JPH02246143A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH02246143A JPH02246143A JP1066912A JP6691289A JPH02246143A JP H02246143 A JPH02246143 A JP H02246143A JP 1066912 A JP1066912 A JP 1066912A JP 6691289 A JP6691289 A JP 6691289A JP H02246143 A JPH02246143 A JP H02246143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- lead frame
- sealing resin
- resin
- thermal stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置を組立てる際に使用され
るリードフレームに関するものである。
るリードフレームに関するものである。
従来のこの種のリードフレームは第2図に示すように構
成されている。
成されている。
第2図は従来のリードフレームを拡大して示す平面図、
第3図は従来のリードフレームを使用して組立てられた
樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。これらの図
において、lはリードフレーム2のフレーム枠、3はこ
のフレーム枠1に吊りリード4を介して支持され、半導
体素子5が搭載されるアイランド、6は前記半導体素子
5にワイヤー7を介して接続されるインナーリード、8
は外部袋R(図示せず)に電気的に接続されるアウター
リードで、これらインナーリード6およびアウターリー
ド8は、樹脂封止時に樹脂の流れ止めとなるタイバー9
を介して前記フレーム枠1に連結されている。lOは半
導体素子5を前記アイランド3に接合するための接着剤
、Ifは前記半導体素子5を保護するための封止樹脂で
ある。
第3図は従来のリードフレームを使用して組立てられた
樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。これらの図
において、lはリードフレーム2のフレーム枠、3はこ
のフレーム枠1に吊りリード4を介して支持され、半導
体素子5が搭載されるアイランド、6は前記半導体素子
5にワイヤー7を介して接続されるインナーリード、8
は外部袋R(図示せず)に電気的に接続されるアウター
リードで、これらインナーリード6およびアウターリー
ド8は、樹脂封止時に樹脂の流れ止めとなるタイバー9
を介して前記フレーム枠1に連結されている。lOは半
導体素子5を前記アイランド3に接合するための接着剤
、Ifは前記半導体素子5を保護するための封止樹脂で
ある。
このように構成された従来のリードフレーム2を使用し
て半導体装置を組立てるには、先ず、アイランド3上に
接着剤10によって半導体素子5を搭載し、この半導体
素子5とインナーリード6とをワイヤー7によって電気
的に接続させる。そして、このリードフレーム2を樹脂
封止用モールド金型(図示せず)内に型締めし、このモ
ールド金型内に加熱溶融された封止樹脂を注入する。樹
脂が硬化した後、リードフレーム2をモールド金型から
取り出し、吊りリード4.アウターリード8およびタイ
バー9を切断することによってリードフレーム2から樹
脂封止後の半導体装置を分断させる。しかる後、第3図
に示すように、アウターリード8を所定形状に成形して
組立てが終了する。
て半導体装置を組立てるには、先ず、アイランド3上に
接着剤10によって半導体素子5を搭載し、この半導体
素子5とインナーリード6とをワイヤー7によって電気
的に接続させる。そして、このリードフレーム2を樹脂
封止用モールド金型(図示せず)内に型締めし、このモ
ールド金型内に加熱溶融された封止樹脂を注入する。樹
脂が硬化した後、リードフレーム2をモールド金型から
取り出し、吊りリード4.アウターリード8およびタイ
バー9を切断することによってリードフレーム2から樹
脂封止後の半導体装置を分断させる。しかる後、第3図
に示すように、アウターリード8を所定形状に成形して
組立てが終了する。
このようにして組立てられた樹脂封止型半導体装置は、
半田付は等によってプリント基板(図示せず)に実装さ
れ、アウターリード8を介して外部機器(図示せず)等
に対する信号の授受が行われる。
半田付は等によってプリント基板(図示せず)に実装さ
れ、アウターリード8を介して外部機器(図示せず)等
に対する信号の授受が行われる。
しかるに、このように構成された従来の樹脂封止型半導
体装置においては、封止樹脂11とリードフレーム2と
では熱膨張率が異なるため、実装時に加えられる熱によ
って封止樹脂11に熱応力が生じる。この熱応力が封止
樹脂11におけるアイランド3の角部3aと対応する部
位に集中されやすく、この部分を起点として封止樹脂ク
ランクが発生しやすいという問題があった。また、上述
した熱膨張率の違いによってアイランド3と封止樹脂1
1との接着界面が剥離されることもあった。
体装置においては、封止樹脂11とリードフレーム2と
では熱膨張率が異なるため、実装時に加えられる熱によ
って封止樹脂11に熱応力が生じる。この熱応力が封止
樹脂11におけるアイランド3の角部3aと対応する部
位に集中されやすく、この部分を起点として封止樹脂ク
ランクが発生しやすいという問題があった。また、上述
した熱膨張率の違いによってアイランド3と封止樹脂1
1との接着界面が剥離されることもあった。
本発明に係るリードフレームは、アイランドの側面に起
伏を形成することによってアイランドに緩衝片を複数並
設したものである。
伏を形成することによってアイランドに緩衝片を複数並
設したものである。
アイランドと封止樹脂との熱膨張率の違いによって生じ
る熱応力は一点に集中されることなく各緩衝片によって
分散されることになり、しかも、緩衝片によって熱応力
が緩和されるからアイランドと封止樹脂との接着面が剥
離されにくくなる。
る熱応力は一点に集中されることなく各緩衝片によって
分散されることになり、しかも、緩衝片によって熱応力
が緩和されるからアイランドと封止樹脂との接着面が剥
離されにくくなる。
以下、本発明の一実施例を第1図によって詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明に係るリードフレームを示す平面図で、
同図において前記第2図および第3図で説明したものと
同一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここ
において詳細な説明は省略する。第1図において、21
はアイランドで、このアイランド21は吊りリード4を
介してフレーム枠1に支持されており、このアイランド
21の外周部には、アイランド21の側面と直交する方
向に沿って外方へ突出された緩衝片22と、同じく内方
へ窪まされた凹部23とが等間隔おいて複数並設されて
いる。また、この緩衝片22および凹部23はリードフ
レーム2の成形時にアイランド3と共に形成され、緩衝
片22とアイランド21とは一体に形成されている。
同図において前記第2図および第3図で説明したものと
同一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここ
において詳細な説明は省略する。第1図において、21
はアイランドで、このアイランド21は吊りリード4を
介してフレーム枠1に支持されており、このアイランド
21の外周部には、アイランド21の側面と直交する方
向に沿って外方へ突出された緩衝片22と、同じく内方
へ窪まされた凹部23とが等間隔おいて複数並設されて
いる。また、この緩衝片22および凹部23はリードフ
レーム2の成形時にアイランド3と共に形成され、緩衝
片22とアイランド21とは一体に形成されている。
このように構成されたリードフレームにおいてもアイラ
ンド21上に半導体素子(図示せず)を接合し、半導体
素子とインナーリード6をワイヤーによって接続した後
に樹脂封止され、従来と同様にして樹脂封止型半導体装
置が組立てられる。そして、この樹脂封止型半導体装置
をプリント基板(図示せず)等に実装する際に外部から
熱が加えられると、アイランド21と封止樹脂(図示せ
ず)との熱膨張率の違いによって生じる熱応力は一点に
集中されることなく各緩衝片22によって分散されるこ
とになる。したがって、熱応力によって封止樹脂クラッ
クが発生するのを抑えることができ、しかも、緩衝片2
2が僅かに撓むことによって熱応力が緩和されるから、
封止樹脂をアイランド21から剥離されにくくすること
ができる。
ンド21上に半導体素子(図示せず)を接合し、半導体
素子とインナーリード6をワイヤーによって接続した後
に樹脂封止され、従来と同様にして樹脂封止型半導体装
置が組立てられる。そして、この樹脂封止型半導体装置
をプリント基板(図示せず)等に実装する際に外部から
熱が加えられると、アイランド21と封止樹脂(図示せ
ず)との熱膨張率の違いによって生じる熱応力は一点に
集中されることなく各緩衝片22によって分散されるこ
とになる。したがって、熱応力によって封止樹脂クラッ
クが発生するのを抑えることができ、しかも、緩衝片2
2が僅かに撓むことによって熱応力が緩和されるから、
封止樹脂をアイランド21から剥離されにくくすること
ができる。
上述した本発明の樹脂封止型半導体装置と従来のリード
フレームを使用して組立てられた樹脂封止型半導体装置
とにおける封止樹脂クラックの発生率の違いを表1に示
す。
フレームを使用して組立てられた樹脂封止型半導体装置
とにおける封止樹脂クラックの発生率の違いを表1に示
す。
表1
表1で示した樹脂封止型半導体装置としては表面実装型
半導体装置として代表的な5OP(SIlall 0u
tline Package)を使用した。また、評価
結果は、前記半導体装置を85℃、85χR,Hの環境
に72時間装置し、次いで、266℃の溶融半田槽内に
30秒全体浸漬を行った後のアイランドエツジからの封
止樹脂のクラックを調査したものである。
半導体装置として代表的な5OP(SIlall 0u
tline Package)を使用した。また、評価
結果は、前記半導体装置を85℃、85χR,Hの環境
に72時間装置し、次いで、266℃の溶融半田槽内に
30秒全体浸漬を行った後のアイランドエツジからの封
止樹脂のクラックを調査したものである。
なお、上記実施例ではアイランド21の側部に緩衝片2
2と凹部23とを設けた例を示したが、本発明はこのよ
うな限定にとられれることなく、アイランド21の側部
に凹部のみを複数並設したり、凸部のみを複数並設した
りしてもよく、上記実施例と同等の効果が得られる。ま
た、アイランド21の側部に凹凸を設ける際には、凹凸
形状部の寸法はできる限り小さく設定する方が効果的で
ある。
2と凹部23とを設けた例を示したが、本発明はこのよ
うな限定にとられれることなく、アイランド21の側部
に凹部のみを複数並設したり、凸部のみを複数並設した
りしてもよく、上記実施例と同等の効果が得られる。ま
た、アイランド21の側部に凹凸を設ける際には、凹凸
形状部の寸法はできる限り小さく設定する方が効果的で
ある。
以上説明したように本発明に係るリードフレームは、ア
イランドの側面に起伏を形成することによってアイラン
ドに緩衝片を複数並設したため、アイランドと封止樹脂
との熱膨張率の違いによって生じる熱応力は一点に集中
されることな(各緩衝片によって分散されることになる
。したがって、熱応力によって封止樹脂にクラックが生
じるのを防止することができ、しかも、緩衝片によって
熱応力が緩和されアイランドと封止樹脂との接着面が剥
離されにくくなるか、ら、本発明に係るリードフレーム
を使用すると信顛性の高い半導体装置が得られる。
イランドの側面に起伏を形成することによってアイラン
ドに緩衝片を複数並設したため、アイランドと封止樹脂
との熱膨張率の違いによって生じる熱応力は一点に集中
されることな(各緩衝片によって分散されることになる
。したがって、熱応力によって封止樹脂にクラックが生
じるのを防止することができ、しかも、緩衝片によって
熱応力が緩和されアイランドと封止樹脂との接着面が剥
離されにくくなるか、ら、本発明に係るリードフレーム
を使用すると信顛性の高い半導体装置が得られる。
第1図は本発明に係るリードフレームを示す平面図、第
2図は従来のリードフレームを拡大して示す平面図、第
3図は従来のリードフレームを使用して組立てられた樹
脂封止型半導体装置を示す断面図である。 2・・・・リードフレーム、21・・・・アイランド、
22・・・・緩衝片。
2図は従来のリードフレームを拡大して示す平面図、第
3図は従来のリードフレームを使用して組立てられた樹
脂封止型半導体装置を示す断面図である。 2・・・・リードフレーム、21・・・・アイランド、
22・・・・緩衝片。
Claims (1)
- 半導体素子が接合されるアイランドを有し、封止樹脂
がモールド成形されるリードフレームにおいて、前記ア
イランドの側面に起伏を形成することによってアイラン
ドに緩衝片を複数並設したことを特徴とするリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1066912A JPH02246143A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1066912A JPH02246143A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02246143A true JPH02246143A (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=13329654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1066912A Pending JPH02246143A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02246143A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161911A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5844306A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Die pad structure for solder bonding |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1066912A patent/JPH02246143A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161911A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5844306A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Die pad structure for solder bonding |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6541856B2 (en) | Thermally enhanced high density semiconductor package | |
JPH0582977B2 (ja) | ||
JPH02246143A (ja) | リードフレーム | |
JPS6223097Y2 (ja) | ||
JP2634249B2 (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
JPH0964266A (ja) | リードフレーム | |
US5256903A (en) | Plastic encapsulated semiconductor device | |
JP2589520B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH05315540A (ja) | 半導体装置 | |
JPH07201928A (ja) | フィルムキャリア及び半導体装置 | |
JPH0346358A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
KR100198312B1 (ko) | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
JPH02253650A (ja) | リードフレーム | |
KR100351038B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR0155441B1 (ko) | 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지 | |
KR200331874Y1 (ko) | 반도체의다핀형태패키지 | |
JPH03255655A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR200186000Y1 (ko) | 반도체 리드프레임 탑재판 구조 | |
JPH09134929A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いるモールド装置ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 | |
JP2665076B2 (ja) | リードフレーム | |
JPH04102359A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH02139954A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPH1126680A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 |