沿著第一方向延伸，且具有第二末端，第二電極與第一電極沿第二方向間隔設置。至少第一凸起部設置於第一電極的第一末端處，至少第一凸起部沿第一方向延伸且不完全覆蓋第一末端。

本發明實施例提供另一種聲波裝置的製造方法，包含提供一壓電基 板，壓電基板具有表面，在表面上形成導電層，及利用遮罩使導電層圖案化，以形成圖案化導電層。形成圖案化導電層的步驟包含沿著第一方向形成第一電極，第一電極具有第一末端，在第一電極的第一末端處形成至少第一凸起部，至少第一凸起部沿第一方向延伸且不完全覆蓋第一末端，及沿著第一方向形成第二電極，第二電極具有第二末端，其中第二電極與第一電極沿第二方向間隔設置。

1:表面聲波裝置

10:壓電基板

11:換能器

121至122:母線

131至133,141至143:電極

1311至1331,1411至1431,4311及4312,5311,6311:凸起部

131e及141e:末端

151至153,161至163:偽電極

1511至1531,1611至1631,4511至4513,5511,6511:偽凸起部

151e及161e:偽末端

351,331:圖案遮罩

3511、3512、3311及3312:遮罩附加部

70,72,74:焊墊

80:橋接層

82:連接層

84:鈍化層

900:製造方法

S902至S912:步驟

d1至d3:距離

D1及D2:方向

第1圖係為本發明實施例中之聲波裝置的俯視圖。

第2圖係為第1圖中之聲波裝置之一種換能器部分的示意圖。

第3圖係為形成第2圖中之聲波裝置的換能器部分之遮罩的示意圖。

第4圖係為第1圖中之聲波裝置之另一種換能器部分的示意圖。

第5圖係為第1圖中之聲波裝置之另一種換能器部分的示意圖。

第6圖係為第1圖中之聲波裝置之另一種換能器部分的示意圖。

第7圖及第8圖係為第1圖中之聲波裝置之製造方法的示意圖。

第9圖係為第1圖中之聲波裝置之製造方法的流程圖。

第1圖係為本發明實施例之聲波裝置，例如表面聲波(surface acoustic wave，SAW)裝置1的俯視圖。在一些實施例中，SAW裝置1可用於射頻前端電路中，用以接收射頻訊號，對射頻訊號進行濾波以產生濾波訊號。例如，SAW裝置1可接收來自天線的射頻訊號，對射頻訊號進行濾波以產生濾波訊號，及輸出濾波訊號至接收器。此處僅舉例說明SAW裝置1的用途，惟本發明不限於此，在其他實施例中，SAW裝置1亦可用於其他用途。

SAW裝置1可包含壓電基板10及換能器(transducer)11。壓電基板10可包含基板及設置在基板上的壓電材料層。舉例而言，壓電基板的基板可包含矽基板。壓電材料層可包含壓電單晶體、壓電多晶體(壓電陶瓷)、壓電聚合物、和壓電複合材料。壓電材料層例如可包含氧化鋅(ZnO)、氮化鋁(AlN)、及其組合物。換能器11可包含金屬材料，金屬材料可包含鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)及鎢(W)的任意組合。

在一些實施例中，換能器11可設置在壓電基板10的表面上，及包含至少一對叉指(interdigital)結構，該對叉指結構之間未直接連接且具有間隙。舉例而言，該對叉指結構可包含第一組叉指結構及第二組叉指結構，如第1圖所示，第一組叉指結構可包含母線(bus bar)121、電極131至133、及偽電極(dummy electrode)161至163，第二組叉指結構可包含母線122、電極141至143、及偽電極151至153。

在圖示實施例中，電極131至133及電極141至143沿方向D1延伸，母線121及122沿方向D2延伸。在一些實施例中，電極131至133可作為第一組叉指結構的叉指，電極141至143可作為第二組叉指結構的叉指。第一組叉指結構與電第二組叉指結構沿方向D1呈叉指設置。沿方向D2，相鄰叉指(亦即，電極)呈間隔設置，亦即，相鄰叉指之間具有間隙，例如電極131、141、132、142、133及143可依序沿方向D2間隔設置。進一步講，電極131至133可分別從母線121開始沿方向D1延伸，電極141至143可分別從母線122開始沿方向D1延伸。在本實施例中，舉例而言，電極131、141分別具有末端131e、141e，其他電極132、142、133及143亦分別具有末端(圖未標示)。在上述實施例中，方向D2可垂直於方向 D1，惟本發明不限於此，在其他實施例中，方向D2與方向D1之間可形成非90度的夾角。在上述實施例中，方向D1與方向D2皆平行於壓電基板10的表面。

在進一步的實施例中，偽電極151至153可分別從母線122開始沿方向D1延伸，且分別與電極131至133對齊。偽電極161至163可分別從母線121開始沿方向D1延伸，且分別與電極141至143對齊。在本實施例中，舉例而言，偽電極151、161分別具有偽末端151e、161e，其他偽電極152、162、153及163亦分別具有偽末端(圖未標示)。詳細而言，電極131可與偽電極151對齊，且與偽電極151之間具有間隙。換句話說，電極131的末端131e可與偽電極151的偽末端151e對齊，且之間具有間隙。電極141及偽電極161、電極132及偽電極152、電極142及偽電極162、電極133及偽電極153、及/或電極143及偽電極163分別具有間隙可分別類似於電極131與偽電極151進行設置，在此不加贅述。

在上述實施例中，設置偽電極151至153、及/或161至163，以減少聲波沿方向D1的洩漏。惟本發明不以此為限，在其他實施例中，亦可省略偽電極151至153、及/或省略偽電極161至163，在如此的實施例中，電極131至133的末端分別與母線122之間具有間隙，且電極141至143的末端分別與母線121之間具有間隙。

在一些實施例中，換能器11可用作輸入換能器或輸出換能器。以輸入換能器為例，電訊號可由母線121/122輸入，經由壓電基板10及其上的電極131、141、132、142、133、及143轉換為聲訊號，聲訊號可沿方向D2傳播。在其他實施例中，換能器11亦可用作將聲訊號轉換為電訊號的輸出換能器。

在一些實施例中，SAW裝置1可以活塞(piston)模式運作，使能量不會或較少的經由電極131至133分別與偽電極151至153之間的間隙、及電極141至143分別與偽電極161至163之間的間隙洩漏。經實驗可知，當例如電極131與偽電極151之間的間隙、及/或電極141與偽電極161之間的間隙較小時，聲波沿方向D1的能量洩漏亦較小。因此，SAW裝置1可具有較佳的品質因數(quality factor，Q factor)。為了獲得較小的間隙，可採用光學鄰近修正(optical proximity correction，OPC)方式對各電極的末端，及/或偽電極的偽末端加以修正。舉例而言，採用OPC的方式，電極131至133的末端的形狀可修正為接近矩形(例如，直角)，及/或偽電極151至153的偽末端的形狀可修正為接近矩形。類似的，電極141至143及/或偽電極161至163的末端或偽末端的形狀亦可修正為接近矩形，藉以優化或縮小電極與對應偽電極之間的距離，或者在沒有偽電極的情形中，優化或縮小電極與對應母線之間的距離。舉例而言，在有偽電極的情形中，例如縮短電極131與偽電極151之間的距離，及/或縮短電極141與偽電極161之間的距離。在OPC方式中，可藉由在圖案遮罩的角落、末端、及/或邊緣處新增遮罩附加部來補償光線繞射或其他製程效應所產生的誤差，該遮罩附加部的形狀例如為多邊形，其在後續段落會進行說明。

在一些實施例中，經由OPC方式，例如可在電極131的末端131e處形成凸起部1311，及/或可在偽電極151的偽末端151e處形成偽凸起部1511。進一步講，可在電極141的末端141e處形成凸起部1411，及/或可在偽電極161的偽末端161e處形成偽凸起部1611。類似的，在電極132-133、142-143的末端處亦可分別形成凸起部1321-1331、1421-1431，及/或在偽電極152-153、偽電極162-163的末端處亦可分別形成偽凸起部1521-1531、1621-1631。

在一些實施例中，電極131從母線121沿方向D1延伸至末端131e，凸起部1311可設置於電極131的末端131e處，且可從末端131e沿方向D1延伸。如第1圖所示，凸起部1311不完全覆蓋末端131e。如圖所示，偽凸起部1511可設置於偽電極151的偽末端151e處，且可從偽末端151e沿方向D1延伸。如第1圖所示，偽凸起部1511不完全覆蓋偽末端151e。末端131e與偽末端151e之間形成的間隙可定義為第一間隙，凸起部1311與偽凸起部1511可設置在第一間隙中。在一些實施例中，凸起部1311及偽凸起部1511可沿方向D2間隔設置，例如沿方向D2依序交替設置。類似的，電極141從母線122沿方向D1延伸至末端141e，凸起部1411可設置於電極141的末端141e處，且可從末端141e沿方向D1延伸。凸起部1411不完全覆蓋末端141e。偽凸起部1611可設置於偽電極161的偽末端161e處，且可從偽末端161e沿方向D1延伸。偽凸起部1611不完全覆蓋偽末端161e。末端141e與偽末端161e之形成的間隙可定義為第二間隙，凸起部1411與偽凸起部1611可設置在第二間隙中。在一些實施例中，凸起部1411及偽凸起部1611可沿方向D2間隔設置，例如沿方向D2依序交替設置。

在第1圖所示的實施例中，沿方向D2，凸起部1311相對於電極131末端131e的位置靠右，惟發明不限於此。在其他實施例中，凸起部1311相對於電極131末端131e的位置可靠左或居中。類似的，偽凸起部1511相對於偽電極151之偽末端151e的位置可靠右或居中。舉例而言，當凸起部1311相對於末端131e靠左時，偽凸起部1511相對於偽末端151e可靠右。類似的，凸起部1411相對於電極141末端141e的位置可靠左、居中、或靠右，及/或偽凸起部1611相對於偽電極161之偽末端161e的位置可靠左、居中、或靠右。

在一些實施例中，電極131可與凸起部1311形成一體，電極141可與 凸起部1411形成一體，偽電極151可與偽凸起部1511形成一體，及/或電極161可與偽凸起部1611形成一體。

在一些實施例中，舉例而言，電極131的末端131e可具有平滑表面，例如弧形表面，或平行於方向D2的平坦表面。舉例而言，位於末端131e處的凸起部1311沿方向D2之尺寸可為電極131在末端131e處沿方向D2之尺寸的5%至50%，以此達成凸起部1311不完全覆蓋末端131e。偽凸起部1511沿方向D2之尺寸可為偽電極151在偽末端151e處沿方向D2之尺寸的5%至50%，以此達成偽凸起部1511不完全覆蓋偽末端151e。在上述實施例中，凸起部1311與偽凸起部1511沿方向D2之尺寸可相等或不等。類似的，凸起部1411沿方向D2之尺寸可為電極141在末端141e處沿方向D2之尺寸的5%至50%，及/或偽凸起部1611沿方向D2之尺寸可為偽電極161在偽末端161e處沿方向D2之尺寸的5%至50%。

藉由在間隙中設置凸起部及/或偽凸起部，可減少或消除從電極到偽電極，或從電極到母線的能量洩漏，進而提高SAW裝置1的品質因數。

雖然第1圖中之SAW裝置1的第一組叉指結構包含3個電極(電極131、132、133)及3個偽電極(偽電極161、161、163)，且第二組叉指結構包含3個電極(電極141、142、143)及3個偽電極(偽電極151、152、153)。惟熟習此技藝者亦可依照本發明原則變更SAW裝置1中叉指結構的組數以符合實際應用的需求。

第2圖係為第1圖中之SAW裝置1的一種換能器部分的示意圖。在第2圖中，換能器包含電極131、凸起部1311、偽電極151及偽凸起部1511。在一些 實施例中，凸起部1311與偽末端151e在方向D1的距離d1至少為0.3微米，凸起部1311與偽凸起部1511在方向D2上的距離d2至少為0.3微米，及/或偽凸起部1511與末端131e在方向D1的距離d3至少為0.3微米。在上述實施例中，距離d1、d2、及d3可相等或不等。類似的，電極141、凸起部1411、偽電極161及偽凸起部1611的設置可相似於第2圖，在此不加贅述。

在第2圖的實施例中，沿方向D2，凸起部1311與偽凸起部1511呈間隔設置，例如間隔距離d2。沿方向D1，凸起部1311與偽凸起部1511可部分重疊或不重疊，換句話說，凸起部1311與偽凸起部1511在平行於方向D1的平面上的正投影可部分重疊或不重疊。

第3圖係為形成第2圖中之換能器部分之遮罩的示意圖。在第3圖，遮罩係為OPC遮罩，包含圖案遮罩351及331及遮罩附加部3511、3512、3311及3312。遮罩附加部3511及3512可分別位於圖案遮罩351的末端的二轉角處，且遮罩附加部3311及3312可分別位於圖案遮罩331的末端的二轉角處。圖案遮罩351及331可分別用以形成偽電極151及電極131，所形成的偽電極151及電極131可具有直角、橢圓、弧形、或其他不規則形狀的末端。遮罩附加部3511可用以在偽電極151末端151e的一轉角處形成偽凸起部1511。相對於遮罩附加部3511，面積較小的遮罩附加部3512可用以補償偽電極151末端151e的另一轉角的形狀，以例如形成直角。因此，遮罩附加部3512可避免偽電極151末端151e的該另一轉角處的過度蝕刻。相似地，遮罩附加部3312可用以在電極131末端131e的一轉角處形成凸起部1311。相對於遮罩附加部3312，面積較小的遮罩附加部3311可用以補償電極131末端131e的另一轉角的形狀，以形成直角。因此，遮罩附加部3311可避免電極131末端131e的該另一轉角處的過度蝕刻。在第3圖所示實施例中，遮罩附 加部3511、3512、3311及3312可為矩形，遮罩附加部3511與3312面積實質上相同，且遮罩附加部3512與3311面積實質上相同。惟本發明不限於此，在其他實施例中，遮罩附加部3511、3512、3311及3312的形狀可不同，遮罩附加部3511與3312面積可不同，及/或遮罩附加部3512與3311面積可不同。在一些實施例中，第3圖的遮罩亦可適用於形成電極132-133、凸起部1321-1331、偽電極152-153、偽凸起部1521-1531、電極141-143、凸起部1411-1431、偽電極161-163、偽凸起部1611-1631，在此不加贅述。

在一些實施例中，遮罩附加部3512及3311可從第3圖的遮罩移除。在另一些實施例中，遮罩可包含其他形狀或其他數量的遮罩附加部，用以產生其他形狀的凸起部及偽凸起部，進而減小電極131及偽電極151之間的距離。例如，電極131及偽電極151的凸起部及偽凸起部中至少一者可具有複數個方形輪廓、三角形輪廓、或弧形輪廓，如第4至6圖所示。在圖示的實施例中，凸起部與對應的偽凸起部具有實質上相同的形狀，惟本發明不限於此。

第4至6圖係為SAW裝置1之其他換能器部分的示意圖。第4圖顯示SAW裝置1之換能器的電極及偽電極的末端處設置有複數個方形輪廓的凸起部。進一步講，圖中繪示電極131、凸起部4311及4312、偽電極151、及偽凸起部4511至4513。凸起部4311及4312與偽凸起部4511至4513可沿方向D2依序交替設置。凸起部4311及4312及偽凸起部4511至4513可沿方向D1部分重疊或不重疊。在一些實施例中，SAW裝置1之換能器的電極部分亦可只包含範圍4a。

第5圖顯示SAW裝置1之換能器的電極及偽電極的末端處設置有三角形輪廓的凸起部。進一步講，圖中繪示電極131、凸起部5311、偽電極151及偽 凸起部5511。凸起部5311與偽凸起部5511可沿方向D2依序交替設置。凸起部5311與偽凸起部5511可沿方向D1部分重疊或不重疊。

第6圖顯示SAW裝置1之換能器的電極及偽電極的末端處設置有弧形輪廓的凸起部。進一步講，圖中繪示電極131、凸起部6311、偽電極151及偽凸起部6511。凸起部6311與偽凸起部6511可沿方向D2依序交替設置。凸起部6311與偽凸起部6511可沿方向D1部分重疊或不重疊。

在諸多實施例中，換能器11的母線121及122、電極131至133及電極141至143、及/或偽電極151至153及偽電極161至163的材料可包含金屬，其中金屬可包含鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)及鎢(W)的任意組合。

第7及8圖係為SAW裝置1之製造方法的示意圖。第7圖顯示壓電基板10、焊墊70,72,74、及換能器的電極131至133、141至143。焊墊70、72、74、及換能器的電極131至133、141至143可形成圖案化導電層。舉例而言，換能器可為第1圖中的換能器11。焊墊70、焊墊72、及焊墊74可耦接外部電連接。第8圖另顯示橋接層80、連接層82及鈍化層84。第9圖係為SAW裝置1之製造方法900的流程圖。製造方法900包括步驟S902至S912，用以製造SAW裝置1。任何合理的步驟改變、順序或調整都落在本公開內容的範圍內。步驟S902至S912例示性解釋如下：步驟S902：提供壓電基板；步驟S904：在壓電基板的表面上形成導電層；步驟S906：利用遮罩使導電層圖案化，以形成圖案化導電層，圖案化導電層包含第一電極及第二電極； 步驟S908：形成第一焊墊、第二焊墊、及橋接層，其中橋接層位於第一焊墊與第二焊墊之間；步驟S910：形成連接層，其連接第一焊墊與第二焊墊；步驟S912：形成鈍化層，其位於連接層、第一焊墊、第二焊墊、第一電極、及第二電極之上。

以下搭配第7及8圖例示性的解釋製造方法900的步驟S906。在步驟S906中，形成圖案化導電層的步驟包含沿著方向D1形成電極131且電極131具有末端131e，以及沿著方向D1形成電極141且電極141具有末端141e，其中電極131與電極141沿方向D2間隔設置。形成圖案化導電層的步驟還包括在電極131的末端131e處形成凸起部1311，凸起部1311沿方向D1延伸且不完全覆蓋末端131e。此外，在步驟S906，沿方向D1形成偽電極151，偽電極151與電極131對齊且具有偽末端151e，其中末端131e與偽末端151e之間形成第一間隙，及在偽電極151的偽末端151e處形成至少一偽凸起部1511，至少一偽凸起部1511沿方向D1延伸且不完全覆蓋偽末端151e，其中至少一凸起部1311及至少一偽凸起部1511沿方向ID2間隔設置。

在進一步的實施例中，在步驟S906，所使用的遮罩可包含用以形成電極及/或偽電極的圖案遮罩及至少一遮罩附加部。在形成圖案化導電層的步驟中，舉例而言，至少一遮罩附加部的位置可對應於電極131及/或偽電極151的末端，用以在末端處形成形成凸起部及/或偽凸起部。此外，至少一遮罩附加部亦可用來修正電極131及/或偽電極151的末端的形狀。

在一些實施例中，電極131至133、凸起部1311至1331，電極141至 143、及凸起部1411至1431可使用遮罩而同時形成，進一步的，偽電極151至153、偽凸起部1511至1533、偽電極161至163、及/或偽凸起部1611至1631亦可同時形成。參考第8圖，於圖案化導電層形成後，接著依序形成橋接層80(S908)、連接層82(S910)及鈍化層84(S912)。

製造方法900在間隙中設置凸起部及/或偽凸起部，可減少或消除從電極到偽電極、或從電極到母線的間隙能量洩漏，進而提高SAW裝置1的品質因數。以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

1:表面聲波裝置

10:壓電基板

11:換能器

121至122:母線

131至133,141至143:電極

1311至1331,1411至1431,4311及4312,5311,6311:凸起部

131e及141e:末端

151至153,161至163:偽電極

1511至1531,1611至1631,4511至4513,5511,6511:偽凸起部

151e及161e:偽末端

D1及D2:方向

Claims (20)

1. 一種聲波裝置，包含：一壓電基板，具有一表面；及一換能器(transducer)，設置在該壓電基板的該表面上，該換能器包含：一第一電極，沿著一第一方向延伸，且具有一第一末端；一第二電極，沿著該第一方向延伸，且具有一第二末端，該第二電極與該第一電極沿一第二方向間隔設置；至少一第一凸起部，設置於該第一電極的該第一末端處，該至少一第一凸起部沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第一末端；及一第一偽電極，沿該第一方向與該第一電極對齊，且具有一第一偽末端，其中該第一末端與該第一偽末端之間形成一第一間隙。
2. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該換能器另包含：至少一第一偽凸起部，設置於該第一偽電極的該第一偽末端處，沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第一偽末端，其中該至少一第一凸起部及該至少一第一偽凸起部沿該第二方向間隔設置。
3. 如請求項2所述之聲波裝置，其中，該至少一第一凸起部與該至少一第一偽凸起部沿該第二方向依序交替設置。
4. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該換能器另包含：至少一第二凸起部，設置於該第二電極的該第二末端處，該至少一第二凸起部沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第二末端。
5. 如請求項4所述之聲波裝置，其中該換能器另包含：至少一第一偽凸起部，設置於該第一偽電極的該第一偽末端處，沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第一偽末端；一第二偽電極，沿該第一方向與該第二電極對齊，且具有一第二偽末端，其中該第二末端與該第二偽末端之間形成一第二間隙；及至少一第二偽凸起部，設置於該第二偽電極的該第二偽末端處，沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第二偽末端；其中該至少一第一凸起部及該至少一第一偽凸起部沿該第二方向間隔設置，且該至少一第二凸起部及該至少一第二偽凸起部沿該第二方向間隔設置。
6. 如請求項5所述之聲波裝置，其中該至少一第一凸起部與該至少一第一偽凸起部沿該第二方向依序交替設置；及該至少一第二凸起部與該至少一第二偽凸起部沿該第二方向依序交替設置。
7. 如請求項5所述之聲波裝置，其中：該至少一第一凸起部與該第一偽末端在該第一方向的一距離至少為0.3微米；及該至少一第一凸起部與該至少一第一偽凸起部在該第二方向上的一距離至少為0.3微米。
8. 如請求項5所述之聲波裝置，其中：該至少一第二凸起部與該第二偽末端在該第一方向的一距離至少為0.3微米；及該至少一第二凸起部與該至少一第二偽凸起部在該第二方向上的一距離至少為0.3微米。
9. 如請求項5所述之聲波裝置，其中：該第一電極與該至少一第一凸起部形成一體；該第二電極與該至少一第二凸起部形成一體；該至少一第一偽凸起部與該第一偽電極形成一體；或該至少一第二偽凸起部與該第二偽電極形成一體。
10. 如請求項5所述之聲波裝置，其中：該至少一第一凸起部沿該第二方向之尺寸為該第一電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%；該至少一第二凸起部沿該第二方向之尺寸為該第二電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%；該至少一第一偽凸起部沿該第二方向之尺寸為該第一偽電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%；或該至少一第二偽凸起部沿該第二方向之尺寸為該第二偽電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%。
11. 如請求項5所述之聲波裝置，其中該至少一第一凸起部、該至少 一第二凸起部、該至少一第一偽凸起部、該至少一第二偽凸起部其中至少一者具有一方形輪廓、一弧形輪廓、或一三角形輪廓。
12. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該換能器另包含：一第一母線(bus bar)，沿該第二方向延伸；及一第二母線，沿該第二方向延伸；其中該第一電極從該第一母線沿該第一方向延伸至該第一末端；及該第二電極從該第二母線沿該第一方向延伸至該第二末端。
13. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該換能器另包含：至少一其他第一電極；及至少一其他第二電極；其中該第一電極及該至少一其他第一電極，與該第二電極及該至少一其他第二電極沿該第二方向呈叉指(interdigita1)設置。
14. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該第二方向垂直於該第一方向。
15. 如請求項1所述之聲波裝置，其中該第一電極的材料及該第二電極的材料包含金屬，其中該金屬包含鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)及鎢(W)的一任意組合。
16. 如請求項1所述之聲波裝置，其中：該至少一第一凸起部沿該第二方向之尺寸為該第一電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%。
17. 如請求項4所述之聲波裝置，其中：該至少一第一凸起部沿該第二方向之尺寸為該第一電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%；及該至少一第二凸起部沿該第二方向之尺寸為該第二電極沿該第二方向之尺寸的5%至50%。
18. 一種聲波裝置的製造方法，包含：提供一壓電基板，該壓電基板具有一表面；在該表面上形成一導電層；及利用一遮罩使該導電層圖案化，以形成一圖案化導電層，其中形成該圖案化導電層的步驟包含：沿著一第一方向形成一第一電極，該第一電極具有一第一末端；在該第一電極的該第一末端處形成至少一第一凸起部，該至少一第一凸起部沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第一末端；沿著該第一方向形成一第二電極，該第二電極具有一第二末端，其中該第二電極與該第一電極沿一第二方向間隔設置；及沿該第一方向形成一第一偽電極，該第一偽電極與該第一電極對齊，且該第一偽電極具有一第一偽末端，其中該第一末端與該第一偽末端之間形成一第一間隙。
19. 如請求項18所述之聲波裝置的製造方法，其中：該遮罩包含：至少一遮罩附加部，在形成該圖案化導電層的步驟中，該遮罩的該至 少一遮罩附加部的位置對應於該第一電極的該至少一第一凸起部的位置；該方法另包含：形成一第一焊墊；形成一第二焊墊；於該第一焊墊及該第二焊墊之間形成一橋接層；於該第一焊墊、該第二焊墊及該橋接層之上形成一連接層；及於該連接層、該第一焊墊、該第二焊墊、該第一電極、該第二電極、及該至少一第一凸起部之上形成一鈍化層。
20. 如請求項18所述之聲波裝置的製造方法，其中形成該圖案化導電層的步驟另包含：在該第一偽電極的該第一偽末端處形成至少一第一偽凸起部，該至少一第一偽凸起部沿該第一方向延伸且不完全覆蓋該第一偽末端，其中該至少一第一凸起部及該至少一第一偽凸起部沿該第二方向間隔設置。

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