JPS6333852A - 半導体素子の封止構造 - Google Patents

半導体素子の封止構造

Info

Publication number
JPS6333852A
JPS6333852A JP17703486A JP17703486A JPS6333852A JP S6333852 A JPS6333852 A JP S6333852A JP 17703486 A JP17703486 A JP 17703486A JP 17703486 A JP17703486 A JP 17703486A JP S6333852 A JPS6333852 A JP S6333852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
resin
section
peripheral frame
electric circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17703486A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenari Takami
茂成 高見
Tatsuhiko Irie
達彦 入江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP17703486A priority Critical patent/JPS6333852A/ja
Publication of JPS6333852A publication Critical patent/JPS6333852A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、半導体素子の樹脂による封止方法に関する
〔背景技術〕
第6図乃至第8図に示すのはこの種の従来例である。
第6図のように、電気回路基板(1)の搭載部(2)上
に半導体素子(3)をダイボンディングし、該半導体素
子(3)と回路端部(4)をワイヤー(5)によりワイ
ヤボンディングした上で、第7図のようにその上にペレ
ット状の曲脂(6)を載せ、加熱溶融させて第8図のよ
うに半導体素子(3)を被覆するものである。
しかるに上記従来例にあっては、ワイヤー(5)上に直
接樹脂(6)を載せるものであるので、ワイヤー(5)
が断線しやすい、また加熱溶融させてから硬化するまで
の間に樹脂(6)が移動しく流れ)やすく、封止不良が
発生しやすく、かつ封止した樹脂(6)の形状が一定化
しにくいという欠点があった。
〔発明の目的〕
この発明は半導体素子の樹脂封止の完全容易を目的とす
る。
C発明の開示〕 この発明の要旨とするところは電気回路基板(1)の搭
載部(2)上に半導体素子(3)を搭載してワイヤボン
ディングすると共に内周縁に凹段部(8)を形成せる周
囲枠(7)を該搭載部(2)を囲むようにして電気回路
基板(1)上に固定し、ベレット状の樹脂(6)を周囲
枠(7)の凹段部(8)上に周縁部を載せて配置し、該
樹脂(6)を加熱溶融せしめて周囲枠(7)内に溶し込
み半導体素子(3)を封止することを特徴とする半導体
素子の封止構造である。
以下この発明を図示せる実施例に基づいて説明する。
第1図乃至第3図に示すのはこの発明の一実施例である
電気回路基板(1)の搭載部(2)に半導体素子(3)
が搭載され、回路端部(図示せず)とワイヤー(5)に
よりワイヤポンディングされる状態までは従来と同じで
ある。
(7)は、周囲枠で、搭載した半導体素子(3)を囲む
ように電気回路基板(1)上に接着固定される。この周
囲枠(7)の内周縁には凹段部(8)が形成されている
ベレット状の樹脂(6)は、周縁部を凹段部(8)上に
載せて半導体素子(3)上に配置される。
この状態で樹脂(6)はレーザー光線、赤外線を照射す
る等して溶融され、周囲枠(7)内に溶は込み、半導体
素子(3)を封止する。
尚、第4図の如く周囲枠(7)の内周面に1乃至数箇所
切欠部(9)を設けておくか、あるいは第5図の如く、
ベレット状の樹脂(6)の外周面に1乃至数箇所切欠部
(10)を設けておくと、樹脂(6)が周囲枠(7)内
に溶は落ちる際に内部の空気が外へのがれる道となり、
半導体素子(3)の封止が一層容易にできる利点がある
。最後に必要に応じて凹段部(8)上に銘板を兼ねる封
止板(11)をのせてもよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ベレット状の樹脂(6
)を溶は落ちるまで周囲枠(7)が支持しているので、
ワイヤー(5)のに断線が防止でき、また樹脂(6)は
周囲枠(7)内に溶は落ちるので、溶融樹脂(6)は一
定の形状で確実に半導体素子(3)を封止するのである
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図に示すのは、この発明の一実施例を示
す図で、第1図は斜視図、第2図及び第3図は断面図、
第4図及び第5図は各々この発明の異なる一実施例を示
す斜視図である。 第6図乃至第8図は従来例を示す断面図である。 (1)・・・電気回路基板、(2)・・・搭載部、(3
)・・・半導体素子、(4)・・・回路端部、(5)・
・・ワイヤー、(6)・・・樹脂、(7)・・・周囲枠
、(8)・・・凹段部、(9)・・・(10)・・・切
欠部。 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 〔1〕電気回路基板(1)の搭載部(2)上に半導体素
    子(3)を搭載してワイヤボンディングすると共に内周
    縁に凹段部(8)を形成せる周囲枠(7)を該搭載部(
    2)を囲むようにして電気回路基板(1)上に固定し、
    ペレット状の樹脂(6)を周囲枠(7)の凹段部(8)
    上に周縁部をのせて配置し、該樹脂(6)を加熱溶融せ
    しめて周囲枠(7)内に溶し込み半導体素子(3)を封
    止することを特徴とする半導体素子の封止構造。 〔2〕ペレット状の樹脂(6)として外周面に1箇所以
    上の切欠部(10)を有するものを使用することを特徴
    とする第1項記載の半導体素子の封止構造。 〔3〕周囲枠(7)として内周面に1箇所以上の切欠部
    (9)を有するものを使用することを特徴とする第1項
    記載の半導体素子の封止構造。
JP17703486A 1986-07-28 1986-07-28 半導体素子の封止構造 Pending JPS6333852A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17703486A JPS6333852A (ja) 1986-07-28 1986-07-28 半導体素子の封止構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17703486A JPS6333852A (ja) 1986-07-28 1986-07-28 半導体素子の封止構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6333852A true JPS6333852A (ja) 1988-02-13

Family

ID=16023988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17703486A Pending JPS6333852A (ja) 1986-07-28 1986-07-28 半導体素子の封止構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6333852A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260838A (ja) * 1988-04-11 1989-10-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の封止方法
JPH07335680A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Fujitsu Ltd 回路基板及びその製造方法、並びに半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置の封止方法
WO1996027900A1 (fr) * 1995-03-07 1996-09-12 Nitto Denko Corporation Procede de production de dispositif a semi-conducteur et pastille d'etancheite utilisee pour ce procede
JP2009224463A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Denso Corp 樹脂パッケージおよびこれを用いた半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260838A (ja) * 1988-04-11 1989-10-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の封止方法
JPH07335680A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Fujitsu Ltd 回路基板及びその製造方法、並びに半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置の封止方法
WO1996027900A1 (fr) * 1995-03-07 1996-09-12 Nitto Denko Corporation Procede de production de dispositif a semi-conducteur et pastille d'etancheite utilisee pour ce procede
US5976916A (en) * 1995-03-07 1999-11-02 Nitto Denko Corporation Method of producing semiconductor device and encapsulating pellet employed therein
JP2009224463A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Denso Corp 樹脂パッケージおよびこれを用いた半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2647194B2 (ja) 半導体用パッケージの封止方法
KR100263514B1 (ko) 히트싱크를구비한수지밀봉형반도체장치및그의제조방법
JP2972096B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR960019676A (ko) 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법
JPS6333852A (ja) 半導体素子の封止構造
JPH05235228A (ja) 電子部品の製造方法
JPS62241355A (ja) 半導体装置
JP3141634B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型
KR100237912B1 (ko) 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
KR100373891B1 (ko) 반도체장치
JPS5824446Y2 (ja) 半導体装置
JPS6386484A (ja) 光半導体装置の製造方法
JPH07307350A (ja) 半導体リードフレ−ムおよびパッケージ
JPH01133328A (ja) 半導体素子の封止方法
JPH04213864A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6298751A (ja) 樹脂封止用半導体外囲器
JPS6226847A (ja) 気密封止形半導体装置
JPH0340950B2 (ja)
JPH0284760A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH02246143A (ja) リードフレーム
JPH10242366A (ja) 半導体装置
JP2003017629A (ja) 混成集積回路装置
JPS60258942A (ja) 集積回路装置
JPS60223142A (ja) 半導体装置
JPH031835B2 (ja)