JPH031835B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH031835B2 JPH031835B2 JP59086825A JP8682584A JPH031835B2 JP H031835 B2 JPH031835 B2 JP H031835B2 JP 59086825 A JP59086825 A JP 59086825A JP 8682584 A JP8682584 A JP 8682584A JP H031835 B2 JPH031835 B2 JP H031835B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- ceramic substrate
- recess
- heat sink
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体素子をキヤツプにより封止
してなる半導体装置に関するものである。
してなる半導体装置に関するものである。
従来この種の半導体装置として第１図及び第２
図に示すものがあり、第１図はその斜視図、第２
図はその断面図である。図において、２は銅等か
らなる放熱板であり、該放熱板２には、半導体素
子（図示せず）等を搭載したセラミツク基板４が
半田等で接着されている。３は外部リードであ
り、これは上記セラミツク基板４の所定位置に半
田付けにより接着され、これらにより半完成品が
形成されている。そして上記半完成品の封止を行
うため、エポキシ等からなるキヤツプ１が接着剤
５により放熱板２上に取り付けられている。
図に示すものがあり、第１図はその斜視図、第２
図はその断面図である。図において、２は銅等か
らなる放熱板であり、該放熱板２には、半導体素
子（図示せず）等を搭載したセラミツク基板４が
半田等で接着されている。３は外部リードであ
り、これは上記セラミツク基板４の所定位置に半
田付けにより接着され、これらにより半完成品が
形成されている。そして上記半完成品の封止を行
うため、エポキシ等からなるキヤツプ１が接着剤
５により放熱板２上に取り付けられている。
この従来装置において、キヤツプ１で封止を行
なうには、キヤツプ１の下面周縁に例えばシリコ
ン接着剤５を塗布し、これを放熱板２の所定位置
に固定し、この状態で恒温槽でキユアを例えば
150℃で２時間行い、これにより接着しなければ
ならない。
なうには、キヤツプ１の下面周縁に例えばシリコ
ン接着剤５を塗布し、これを放熱板２の所定位置
に固定し、この状態で恒温槽でキユアを例えば
150℃で２時間行い、これにより接着しなければ
ならない。
しかしこのような接着作業では、接着剤５の量
を一定にすること及びキユア時の加圧力を一定に
することが難しく、そのため上記従来装置では十
分な接着強度が得られず、キヤツプ１が離脱する
等のトラブルが発生するという問題があつた。ま
たこの作業には熟練者がかなりの時間をかけなけ
ればならず、製造コストも高くなつていた。
を一定にすること及びキユア時の加圧力を一定に
することが難しく、そのため上記従来装置では十
分な接着強度が得られず、キヤツプ１が離脱する
等のトラブルが発生するという問題があつた。ま
たこの作業には熟練者がかなりの時間をかけなけ
ればならず、製造コストも高くなつていた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、弾性のある材質か
らなるキヤツプの内周面に凹部を設け、該凹部に
表面に半導体素子を搭載し、裏面に基板よりも小
さい放熱板を接着してなるセラミツク基板の周縁
部を嵌合させることにより信頼性を向上でき、か
つ作業工程を合理化できる半導体装置を提供する
ことを目的としている。
去するためになされたもので、弾性のある材質か
らなるキヤツプの内周面に凹部を設け、該凹部に
表面に半導体素子を搭載し、裏面に基板よりも小
さい放熱板を接着してなるセラミツク基板の周縁
部を嵌合させることにより信頼性を向上でき、か
つ作業工程を合理化できる半導体装置を提供する
ことを目的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第３図及び第４図は本発明の一実施例を示し、
図において、７は銅等から成る放熱板であり、該
放熱板７には半導体素子（図示せず）等を搭載し
たセラミツク基板４が半田等で接着されている。
３は外部リードであり、これは上記セラミツク基
板４の所定位置に半田付けされ、これらにより半
完成品が形成されている。上記半完成品の封止を
行うため本実施例では、キヤツプ６の内壁に凹部
８を設け、該凹部８にセラミツク基板４の周縁部
を強制的に嵌合せしめている。そしてこの嵌合を
容易になすためキヤツプ６の材質は、PBT等の
弾性のあるものが使用されており、また放熱板７
はセラミツク基板４より小さな寸法に形成されて
いる。
図において、７は銅等から成る放熱板であり、該
放熱板７には半導体素子（図示せず）等を搭載し
たセラミツク基板４が半田等で接着されている。
３は外部リードであり、これは上記セラミツク基
板４の所定位置に半田付けされ、これらにより半
完成品が形成されている。上記半完成品の封止を
行うため本実施例では、キヤツプ６の内壁に凹部
８を設け、該凹部８にセラミツク基板４の周縁部
を強制的に嵌合せしめている。そしてこの嵌合を
容易になすためキヤツプ６の材質は、PBT等の
弾性のあるものが使用されており、また放熱板７
はセラミツク基板４より小さな寸法に形成されて
いる。
このように本実施例では、キヤツプ６を弾性の
ある材質からなり周縁部に凹部を有するものと
し、該凹部に素子を搭載したセラミツク基板４を
嵌合させるようにしたので、従来のように接着不
良によりキヤツプ６がはずれるのを防止できると
ともに、簡単に単時間で封止を行うことができ、
製造コストを低減できる。また、さらには封止後
にもキヤツプ６から基板４を取り外し可能である
ので、必要に応じて素子の状態を検査できる。ま
た、基板４下には基板４のサイズよりも小さな放
熱板７を設けたので、搬送に際して放熱板の損傷
を防止できる。
ある材質からなり周縁部に凹部を有するものと
し、該凹部に素子を搭載したセラミツク基板４を
嵌合させるようにしたので、従来のように接着不
良によりキヤツプ６がはずれるのを防止できると
ともに、簡単に単時間で封止を行うことができ、
製造コストを低減できる。また、さらには封止後
にもキヤツプ６から基板４を取り外し可能である
ので、必要に応じて素子の状態を検査できる。ま
た、基板４下には基板４のサイズよりも小さな放
熱板７を設けたので、搬送に際して放熱板の損傷
を防止できる。
以上のように本発明にかかる半導体装置によれ
ば、キヤツプの内周面に凹部を設け、該凹部にセ
ラミツク基板を強制的にはめ込んで機械的に固定
するようにしたので、接着不良等が発生すること
はなく、信頼性を向上できる効果があり、また接
着作業が不要となつて簡単かつ短時間に封止でき
るためコストを低減できる効果がある。
ば、キヤツプの内周面に凹部を設け、該凹部にセ
ラミツク基板を強制的にはめ込んで機械的に固定
するようにしたので、接着不良等が発生すること
はなく、信頼性を向上できる効果があり、また接
着作業が不要となつて簡単かつ短時間に封止でき
るためコストを低減できる効果がある。
第１図は従来の半導体装置の斜視図、第２図は
その断面図、第３図はこの発明の一実施例による
半導体装置の斜視図、第４図ａはその断面図、第
４図ｂはその一部拡大断面図である。 ４はセラミツク基板、６はキヤツプ、８はキヤ
ツプ内面の凹部である。なお図中同一符号は同一
又は相当部分を示す。
その断面図、第３図はこの発明の一実施例による
半導体装置の斜視図、第４図ａはその断面図、第
４図ｂはその一部拡大断面図である。 ４はセラミツク基板、６はキヤツプ、８はキヤ
ツプ内面の凹部である。なお図中同一符号は同一
又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板上に搭載した半導体素子をキ
ヤツプにより封止してなる半導体装置において、 上記キヤツプは、弾力性のある材質からなると
ともにその内周面に凹部を有するものであり、 上記セラミツク基板は、上記半導体素子をその
表面に搭載するとともに、その裏面に該セラミツ
ク基板よりも小さい寸法の放熱板を備えたもので
あり、 上記半導体素子の封止は、上記セラミツク基板
の周縁部を上記キヤツプの凹部に嵌合して固定す
ることにより行うものであることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086825A JPS60231341A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086825A JPS60231341A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231341A JPS60231341A (ja) | 1985-11-16 |
| JPH031835B2 true JPH031835B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=13897585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59086825A Granted JPS60231341A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231341A (ja) |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59086825A patent/JPS60231341A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60231341A (ja) | 1985-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2647194B2 (ja) | 半導体用パッケージの封止方法 | |
| KR100220154B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조방법 | |
| JPH03136355A (ja) | ヒートシンク付半導体装置 | |
| JPH03151666A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH031835B2 (ja) | ||
| JPS6223097Y2 (ja) | ||
| JPS61267363A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS6223096Y2 (ja) | ||
| JPS6360533B2 (ja) | ||
| JPS6333852A (ja) | 半導体素子の封止構造 | |
| JPH0714946A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のパッケージ組立構造 | |
| JPH0536861A (ja) | 半導体デバイス | |
| JPS6218737A (ja) | 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ | |
| KR200161954Y1 (ko) | 범프가 있는 패키지 | |
| JPS63248155A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63236353A (ja) | 半導体装置 | |
| KR200152651Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| JP2000150763A (ja) | リードフレームおよびリードフレームを用いた半導体装置 | |
| KR100198312B1 (ko) | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
| JPH04113658A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0575009A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 | |
| JPS6236287Y2 (ja) | ||
| JPS639372B2 (ja) | ||
| JPH08306744A (ja) | 電子部品 | |
| JPH04303948A (ja) | ガラスパッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |