JPH05190705A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH05190705A
JPH05190705A JP4006308A JP630892A JPH05190705A JP H05190705 A JPH05190705 A JP H05190705A JP 4006308 A JP4006308 A JP 4006308A JP 630892 A JP630892 A JP 630892A JP H05190705 A JPH05190705 A JP H05190705A
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JP
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resin
sealing resin
semiconductor device
semiconductor element
sealing
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JP4006308A
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Hiroyuki Fujii
浩之 藤井
Kazuto Matsukawa
和人 松川
Kimio Hagi
公男 萩
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 信頼性の高い半導体装置を得る。 【構成】 半導体素子２２の少なくとも活性部分を第１
の封止樹脂２６で被覆するとともに第２の封止樹脂２７
であるプラスチックあるいはセラミックパッケージで封
止なる半導体装置において、第１の封止樹脂２６を一般
式が、 【化１】 で示される繰り返し単位を有する物質を滴下あるいは滴
下および加熱することにより形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に係わり、特に半導体素子の表面を第１の封
止樹脂で被覆するとともに第２の封止樹脂であるプラス
チックまたはセラミックパッケージで封止してなる半導
体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の少なくとも活性部分
を第１の封止樹脂で被覆するとともに第２の封止樹脂で
あるプラスチックまたはセラミックパッケージで封止し
てなる半導体装置おいては、第１の封止樹脂としてポリ
イミド系の樹脂が用いられていた。
【０００３】図３は、従来の半導体装置の構成を示す断
面図である。同図において、シリコンチップ支持体１１
の上に半導体素子１２を固定し、この半導体素子１２の
周囲に設けられたボンディングパッド部１３とリードフ
レーム１４とをボンディングワイヤ１５で接続したもの
に第１の封止樹脂であるポリイミド樹脂１６を滴下およ
び加熱し、さらに第２の封止樹脂であるフィラー１７入
りエポキシ樹脂１８で封止して半導体装置が構成されて
いた。
【０００４】第２の封止樹脂としてのエポキシ樹脂１８
は、耐湿性向上のためにシリカ，アルミナ等の微粉末の
フィラー１７を添加しているが、そのフィラー１７から
受ける応力によりビットエラーやパッシベーションクラ
ックを生じる可能性が出てくる。しかし、第１の封止樹
脂であるポリイミド樹脂１６がフィラー１７による応力
を緩和して半導体素子の表面を保護していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置においては、第１の樹脂としてポリイミド樹
脂１６が用いられているので、十分な信頼性が得られて
いたが、近年の半導体デバイスの高集積化，チップの大
型化に伴い、ポリイミド樹脂１６の内部応力１９が半導
体素子に与える悪影響が問題となってきた。また、同時
にポリイミド樹脂１６の耐熱性，耐湿性，接着性の向上
が課題となってきた。
【０００６】したがってこの発明は、前述した従来の課
題を解決するためになされたものであり、その目的は、
半導体デバイスの高集積化，チップの大型化に伴う高い
信頼性が得られる半導体装置およびその製造方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るためにこの発明による半導体装置は、半導体素子の少
なくとも活性部分を第１の封止樹脂で被覆するとともに
第２の封止樹脂としてプラスチックまたはセラミックパ
ッケージで封止してなる半導体装置において、前記第１
の封止樹脂として一般式が化３で示される繰り返し単位
を有する樹脂を用いたものである。
【０００８】
【化３】
【０００９】この発明による半導体装置の製造方法は、
一般式が化４で示される繰り返し単位を有する物質を滴
下または滴下および加熱する工程によって第１の封止樹
脂を形成するものである。
【００１０】
【化４】
【００１１】
【作用】この発明における半導体装置は、第１の樹脂と
してポリイミド樹脂よりも低応力が得られることで、半
導体素子に与える悪影響を低減することができ、一方、
耐熱性，耐湿性，接着性が向上し、信頼性の向上が図れ
る。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を詳細
に説明する。図１はこの発明による半導体装置の一実施
例による構成を示す断面図である。同図において、２１
はシリコンチップ支持体、２２は半導体素子、２３はボ
ンディングパッド部、２４はリードフレーム、２５はボ
ンディングワイヤ、２６は第１の封止樹脂であり、この
第１の樹脂２６は一般式が化５に示される繰り返し単位
を有する樹脂により形成されている。２７は第２の封止
樹脂であり、この第２の封止樹脂２７はフィラー入りエ
ポキシ樹脂である。
【００１３】
【化５】
【００１４】このように構成される半導体装置の製造方
法は、従来と同様にシリコンチップ支持体２１上に半導
体素子２２を固定し、この半導体素子２２の周囲に設け
られたボンディングパッド部２３とリードフレーム２４
とをボンディングワイヤ２５で接続した後に一般式が化
６に示される繰り返し単位を有する物質を滴下あるいは
滴下および加熱することにより第１の封止樹脂２６を形
成し、さらに第２の封止樹脂２７としてのフィラー入り
エポキシ樹脂で封止する。
【００１５】
【化６】
【００１６】図２はこの発明による半導体装置の他の実
施例による構成を示す断面図であり、半導体素子をセラ
ミックパッケージで封止した場合である。同図におい
て、まず、中央部に凹部を有するセラミックベース３１
を用意し、この凹部を囲む周辺部上に低融点ガラスから
なる接着剤層３２に多数のリードフレーム３３をデコア
ルインライン形式で固着する。
【００１７】そしてセラミックベース３１の中央凹部底
面には、底融点ガラスまたは金属ろう材などからなる接
着材層３４により半導体素子３５を固着する。次にボン
ディングワイヤ３６により半導体素子３５の周辺に設け
られたボンディングパッド３７とこれに対応するリード
フレーム３３とを接続した後、第１の樹脂３８として滴
下したあるいは滴下および加熱により、一般式が化７で
示される繰り返し単位を有する樹脂を形成する。
【００１８】
【化７】
【００１９】この後、この低融点ガラスからなる封止用
ガラス３９を介してセラミックベース３１上にセラミッ
クキャップ４０を重ね合わせ、その接合部を封止用ガラ
ス３９で溶着し、封止する。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したようにこの発明によれ
ば、半導体素子の少なくとも活性部分を第１の封止樹脂
で被覆するとともに第２の封止樹脂としてのプラスチッ
クまたはセラミックパッケージで封止してなる半導体装
置において、第１の封止樹脂として従来のポリイミド樹
脂より低応力で耐熱性，耐湿性、接着性に優れた樹脂を
用いるので、信頼性の極めて高い半導体装置が得られる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による半導体装置の一実施例による構
成を示す断面図である。
【図２】この発明による半導体装置の他の実施例による
構成を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
２１ シリコンチップ支持体 ２２ 半導体素子 ２３ ボンディングパッド ２４ リードフレーム ２５ ボンディングワイヤ ２６ 第１の封止樹脂 ２７ 第２の封止樹脂 ３１ セラミックベース ３２ 接着材層 ３３ リードフレーム ３４ 接着材層 ３５ 半導体素子 ３６ ボンディングワイヤ ３７ ボンディングパッド ３８ 第１の封止樹脂 ３９ 封止用ガラス ４０ セラミックキャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/08 Ｃ 7220−4Ｍ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子の少なくとも活性部分を第１
    の封止樹脂で被覆するとともに第２の封止樹脂としてプ
    ラスチックまたはセラミックパッケージで封止してなる
    半導体装置において、前記第１の封止樹脂として一般式
    が、 【化１】 で示される繰り返し単位を有する樹脂としたことを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体素子の少なくとも活性部分を第１
    の封止樹脂で被覆するとともに第２の封止樹脂としてプ
    ラスチックまたはセラミックパッケージで封止してなる
    半導体装置において、一般式が、 【化２】 で示される繰り返し単位を有する物質を滴下または滴下
    および加熱する工程によって第１の封止樹脂を形成する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP4006308A 1992-01-17 1992-01-17 半導体装置およびその製造方法 Pending JPH05190705A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664648B2 (en) * 2000-03-16 2003-12-16 Infineon Technologies Ag Apparatus for applying a semiconductor chip to a carrier element with a compensating layer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664648B2 (en) * 2000-03-16 2003-12-16 Infineon Technologies Ag Apparatus for applying a semiconductor chip to a carrier element with a compensating layer
US7008493B2 (en) 2000-03-16 2006-03-07 Infineon Technologies Ag Method for applying a semiconductor chip to a carrier element

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