JPH04213864A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH04213864A
JPH04213864A JP40145790A JP40145790A JPH04213864A JP H04213864 A JPH04213864 A JP H04213864A JP 40145790 A JP40145790 A JP 40145790A JP 40145790 A JP40145790 A JP 40145790A JP H04213864 A JPH04213864 A JP H04213864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
bonding wire
semiconductor device
island
sealed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP40145790A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoyuki Murai
村井 直幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP40145790A priority Critical patent/JPH04213864A/ja
Publication of JPH04213864A publication Critical patent/JPH04213864A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にその樹脂封止部の内部構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は図2に示
すように、樹脂封止部内における半導体装置用リードフ
レームはアイランド1および内部リード2とからなり、
アイランド1に搭載された半導体ペレット6と、内部リ
ード2の先端をボンディングワイヤー4で結線した後に
樹脂封止部7により樹脂封止された構造となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、半導体ペレット6と内部リード2先端
とを結線するボンディングワイヤー4が、ペレット面と
内部リード先端面のみで固定されているだけなので、樹
脂封止を行う際にボンディングワイヤーが流されやすい
という欠点があった。
【0004】本発明の目的は、樹脂封止を行う際にボン
ディングワイヤーの流れを防止できる樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体装置用リードフレームのアイランドの
周囲にアイランドおよび内部リードよりも低く窪んだ樹
脂固定用平面部を有し、この樹脂固定用平面部上にボン
ディングワイヤー固定用の樹脂をポッティングし、ボン
ディングワイヤーの一部がこの樹脂に埋めこまれた状態
でボンディングされた後に樹脂封止された構造となって
いる。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1(a)は本発明の一実施例を説明するための半導
体装置用リードフレームの平面図、図1(b)は本発明
の一実施例である樹脂封止型半導体装置の断面図である
【0007】アイランド1の周囲にアイランド1および
内部リード2よりも低く窪んだ樹脂固定用平面部3を設
け、この平面部3にボンディングワイヤー固定用の樹脂
5としてチクソトロピーの高いシリコン樹脂をポッティ
ングしている。
【0008】次にアイランド上の半導体ペレットと内部
リードの先端とを結線する際、ボンディングワイヤー4
の一部がボンディングワイヤー固定用の樹脂5に埋めこ
まれた状態で固定する様にボンディングされた後エポキ
シ樹脂による封止が行なわれる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アイラン
ドの周囲にアイランドおよび内部リードよりも低く窪ん
だ樹脂固定用平面部を有し、この平面部にボンティング
ワイヤー固定用の樹脂をポッティングし、ボンディング
ワイヤーの一部がこの樹脂に埋めこまれた状態で固定さ
れる様にボンディングされた後にエポキシ樹脂により樹
脂封止するので、樹脂封止の際のボンディングワイヤー
の流れを防止できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に使用する半導体装置用リー
ドフレームの平面図及び縦断面図である。
【図2】従来の半導体装置用リードフレームの平面図及
び縦断面図である。
【符号の説明】
1    アイランド 2    内部リード 3    樹脂固定用平面部 4    ボンディングワイヤー 5    ボンディングワイヤー固定用樹脂6    
半導体ペレット 7    樹脂封止部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  アイランド周辺部に前記アイランドお
    よび内部リードよりも低く窪んだ樹脂固定用平面部と、
    この樹脂固定用平面部上に設けられたボンディングワイ
    ヤー固定用の樹脂と、一部がこの樹脂に埋めこまれた状
    態でボンディングされたボンディングワイヤーとを有す
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP40145790A 1990-12-12 1990-12-12 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH04213864A (ja)

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JP40145790A JPH04213864A (ja) 1990-12-12 1990-12-12 樹脂封止型半導体装置

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JP40145790A JPH04213864A (ja) 1990-12-12 1990-12-12 樹脂封止型半導体装置

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JPH04213864A true JPH04213864A (ja) 1992-08-04

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5736792A (en) * 1995-08-30 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Method of protecting bond wires during molding and handling
US6037652A (en) * 1997-05-29 2000-03-14 Nec Corporation Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same
US6818968B1 (en) * 2000-10-12 2004-11-16 Altera Corporation Integrated circuit package and process for forming the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5736792A (en) * 1995-08-30 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Method of protecting bond wires during molding and handling
US6037652A (en) * 1997-05-29 2000-03-14 Nec Corporation Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same
US6818968B1 (en) * 2000-10-12 2004-11-16 Altera Corporation Integrated circuit package and process for forming the same

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