JPH10242366A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH10242366A JPH10242366A JP9055600A JP5560097A JPH10242366A JP H10242366 A JPH10242366 A JP H10242366A JP 9055600 A JP9055600 A JP 9055600A JP 5560097 A JP5560097 A JP 5560097A JP H10242366 A JPH10242366 A JP H10242366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- displacement
- resin sealing
- resin
- lead frame
- island portion
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止時におけるアイランド部の変位を防
止して組立精度を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレーム１０のアイランド部１１
に半導体集積回路チップ１２を接着し、チップ１２の端
子とリードフレーム１０の端子１４とをリードボンディ
ングした後、モールド樹脂１３で封止してなる半導体装
置において、アイランド部１１に一体的に接続されたタ
ブリード部１５に、樹脂封止時におけるアイランド部１
１の上下方向への変位を防止する変位防止部材１６を設
けた。変位防止部材１６の高さは、樹脂封止後のパッケ
ージの表面より０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度内側に変
位防止部材１６の先端が位置するように設定される。こ
れにより、樹脂封止処理時には変位防止部材１６の先端
を金型の内面に当接させてアイランド部１１の上下方向
への変位を規制でき、且つ、樹脂封止後には変位防止部
材１６をモールド樹脂１３内に完全に埋設できる。
止して組立精度を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレーム１０のアイランド部１１
に半導体集積回路チップ１２を接着し、チップ１２の端
子とリードフレーム１０の端子１４とをリードボンディ
ングした後、モールド樹脂１３で封止してなる半導体装
置において、アイランド部１１に一体的に接続されたタ
ブリード部１５に、樹脂封止時におけるアイランド部１
１の上下方向への変位を防止する変位防止部材１６を設
けた。変位防止部材１６の高さは、樹脂封止後のパッケ
ージの表面より０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度内側に変
位防止部材１６の先端が位置するように設定される。こ
れにより、樹脂封止処理時には変位防止部材１６の先端
を金型の内面に当接させてアイランド部１１の上下方向
への変位を規制でき、且つ、樹脂封止後には変位防止部
材１６をモールド樹脂１３内に完全に埋設できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路チ
ップを実装してなる半導体装置の製造技術に属し、特に
組立工程における組立精度を向上させた半導体装置に関
するものである。
ップを実装してなる半導体装置の製造技術に属し、特に
組立工程における組立精度を向上させた半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程は、ウエハ内に半
導体集積回路チップ（以下、単にチップともいう。）を
形成するまでのウエハ工程と、チップを用いて最終製品
を組立てるまでの組立工程とに分けられ、組立工程で
は、ウエハから切り出した個々のチップをリードフレー
ムのアイランド部に接着などにより固定するダイボンデ
ィング、そのチップの端子とリードフレームの端子とを
金線などで相互に接続するリードボンディングを行った
後、チップが外気に触れないようにポリイミドやエポキ
シ樹脂などのモールド樹脂で封止する樹脂封止が行われ
る。樹脂封止は、リードボンディングの終わったリード
フレームを金型の中に入れ、そこへモールド樹脂を流し
込み、高温・高圧下で固化・成形させることによってな
される。
導体集積回路チップ（以下、単にチップともいう。）を
形成するまでのウエハ工程と、チップを用いて最終製品
を組立てるまでの組立工程とに分けられ、組立工程で
は、ウエハから切り出した個々のチップをリードフレー
ムのアイランド部に接着などにより固定するダイボンデ
ィング、そのチップの端子とリードフレームの端子とを
金線などで相互に接続するリードボンディングを行った
後、チップが外気に触れないようにポリイミドやエポキ
シ樹脂などのモールド樹脂で封止する樹脂封止が行われ
る。樹脂封止は、リードボンディングの終わったリード
フレームを金型の中に入れ、そこへモールド樹脂を流し
込み、高温・高圧下で固化・成形させることによってな
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した半導
体装置では、樹脂封止の際に、アイランド部の上下、す
なわちチップが実装された側とその反対側とで樹脂の流
路面積や形状が異なることなどにより圧力差が生じ、ア
イランド部が設計上決められた位置から変位し、そのた
めに、樹脂封止したパッケージに反りが発生したり、チ
ップやアイランド部がパッケージ表面に露出する等の工
程内不良が生じるという問題があった。そこで、本発明
の解決すべき課題は、樹脂封止時におけるアイランド部
の変位を防止して組立精度を向上させた半導体装置を提
供することにある。
体装置では、樹脂封止の際に、アイランド部の上下、す
なわちチップが実装された側とその反対側とで樹脂の流
路面積や形状が異なることなどにより圧力差が生じ、ア
イランド部が設計上決められた位置から変位し、そのた
めに、樹脂封止したパッケージに反りが発生したり、チ
ップやアイランド部がパッケージ表面に露出する等の工
程内不良が生じるという問題があった。そこで、本発明
の解決すべき課題は、樹脂封止時におけるアイランド部
の変位を防止して組立精度を向上させた半導体装置を提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、リードフレームのアイラ
ンド部に半導体集積回路チップを接着し、当該半導体集
積回路チップの端子と前記リードフレームの端子とを金
属線で相互に接続した後、樹脂封止してなる半導体装置
において、前記アイランド部の周縁部に一体的に接続さ
れたタブリード部に、樹脂封止時における前記アイラン
ド部の変位を防止する変位防止部材を設けたことを特徴
としている。また、請求項２に記載の発明は、リードフ
レームのアイランド部に半導体集積回路チップを接着
し、当該半導体集積回路チップの端子と前記リードフレ
ームの端子とを金属線で相互に接続した後、樹脂封止し
てなる半導体装置において、前記アイランド部に、樹脂
封止時における当該アイランド部の変位を防止する変位
防止部材を設けたことを特徴としている。また、請求項
３に記載の発明は、請求項１または２の半導体装置にお
いて、前記変位防止部材は、金属材料または有機材料で
形成され、金属材料の場合は前記リードフレームと同じ
材質である例えば 42ALLOY合金、銅合金等であり、有機
材料の場合はエポキシ樹脂等であることを特徴とする。
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３に記載の
半導体装置において、前記変位防止部材は、樹脂封止後
に外部に露出しないように寸法が設定されていることを
特徴としている。
に、請求項１に記載の発明は、リードフレームのアイラ
ンド部に半導体集積回路チップを接着し、当該半導体集
積回路チップの端子と前記リードフレームの端子とを金
属線で相互に接続した後、樹脂封止してなる半導体装置
において、前記アイランド部の周縁部に一体的に接続さ
れたタブリード部に、樹脂封止時における前記アイラン
ド部の変位を防止する変位防止部材を設けたことを特徴
としている。また、請求項２に記載の発明は、リードフ
レームのアイランド部に半導体集積回路チップを接着
し、当該半導体集積回路チップの端子と前記リードフレ
ームの端子とを金属線で相互に接続した後、樹脂封止し
てなる半導体装置において、前記アイランド部に、樹脂
封止時における当該アイランド部の変位を防止する変位
防止部材を設けたことを特徴としている。また、請求項
３に記載の発明は、請求項１または２の半導体装置にお
いて、前記変位防止部材は、金属材料または有機材料で
形成され、金属材料の場合は前記リードフレームと同じ
材質である例えば 42ALLOY合金、銅合金等であり、有機
材料の場合はエポキシ樹脂等であることを特徴とする。
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３に記載の
半導体装置において、前記変位防止部材は、樹脂封止後
に外部に露出しないように寸法が設定されていることを
特徴としている。
【０００５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に
係る半導体装置の実施の形態の一例を示す平面図、同図
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。この半導体装
置は、リードフレーム１０のアイランド部１１上にチッ
プ１２を接着し、チップ１２の周縁部に配設された端子
（図示省略）とリードフレーム１０の端子１４とを金線
（図示省略）で相互に接続するリードボンディングを行
った後、ポリイミド系、エポキシ系樹脂などのモールド
樹脂（図１（ａ）では省略）１３で樹脂封止してなる。
樹脂封止の際には、リードボンディングの終わったリー
ドフレーム１０を金型（図示省略）の中に入れ、そこへ
モールド樹脂１３を流し込み、高温・高圧下で固化・成
形させるため、アイランド部１４の上下の樹脂圧力差に
より、アイランド部１１が設計上決められた位置から変
位するという問題があったことは前述したとおりであ
る。
図面に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に
係る半導体装置の実施の形態の一例を示す平面図、同図
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。この半導体装
置は、リードフレーム１０のアイランド部１１上にチッ
プ１２を接着し、チップ１２の周縁部に配設された端子
（図示省略）とリードフレーム１０の端子１４とを金線
（図示省略）で相互に接続するリードボンディングを行
った後、ポリイミド系、エポキシ系樹脂などのモールド
樹脂（図１（ａ）では省略）１３で樹脂封止してなる。
樹脂封止の際には、リードボンディングの終わったリー
ドフレーム１０を金型（図示省略）の中に入れ、そこへ
モールド樹脂１３を流し込み、高温・高圧下で固化・成
形させるため、アイランド部１４の上下の樹脂圧力差に
より、アイランド部１１が設計上決められた位置から変
位するという問題があったことは前述したとおりであ
る。
【０００６】そこで、この実施の形態では、アイランド
部１１の四隅部より対角線方向外側に延びる各タブリー
ド部１５に、樹脂封止時におけるアイランド部１１の上
下方向の変位を防止する変位防止部材１６を設けてい
る。変位防止部材１６は、ダイボンディング工程内で、
マウント部１１上にチップ１２を接着すると同時に各タ
ブリード部１５に接着される。チップ１２及び変位防止
部材１６の接着にはエポキシ系又はポリイミド系の接着
剤が使用される。各変位防止部材１６は、タブリード部
１５の幅よりも若干直径の大きい円柱状の部材であり、
リードフレーム１０と同じ材質の金属、例えば42ALLOY
合金、銅合金等で形成されている。また、各変位防止部
材１６は、アイランド部１１の対角線上にあるもの同士
がリードフレーム１０の中心点に関して対称位置に配置
され、且つ、タブリード部１５の上下に突出した形で設
けられている。各変位防止部材１６の高さ、すなわち、
タブリード部１５表面からの突出長は、樹脂封止後のパ
ッケージの表面から突き出さないように、パッケージサ
イズ毎に設定されるが、好ましくは樹脂封止後のパッケ
ージの表面より０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度内側に変
位防止部材１６の先端が位置するように設定される。こ
れにより、樹脂封止処理時には変位防止部材１６の先端
を金型の内面に当接させてアイランド部１１の上下方向
への変位を規制でき、且つ、樹脂封止後には変位防止部
材１６をモールド樹脂１３内に完全に埋設できる。
部１１の四隅部より対角線方向外側に延びる各タブリー
ド部１５に、樹脂封止時におけるアイランド部１１の上
下方向の変位を防止する変位防止部材１６を設けてい
る。変位防止部材１６は、ダイボンディング工程内で、
マウント部１１上にチップ１２を接着すると同時に各タ
ブリード部１５に接着される。チップ１２及び変位防止
部材１６の接着にはエポキシ系又はポリイミド系の接着
剤が使用される。各変位防止部材１６は、タブリード部
１５の幅よりも若干直径の大きい円柱状の部材であり、
リードフレーム１０と同じ材質の金属、例えば42ALLOY
合金、銅合金等で形成されている。また、各変位防止部
材１６は、アイランド部１１の対角線上にあるもの同士
がリードフレーム１０の中心点に関して対称位置に配置
され、且つ、タブリード部１５の上下に突出した形で設
けられている。各変位防止部材１６の高さ、すなわち、
タブリード部１５表面からの突出長は、樹脂封止後のパ
ッケージの表面から突き出さないように、パッケージサ
イズ毎に設定されるが、好ましくは樹脂封止後のパッケ
ージの表面より０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度内側に変
位防止部材１６の先端が位置するように設定される。こ
れにより、樹脂封止処理時には変位防止部材１６の先端
を金型の内面に当接させてアイランド部１１の上下方向
への変位を規制でき、且つ、樹脂封止後には変位防止部
材１６をモールド樹脂１３内に完全に埋設できる。
【０００７】図２（ａ）は本発明に係る半導体装置の別
の実施の形態を示す平面図、同図（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ’断面図である。この実施の形態の半導体装置では、
アイランド部１１の上下両面に、樹脂封止時におけるア
イランド部１１の上下方向の変位を防止する変位防止部
材１７を設けている。アイランド部１１の上面には、チ
ップ１２の実装部を避けるようにして四隅部にそれぞれ
変位防止部材１７が設けられ、下面には、チップ１２の
四隅部の下にそれぞれ変位防止部材１７が設けられてい
る。各変位防止部材１７は、円柱状の部材であり、リー
ドフレーム１０と同じ材質の金属、例えば 42ALLOY合
金、銅合金等で形成されている。変位防止部材１７は、
ダイボンディング工程内で、マウント部１１上にチップ
１２を接着すると同時にマウント部１１に接着される。
チップ１２及び変位防止部材１７の接着にはエポキシ又
はポリイミド系の接着剤が使用される。
の実施の形態を示す平面図、同図（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ’断面図である。この実施の形態の半導体装置では、
アイランド部１１の上下両面に、樹脂封止時におけるア
イランド部１１の上下方向の変位を防止する変位防止部
材１７を設けている。アイランド部１１の上面には、チ
ップ１２の実装部を避けるようにして四隅部にそれぞれ
変位防止部材１７が設けられ、下面には、チップ１２の
四隅部の下にそれぞれ変位防止部材１７が設けられてい
る。各変位防止部材１７は、円柱状の部材であり、リー
ドフレーム１０と同じ材質の金属、例えば 42ALLOY合
金、銅合金等で形成されている。変位防止部材１７は、
ダイボンディング工程内で、マウント部１１上にチップ
１２を接着すると同時にマウント部１１に接着される。
チップ１２及び変位防止部材１７の接着にはエポキシ又
はポリイミド系の接着剤が使用される。
【０００８】各変位防止部材１７の高さ、すなわち、マ
ウント部１１表面からの突出長は、樹脂封止後のパッケ
ージの表面から突き出さないように、パッケージサイズ
毎に設定されるが、好ましくは樹脂封止後のパッケージ
の表面より０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度内側に変位防
止部材１７の先端が位置するように設定される。これに
より、樹脂封止処理時には変位防止部材１７の先端を金
型の内面に当接させてアイランド部１１の上下方向への
変位を規制でき、且つ、樹脂封止後には変位防止部材１
７をモールド樹脂１３内に完全に埋設できる。なお、上
記実施の形態では、変位防止部材１６、１７の材料とし
て、リードフレーム１０と同じ材質の金属を使用してい
るが、樹脂封止に使用される樹脂と同じ材質であるエポ
キシ樹脂等を使用することもできる。また、マウント部
１１とタブリード部１５の両方に変位防止材１６、１７
を設けてもよい。また、変位防止部材１６、１７の形状
は必ずしも円柱状である必要はない。
ウント部１１表面からの突出長は、樹脂封止後のパッケ
ージの表面から突き出さないように、パッケージサイズ
毎に設定されるが、好ましくは樹脂封止後のパッケージ
の表面より０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度内側に変位防
止部材１７の先端が位置するように設定される。これに
より、樹脂封止処理時には変位防止部材１７の先端を金
型の内面に当接させてアイランド部１１の上下方向への
変位を規制でき、且つ、樹脂封止後には変位防止部材１
７をモールド樹脂１３内に完全に埋設できる。なお、上
記実施の形態では、変位防止部材１６、１７の材料とし
て、リードフレーム１０と同じ材質の金属を使用してい
るが、樹脂封止に使用される樹脂と同じ材質であるエポ
キシ樹脂等を使用することもできる。また、マウント部
１１とタブリード部１５の両方に変位防止材１６、１７
を設けてもよい。また、変位防止部材１６、１７の形状
は必ずしも円柱状である必要はない。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下のような優れた効果を発揮できる。請求項１及び２に
記載の発明によれば、アイランド部の周縁部に一体的に
接続されたタブリード部に、樹脂封止時におけるアイラ
ンド部の変位を防止する変位防止部材を設けたことによ
り、樹脂封止したパッケージに反りが発生したり、チッ
プやアイランド部がパッケージ表面に露出する等の工程
内不良の発生を防止し、組立精度の高い半導体装置を提
供することができる。また、請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１、２に加え、前記変位防止部材の材料に
リードフレームと同じ材質の金属を使用することによ
り、樹脂封止時の熱応力による歪みを最小限に抑えるこ
とができ、また、前記変位防止部材の材料に有機材料を
使用することにより、リードフレーム材料に関係なく、
樹脂封止時の熱による応力発生を最小限に抑えることが
できる。また、請求項４に記載の発明によれば、請求項
１、２、３に加え、前記変位防止部材が樹脂封止後に外
部に露出しないように寸法設定することにより、樹脂封
止処理時には変位防止部材の先端を金型の内面に当接さ
せてアイランド部の上下方向への変位を規制でき、且
つ、樹脂封止後には変位防止部材を封止樹脂内に完全に
埋設できる。
下のような優れた効果を発揮できる。請求項１及び２に
記載の発明によれば、アイランド部の周縁部に一体的に
接続されたタブリード部に、樹脂封止時におけるアイラ
ンド部の変位を防止する変位防止部材を設けたことによ
り、樹脂封止したパッケージに反りが発生したり、チッ
プやアイランド部がパッケージ表面に露出する等の工程
内不良の発生を防止し、組立精度の高い半導体装置を提
供することができる。また、請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１、２に加え、前記変位防止部材の材料に
リードフレームと同じ材質の金属を使用することによ
り、樹脂封止時の熱応力による歪みを最小限に抑えるこ
とができ、また、前記変位防止部材の材料に有機材料を
使用することにより、リードフレーム材料に関係なく、
樹脂封止時の熱による応力発生を最小限に抑えることが
できる。また、請求項４に記載の発明によれば、請求項
１、２、３に加え、前記変位防止部材が樹脂封止後に外
部に露出しないように寸法設定することにより、樹脂封
止処理時には変位防止部材の先端を金型の内面に当接さ
せてアイランド部の上下方向への変位を規制でき、且
つ、樹脂封止後には変位防止部材を封止樹脂内に完全に
埋設できる。
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体装置の実施の形態
の一例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図
である。
の一例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図
である。
【図２】（ａ）は本発明に係る半導体装置の別の実施の
形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図で
ある。
形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図で
ある。
１０ リードフレーム、１１ アイランド部、１２ 半
導体集積回路チップ、１３ モールド樹脂（封止樹
脂）、１４ 端子、１５ タブリード部、１６、１７
変位防止部材。
導体集積回路チップ、１３ モールド樹脂（封止樹
脂）、１４ 端子、１５ タブリード部、１６、１７
変位防止部材。
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームのアイランド部に半導体
集積回路チップを接着し、当該半導体集積回路チップの
端子と前記リードフレームの端子とを金属線で相互に接
続した後、樹脂封止してなる半導体装置において、 前記アイランド部の周縁部に一体的に接続されたタブリ
ード部に、樹脂封止時における前記アイランド部の変位
を防止する変位防止部材を設けたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 リードフレームのアイランド部に半導体
集積回路チップを接着し、当該半導体集積回路チップの
端子と前記リードフレームの端子とを金属線で相互に接
続した後、樹脂封止してなる半導体装置において、 前記アイランド部に、樹脂封止時における当該アイラン
ド部の変位を防止する変位防止部材を設けたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記変位防止部材は、前記リードフレー
ムと同じ金属材料、または有機材料からなることを特徴
とする請求項１または２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記変位防止部材は、樹脂封止後に外部
に露出しないように寸法が設定されていることを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9055600A JPH10242366A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9055600A JPH10242366A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242366A true JPH10242366A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=13003279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9055600A Pending JPH10242366A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159103A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-02-24 JP JP9055600A patent/JPH10242366A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159103A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7833833B2 (en) | 2003-11-27 | 2010-11-16 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US8053875B2 (en) | 2003-11-27 | 2011-11-08 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US8513785B2 (en) | 2003-11-27 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US8592961B2 (en) | 2003-11-27 | 2013-11-26 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US9024419B2 (en) | 2003-11-27 | 2015-05-05 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9425165B2 (en) | 2003-11-27 | 2016-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9806035B2 (en) | 2003-11-27 | 2017-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US10249595B2 (en) | 2003-11-27 | 2019-04-02 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US10998288B2 (en) | 2003-11-27 | 2021-05-04 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
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