JPS6226847A - 気密封止形半導体装置 - Google Patents

気密封止形半導体装置

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Publication number
JPS6226847A
JPS6226847A JP16646985A JP16646985A JPS6226847A JP S6226847 A JPS6226847 A JP S6226847A JP 16646985 A JP16646985 A JP 16646985A JP 16646985 A JP16646985 A JP 16646985A JP S6226847 A JPS6226847 A JP S6226847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor element
hermetically sealed
radiating plate
resin case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16646985A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruo Wakano
輝男 若野
Akira Konishi
小西 昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
I Pex Inc
Original Assignee
Dai Ichi Seiko Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6226847A publication Critical patent/JPS6226847A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/18Circuits for erasing optically

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置、特に半導体素子を樹脂製容器内に
気密封止する半導体装置に係る。
〔技術の背景」 従来リードベース又はリードレスペースに半導体素子を
搭載し、それを封止する半導体装置は特をζEP−RO
M等においてセラミック容器封止が主流であった。該セ
ラミック製品は耐湿耐熱特性、耐候性試験特性などに優
れ、耐用年数にも優れているが、一方ではセラミンク製
品は製造費用が一般的に高価であシ、製造原価の低減又
は削減という改善を必要としていた。
近年、このセラミック製品よシも製造原価の安価な樹脂
封止の半導体装置が市販される様になってきた。この樹
脂製容器内に収納された気密封止形の半導体装置、特に
EP−ROM製法が重要と・枠った。
〔背景技術の問題点〕
本発明者は特開昭60−115248で気密封止形半導
体装置及びその製造方法に係る発明で前記の樹脂製容器
を用いた気密封止形半導体装置を提案した。上記発明に
おいて半導体装置の放熱特性に関してはセラミック製品
1こ劣るという欠点があシ、半導体素子からの放熱特性
を向上させる為の改善が必要であった。
〔発明の目的〕
本発明は、前記述の松脂製容器が有する放熱特性の欠点
を、樹脂製容器内部に放熱板を埋設する事で解決し、放
熱特性の優れた半導体装置を提供する事を発明の目的と
する。
〔発明の概容〕
本発明による半導体装置は半導体素子を内部に収納する
気密封圧形の樹脂製容器と、該容器内部に埋設されて半
導体素子と結線される内部リードと、半導体素子からの
熱を外部へ放熱する放熱板などで構成される気密封止形
半導体装置に関し、絶縁材を介して内部リードに接合し
た放熱板を埋設する気密封止形の樹脂装着器に収納され
九気密封圧形半導体装置に係る。
〔発明の実施例〕
第1図は本発明の実施例の一例を説明するEP−ROM
斜視図及び第2図はその断面図であp、第3図は他の製
品での本発明による実施例の断面図である。
第1図及び第2図において、囮詣密封された気密封止形
半導体装置fl+に関し、中央部の開口部(2)の底面
部に半導体素子(3)が搭載され、その周辺部の内部リ
ード(4)の先端と金線(5)で内部結線されている。
半導体素子(3)が放熱板(6)上の凹部に固着搭載さ
れている為に熱は外部へ放熱できる構成であシ、放熱板
(6)は図示の増に突出部(7)及び開口部(2)の底
面部の半導体素子搭載部を除いて樹脂製容器(8)内(
こ埋設されている。また内部リード(4)と放熱板(6
)とは絶、ゴ性接着剤(9)によって固着され、または
溶着によって固定される。
樹脂製容器(8)の関口部(2)はガラス袈の窓を育す
葛絶縁性ふた叫で気密封着され、内部の半導体素子(3
)を気密収納する。
上記の実施例とは別の実施列を第3図で説明する。放熱
板(12)は内部リード(喝に絶縁性接着膜(1(1)
を介して@着して固定し、外周部Q6)を樹脂製容器角
に埋設し、その中央部に半導体素子O乃を搭載している
。樹脂製容器(16)に埋設される放熱板0匂は気密封
止性能の向上の為、樹脂製容器OQと放熱板(I2)の
接合部周辺をエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの
耐熱耐湿性樹脂を塗布する事で19 、@ Qg)を形
成させ、気密封止性能を向上させてもよい。
〔発明の効果〕
前記の様に、本発明によれば半導体素子を内部iζ収納
する気密封止形の樹脂製容器と、該容器内部に埋設され
て半導体素子と結線される内部リードと、半導体素子か
らの熱を外部へ放熱する放熱板等で構成された気密封止
形半導体装置に関し、絶縁性接合層を介して内部リード
に放熱板を接合させて樹脂製容器内部に埋設している為
に、半導体素子から発生する熱を樹脂製容器から外部へ
放熱できる。
なお、本発明の実施例では気密封止形の樹脂製容器の開
口部を上面に配設したE P −ROMの説明であるが
、製品の下面部に開口部を配設し、放熱板を上面に配置
しても本発明の主旨を変更した事にはならない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にもとづ〈実施例を説明するためのEP
−ROM斜視図及び第2図はその断面図である。第3図
は他の製品の実施例を示す断面図である0第4図は樹脂
製容器の成形品を示す。 +1+・・・半導体装置EP−ROM、(2)・・・開
口部、     +31 、 (+7)・・・半導体素
子、+4+ 、 (131・・・内部リード、 (5)
・・・金線、+e+ + (Ig・・放熱板、   (
81、(1→・・・樹脂製容器、(9)・・・絶縁性接
着剤、  (11)・・・絶縁性接着膜、(18)−・
・薄膜。 茄                評L      
                         
 0 。 、カ=) 浦 【

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子を収納する気密封止形の樹脂製容器と
    、該容器に埋設されて半導体素子と結線される複数の内
    部リードと、半導体素子からの熱を放熱する為の放熱板
    等で構成された気密封止形半導体装置に関し、絶縁性接
    合層を介して内部リードと接合した放熱板を埋設する気
    密封止形の樹脂製容器に半導体素子を収納させる構造で
    ある事を特徴とする気密封止形半導体装置。
JP16646985A 1985-07-27 1985-07-27 気密封止形半導体装置 Pending JPS6226847A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458716A (en) * 1994-05-25 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Methods for manufacturing a thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
US6392309B1 (en) * 1995-08-25 2002-05-21 Sony Corporation Semiconductor device including solid state imaging device
US6692993B2 (en) * 1998-10-13 2004-02-17 Intel Corporation Windowed non-ceramic package having embedded frame

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458716A (en) * 1994-05-25 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Methods for manufacturing a thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
US6392309B1 (en) * 1995-08-25 2002-05-21 Sony Corporation Semiconductor device including solid state imaging device
US6692993B2 (en) * 1998-10-13 2004-02-17 Intel Corporation Windowed non-ceramic package having embedded frame

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