JPH0739237Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0739237Y2
JPH0739237Y2 JP1989147959U JP14795989U JPH0739237Y2 JP H0739237 Y2 JPH0739237 Y2 JP H0739237Y2 JP 1989147959 U JP1989147959 U JP 1989147959U JP 14795989 U JP14795989 U JP 14795989U JP H0739237 Y2 JPH0739237 Y2 JP H0739237Y2
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JP
Japan
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resin
external connection
lead
connection lead
semiconductor device
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JP1989147959U
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JPH0385650U (ja
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勉 青野
寿男 佐藤
貴義 西
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案はリードへの応力印加による樹脂封止の割れ、欠
けを防止できる半導体装置に関する。
(ロ)従来の技術 従来の半導体装置は第2図に示す如く、素子を形成した
半導体チップ(1)と、チップ(1)を固着するアイラ
ンド(2)と、チップ(1)を含む主要部をモールドす
る封止樹脂(3)と、外部接続用の外部接続リード
(4)と、チップ(1)の電極とリード(4)とを接続
するワイヤ(5)とから成る。
このような装置の外形形状は、主に搭載される素子の種
類や耐圧等に応じて種々用意されており、例えばTO-3,T
O-126,TO-220等があげられる。
また、隣接するリード(4)間でフラックス残さ等によ
るリーク電流防止を目的として第2図の如く樹脂に凹溝
(6)を設けた例が例えば実開昭61-171255号に記載さ
れている。
(ハ)考案が解決しようとする課題 しかしながら、従来の半導体装置は、組立後外部接続リ
ード(4)に横方向の力が加わった場合、そのモーメン
トが直に樹脂(3)に加わる為、樹脂(3)に割れや欠
けが発生する欠点があった。
また、リーク防止の凹溝(6)を設けた形状では、リー
ド(4)の根元部分で樹脂(3)が薄いために特に割れ
や欠け(7)が発生し易い欠点があった。
(ニ)課題を解決するための手段 本考案は上記従来の欠点に鑑み成されたもので、樹脂
(13)の端面において、樹脂(13)内部の外部接続リー
ド(14)のリード幅を、外部に導出された外部接続リー
ド(14)のリード幅より幅狭とすることにより、樹脂
(13)の割れ、欠けを防止できる半導体装置を提供する
ものである。
(ホ)作用 本考案によれば、幅狭の部分を設けたことにより幅狭の
部分と幅広の部分との境界部分で折り曲げ強度が弱くな
るので、外部接続リード(14)に加わる応力は、外部接
続リード(14)が樹脂(13)の端面付近で折れ曲がるこ
とによって吸収される。そのため、樹脂(13)に余分な
力が加わることが無い。
(ヘ)実施例 以下に本考案の一実施例を図面を参照しながら詳細に説
明する。
第1図において、(11)は内部に半導体チップ(12)を
樹脂(13)で封止した装置本体、(14)は装置本体(1
1)から外部に導出された外部接続リードである。半導
体チップ(12)の表面には選択拡散等の技術によってト
ランジスタ等の素子が作り込まれ、且つ図示せぬアルミ
電極パッドが配設されている。その半導体チップ(12)
は、リードフレームのアイランド(15)表面に半田等で
ロウ付けされる。前記半導体チップ(12)の電極パッド
は、直径50φ程度の金線やAl線等のワイヤ(16)によっ
て外部接続リード(14)と電気接続が成され、これらの
チップ(12)とワイヤ(16)を含み主要部を熱硬化性エ
ポキシ材料から成る樹脂(13)がモールドする。外部接
続リード(14)の先端部は樹脂(13)からの抜け防止の
為に拡張されており、トランジスタの例では夫々がエミ
ッタ、コレクタ、ベースに対応する。
外部接続リード(14)は、樹脂封止されることで樹脂
(13)の内部に延在する部分と、樹脂(13)の外部に延
在する部分とに別れる。そして、樹脂(13)の端面付近
に外部に延在する外部接続リード(13)のリード幅より
も狭い幅狭部(17)を設ける。幅狭部(17)が樹脂(1
3)の外部に露出しても良いが幅広部(18)が樹脂(1
3)に埋没してはならない。また、幅狭部(17)と幅広
部(18)との境界線が樹脂(13)の境界と一致するよう
にモールドすれば、外形形状は全く変わらないので金型
等の設計変更が不要である。
斯る構成によれば、外部接続リード(14)に幅狭部(1
7)を設けたので、リード(14)に横方向への外力が加
わると、その力は幅広部(18)と幅狭部(17)の境界部
分に集中し、第1図に示すように外部接続リード(14)
が前記境界部分で折れ曲がることで前記外力を吸収す
る。従って、リード(14)が変形することで外力を吸収
するので、相対的に樹脂(13)に加わる応力が小さくな
り、樹脂(13)の割れや欠けを防止できる。
また、第1図のように隣接する外部接続リード(14)間
に凹溝(19)を有するものでも、外部に延在するリード
(14)が外力を吸収するので、薄肉部(20)に加わるモ
ーメントが小さくなり、割れや欠けを防止できる。
(ト)考案の効果 以上に説明した通り、本考案によれば外部接続リード
(14)のうち樹脂(13)の外側に延在する部分で応力を
吸収するような構造としたので、相対的に樹脂(13)に
加わる応力を減少でき、従って樹脂(13)の割れや欠け
を防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案を説明するための平面図、第2図は従来
例を説明するための平面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−214545(JP,A) 実開 昭63−127137(JP,U) 実開 昭51−136057(JP,U)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを樹脂封止した装置本体と、
    一端が本体の樹脂内部に封止され他端が前記装置本体か
    ら複数本平行に外部に導出された外部接続リードと、隣
    接する外部接続リード間の樹脂端面に位置する凹溝とを
    具備する半導体装置において、 前記リードは前記樹脂の端面付近から幅が狭く成ってお
    り且つ前記幅の狭い部分が前記凹溝の深さより長く樹脂
    内部に延在する事を特徴とする半導体装置。
JP1989147959U 1989-12-21 1989-12-21 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0739237Y2 (ja)

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JPH0385650U JPH0385650U (ja) 1991-08-29
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5434551Y2 (ja) * 1975-04-22 1979-10-22
JPS61214545A (ja) * 1985-03-20 1986-09-24 Toshiba Corp 半導体装置
JPS63127137U (ja) * 1987-02-09 1988-08-19

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JPH0385650U (ja) 1991-08-29

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