JPH10224044A - フィルタ実装多層基板 - Google Patents
フィルタ実装多層基板Info
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- JPH10224044A JPH10224044A JP9025244A JP2524497A JPH10224044A JP H10224044 A JPH10224044 A JP H10224044A JP 9025244 A JP9025244 A JP 9025244A JP 2524497 A JP2524497 A JP 2524497A JP H10224044 A JPH10224044 A JP H10224044A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レイアウトスペースを最小限に押さえなが
ら、フィルタの帯域外での信号抑圧レベルを改善するこ
とを目的とする。 【解決手段】 ＳＡＷフィルタ実装多層基板１は、多層
基板２の第１層に、ＳＡＷフィルタ２の入力側グランド
２Ｉと、出力側グランド２Ｏとに夫々接続される互いに
分離した第１及び第２グランドパターンＧ１，Ｇ２を形
成し、第２層には、上記第１層の第１及び第２グランド
パターンＧ１，Ｇ２と夫々スルーホールＴ１，Ｔ２を介
して接続され、かつ、当該スルーホールＴ１，Ｔ２に挟
まれる位置に打ち抜き部Ｇ３Ｈを有する第３グランドパ
ターンＧ３を形成した。
ら、フィルタの帯域外での信号抑圧レベルを改善するこ
とを目的とする。 【解決手段】 ＳＡＷフィルタ実装多層基板１は、多層
基板２の第１層に、ＳＡＷフィルタ２の入力側グランド
２Ｉと、出力側グランド２Ｏとに夫々接続される互いに
分離した第１及び第２グランドパターンＧ１，Ｇ２を形
成し、第２層には、上記第１層の第１及び第２グランド
パターンＧ１，Ｇ２と夫々スルーホールＴ１，Ｔ２を介
して接続され、かつ、当該スルーホールＴ１，Ｔ２に挟
まれる位置に打ち抜き部Ｇ３Ｈを有する第３グランドパ
ターンＧ３を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ実装多層
基板に関し、詳細には、フィルタの前記第１ポート側と
前記第２ポート側との導通路の経路を長くしたフィルタ
実装多層基板に関する。
基板に関し、詳細には、フィルタの前記第１ポート側と
前記第２ポート側との導通路の経路を長くしたフィルタ
実装多層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、移動通信の基地局無線装置，移
動局用無線機等には、干渉除去，チャネル選択などの目
的で、各種ＲＦ帯、ＩＦ帯フィルタ、ベースバンドフィ
ルタが多数使用されている。フィルタは能動原理や構造
により、誘電体フィルタ，ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィル
タ、水晶フィルタ、圧電セラミックフィルタ、デジタル
フィルタなどに分類される。これら各種フィルタは、要
求される電気的性能とサイズなどに応じて、最適のフィ
ルタが選択される。
動局用無線機等には、干渉除去，チャネル選択などの目
的で、各種ＲＦ帯、ＩＦ帯フィルタ、ベースバンドフィ
ルタが多数使用されている。フィルタは能動原理や構造
により、誘電体フィルタ，ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィル
タ、水晶フィルタ、圧電セラミックフィルタ、デジタル
フィルタなどに分類される。これら各種フィルタは、要
求される電気的性能とサイズなどに応じて、最適のフィ
ルタが選択される。
【０００３】上記したＳＡＷフィルタは、弾性表面波フ
ィルタ（surface acoustic filter）の略で、圧電体基
板の表面を伝搬する機械的な振動を利用したフィルタで
ある。ＳＡＷフィルタは、入力電極に交流信号が印加さ
れると圧電効果により弾性表面波が生じ、出力電極へ伝
搬する。この電極の電気／弾性表面波の変換の周波数特
性をフィルタの振幅特性として利用し、弾性表面波が入
出力電極間を伝搬する際の位相特性をフィルタの位相特
性として利用するのがＳＡＷフィルタである。
ィルタ（surface acoustic filter）の略で、圧電体基
板の表面を伝搬する機械的な振動を利用したフィルタで
ある。ＳＡＷフィルタは、入力電極に交流信号が印加さ
れると圧電効果により弾性表面波が生じ、出力電極へ伝
搬する。この電極の電気／弾性表面波の変換の周波数特
性をフィルタの振幅特性として利用し、弾性表面波が入
出力電極間を伝搬する際の位相特性をフィルタの位相特
性として利用するのがＳＡＷフィルタである。
【０００４】また、ＳＡＷフィルタは、水晶、ＬｉＮｂ
Ｏ3、ＺｎＯなどの圧電性のある基板上に交差電極対を
ホトリソグラフィなどで形成し、これを入出力電極とす
る。電極ピッチは振動する弾性表面波の波長に等しい。
弾性表面波の波長は電磁波に比べて５桁ほど小さい。従
って、ＳＡＷフィルタは誘電体フィルタに比べて小型・
軽量である。また、ＬＳＩ製造と同じホトリソグラフィ
で製造できるので、量産化・無調整化に適している。
Ｏ3、ＺｎＯなどの圧電性のある基板上に交差電極対を
ホトリソグラフィなどで形成し、これを入出力電極とす
る。電極ピッチは振動する弾性表面波の波長に等しい。
弾性表面波の波長は電磁波に比べて５桁ほど小さい。従
って、ＳＡＷフィルタは誘電体フィルタに比べて小型・
軽量である。また、ＬＳＩ製造と同じホトリソグラフィ
で製造できるので、量産化・無調整化に適している。
【０００５】かかるＳＡＷフィルタは数＋ＭＨｚから準
マイクロ波帯に及ぶ周波数帯で使用され、第１ＩＦフィ
ルタやアンテナ共用器、段間フィルタなどの用途があ
る。ＲＦ帯においては、弾性表面波の波長は１ＧＨｚに
おいて、約１μｍ程度なので、電極形成には非常に微細
な加工技術が必要になる。この超微細加工技術の進歩に
加えて、高音速・低伝搬損失基板の実用化などによりＳ
ＡＷフィルタの高周波化が進み、ＰＤＣ１．５ＧＨｚ用
のＲＦフィルタとして用いられている。
マイクロ波帯に及ぶ周波数帯で使用され、第１ＩＦフィ
ルタやアンテナ共用器、段間フィルタなどの用途があ
る。ＲＦ帯においては、弾性表面波の波長は１ＧＨｚに
おいて、約１μｍ程度なので、電極形成には非常に微細
な加工技術が必要になる。この超微細加工技術の進歩に
加えて、高音速・低伝搬損失基板の実用化などによりＳ
ＡＷフィルタの高周波化が進み、ＰＤＣ１．５ＧＨｚ用
のＲＦフィルタとして用いられている。
【０００６】また、ＳＡＷフィルタは、帯域制限用など
の目的で、バンドパスフィルタとして用いられ、この場
合、ＳＡＷフィルタは、帯域内での特性も重要である
が、帯域制限をかけるという目的から、帯域外での信号
抑圧レベルが重要になる。この帯域外での信号抑圧レベ
ルは、グランドの取り方により、悪化することがある。
の目的で、バンドパスフィルタとして用いられ、この場
合、ＳＡＷフィルタは、帯域内での特性も重要である
が、帯域制限をかけるという目的から、帯域外での信号
抑圧レベルが重要になる。この帯域外での信号抑圧レベ
ルは、グランドの取り方により、悪化することがある。
【０００７】ところで、移動体通信機器等においては、
無線回路部分を多層基板上に形成する場合が多い。図２
及び図３は、従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略
構造を示す概略断面図である。
無線回路部分を多層基板上に形成する場合が多い。図２
及び図３は、従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略
構造を示す概略断面図である。
【０００８】図２に示されるように、多層基板３は、絶
縁層３Ａに４層の導電層が配されて成り、ＳＡＷフィル
タ２は、この多層基板３の第１層に実装されている。Ｓ
ＡＷフィルタ２の入力側及び出力側のグランド２Ｉ，２
Ｏは各々、第１層に配されたグランドパターンＧ１にハ
ンダ付け等により直接接続されている。かかる構造で
は、同図の矢印線Ｐで示す如く、入力側グランド２Ｉ
と、出力側グランド２Ｏとの導通路の経路（パス）が短
くなるため、入力側グランド２１と出力側グランド２０
とのアイソレーション（絶縁）を完全にはとれない場合
があり、ＳＡＷフィルタ５の帯域外の信号抑圧レベルを
悪化させる一因となっている。
縁層３Ａに４層の導電層が配されて成り、ＳＡＷフィル
タ２は、この多層基板３の第１層に実装されている。Ｓ
ＡＷフィルタ２の入力側及び出力側のグランド２Ｉ，２
Ｏは各々、第１層に配されたグランドパターンＧ１にハ
ンダ付け等により直接接続されている。かかる構造で
は、同図の矢印線Ｐで示す如く、入力側グランド２Ｉ
と、出力側グランド２Ｏとの導通路の経路（パス）が短
くなるため、入力側グランド２１と出力側グランド２０
とのアイソレーション（絶縁）を完全にはとれない場合
があり、ＳＡＷフィルタ５の帯域外の信号抑圧レベルを
悪化させる一因となっている。
【０００９】また、図３に示す従来技術においては、図
２と同様に、多層基板３は、絶縁層３Ａに４層の導電層
が配されて成り、ＳＡＷフィルタ２は、この多層基板３
の第１層に実装されている。多層基板３の第１層には、
互いに分離した一対の第１及び第２グランドパターンＧ
１，Ｇ２が、ＳＡＷフィルタ２の入力側及び出力側に夫
々配されている。第２層には、ＳＡＷフィルタ２及び第
１層に配された第１及び第２グランドパターンＧ１，Ｇ
２よりも大なる面積を有する第３グランドパターンＧ３
が配されている。上述第１層及び第２層には、ＳＡＷフ
ィルタ２の入力側グランド２Ｉ及び出力側グランド２Ｏ
に夫々近接して、距離ｔだけ離間した位置に、第１グラ
ンドパターンＧ１及び第２グランドパターンＧ２と第３
グランドパターンＧ３とを導通させるためのスルーホー
ル（貫通孔）Ｔ１，Ｔ２が形成されている。
２と同様に、多層基板３は、絶縁層３Ａに４層の導電層
が配されて成り、ＳＡＷフィルタ２は、この多層基板３
の第１層に実装されている。多層基板３の第１層には、
互いに分離した一対の第１及び第２グランドパターンＧ
１，Ｇ２が、ＳＡＷフィルタ２の入力側及び出力側に夫
々配されている。第２層には、ＳＡＷフィルタ２及び第
１層に配された第１及び第２グランドパターンＧ１，Ｇ
２よりも大なる面積を有する第３グランドパターンＧ３
が配されている。上述第１層及び第２層には、ＳＡＷフ
ィルタ２の入力側グランド２Ｉ及び出力側グランド２Ｏ
に夫々近接して、距離ｔだけ離間した位置に、第１グラ
ンドパターンＧ１及び第２グランドパターンＧ２と第３
グランドパターンＧ３とを導通させるためのスルーホー
ル（貫通孔）Ｔ１，Ｔ２が形成されている。
【００１０】ＳＡＷフィルタ２の入力側グランド２Ｉと
出力側グランド２Ｏの導通路の経路は、矢印線Ｐで示す
如く、入力側グランド２Ｉから第１グランドパターンＧ
１及びスルーホールＴ１を経て、第３グランドパターン
Ｇ３を経由し、スルーホールＴ２及び第２グランドパタ
ーンＧ２を経て第２出力側グランド５Ｂに至る。
出力側グランド２Ｏの導通路の経路は、矢印線Ｐで示す
如く、入力側グランド２Ｉから第１グランドパターンＧ
１及びスルーホールＴ１を経て、第３グランドパターン
Ｇ３を経由し、スルーホールＴ２及び第２グランドパタ
ーンＧ２を経て第２出力側グランド５Ｂに至る。
【００１１】一般に多層基板では、層間距離が小さい場
合が多く、かかる構造では、上記した如く、入力側グラ
ンド２Ｉと出力側グランド２Ｏとの導通路の経路が短く
なるため、上記図２で示した構造と同様に、入力側グラ
ンド２Ｉと出力側グランド２Ｏとのアイソレーション
（絶縁）が完全にはとれない場合があり、ＳＡＷフィル
タの帯域外の信号抑圧レベルを悪化させる一因となって
いる。
合が多く、かかる構造では、上記した如く、入力側グラ
ンド２Ｉと出力側グランド２Ｏとの導通路の経路が短く
なるため、上記図２で示した構造と同様に、入力側グラ
ンド２Ｉと出力側グランド２Ｏとのアイソレーション
（絶縁）が完全にはとれない場合があり、ＳＡＷフィル
タの帯域外の信号抑圧レベルを悪化させる一因となって
いる。
【００１２】そこで、従来、入力側グランドと出力側グ
ランドとの導通路の経路（パス）を長くするため、図４
の如きＳＡＷフィルタ実装多層基板が提案されている。
図４は、従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略構成
を示す図であり、図４（Ａ）は、その概略平面図（同図
で絶縁層３Ａ、３層、及び４層は図示を省略する。）、
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中のＡ−Ａ部における断面図
を各々示している。
ランドとの導通路の経路（パス）を長くするため、図４
の如きＳＡＷフィルタ実装多層基板が提案されている。
図４は、従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略構成
を示す図であり、図４（Ａ）は、その概略平面図（同図
で絶縁層３Ａ、３層、及び４層は図示を省略する。）、
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中のＡ−Ａ部における断面図
を各々示している。
【００１３】本図に示されるように、ＳＡＷフィルタ実
装多層基板１の基本構成は、絶縁層３Ａに４層の導電層
が配された多層基板３と、当該多層基板３に形成された
第１層に実装されたＳＡＷフィルタ２とから成る。
装多層基板１の基本構成は、絶縁層３Ａに４層の導電層
が配された多層基板３と、当該多層基板３に形成された
第１層に実装されたＳＡＷフィルタ２とから成る。
【００１４】詳述すると、第１層には、互いに電気的に
分離した一対のグランドパターン１Ａ，１Ｂが、ＳＡＷ
フィルタ２の入力側及び出力側に配されており、第２層
には、ＳＡＷフィルタ２及び第１層に配された第１グ
ランドパターンＧ１，Ｇ２よりも大なる面積を有する矩
形の第３グランドパターンＧ３が形成されている。そし
て、多層基板３の第１層及び第２層には、ＳＡＷフィル
タ２の入力側グランド２Ｉ及び出力側グランド２Ｏから
図３に示した離間距離ｔより大なる距離だけ離間した位
置に、第１グランドパターンＧ１及び第２グランドパタ
ーンＧ２と第３グランドパターンＧ３とを導通させるた
めのスルーホール（貫通孔）Ｔ１，Ｔ２が形成されてい
る。
分離した一対のグランドパターン１Ａ，１Ｂが、ＳＡＷ
フィルタ２の入力側及び出力側に配されており、第２層
には、ＳＡＷフィルタ２及び第１層に配された第１グ
ランドパターンＧ１，Ｇ２よりも大なる面積を有する矩
形の第３グランドパターンＧ３が形成されている。そし
て、多層基板３の第１層及び第２層には、ＳＡＷフィル
タ２の入力側グランド２Ｉ及び出力側グランド２Ｏから
図３に示した離間距離ｔより大なる距離だけ離間した位
置に、第１グランドパターンＧ１及び第２グランドパタ
ーンＧ２と第３グランドパターンＧ３とを導通させるた
めのスルーホール（貫通孔）Ｔ１，Ｔ２が形成されてい
る。
【００１５】かかる構造によれば、ＳＡＷフィルタ２の
入力側グランド２Ｉ及び出力側グランド２Ｏとスルーホ
ールＴ１,Ｔ２との離間距離を大としているため、同図
の矢印線Ｐで示す如く、入力側グランド２Ｉと出力側グ
ランド２Ｏとの導通路の経路が長くなり、両者間の絶縁
性を向上させることができ、ＳＡＷフィルタ２の帯域外
の信号抑圧レベルを向上させることが可能となる。
入力側グランド２Ｉ及び出力側グランド２Ｏとスルーホ
ールＴ１,Ｔ２との離間距離を大としているため、同図
の矢印線Ｐで示す如く、入力側グランド２Ｉと出力側グ
ランド２Ｏとの導通路の経路が長くなり、両者間の絶縁
性を向上させることができ、ＳＡＷフィルタ２の帯域外
の信号抑圧レベルを向上させることが可能となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
４に示す構成では、ＳＡＷフィルタ２とスルーホールＴ
１，Ｔ２との距離を大として、ＳＡＷフィルタ２の入力
側グランド５Ａと出力側グランド５Ｂとの導通路の経路
を長くし、入力側と出力側との絶縁性を向上さる構成で
あるため、ＳＡＷフィルタの周りのレイアウトに必要な
面積が大きくなり、延いては、レイアウトの自由度を低
下させ、高密度実装化の妨げとなるという課題がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、レイ
アウトスペースを最小限に押さえながら、フィルタの帯
域外での信号抑圧レベルを改善することを目的とする。
４に示す構成では、ＳＡＷフィルタ２とスルーホールＴ
１，Ｔ２との距離を大として、ＳＡＷフィルタ２の入力
側グランド５Ａと出力側グランド５Ｂとの導通路の経路
を長くし、入力側と出力側との絶縁性を向上さる構成で
あるため、ＳＡＷフィルタの周りのレイアウトに必要な
面積が大きくなり、延いては、レイアウトの自由度を低
下させ、高密度実装化の妨げとなるという課題がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、レイ
アウトスペースを最小限に押さえながら、フィルタの帯
域外での信号抑圧レベルを改善することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係るフィルタの実装構造は、多層基板にフィルタを実装
したフィルタ実装多層基板において、前記多層基板の前
記フィルタを実装する層に、当該フィルタの第１ポート
側及び第２ポート側に夫々電気的に接続され、互いに分
離した第１グランドパターン及び第２グランドパターン
を形成し、前記第１ポート側と第２ポート側との導通路
の経路を長くすべく、前記多層基板の他の層に、前記第
１グランドパターン及び第２グランドパターンに夫々少
なくとも一対の貫通孔を介して電気的に接続され、当該
少なくとも一対の貫通孔に挟まれる位置に打ち抜き部を
有する第３グランドパターンを形成したことより上記課
題を解決する。
係るフィルタの実装構造は、多層基板にフィルタを実装
したフィルタ実装多層基板において、前記多層基板の前
記フィルタを実装する層に、当該フィルタの第１ポート
側及び第２ポート側に夫々電気的に接続され、互いに分
離した第１グランドパターン及び第２グランドパターン
を形成し、前記第１ポート側と第２ポート側との導通路
の経路を長くすべく、前記多層基板の他の層に、前記第
１グランドパターン及び第２グランドパターンに夫々少
なくとも一対の貫通孔を介して電気的に接続され、当該
少なくとも一対の貫通孔に挟まれる位置に打ち抜き部を
有する第３グランドパターンを形成したことより上記課
題を解決する。
【００１８】即ち、請求項１記載の発明によれば、多層
基板にフィルタを実装したフィルタ実装多層基板におい
て、フィルタを実装する層に、フィルタの第１ポート側
及び第２ポート側に夫々電気的に接続され、互いに分離
した第１グランドパターン及び第２グランドパターンを
形成し、そして、第１ポート側と第２ポート側との導通
路の経路を長くすべく、多層基板の他の層に、第１グラ
ンドパターン及び第２グランドパターンに夫々少なくと
も一対の貫通孔を介して電気的に接続され、当該少なく
とも一対の貫通孔に挟まれる位置に打ち抜き部を有する
第３グランドパターンを形成した。
基板にフィルタを実装したフィルタ実装多層基板におい
て、フィルタを実装する層に、フィルタの第１ポート側
及び第２ポート側に夫々電気的に接続され、互いに分離
した第１グランドパターン及び第２グランドパターンを
形成し、そして、第１ポート側と第２ポート側との導通
路の経路を長くすべく、多層基板の他の層に、第１グラ
ンドパターン及び第２グランドパターンに夫々少なくと
も一対の貫通孔を介して電気的に接続され、当該少なく
とも一対の貫通孔に挟まれる位置に打ち抜き部を有する
第３グランドパターンを形成した。
【００１９】従って、フィルタの第１ポート側と第２ポ
ート側との導通路の経路を長くするために、打ち抜き部
を有するグランドパターンを備えた構成であるので、フ
ィルタと貫通孔との距離を小とした場合においても、第
１ポート側と第２ポート側との導通路の経路を長くする
ことが可能となり、レイアウトスペースを最小限に押さ
えながら、第１ポート側と第２ポート側とのアイソレー
ションをとることができ、帯域外での信号抑圧レベルを
改善することが可能となる。
ート側との導通路の経路を長くするために、打ち抜き部
を有するグランドパターンを備えた構成であるので、フ
ィルタと貫通孔との距離を小とした場合においても、第
１ポート側と第２ポート側との導通路の経路を長くする
ことが可能となり、レイアウトスペースを最小限に押さ
えながら、第１ポート側と第２ポート側とのアイソレー
ションをとることができ、帯域外での信号抑圧レベルを
改善することが可能となる。
【００２０】請求項２に記載の発明に係るフィルタ実装
多層基板は、多層基板にフィルタを実装したフィルタ実
装多層基板において、前記多層基板の前記フィルタを実
装する第１層に、当該フィルタの入力側グランド及び出
力グランドに夫々電気的に接続され、互いに電気的に分
離した第１及び第２グランドパターンを形成し、前記入
力側グランドと前記出力側グランドとの導通路の経路を
長くすべく、前記多層基板の第２層に、前記第１グラン
ドパターン及び第２グランドパターンに夫々少なくとも
一対のスルーホールを介して電気的に接続され、当該少
なくとも一対のスルーホールに挟まれる位置に打ち抜き
部を有する第３グランドパターンを形成したことにより
上記課題を解決する。
多層基板は、多層基板にフィルタを実装したフィルタ実
装多層基板において、前記多層基板の前記フィルタを実
装する第１層に、当該フィルタの入力側グランド及び出
力グランドに夫々電気的に接続され、互いに電気的に分
離した第１及び第２グランドパターンを形成し、前記入
力側グランドと前記出力側グランドとの導通路の経路を
長くすべく、前記多層基板の第２層に、前記第１グラン
ドパターン及び第２グランドパターンに夫々少なくとも
一対のスルーホールを介して電気的に接続され、当該少
なくとも一対のスルーホールに挟まれる位置に打ち抜き
部を有する第３グランドパターンを形成したことにより
上記課題を解決する。
【００２１】即ち、請求項２記載のフィルタ実装多層基
板によれば、多層基板にフィルタを実装したフィルタ実
装多層基板において、多層基板の前記フィルタを実装す
る第１層に、当該フィルタの入力側グランド及び出力グ
ランドに夫々電気的に接続され、互いに分離した第１及
び第２グランドパターンを形成し、そして、入力側グラ
ンドと出力側グランドとの導通路の経路を長くすべく、
多層基板の第２層に、前記第１グランドパターン及び第
２グランドパターンに夫々少なくとも一対のスルーホー
ルを介して電気的に接続され、当該少なくとも一対のス
ルーホールに挟まれる位置に打ち抜き部を有する第３グ
ランドパターンを形成する。
板によれば、多層基板にフィルタを実装したフィルタ実
装多層基板において、多層基板の前記フィルタを実装す
る第１層に、当該フィルタの入力側グランド及び出力グ
ランドに夫々電気的に接続され、互いに分離した第１及
び第２グランドパターンを形成し、そして、入力側グラ
ンドと出力側グランドとの導通路の経路を長くすべく、
多層基板の第２層に、前記第１グランドパターン及び第
２グランドパターンに夫々少なくとも一対のスルーホー
ルを介して電気的に接続され、当該少なくとも一対のス
ルーホールに挟まれる位置に打ち抜き部を有する第３グ
ランドパターンを形成する。
【００２２】従って、フィルタの入力側グランドと出力
側グランドとの導通路の経路を長くするために、打ち抜
き部を有するグランドパターンを備えた構成であるの
で、フィルタと貫通孔との距離を小とした場合において
も、入力側グランドと出力側グランドとの導通路の経路
を長くすることが可能となり、レイアウトスペースを最
小限に押さえながら、入力側グランドと出力側グランド
とのアイソレーションをとることができ、帯域外での信
号抑圧レベルを改善することが可能となる。
側グランドとの導通路の経路を長くするために、打ち抜
き部を有するグランドパターンを備えた構成であるの
で、フィルタと貫通孔との距離を小とした場合において
も、入力側グランドと出力側グランドとの導通路の経路
を長くすることが可能となり、レイアウトスペースを最
小限に押さえながら、入力側グランドと出力側グランド
とのアイソレーションをとることができ、帯域外での信
号抑圧レベルを改善することが可能となる。
【００２３】また、この場合、請求項３記載の発明に係
るフィルタ実装多層基板の如く、前記フィルタはＳＡＷ
フィルタであることにしても良い。
るフィルタ実装多層基板の如く、前記フィルタはＳＡＷ
フィルタであることにしても良い。
【００２４】従って、ＳＡＷフィルタを多層基板に実装
する場合に、帯域外での信号抑圧レベルを改善すること
が可能となる。
する場合に、帯域外での信号抑圧レベルを改善すること
が可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係るフィルタ実装多層基板の一実施の形態を説明する。
係るフィルタ実装多層基板の一実施の形態を説明する。
【００２６】図１は、本発明に係るＳＡＷフィルタ実装
多層基板の概略構成を示す図であり、図１（Ａ）は、そ
の概略平面図（同図で絶縁層３Ａ、３層、及び４層は図
示を省略する。）、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中のＡ−
Ａ部における断面図を各々示している。同図で、上記図
２〜図４と同等機能を有する部分は同一符号を付してあ
る。
多層基板の概略構成を示す図であり、図１（Ａ）は、そ
の概略平面図（同図で絶縁層３Ａ、３層、及び４層は図
示を省略する。）、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中のＡ−
Ａ部における断面図を各々示している。同図で、上記図
２〜図４と同等機能を有する部分は同一符号を付してあ
る。
【００２７】図示されるように、ＳＡＷフィルタ実装多
層基板１の基本構成は、絶縁層３Ａに４層の導電層が配
された多層基板３と、当該多層基板３に形成された第１
層に実装されたＳＡＷフィルタ２とから成る。
層基板１の基本構成は、絶縁層３Ａに４層の導電層が配
された多層基板３と、当該多層基板３に形成された第１
層に実装されたＳＡＷフィルタ２とから成る。
【００２８】詳述すると、図１に示されるように、上記
多層基板３は、４層基板からなり、第１層１には、一対
の入力及び出力電極パターンＣ１，Ｃ２が、互いに反転
対称となる位置に配され、この一対の入力及び出力電極
パターンＣ１，Ｃ２を挟み、互いに反転対称となる位置
に互いに分離した一対の第１及び第２グランドパターン
Ｇ１，Ｇ２が配されている。
多層基板３は、４層基板からなり、第１層１には、一対
の入力及び出力電極パターンＣ１，Ｃ２が、互いに反転
対称となる位置に配され、この一対の入力及び出力電極
パターンＣ１，Ｃ２を挟み、互いに反転対称となる位置
に互いに分離した一対の第１及び第２グランドパターン
Ｇ１，Ｇ２が配されている。
【００２９】第２層には、略中央部に矩形の打ち抜き部
Ｇ３Ｈを有する第３グランドパターンＧ３が配されてお
り、第１層に配された第１及び第２グランドパターンＧ
１，Ｇ２と第２層に配された第３グランドパターンＧ３
とを導通せしめるスルーホール（貫通孔）Ｔ１，Ｔ２
が、上記第３グランドパターンＧ３の打ち抜き部Ｇ３Ｈ
を挟む位置に形成されている。また、第３層及び第４層
には、図１（Ｂ）に示す如く、配線パターンＣ３・・・
が配されている。
Ｇ３Ｈを有する第３グランドパターンＧ３が配されてお
り、第１層に配された第１及び第２グランドパターンＧ
１，Ｇ２と第２層に配された第３グランドパターンＧ３
とを導通せしめるスルーホール（貫通孔）Ｔ１，Ｔ２
が、上記第３グランドパターンＧ３の打ち抜き部Ｇ３Ｈ
を挟む位置に形成されている。また、第３層及び第４層
には、図１（Ｂ）に示す如く、配線パターンＣ３・・・
が配されている。
【００３０】上記したＳＡＷフィルタ２は、例えば、Ｌ
ｉＮｂＯ3等の圧電性のある基板上に不図示の交差電極
対がホトリソグラフィなどで形成されて成り、これら交
差電極対の各々が入力電極及び出力電極となる。このＳ
ＡＷフィルタ２は、第１層に形成された一対の第１及び
第２グランドパターンＧ１，Ｇ２に跨がって実装され、
その入力端子２Ｃ及び出力端子２Ｄは、夫々、入力電極
パターンＣ１及び出力電極パターンＣ２にハンダ付け等
により接続されており、また、ＳＡＷフィルタ２の入力
側グランド２Ｉは第１グランドパターンＧ１に、出力側
グランド２Ｏは第２グランドパターンＧ２に夫々ハンダ
付等により接続されている。
ｉＮｂＯ3等の圧電性のある基板上に不図示の交差電極
対がホトリソグラフィなどで形成されて成り、これら交
差電極対の各々が入力電極及び出力電極となる。このＳ
ＡＷフィルタ２は、第１層に形成された一対の第１及び
第２グランドパターンＧ１，Ｇ２に跨がって実装され、
その入力端子２Ｃ及び出力端子２Ｄは、夫々、入力電極
パターンＣ１及び出力電極パターンＣ２にハンダ付け等
により接続されており、また、ＳＡＷフィルタ２の入力
側グランド２Ｉは第１グランドパターンＧ１に、出力側
グランド２Ｏは第２グランドパターンＧ２に夫々ハンダ
付等により接続されている。
【００３１】上記構成からなるＳＡＷフィルタ実装多層
基板１においては、図１中に矢印線Ｐで示す如く、ＳＡ
Ｗフィルタ２の入力側グランド２Ｉと出力側グランド２
Ｏとの導通路の経路は、入力側グランド２Ｉから第１層
の第１グランドパターンＧ１及びスルーホールＴ１を経
て、第２層の第３グランドパターンＧ３の打ち抜き部Ｇ
３Ｈを迂回する最短経路を辿り、スルーホールＴ２及び
第１層の第２グランドパターンＧ２を経て出力側グラン
ド２Ｏに至る。
基板１においては、図１中に矢印線Ｐで示す如く、ＳＡ
Ｗフィルタ２の入力側グランド２Ｉと出力側グランド２
Ｏとの導通路の経路は、入力側グランド２Ｉから第１層
の第１グランドパターンＧ１及びスルーホールＴ１を経
て、第２層の第３グランドパターンＧ３の打ち抜き部Ｇ
３Ｈを迂回する最短経路を辿り、スルーホールＴ２及び
第１層の第２グランドパターンＧ２を経て出力側グラン
ド２Ｏに至る。
【００３２】それ故、第２層の第３グランドパターンＧ
３に打ち抜き部Ｇ３Ｈを形成しているため、打ち抜き部
Ｇ３Ｈを形成していない構成に比して、ＳＡＷフィルタ
２の入力側グランド２Ｉと出力側グランド２Ｏとの導通
路の経路を長くすることができ、入出力間の絶縁性を向
上させることが可能となる。付言すると、上記図３で示
した従来技術の如く、ＳＡＷフィルタとスルーホールと
の距離を大とすることなく、入出力グランド間の導通路
の経路を長くすることが可能となり、入出力グランド間
の絶縁性を向上させることが可能となる。換言すると、
レイアウトスペースを最小限に押さえながら、ＳＡＷフ
ィルタの入出力間の導通路の経路を長くすることがで
き、両者間のアイソレーションが可能となり、帯域外で
の信号抑圧レベルを改善することができる。
３に打ち抜き部Ｇ３Ｈを形成しているため、打ち抜き部
Ｇ３Ｈを形成していない構成に比して、ＳＡＷフィルタ
２の入力側グランド２Ｉと出力側グランド２Ｏとの導通
路の経路を長くすることができ、入出力間の絶縁性を向
上させることが可能となる。付言すると、上記図３で示
した従来技術の如く、ＳＡＷフィルタとスルーホールと
の距離を大とすることなく、入出力グランド間の導通路
の経路を長くすることが可能となり、入出力グランド間
の絶縁性を向上させることが可能となる。換言すると、
レイアウトスペースを最小限に押さえながら、ＳＡＷフ
ィルタの入出力間の導通路の経路を長くすることがで
き、両者間のアイソレーションが可能となり、帯域外で
の信号抑圧レベルを改善することができる。
【００３３】以上説明したように、本実施の形態のＳＡ
Ｗフィルタ実装多層基板１は、多層基板３の第１層に、
ＳＡＷフィルタ２の入力側グランド２Ｉと、出力側グラ
ンド２Ｏとに夫々接続される互いに分離した第１及び第
２グランドパターンＧ１，Ｇ２を形成し、第２層には、
上記第１層の第１及び第２グランドパターンＧ１，Ｇ２
と夫々スルーホールＴ１，Ｔ２を介して接続され、か
つ、当該スルーホールＴ１，Ｔ２に挟まれる位置に打ち
抜き部Ｇ３Ｈを有する第３グランドパターンＧ３を形成
した構成であるので、ＳＡＷフィルタ２とスルーホール
Ｔ１，Ｔ２との距離を小とした場合においても、入出力
グランド間の導通路の経路を長くすることが可能とな
り、レイアウトスペースを最小限に押さえながら、入出
力間のアイソレーションをとることができ、帯域外での
信号抑圧レベルを改善することが可能となる。
Ｗフィルタ実装多層基板１は、多層基板３の第１層に、
ＳＡＷフィルタ２の入力側グランド２Ｉと、出力側グラ
ンド２Ｏとに夫々接続される互いに分離した第１及び第
２グランドパターンＧ１，Ｇ２を形成し、第２層には、
上記第１層の第１及び第２グランドパターンＧ１，Ｇ２
と夫々スルーホールＴ１，Ｔ２を介して接続され、か
つ、当該スルーホールＴ１，Ｔ２に挟まれる位置に打ち
抜き部Ｇ３Ｈを有する第３グランドパターンＧ３を形成
した構成であるので、ＳＡＷフィルタ２とスルーホール
Ｔ１，Ｔ２との距離を小とした場合においても、入出力
グランド間の導通路の経路を長くすることが可能とな
り、レイアウトスペースを最小限に押さえながら、入出
力間のアイソレーションをとることができ、帯域外での
信号抑圧レベルを改善することが可能となる。
【００３４】付言すると、予めレイアウトの終了してい
る基板において、試作後、アイソレーションが取れてい
ないことが判明した場合においても、本実施の形態の如
く、グランドパターンに打ち抜き部を形成して、パター
ン変更を行えば、大幅なレイアウト変更、及びパターン
検討を必要とせずに、特性（信号抑圧レベル）の改善対
策を行うことができるという効果を奏する。
る基板において、試作後、アイソレーションが取れてい
ないことが判明した場合においても、本実施の形態の如
く、グランドパターンに打ち抜き部を形成して、パター
ン変更を行えば、大幅なレイアウト変更、及びパターン
検討を必要とせずに、特性（信号抑圧レベル）の改善対
策を行うことができるという効果を奏する。
【００３５】尚、上記実施の形態においては、ＳＡＷフ
ィルタを実装した例を示したが、本発明はこれに限られ
るものではなく、他のフィルタにも適用可能である。
ィルタを実装した例を示したが、本発明はこれに限られ
るものではなく、他のフィルタにも適用可能である。
【００３６】また、上記実施の形態においては、多層基
板３の第１層にＳＡＷフィルタを実装し、第２層に打ち
抜き部を有するグランドパターンを形成する構成である
が、本発明は、かかる構成に限られるものではなく、打
ち抜き部を有するグランドパターンを、３層若しくは４
層に形成する構成としても良い。
板３の第１層にＳＡＷフィルタを実装し、第２層に打ち
抜き部を有するグランドパターンを形成する構成である
が、本発明は、かかる構成に限られるものではなく、打
ち抜き部を有するグランドパターンを、３層若しくは４
層に形成する構成としても良い。
【００３７】また、上記実施の形態においては、グラン
ドパターンの打ち抜き部を矩形としたが、打ち抜き部の
形状はこれに限られるものではなく、入出力グランド間
の導通路の経路を長くすることが可能な形状であれば、
如何なる形状としても良い。
ドパターンの打ち抜き部を矩形としたが、打ち抜き部の
形状はこれに限られるものではなく、入出力グランド間
の導通路の経路を長くすることが可能な形状であれば、
如何なる形状としても良い。
【００３８】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、フィルタ
の第１ポート側と第２ポート側との導通路の経路を長く
するために、打ち抜き部を有するグランドパターンを備
えた構成であるので、フィルタと貫通孔との距離を小と
した場合においても、第１ポート側と第２ポート側との
導通路の経路を長くすることが可能となり、レイアウト
スペースを最小限に押さえながら、第１ポート側と第２
ポート側とのアイソレーションをとることができ、帯域
外での信号抑圧レベルを改善することが可能となる。
の第１ポート側と第２ポート側との導通路の経路を長く
するために、打ち抜き部を有するグランドパターンを備
えた構成であるので、フィルタと貫通孔との距離を小と
した場合においても、第１ポート側と第２ポート側との
導通路の経路を長くすることが可能となり、レイアウト
スペースを最小限に押さえながら、第１ポート側と第２
ポート側とのアイソレーションをとることができ、帯域
外での信号抑圧レベルを改善することが可能となる。
【００３９】請求項２の発明によれば、フィルタの入力
側グランドと出力側グランドとの導通路の経路を長くす
るために、打ち抜き部を有するグランドパターンを備え
た構成であるので、フィルタと貫通孔との距離を小とし
た場合においても、入力側グランドと出力側グランドと
の導通路の経路を長くすることが可能となり、レイアウ
トスペースを最小限に押さえながら、入力側グランドと
出力側グランドとのアイソレーションをとることがで
き、帯域外での信号抑圧レベルを改善することが可能と
なる。
側グランドと出力側グランドとの導通路の経路を長くす
るために、打ち抜き部を有するグランドパターンを備え
た構成であるので、フィルタと貫通孔との距離を小とし
た場合においても、入力側グランドと出力側グランドと
の導通路の経路を長くすることが可能となり、レイアウ
トスペースを最小限に押さえながら、入力側グランドと
出力側グランドとのアイソレーションをとることがで
き、帯域外での信号抑圧レベルを改善することが可能と
なる。
【００４０】請求項３記載の発明によれば、ＳＡＷフィ
ルタを多層基板に実装する場合に、帯域外での信号抑圧
レベルを改善することが可能となる。
ルタを多層基板に実装する場合に、帯域外での信号抑圧
レベルを改善することが可能となる。
【図１】本発明に係るＳＡＷフィルタ実装多層基板の概
略構成図であり、図１（Ａ）は、その概略平面図、図１
（Ｂ）は、図１（Ａ）中のＡ−Ａ部における断面図であ
る。
略構成図であり、図１（Ａ）は、その概略平面図、図１
（Ｂ）は、図１（Ａ）中のＡ−Ａ部における断面図であ
る。
【図２】従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図４】従来のＳＡＷフィルタ実装多層基板の概略構成
を示す図であり、図４（Ａ）は、その概略平面図、図４
（Ｂ）は、図４（Ａ）中のＡ−Ａ部における断面図であ
る。
を示す図であり、図４（Ａ）は、その概略平面図、図４
（Ｂ）は、図４（Ａ）中のＡ−Ａ部における断面図であ
る。
１ ＳＡＷフィルタ実装多層基板 ２ ＳＡＷフィルタ ２Ｉ 入力側グランド ２Ｏ 出力側グランド ２Ｃ 入力端子 ２Ｄ 出力端子 ３ 多層基板 Ｇ１ 第１グランドパターン Ｇ２ 第２グランドパターン Ｇ３ 第３グランドパターン Ｇ３Ｈ 打ち抜き部 Ｃ１ 入力電極パターン Ｃ２ 出力電極パターン Ｃ３ 配線パターン ３Ａ 絶縁層
Claims (3)
- 【請求項１】多層基板にフィルタを実装したフィルタ実
装多層基板において、 前記多層基板の前記フィルタを実装する層に、当該フィ
ルタの第１ポート側及び第２ポート側に夫々電気的に接
続され、互いに分離した第１グランドパターン及び第２
グランドパターンを形成し、 前記第１ポート側と前記第２ポート側との導通路の経路
を長くすべく、前記多層基板の他の層に、前記第１グラ
ンドパターン及び第２グランドパターンに夫々少なくと
も一対の貫通孔を介して電気的に接続され、当該少なく
とも一対の貫通孔に挟まれる位置に打ち抜き部を有する
第３グランドパターンを形成したことを特徴とするフィ
ルタ実装多層基板。 - 【請求項２】多層基板にフィルタを実装したフィルタ実
装多層基板において、 前記多層基板の前記フィルタを実装する第１層に、当該
フィルタの入力側グランド側及び出力グランド側に夫々
電気的に接続され、互いに分離した第１及び第２グラン
ドパターンを形成し、 前記入力側グランド側と前記出力側グランド側との導通
路の経路を長くすべく、前記多層基板の第２層に、前記
第１グランドパターン及び第２グランドパターンに夫々
少なくとも一対のスルーホールを介して電気的に接続さ
れ、当該少なくとも一対のスルーホールに挟まれる位置
に打ち抜き部を有する第３グランドパターンを形成した
ことを特徴とするフィルタ実装多層基板。 - 【請求項３】前記フィルタはＳＡＷフィルタであること
を特徴とする請求項１又は２記載のフィルタ実装多層基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02524497A JP3885270B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | フィルタ実装多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02524497A JP3885270B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | フィルタ実装多層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10224044A true JPH10224044A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3885270B2 JP3885270B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=12160580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02524497A Expired - Fee Related JP3885270B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | フィルタ実装多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3885270B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906411B1 (en) | 2000-06-29 | 2005-06-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multilayer substrate module and portable wireless terminal |
| JP2006108303A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 多層配線基板および多層モジュール |
| KR100912553B1 (ko) | 2008-03-07 | 2009-08-19 | 오영주 | 압전기판 및 이를 이용한 ｓａｗ 필터 |
| JP2010045128A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Ihi Corp | 多層プリント基板 |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP02524497A patent/JP3885270B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906411B1 (en) | 2000-06-29 | 2005-06-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multilayer substrate module and portable wireless terminal |
| JP2006108303A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 多層配線基板および多層モジュール |
| KR100912553B1 (ko) | 2008-03-07 | 2009-08-19 | 오영주 | 압전기판 및 이를 이용한 ｓａｗ 필터 |
| JP2010045128A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Ihi Corp | 多層プリント基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3885270B2 (ja) | 2007-02-21 |
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