JPH0638432Y2 - 半導体気密封止パッケージ - Google Patents

半導体気密封止パッケージ

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JPH0638432Y2
JPH0638432Y2 JP1990109713U JP10971390U JPH0638432Y2 JP H0638432 Y2 JPH0638432 Y2 JP H0638432Y2 JP 1990109713 U JP1990109713 U JP 1990109713U JP 10971390 U JP10971390 U JP 10971390U JP H0638432 Y2 JPH0638432 Y2 JP H0638432Y2
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JP
Japan
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lid
semiconductor
hermetically sealed
flange
container body
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JP1990109713U
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JPH0467352U (ja
Inventor
直人 中谷
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Nippon Avionics Co Ltd
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Nippon Avionics Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、容器本体側と蓋側との両方にそれぞれ半導体
回路を実装した立体実装型の半導体気密封止パッケージ
に関するものである。
(考案の背景) この種の立体実装型の半導体気密封止パッケージとし
て、容器本体と蓋とを半田や樹脂によって封着した構造
のものが従来よりある。しかしこの構造のものは封着部
分に使用される半田や樹脂の材質から、製品の使用温度
範囲が狭くなり、また特に半田封止の場合には製造時あ
るいは高温時に半田がパッケージ内に流れ込んで、製品
を使用不能にするという問題も生じ得る。
(発明の目的) 本考案はこのような事情に鑑みなされたものであり、使
用温度範囲を拡大し、また高温時においてもパッケージ
内への半田の流入による問題が発生することがない半導
体気密封止パッケージを提供することを目的とするもの
である。
(発明の構成) 本考案によればこの目的は、半導体回路を実装した容器
本体を蓋で封止した半導体気密封止パッケージにおい
て、前記蓋の内面に他の半導体回路を実装すると共に、
この蓋の外周縁に外側へ突出する薄い金属製のフランジ
を設け、このフランジを前記容器本体にシーム溶接した
ことを特徴とする半導体気密封止パッケージにより達成
される。
ここに蓋あるいは容器本体にセラミック製の回路基板を
そのまま用いる場合には、この基板の周縁部に薄いリン
グ状の金属製フランジを接合することによりシーム溶接
が可能になる。また金属製の蓋で周縁が容器本体側に起
立する起立壁を有する場合には、この起立壁の下面に別
体あるいは一体のフランジを設けることによりシーム溶
接が可能になる。
(実施例) 第1図は本考案の第1の実施例を示す側断面図である。
この図において符号10はセラミック製の容器本体であ
る。この容器本体10は、例えばセラミックのシートであ
るグリーンシートを積層して回路基板となる基板部12を
形成し、この基板部12に導体パターンを塗布し、さらに
四角形の枠型に積層したグリーンシート積層体からなる
ウィンドフレーム14を載せて押圧し、全体を焼成するこ
とにより基板部12とウィンドフレーム14とを一体に形成
したものである。ウィンドフレーム14の上面には金属製
のシールフレーム16が接着またはろう付けされる。この
シールフレーム16は後記蓋22をシーム溶接するために必
要となるものである。またシールフレーム16はセラミッ
クとの熱膨張率を適合させるためにコバール(Fe−Co−
Ni系の合金)などで作られている。
シールフレーム16が固定されると、次にウィンドフレー
ム14内にハイブリッドICなどの半導体積層回路18が固定
され、この集積回路18と導体パターンとがワイヤによっ
て接続される。また導体パターンのウィンドフレーム14
より外側に延びた部分には外部接続端子20が固着され
る。
22は蓋である。この蓋22はグリーンシートを積層したセ
ラミック基板24と、この基板24の周縁に接合されたリン
グ状の金属製フランジ26とを備える。このフランジ26
は、例えばコバールによりシーム溶接に適した厚さ、例
えば0.1mm程度の厚さに作られる。基板24とフランジ26
とは接着あるいはろう付けにより接合される。
基板24の両面には導体パターンが塗布され、焼成された
後、両面の導体パターン間が接続される。基板24の下面
にはハイブリッドICなどの集積回路28が固定され、この
集積回路28と導体パターンとがワイヤにより接続され
る。
このように集積回路28が予め実装された蓋22は、そのフ
ランジ26を容器本体10のシールフレーム16に位置合せし
て重ねられ、このフランジ26の周縁がシールフレーム16
にシーム溶接される。すなわちフランジの周縁部にロー
ラ電極を転接させつつ両者間に電流を流すことにより溶
接する。
このようにパッケージを気密封止した後、蓋22の基板24
上面の回路パターンと容器本体10側の外部接続端子20と
の間が被覆ワイヤ30により接続される。
第2図は第2の実施例の側断面図である。この実施例
は、前記第1図の実施例におけるワイヤ30に代えて接続
用ポスト32を用い、パッケージ内部で容器本体10側と蓋
22側との電気接続を行なうものである。すなわち容器本
体10の基板部12に金属棒からなる適宜数のポスト(支
柱)32、32を立設する一方、蓋22の基板24にはこのポス
ト32が入るスルーホールを形成し、蓋24を容器本体10に
重ねてシーム溶接した後、このポスト32を基板24の回路
パターンに半田付けするものである。
この実施例では他の構成は第1図のものと同じであるか
ら、その説明は繰り返さない。
第3図は第3の実施例の側断面図、第4図はそのシーム
溶接部分の拡大分解図である。この実施例は容器本体10
Aおよび蓋22Aをコバールなどの金属で形成し、それぞれ
の内面にハイブリッドICなどの半導体集積回路18A、28A
を実装したセラミック基板36、38を樹脂接着したもので
ある。ここに蓋22Aの外周から下方へ延びる起立壁39の
下面外周縁は、容器本体10Aのウィンドフレーム部分の
上面よりもパッケージ内側へ偏位し、この下面に薄い
(約0.1mm)リング状の金属製フランジ40がろう付けさ
れている。このため蓋22Aを容器本体10Aに重ねるとフラ
ンジ40が蓋22Aより外側へ突出して容器本体10Aに接触す
る。このフランジ40にローラ電極を転接することにより
蓋22Aを容器本体10Aにシーム溶接することができる。
なおこの図で42は容器本体10Aの外部接続リードであ
り、ウィンドフレーム部分を貫通してここにガラス付着
されている。また44は蓋22Aの外部接続リードであり、
シーム溶接時の障害とならないように蓋22Aを略垂直に
貫通しガラス封着されている。
この第3、4図の実施例ではフランジ40を蓋22Aと別体
として両者をろう付けしているが、蓋の起立壁39の下縁
を外側へ折曲したり、起立壁39の外周を切削することに
よりフランジを蓋に一体に形成してもよい。ここに起立
壁39は、ローラ電極と干渉しないようにその外壁面を傾
斜させてもよい。
(考案の効果) 請求項(1)の考案は以上のように、蓋の外周縁に外側
へ突出する薄い金属製フランジを設けたものであるか
ら、このフランジにローラ電極を転接することにより蓋
を容器本体にシーム溶接することが可能になる。従って
蓋の固定に半田や樹脂を用いる必要がなくなり、パッケ
ージの使用可能な温度範囲が拡大する。また高温時にも
半田がパッケージ内に流れ込むことがないから、製品が
高温時に使用不能になるという問題も発生することがな
くなる。
また請求項(2)あるいは(3)の考案によれば、容器
本体および蓋あるいはそれらのいずれか一方をセラミッ
ク製とした場合にもシーム溶接が可能になる。
さらに請求項(4)の考案によれば、周縁に起立壁を有
する蓋においてもシーム溶接が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例の側断面図、第2図は同
じく第2の実施例の側断面図、第3図は第3の実施例の
側断面図、第4図は第3図におけるシーム溶接部分の拡
大分解図である。 10、10A……容器本体、 12……基板部、 18、28、18A、28A……半導体集積回路、 22、22A……蓋、24……基板、 26、40……フランジ、39……起立壁。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体回路を実装した容器本体を蓋で封止
    した半導体気密封止パッケージにおいて、 前記蓋の内面に他の半導体回路を実装すると共に、この
    蓋の外周縁に外側へ突出する薄い金属製のフランジを設
    け、このフランジを前記容器本体にシーム溶接したこと
    を特徴とする半導体気密封止パッケージ。
  2. 【請求項2】蓋は、前記他の半導体回路が実装されるセ
    ラミック製の基板と、この基板の周縁に接合された薄い
    リング状の金属製フランジとを備える請求項(1)の半
    導体気密封止パッケージ。
  3. 【請求項3】容器本体は、セラミック製の基板部と、こ
    の基板部に接合された金属製のシールフレームとを備え
    る請求項(1)の半導体気密封止パッケージ。
  4. 【請求項4】蓋は金属製の起立壁を持ち、この起立壁の
    端面に別体のリング状の金属製フランジが接合されてい
    る請求項(1)の半導体気密封止パッケージ。
JP1990109713U 1990-10-22 1990-10-22 半導体気密封止パッケージ Expired - Lifetime JPH0638432Y2 (ja)

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JPH0467352U JPH0467352U (ja) 1992-06-15
JPH0638432Y2 true JPH0638432Y2 (ja) 1994-10-05

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