CN117081540A - 声波装置及其制造方法 - Google Patents

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CN117081540A CN202210454403.8A CN202210454403A CN117081540A CN 117081540 A CN117081540 A CN 117081540A CN 202210454403 A CN202210454403 A CN 202210454403A CN 117081540 A CN117081540 A CN 117081540A
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Abstract

一种声波装置包含压电基板及换能器。压电基板具有表面。换能器设置在压电基板的表面上。换能器包含第一电极、第二电极及至少一凸起部。第一电极沿着第一方向延伸，且具有第一末端。第二电极沿着第一方向延伸，且具有第二末端，第二电极与第一电极沿第二方向间隔设置。至少一凸起部设置于第一电极的第一末端处，至少一凸起部沿第一方向延伸且不完全覆盖第一末端。

Description

声波装置及其制造方法
技术领域
本发明关于射频通信，特别是用于射频通信中的一种声波装置及其制造方法。
背景技术
声波装置，例如表面声波(surface acoustic wave，SAW)装置，可用于电信号与声信号的转换及传递。声波装置具有诸多用途。举例而言，声波装置可用作滤波器，以滤除噪声及留下特定频段的无线信号，具有传输损耗小、抗电磁干扰性能佳、体积小的特性，因此被广泛应用于各种通信产品。然而由于制造误差，现有的SAW装置会产生能量泄漏，造成质量因子下降。此外，声波装置亦可用作谐振器(resonator)。
发明内容
本发明实施例提供一种声波装置，包含压电基板及换能器。压电基板具有表面。换能器设置在压电基板的表面上。换能器包含第一电极、第二电极及至少一第一凸起部。第一电极沿着第一方向延伸，且具有第一末端。第二电极沿着第一方向延伸，且具有第二末端，第二电极与第一电极沿第二方向间隔设置。至少一第一凸起部设置于第一电极的第一末端处，至少一第一凸起部沿第一方向延伸且不完全覆盖第一末端。
本发明实施例提供另一种声波装置的制造方法，包含提供一压电基板，压电基板具有表面，在表面上形成导电层，及利用遮罩使导电层图案化，以形成图案化导电层。形成图案化导电层的步骤包含沿着第一方向形成第一电极，第一电极具有第一末端，在第一电极的第一末端处形成至少一第一凸起部，至少一第一凸起部沿第一方向延伸且不完全覆盖第一末端，及沿着第一方向形成第二电极，第二电极具有第二末端，其中第二电极与第一电极沿第二方向间隔设置。
附图说明
图1为本发明实施例中的声波装置的俯视图。
图2为图1中的声波装置的一种换能器部分的示意图。
图3为形成图2中的声波装置的换能器部分的遮罩的示意图。
图4为图1中的声波装置的另一种换能器部分的示意图。
图5为图1中的声波装置的另一种换能器部分的示意图。
图6为图1中的声波装置的另一种换能器部分的示意图。
图7及图8为图1中的声波装置的制造方法的示意图。
图9为图1中的声波装置的制造方法的流程图。
符号说明
1 表面声波装置
10 压电基板
11 换能器
121至122 母线
131至133,141至143 电极
1311至1331,1411至1431,4311及4312,5311,6311 凸起部
131e及141e 末端
151至153,161至163 伪电极
1511至1531,1611至1631,4511至4513,5511,6511 伪凸起部
151e及161e 伪末端
D1及D2 方向
351,331 图案遮罩
3511、3512、3311及3312 遮罩附加部
70,72,74 焊垫
80 桥接层
82 连接层
84 钝化层
900 制造方法
S902至S912 步骤
d1至d3 距离
具体实施方式
图1是本发明实施例的声波装置，例如表面声波(surfaceacoustic wave，SAW)装置1的俯视图。在一些实施例中，SAW装置1可用于射频前端电路中，用以接收射频信号，对射频信号进行滤波以产生滤波信号。例如，SAW装置1可接收来自天线的射频信号，对射频信号进行滤波以产生滤波信号，及输出滤波信号至接收器。此处仅举例说明SAW装置1的用途，但是本发明不限于此，在其他实施例中，SAW装置1亦可用于其他用途。
SAW装置1可包含压电基板10及换能器(transducer)11。压电基板10可包含基板及设置在基板上的压电材料层。举例而言，压电基板的基板可包含硅基板。压电材料层可包含压电单晶体、压电多晶体(压电陶瓷)、压电聚合物、和压电复合材料。压电材料层例如可包含氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、钽酸锂(LiTaO3)、及其组合物。换能器11可包含金属材料，金属材料可包含钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)及钨(W)的任意组合。
在一些实施例中，换能器11可设置在压电基板10的表面上，及包含至少一对叉指(interdigital)结构，该对叉指结构之间未直接连接且具有间隙。举例而言，该对叉指结构可包含第一组叉指结构及第二组叉指结构，如图1所示，第一组叉指结构可包含母线(busbar)121、电极131至133、及伪电极(dummy electrode)161至163，第二组叉指结构可包含母线122、电极141至143、及伪电极151至153。
在图示实施例中，电极131至133及电极141至143沿方向D1延伸，母线121及122沿方向D2延伸。在一些实施例中，电极131至133可作为第一组叉指结构的叉指，电极141至143可作为第二组叉指结构的叉指。第一组叉指结构与电第二组叉指结构沿方向D1呈叉指设置。沿方向D2，相邻叉指(亦即，电极)呈间隔设置，亦即，相邻叉指之间具有间隙，例如电极131、141、132、142、133及143可依序沿方向D2间隔设置。进一步讲，电极131至133可分别从母线121开始沿方向D1延伸，电极141至143可分别从母线122开始沿方向D1延伸。在本实施例中，举例而言，电极131、141分别具有末端131e、141e，其他电极132、142、133及143亦分别具有末端(图未标示)。在上述实施例中，方向D2可垂直于方向D1，但是本发明不限于此，在其他实施例中，方向D2与方向D1之间可形成非90度的夹角。在上述实施例中，方向D1与方向D2皆平行于压电基板10的表面。
在进一步的实施例中，伪电极151至153可分别从母线122开始沿方向D1延伸，且分别与电极131至133对齐。伪电极161至163可分别从母线121开始沿方向D1延伸，且分别与电极141至143对齐。在本实施例中，举例而言，伪电极151、161分别具有伪末端151e、161e，其他伪电极152、162、153及163亦分别具有伪末端(图未标示)。详细而言，电极131可与伪电极151对齐，且与伪电极151之间具有间隙。换句话说，电极131的末端131e可与伪电极151的伪末端151e对齐，且之间具有间隙。电极141及伪电极161、电极132及伪电极152、电极142及伪电极162、电极133及伪电极153、及/或电极143及伪电极163分别具有间隙可分别类似于电极131与伪电极151进行设置，在此不加赘述。
在上述实施例中，设置伪电极151至153、及/或161至163，以减少声波沿方向D1的泄漏。但是本发明不以此为限，在其他实施例中，亦可省略伪电极151至153、及/或省略伪电极161至163，在如此的实施例中，电极131至133的末端分别与母线122之间具有间隙，且电极141至143的末端分别与母线121之间具有间隙。
在一些实施例中，换能器11可用作输入换能器或输出换能器。以输入换能器为例，电信号可由母线121/122输入，经由压电基板10及其上的电极131、141、132、142、133、及143转换为声信号，声信号可沿方向D2传播。在其他实施例中，换能器11亦可用作将声信号转换为电信号的输出换能器。沿方向D2对齐的末端131e至133e以及沿方向D2对齐的末端141e至143e可用来界定声信号的有效传导范围。详细而言，以图1所示方向为例，连接末端131e、132e、及133e的虚拟直线可为声信号有效传导范围的上边界，连接末端141e、142e、及143e的虚拟直线可为声信号有效传导范围的下边界。
在一些实施例中，SAW装置1可以活塞(piston)模式运作，使能量不会或较少的经由电极131至133分别与伪电极151至153之间的间隙、及电极141至143分别与伪电极161至163之间的间隙泄漏。经实验可知，当例如电极131与伪电极151之间的间隙、及/或电极141与伪电极161之间的间隙较小时，声波沿方向D1的能量泄漏亦较小。因此，SAW装置1可具有较佳的质量因子(quality factor，Q factor)。为了获得较小的间隙，可采用光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)方式对各电极的末端，及/或伪电极的伪末端加以修正。举例而言，采用OPC的方式，电极131至133的末端的形状可修正为接近矩形(例如，直角)，及/或伪电极151至153的伪末端的形状可修正为接近矩形。类似的，电极141至143及/或伪电极161至163的末端或伪末端的形状亦可修正为接近矩形，藉以优化或缩小电极与对应伪电极之间的距离，或者在没有伪电极的情形中，优化或缩小电极与对应母线之间的距离。举例而言，在有伪电极的情形中，例如缩短电极131与伪电极151之间的距离，及/或缩短电极141与伪电极161之间的距离。在OPC方式中，可借由在图案遮罩的角落、末端、及/或边缘处新增遮罩附加部来补偿光线绕射或其他制程效应所产生的误差，该遮罩附加部的形状例如为多边形，其在后续段落会进行说明。
在一些实施例中，经由OPC方式，例如可在电极131的末端131e处形成凸起部1311，及/或可在伪电极151的伪末端151e处形成伪凸起部1511。进一步讲，可在电极141的末端141e处形成凸起部1411，及/或可在伪电极161的伪末端161e处形成伪凸起部1611。类似的，在电极132-133、142-143的末端处亦可分别形成凸起部1321-1331、1421-1431，及/或在伪电极152-153、伪电极162-163的末端处亦可分别形成伪凸起部1521-1531、1621-1631。
在一些实施例中，电极131从母线121沿方向D1延伸至末端131e，凸起部1311可设置于电极131的末端131e处，且可从末端131e沿方向D1延伸。如图1所示，凸起部1311不完全覆盖末端131e。如图所示，伪凸起部1511可设置于伪电极151的伪末端151e处，且可从伪末端151e沿方向D1延伸。如图1所示，伪凸起部1511不完全覆盖伪末端151e。末端131e与伪末端151e之间形成的间隙可定义为第一间隙，凸起部1311与伪凸起部1511可设置在第一间隙中。在一些实施例中，凸起部1311及伪凸起部1511可沿方向D2间隔设置，例如沿方向D2依序交替设置。类似的，电极141从母线122沿方向D1延伸至末端141e，凸起部1411可设置于电极141的末端141e处，且可从末端141e沿方向D1延伸。凸起部1411不完全覆盖末端141e。伪凸起部1611可设置于伪电极161的伪末端161e处，且可从伪末端161e沿方向D1延伸。伪凸起部1611不完全覆盖伪末端161e。末端141e与伪末端161e之间形成的间隙可定义为第二间隙，凸起部1411与伪凸起部1611可设置在第二间隙中。在一些实施例中，凸起部1411及伪凸起部1611可沿方向D2间隔设置，例如沿方向D2依序交替设置。
在图1所示的实施例中，沿方向D2，凸起部1311相对于电极131末端131e的位置靠右，但是发明不限于此。在其他实施例中，凸起部1311相对于电极131末端131e的位置可靠左或居中。类似的，伪凸起部1511相对于伪电极151的伪末端151e的位置可靠右或居中。举例而言，当凸起部1311相对于末端131e靠左时，伪凸起部1511相对于伪末端151e可靠右。类似的，凸起部1411相对于电极141末端141e的位置可靠左、居中、或靠右，及/或伪凸起部1611相对于伪电极161的伪末端161e的位置可靠左、居中、或靠右。
在一些实施例中，电极131可与凸起部1311形成一体，电极141可与凸起部1411形成一体，伪电极151可与伪凸起部1511形成一体，及/或电极161可与伪凸起部1611形成一体。
在一些实施例中，举例而言，电极131的末端131e可具有平滑表面，例如弧形表面，或平行于方向D2的平坦表面。举例而言，位于末端131e处的凸起部1311沿方向D2的尺寸可为电极131在末端131e处沿方向D2的尺寸的5％至50％，以此达成凸起部1311不完全覆盖末端131e。伪凸起部1511沿方向D2的尺寸可为伪电极151在伪末端151e处沿方向D2的尺寸的5％至50％，以此达成伪凸起部1511不完全覆盖伪末端151e。在上述实施例中，凸起部1311与伪凸起部1511沿方向D2的尺寸可相等或不等。类似的，凸起部1411沿方向D2的尺寸可为电极141在末端141e处沿方向D2的尺寸的5％至50％，及/或伪凸起部1611沿方向D2的尺寸可为伪电极161在伪末端161e处沿方向D2的尺寸的5％至50％。
借由在间隙中设置凸起部及/或伪凸起部，可减少或消除从电极到伪电极，或从电极到母线的能量泄漏，进而提高SAW装置1的质量因子。
虽然图1中的SAW装置1的第一组叉指结构包含3个电极(电极131、132、133)及3个伪电极(伪电极161、161、163)，且第二组叉指结构包含3个电极(电极141、142、143)及3个伪电极(伪电极151、152、153)。但是熟习此技艺者亦可依照本发明原则变更SAW装置1中叉指结构的组数以符合实际应用的需求。
图2是图1中的SAW装置1的一种换能器部分的示意图。在图2中，换能器包含电极131、凸起部1311、伪电极151及伪凸起部1511。在一些实施例中，凸起部1311与伪末端151e在方向D1的距离d1至少为0.3微米，凸起部1311与伪凸起部1511在方向D2上的距离d2至少为0.3微米，及/或伪凸起部1511与末端131e在方向D1的距离d3至少为0.3微米。在上述实施例中，距离d1、d2、及d3可相等或不等。类似的，电极141、凸起部1411、伪电极161及伪凸起部1611的设置可相似于图2，在此不加赘述。
在图2的实施例中，沿方向D2，凸起部1311与伪凸起部1511呈间隔设置，例如间隔距离d2。沿方向D1，凸起部1311与伪凸起部1511可部分重叠或不重叠，换句话说，凸起部1311与伪凸起部1511在平行于方向D1的平面上的正投影可部分重叠或不重叠。
图3是形成图2中的换能器部分的遮罩的示意图。在图3，遮罩是OPC遮罩，包含图案遮罩351及331及遮罩附加部3511、3512、3311及3312。遮罩附加部3511及3512可分别位于图案遮罩351的末端的二转角处，且遮罩附加部3311及3312可分别位于图案遮罩331的末端的二转角处。图案遮罩351及331可分别用以形成伪电极151及电极131，所形成的伪电极151及电极131可具有直角、椭圆、弧形、或其他不规则形状的末端。遮罩附加部3511可用以在伪电极151末端151e的一转角处形成伪凸起部1511。相对于遮罩附加部3511，面积较小的遮罩附加部3512可用以补偿伪电极151末端151e的另一转角的形状，以例如形成直角。因此，遮罩附加部3512可避免伪电极151末端151e的该另一转角处的过度蚀刻。相似地，遮罩附加部3312可用以在电极131末端131e的一转角处形成凸起部1311。相对于遮罩附加部3312，面积较小的遮罩附加部3311可用以补偿电极131末端131e的另一转角的形状，以形成直角。因此，遮罩附加部3311可避免电极131末端131e的该另一转角处的过度蚀刻。在图3所示实施例中，遮罩附加部3511、3512、3311及3312可为矩形，遮罩附加部3511与3312面积实质上相同，且遮罩附加部3512与3311面积实质上相同。但是本发明不限于此，在其他实施例中，遮罩附加部3511、3512、3311及3312的形状可不同，遮罩附加部3511与3312面积可不同，及/或遮罩附加部3512与3311面积可不同。在一些实施例中，图3的遮罩亦可适用于形成电极132-133、凸起部1321-1331、伪电极152-153、伪凸起部1521-1531、电极141-143、凸起部1411-1431、伪电极161-163、伪凸起部1611-1631，在此不加赘述。
在一些实施例中，遮罩附加部3512及3311可从图3的遮罩移除。在另一些实施例中，遮罩可包含其他形状或其他数量的遮罩附加部，用以产生其他形状的凸起部及伪凸起部，进而减小电极131及伪电极151之间的距离。例如，电极131及伪电极151的凸起部及伪凸起部中至少一者可具有复数个方形轮廓、三角形轮廓、或弧形轮廓，如图4至图6所示。在图示的实施例中，凸起部与对应的伪凸起部具有实质上相同的形状，但是本发明不限于此。
图4至6是SAW装置1的其他换能器部分的示意图。图4显示SAW装置1的换能器的电极及伪电极的末端处设置有复数个方形轮廓的凸起部。进一步讲，图中绘示电极131、凸起部4311及4312、伪电极151、及伪凸起部4511至4513。凸起部4311及4312与伪凸起部4511至4513可沿方向D2依序交替设置。凸起部4311及4312及伪凸起部4511至4513可沿方向D1部分重叠或不重叠。在一些实施例中，SAW装置1的换能器的电极部分亦可只包含范围4a。
图5显示SAW装置1的换能器的电极及伪电极的末端处设置有三角形轮廓的凸起部。进一步讲，图中绘示电极131、凸起部5311、伪电极151及伪凸起部5511。凸起部5311与伪凸起部5511可沿方向D2依序交替设置。凸起部5311与伪凸起部5511可沿方向D1部分重叠或不重叠。
图6显示SAW装置1的换能器的电极及伪电极的末端处设置有弧形轮廓的凸起部。进一步讲，图中绘示电极131、凸起部6311、伪电极151及伪凸起部6511。凸起部6311与伪凸起部6511可沿方向D2依序交替设置。凸起部6311与伪凸起部6511可沿方向D1部分重叠或不重叠。
在诸多实施例中，换能器11的母线121及122、电极131至133及电极141至143、及/或伪电极151至153及伪电极161至163的材料可包含金属，其中金属可包含钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)及钨(W)的任意组合。
图7及8是SAW装置1的制造方法的示意图。图7显示压电基板10、焊垫70,72,74、及换能器的电极131至133、141至143。焊垫70、72、74、及换能器的电极131至133、141至143可形成图案化导电层。举例而言，换能器可为图1中的换能器11。焊垫70、焊垫72、及焊垫74可耦接外部电连接。图8另显示桥接层80、连接层82及钝化层84。图9是SAW装置1的制造方法900的流程图。制造方法900包括步骤S902至S912，用以制造SAW装置1。任何合理的步骤改变、顺序或调整都落在本公开内容的范围内。步骤S902至S912例示性解释如下：
步骤S902:提供压电基板；
步骤S904:在压电基板的表面上形成导电层；
步骤S906:利用遮罩使导电层图案化，以形成图案化导电层，图案化导电层包含第一电极及第二电极；
步骤S908:形成第一焊垫、第二焊垫、及桥接层，其中桥接层位于第一焊垫与第二焊垫之间；
步骤S910:形成连接层，其连接第一焊垫与第二焊垫；
步骤S912:形成钝化层，其位于连接层、第一焊垫、第二焊垫、第一电极、及第二电极之上。
以下搭配图7及8例示性的解释制造方法900的步骤S906。在步骤S906中，形成图案化导电层的步骤包含沿着方向D1形成电极131且电极131具有末端131e，以及沿着方向D1形成电极141且电极141具有末端141e，其中电极131与电极141沿方向D2间隔设置。形成图案化导电层的步骤还包括在电极131的末端131e处形成凸起部1311，凸起部1311沿方向D1延伸且不完全覆盖末端131e。此外，在步骤S906，沿方向D1形成伪电极151，伪电极151与电极131对齐且具有伪末端151e，其中末端131e与伪末端151e之间形成第一间隙，及在伪电极151的伪末端151e处形成至少一伪凸起部1511，至少一伪凸起部1511沿方向D1延伸且不完全覆盖伪末端151e，其中至少一凸起部1311及至少一伪凸起部1511沿方向D2间隔设置。
在进一步的实施例中，在步骤S906，所使用的遮罩可包含用以形成电极及/或伪电极的图案遮罩及至少一遮罩附加部。在形成图案化导电层的步骤中，举例而言，至少一遮罩附加部的位置可对应于电极131及/或伪电极151的末端，用以在末端处形成形成凸起部及/或伪凸起部。此外，至少一遮罩附加部亦可用来修正电极131及/或伪电极151的末端的形状。
在一些实施例中，电极131至133、凸起部1311至1331，电极141至143、及凸起部1411至1431可使用遮罩而同时形成，进一步的，伪电极151至153、伪凸起部1511至1533、伪电极161至163、及/或伪凸起部1611至1631亦可同时形成。参考图8，于图案化导电层形成后，接着依序形成桥接层80(S908)、连接层82(S910)及钝化层84(S912)。
制造方法900在间隙中设置凸起部及/或伪凸起部，可减少或消除从电极到伪电极、或从电极到母线的间隙能量泄漏，进而提高SAW装置1的质量因子。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种声波装置，其特征在于，包含：
一压电基板，具有一表面；及
一换能器,设置在该压电基板的该表面上，该换能器包含：
一第一电极，沿着一第一方向延伸，且具有一第一末端；
一第二电极，沿着该第一方向延伸，且具有一第二末端，该第二电极与该第一电极沿一第二方向间隔设置；及
至少一第一凸起部，设置于该第一电极的该第一末端处，该至少一第一凸起部沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第一末端。
2.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中该换能器另包含：
一第一伪电极，沿该第一方向与该第一电极对齐，且具有一第一伪末端，其中该第一末端与该第一伪末端之间形成一第一间隙；及
至少一第一伪凸起部，设置于该第一伪电极的该第一伪末端处，沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第一伪末端,其中该至少一第一凸起部及该至少一第一伪凸起部沿该第二方向间隔设置。
3.如权利要求2所述的声波装置，其特征在于，其中,
该至少一第一凸起部与该至少一第一伪凸起部沿该第二方向依序交替设置。
4.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中该换能器另包含：
至少一第二凸起部，设置于该第二电极的该第二末端处，该至少一第二凸起部沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第二末端。
5.如权利要求4所述的声波装置，其特征在于，其中该换能器另包含：
一第一伪电极，沿该第一方向与该第一电极对齐，且具有一第一伪末端，其中该第一末端与该第一伪末端之间形成一第一间隙；
至少一第一伪凸起部，设置于该第一伪电极的该第一伪末端处，沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第一伪末端；
一第二伪电极，沿该第一方向与该第二电极对齐，且具有一第二伪末端，其中该第二末端与该第二伪末端之间形成一第二间隙；及
至少一第二伪凸起部，设置于该第二伪电极的该第二伪末端处，沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第二伪末端；
其中该至少一第一凸起部及该至少一第一伪凸起部沿该第二方向间隔设置，且至少一该至少一第二凸起部及该至少一第二伪凸起部沿该第二方向间隔设置。
6.如权利要求5所述的声波装置，其特征在于，其中
该至少一第一凸起部与该至少一第一伪凸起部沿该第二方向依序交替设置；及
该至少一第二凸起部与该至少一第二伪凸起部沿该第二方向依序交替设置。
7.如权利要求5所述的声波装置，其特征在于，其中：
该至少一第一凸起部与该第一伪末端在该第一方向的一距离至少为0.3微米；及该至少一第一凸起部与该至少一第一伪凸起部在该第二方向上的一距离至少为0.3微米。
8.如权利要求5所述的声波装置，其特征在于，其中：
该至少一第二凸起部与该第二伪末端在该第一方向的一距离至少为0.3微米；及该至少一第二凸起部与该至少一第二伪凸起部在该第二方向上的一距离至少为0.3微米。
9.如权利要求5所述的声波装置，其特征在于，其中：
该第一电极与该至少一第一凸起部形成一体；
该第二电极与该至少一第二凸起部形成一体；
该至少一第一伪凸起部与该第一伪电极形成一体；或
该至少一第二伪凸起部与该第二伪电极形成一体。
10.如权利要求5所述的声波装置，其特征在于，其中：
该至少一第一凸起部沿该第二方向的尺寸为该第一电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％；
该至少一第二凸起部沿该第二方向的尺寸为该第二电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％；
该至少一第一伪凸起部沿该第二方向的尺寸为该第一伪电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％；或
该至少一第二伪凸起部沿该第二方向的尺寸为该第二伪电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％。
11.如权利要求5所述的声波装置，其特征在于，其中该至少一第一凸起部、该至少一第二凸起部、该至少一第一伪凸起部、该至少一第二伪凸起部其中至少一者具有一方形轮廓、一弧形轮廓、或一三角形轮廓。
12.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中该换能器另包含：
一第一母线，沿该第二方向延伸；及
一第二母线，沿该第二方向延伸；
其中该第一电极从该第一母线沿该第一方向延伸至该第一末端；及
该第二电极从该第二母线沿该第一方向延伸至该第二末端。
13.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中该换能器另包含：
至少一其他第一电极；及
至少一其他第二电极；
其中该第一电极及该至少一其他第一电极，与该第二电极及该至少一其他第二电极沿该第二方向呈叉指设置。
14.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中该第二方向垂直于该第一方向。
15.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中该第一电极的材料及该第二电极的材料包含金属，其中该金属包含钼、铜、铝、金、铂及钨的一任意组合。
16.如权利要求1所述的声波装置，其特征在于，其中：
该至少一第一凸起部沿该第二方向的尺寸为该第一电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％。
17.如权利要求4所述的声波装置，其特征在于，其中：
该至少一第一凸起部沿该第二方向的尺寸为该第一电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％；及
该至少一第二凸起部沿该第二方向的尺寸为该第二电极沿该第二方向的尺寸的5％至50％。
18.一种声波装置的制造方法，其特征在于，包含：
提供一压电基板，该压电基板具有一表面；
在该表面上形成一导电层；及
利用一遮罩使该导电层图案化，以形成一图案化导电层，其中形成该图案化导电层的步骤包含：
沿着一第一方向形成一第一电极，该第一电极具有一第一末端；
在该第一电极的该第一末端处形成至少一第一凸起部，该至少一第一凸起部沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第一末端；及
沿着该第一方向形成一第二电极，该第二电极具有一第二末端，其中该第二电极与该第一电极沿一第二方向间隔设置。
19.如权利要求18所述的声波装置的制造方法，其特征在于，其中：
该遮罩包含：
至少一遮罩附加部，在形成该图案化导电层的步骤中，该遮罩的该至少一遮罩附加部的位置对应于该第一电极的该至少一第一凸起部的位置；
该方法另包含：
形成一第一焊垫；
形成一第二焊垫；
于该第一焊垫及该第二焊垫之间形成一桥接层；
于该第一焊垫、该第二焊垫及该桥接层之上形成一连接层；及
于该连接层、该第一焊垫、该第二焊垫、该第一电极、该第二电极、及该至少一第一凸起部之上形成一钝化层。
20.如权利要求18所述的声波装置的制造方法，其特征在于，其中形成该图案化导电层的步骤包含：
沿该第一方向形成一第一伪电极，该第一伪电极与该第一电极对齐，且具有一第一伪末端，其中该第一末端与该第一伪末端之间形成一第一间隙；及
在该第一伪电极的该第一伪末端处形成至少一第一伪凸起部，该至少一第一伪凸起部沿该第一方向延伸且不完全覆盖该第一伪末端，其中该至少一第一凸起部及该至少一第一伪凸起部沿该第二方向间隔设置。
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