JP2565037Y2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、LSI等の半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージ、例えばプラグイン型
半導体素子収納用パッケージはアルミナセラミックス等
の電気絶縁材料から成り、上面略中央部に半導体素子を
収容する空所を形成するための凹部及び該凹部周辺から
下面にかけて導出されたタングステン(W)、モリブデ
ン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属粉末から
成る多数のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、半導
体素子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メ
タライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された
外部リードピンと、蓋体とから構成されており、絶縁基
体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の
接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電
極をメタライズ配線層にボンディングワイヤを介して電
気的に接続し、しかる後、絶縁基体上面に蓋体をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から封止材を介して接合させ、絶縁
基体と蓋体とから成る絶縁容器内部に半導体素子を気密
に封止することによって製品としての半導体装置とな
る。
めの半導体素子収納用パッケージ、例えばプラグイン型
半導体素子収納用パッケージはアルミナセラミックス等
の電気絶縁材料から成り、上面略中央部に半導体素子を
収容する空所を形成するための凹部及び該凹部周辺から
下面にかけて導出されたタングステン(W)、モリブデ
ン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属粉末から
成る多数のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、半導
体素子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メ
タライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された
外部リードピンと、蓋体とから構成されており、絶縁基
体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の
接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電
極をメタライズ配線層にボンディングワイヤを介して電
気的に接続し、しかる後、絶縁基体上面に蓋体をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から封止材を介して接合させ、絶縁
基体と蓋体とから成る絶縁容器内部に半導体素子を気密
に封止することによって製品としての半導体装置とな
る。
【0003】尚、かかる従来のプラグイン型半導体素子
収納用パッケージはその内部に半導体素子を収容した
後、外部リードピンの先端を外部電気回路基板の配線導
体に半田等のロウ材を介し、直接、接続させることによ
って、或いは外部電気回路基板の配線導体に接着固定さ
れたソケットに挿入接合させることによって内部に収容
する半導体素子を外部電気回路に接続する。
収納用パッケージはその内部に半導体素子を収容した
後、外部リードピンの先端を外部電気回路基板の配線導
体に半田等のロウ材を介し、直接、接続させることによ
って、或いは外部電気回路基板の配線導体に接着固定さ
れたソケットに挿入接合させることによって内部に収容
する半導体素子を外部電気回路に接続する。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のプラグイン型の半導体素子収納用パッケージは絶縁
基体が通常、正方形もしくは長方形で且つ下面に外形形
状を同一とした外部リードピンが同一間隔をもって格子
状や列状に取着されており、絶縁基体の形状及び絶縁基
体への外部リードピンの取着が絶縁基体の中心点に対し
対称で絶縁基体の方向性が確認できない。そのため絶縁
基体と蓋体とから成る絶縁容器内部に半導体素子を収容
した後、絶縁基体に取着した外部リードピンを外部電気
回路基板の配線導体に接続させる際、絶縁基体の方向性
の確認ができないため外部リードピンを外部電気回路基
板の所定配線導体に正確に接続させることができず、外
部リードピンが異なった配線導体に誤って接続されると
内部に収容する半導体素子に不要な電気が流れ、半導体
素子を破損したり、半導体素子の作動を所定の外部電気
回路に正確に伝導することができないという欠点を有し
ていた。
来のプラグイン型の半導体素子収納用パッケージは絶縁
基体が通常、正方形もしくは長方形で且つ下面に外形形
状を同一とした外部リードピンが同一間隔をもって格子
状や列状に取着されており、絶縁基体の形状及び絶縁基
体への外部リードピンの取着が絶縁基体の中心点に対し
対称で絶縁基体の方向性が確認できない。そのため絶縁
基体と蓋体とから成る絶縁容器内部に半導体素子を収容
した後、絶縁基体に取着した外部リードピンを外部電気
回路基板の配線導体に接続させる際、絶縁基体の方向性
の確認ができないため外部リードピンを外部電気回路基
板の所定配線導体に正確に接続させることができず、外
部リードピンが異なった配線導体に誤って接続されると
内部に収容する半導体素子に不要な電気が流れ、半導体
素子を破損したり、半導体素子の作動を所定の外部電気
回路に正確に伝導することができないという欠点を有し
ていた。
【0005】
【考案の目的】本考案は上述の欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は外部リードピンを外部電気回路基板の
所定配線導体に正確に接続し、内部に収容する半導体素
子を正常に作動させるようにした半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
ので、その目的は外部リードピンを外部電気回路基板の
所定配線導体に正確に接続し、内部に収容する半導体素
子を正常に作動させるようにした半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本考案は内部に半導体素
子を収納するための空所を有する絶縁容器の外表面に複
数個の外部リードピンを取着させて成る半導体素子収納
用パッケージにおいて、前記外部リードピンの少なくと
も1つを絶縁容器の方向性が認識できるように異形とな
したことを特徴とするものである。
子を収納するための空所を有する絶縁容器の外表面に複
数個の外部リードピンを取着させて成る半導体素子収納
用パッケージにおいて、前記外部リードピンの少なくと
も1つを絶縁容器の方向性が認識できるように異形とな
したことを特徴とするものである。
【0007】
【実施例】次に本考案を添付の図面により詳細に説明す
る。図1及び図2は本考案の半導体素子収納用パッケー
ジをプラグイン型の半導体素子収納用パッケージを例に
採って示す断面図及び底面図であり、図中、1は絶縁基
体、2は蓋体である。この絶縁基体1及び蓋体2とで半
導体素子4を収容するための絶縁容器3が構成される。
る。図1及び図2は本考案の半導体素子収納用パッケー
ジをプラグイン型の半導体素子収納用パッケージを例に
採って示す断面図及び底面図であり、図中、1は絶縁基
体、2は蓋体である。この絶縁基体1及び蓋体2とで半
導体素子4を収容するための絶縁容器3が構成される。
【0008】前記絶縁基体1はアルミナセラミックス等
の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部には半導体
素子4を収容する空所を形成するための凹部1aが形成
されており、該凹部1a底面には半導体素子4がガラ
ス、樹脂、半田等の接着剤を介して接着固定される。
の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部には半導体
素子4を収容する空所を形成するための凹部1aが形成
されており、該凹部1a底面には半導体素子4がガラ
ス、樹脂、半田等の接着剤を介して接着固定される。
【0009】前記絶縁基体1は例えば、アルミナセラミ
ックス等の電気絶縁材料より成り、アルミナ(Al2 O
3 )、シリカ(SiO2 )、カルシア(CaO)、マグ
ネシア(MgO)等の原料粉末に適当なバインダー、有
機溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来
周知のドクターブレード法を採用することによってセラ
ミックグリーンシート(セラミック生シート)を得、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約1
600℃)の温度で焼成することによって製作される。
ックス等の電気絶縁材料より成り、アルミナ(Al2 O
3 )、シリカ(SiO2 )、カルシア(CaO)、マグ
ネシア(MgO)等の原料粉末に適当なバインダー、有
機溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来
周知のドクターブレード法を採用することによってセラ
ミックグリーンシート(セラミック生シート)を得、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約1
600℃)の温度で焼成することによって製作される。
【0010】また、前記絶縁基体1には凹部1a周辺か
ら下面にかけて導出する複数のメタライズ配線層5が形
成されており、該メタライズ配線層5の凹部1a周辺部
には半導体素子4の各電極がボンディングワイヤ6を介
して電気的に接続され、また絶縁基体1の下面に導出し
たメタライズ配線層5には外部電気回路基板の配線導体
と接続される複数の円柱状の外部リードピン7が銀ロウ
等のロウ材を介し格子状に植設される。
ら下面にかけて導出する複数のメタライズ配線層5が形
成されており、該メタライズ配線層5の凹部1a周辺部
には半導体素子4の各電極がボンディングワイヤ6を介
して電気的に接続され、また絶縁基体1の下面に導出し
たメタライズ配線層5には外部電気回路基板の配線導体
と接続される複数の円柱状の外部リードピン7が銀ロウ
等のロウ材を介し格子状に植設される。
【0011】前記メタライズ配線層5はタングステン
(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高
融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等の圧膜手法を採用し、絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートに予め被着させておく
ことによって絶縁基体1の凹部1a周辺から下面にかけ
て被着形成される。
(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高
融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等の圧膜手法を採用し、絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートに予め被着させておく
ことによって絶縁基体1の凹部1a周辺から下面にかけ
て被着形成される。
【0012】尚、前記メタライズ配線層5はその露出す
る外表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つ良導電
性の金属をメッキ法により1.0乃至20.0μmの厚
みに層着させておくとメタライズ配線層5が酸化腐食す
るのを防止するとともにメタライズ配線層5とボンディ
ングワイヤー6との接続を強固なものとなすことができ
る。従って、前記メタライズ配線層5が酸化腐食するの
を防止するとともにメタライズ配線層5とボンディング
ワイヤー6との接続を強固なものとなすためにはメタラ
イズ配線層5の露出する外表面にニッケル、金等の耐食
性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により1.0
乃至20.0μmの厚みに層着させておくことが好まし
い。
る外表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つ良導電
性の金属をメッキ法により1.0乃至20.0μmの厚
みに層着させておくとメタライズ配線層5が酸化腐食す
るのを防止するとともにメタライズ配線層5とボンディ
ングワイヤー6との接続を強固なものとなすことができ
る。従って、前記メタライズ配線層5が酸化腐食するの
を防止するとともにメタライズ配線層5とボンディング
ワイヤー6との接続を強固なものとなすためにはメタラ
イズ配線層5の露出する外表面にニッケル、金等の耐食
性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により1.0
乃至20.0μmの厚みに層着させておくことが好まし
い。
【0013】また、前記メタライズ配線層5にロウ付け
される外部リードピン7は内部に収容する半導体素子4
を外部電気回路に接続する作用を為し、外部リードピン
7を外部電気回路基板(不図示)の配線導体上に半田付
け、或いは配線導体に取着されたソケットに挿入接合す
ることによって内部に収容する半導体素子4はメタライ
ズ配線層5及び外部リードピン7を介して外部電気回路
と電気的に接続されることとなる。
される外部リードピン7は内部に収容する半導体素子4
を外部電気回路に接続する作用を為し、外部リードピン
7を外部電気回路基板(不図示)の配線導体上に半田付
け、或いは配線導体に取着されたソケットに挿入接合す
ることによって内部に収容する半導体素子4はメタライ
ズ配線層5及び外部リードピン7を介して外部電気回路
と電気的に接続されることとなる。
【0014】前記外部リードピン7は42アロイ(Fe
−Ni合金)、コバール(Fe−Ni−Co合金)等の
金属から成り、42アロイ等をインゴット(塊)を圧延
加工法や打ち抜き等の従来周知の金属加工を施すことに
よって円柱状に形成される。
−Ni合金)、コバール(Fe−Ni−Co合金)等の
金属から成り、42アロイ等をインゴット(塊)を圧延
加工法や打ち抜き等の従来周知の金属加工を施すことに
よって円柱状に形成される。
【0015】前記外部リードピン7はまた図2に示す如
く、上右端に位置する1つの外部リードピン7aが三角
柱状をなしており、他の円柱状の外部リードピン7に対
し形状が異形となっている。
く、上右端に位置する1つの外部リードピン7aが三角
柱状をなしており、他の円柱状の外部リードピン7に対
し形状が異形となっている。
【0016】前記三角柱状をなす外部リードピン7aは
絶縁基体1への取着位置を確認することによって絶縁基
体1の方向性を目視により容易に認識できるようにする
作用を為し、これによって絶縁基体1と蓋体2とから成
る絶縁容器3内部に半導体素子4を収容した後、絶縁基
体1に取着した外部リードピン7(7a)を外部電気回
路基板の配線導体に接続する際、絶縁基体1の方向性が
極めて容易に確認認識でき、外部リードピン7を外部電
気回路基板の所定配線導体に正確に接続することが可能
となる。
絶縁基体1への取着位置を確認することによって絶縁基
体1の方向性を目視により容易に認識できるようにする
作用を為し、これによって絶縁基体1と蓋体2とから成
る絶縁容器3内部に半導体素子4を収容した後、絶縁基
体1に取着した外部リードピン7(7a)を外部電気回
路基板の配線導体に接続する際、絶縁基体1の方向性が
極めて容易に確認認識でき、外部リードピン7を外部電
気回路基板の所定配線導体に正確に接続することが可能
となる。
【0017】尚、前記三角柱状の外部リードピン7aは
42アロイやコバール金属のインゴットに従来周知の金
属加工を施すことによって三角柱状に形成される。
42アロイやコバール金属のインゴットに従来周知の金
属加工を施すことによって三角柱状に形成される。
【0018】また、前記外部リードピン7(7a)はそ
の露出表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導
電性である金属を従来周知のメッキ法により1.0乃至
20.0μm の厚みに層着させておけば外部リードピン
7(7a)の酸化腐食を有効に防止することができると
ともに外部リードピン7(7a)を外部電気回路基板の
配線導体に確実、且つ強個に接続させることが可能とな
る。従って、前記外部リードピン7(7a)はその露出
表面にニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の厚み
に層着させておくことが好ましい。
の露出表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導
電性である金属を従来周知のメッキ法により1.0乃至
20.0μm の厚みに層着させておけば外部リードピン
7(7a)の酸化腐食を有効に防止することができると
ともに外部リードピン7(7a)を外部電気回路基板の
配線導体に確実、且つ強個に接続させることが可能とな
る。従って、前記外部リードピン7(7a)はその露出
表面にニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の厚み
に層着させておくことが好ましい。
【0019】かくして本考案のプラグイン型半導体素子
収納用パッケージによれば、絶縁基体1の凹部1a底面
に半導体素子4を接着剤を介して接着固定するとともに
半導体素子4の各電極をメタライズ配線層5にボンディ
ングワイヤ6を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体1の上面に蓋体2をガラス、樹脂等の封止材を介し
て接合し、絶縁容器3の内部に半導体素子4を気密に封
入することによって最終製品としての半導体装置とな
る。
収納用パッケージによれば、絶縁基体1の凹部1a底面
に半導体素子4を接着剤を介して接着固定するとともに
半導体素子4の各電極をメタライズ配線層5にボンディ
ングワイヤ6を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体1の上面に蓋体2をガラス、樹脂等の封止材を介し
て接合し、絶縁容器3の内部に半導体素子4を気密に封
入することによって最終製品としての半導体装置とな
る。
【0020】尚、本考案は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では、三角
柱状の外部リードピン7aは絶縁基体1の上右端に1つ
だけ植設したが、絶縁基体1の方向性を確認できるもの
であれば他の位置に複数個植設してもよい。
のではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では、三角
柱状の外部リードピン7aは絶縁基体1の上右端に1つ
だけ植設したが、絶縁基体1の方向性を確認できるもの
であれば他の位置に複数個植設してもよい。
【0021】また上述の実施例では絶縁基体1の方向性
を目視により確認できるようにするため外部リードピン
の1つを三角柱状とし、他の円柱状外部リードピンに対
し異形としたが、これを四角柱状や径の異なる円柱状と
して他の円柱状外部リードピンに対し異形のものとなし
てもよい。
を目視により確認できるようにするため外部リードピン
の1つを三角柱状とし、他の円柱状外部リードピンに対
し異形としたが、これを四角柱状や径の異なる円柱状と
して他の円柱状外部リードピンに対し異形のものとなし
てもよい。
【0022】更に上述の実施例ではプラグイン型の半導
体素子収納用パッケージを例に採って説明したがデュア
ルインライン型等の他の半導体素子収納用パッケージに
も適用可能である。
体素子収納用パッケージを例に採って説明したがデュア
ルインライン型等の他の半導体素子収納用パッケージに
も適用可能である。
【0023】
【考案の効果】本考案の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁容器の外表面に取着された複数個の外部リ
ードピンのうち少なくとも1つを異形となしたことか
ら、該異形外部リードピンの絶縁容器への取着位置を確
認するだけで絶縁容器の方向性を認識することができ、
これによって絶縁容器内部に半導体素子を収容した後、
外部リードピンを外部電気回路基板の配線導体に接続す
る際、外部リードピンを外部電気回路基板の所定配線導
体に極めて正確に接続することが可能となる。
よれば、絶縁容器の外表面に取着された複数個の外部リ
ードピンのうち少なくとも1つを異形となしたことか
ら、該異形外部リードピンの絶縁容器への取着位置を確
認するだけで絶縁容器の方向性を認識することができ、
これによって絶縁容器内部に半導体素子を収容した後、
外部リードピンを外部電気回路基板の配線導体に接続す
る際、外部リードピンを外部電気回路基板の所定配線導
体に極めて正確に接続することが可能となる。
【図1】本考案の半導体素子収納用パッケージをプラグ
イン型の半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
一実施例を示す断面図である。
イン型の半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
一実施例を示す断面図である。
【図2】図1に示すパッケージの絶縁基体の底面図であ
る。
る。
1・・・・絶縁基体 2・・・・蓋体 3・・・・絶縁容器 4・・・・半導体素子 5・・・・メタライズ配線層 7・・・・外部リード端子
Claims (1)
- 【請求項1】内部に半導体素子を収容するための空所を
有する絶縁容器の外表面に複数個の外部リードピンを取
着させて成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記外部リードピンの全てを柱状となし、かつ所定位置に
おける外部リードピンの少なくとも1つを絶縁容器の方
向性が認識できるように異形となしたことを特徴とする
半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992066442U JP2565037Y2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992066442U JP2565037Y2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0631156U JPH0631156U (ja) | 1994-04-22 |
JP2565037Y2 true JP2565037Y2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=13315900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992066442U Expired - Fee Related JP2565037Y2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2565037Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5970352U (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-12 | 京セラ株式会社 | プラグイン型半導体パツケ−ジ |
JPH0324750A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Nec Corp | 半導体装置用パッケージのキャップ |
JP3032439U (ja) * | 1996-06-14 | 1996-12-24 | 株式会社ボーゲンファイル | ガラス磁気ディスク用のガラスディスク |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP1992066442U patent/JP2565037Y2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH0631156U (ja) | 1994-04-22 |
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