JPS5824442Y2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS5824442Y2 JPS5824442Y2 JP1979014204U JP1420479U JPS5824442Y2 JP S5824442 Y2 JPS5824442 Y2 JP S5824442Y2 JP 1979014204 U JP1979014204 U JP 1979014204U JP 1420479 U JP1420479 U JP 1420479U JP S5824442 Y2 JPS5824442 Y2 JP S5824442Y2
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はサーディツプ形半導体装置の半導体チップ固着
構造の改良に関する。
構造の改良に関する。
一般に、サーディツプ形半導体装置は、セラミックより
なる基体上面中央部に設けた半導体チップ固着面に、半
導体チップを熱圧着又は金属ペーストにて固着し、該半
導体チップ上面に膜形成したＡＩ（アルミニウム）端子
と基体の半導体チップ固着面周囲に配置したところのＡ
Ｉをブラッドしたノード端子との間を、ＡＩのリード線
でボンディング接続した後、セラミックよりなる蓋を低
融点ガラスで接着封止している。
なる基体上面中央部に設けた半導体チップ固着面に、半
導体チップを熱圧着又は金属ペーストにて固着し、該半
導体チップ上面に膜形成したＡＩ（アルミニウム）端子
と基体の半導体チップ固着面周囲に配置したところのＡ
Ｉをブラッドしたノード端子との間を、ＡＩのリード線
でボンディング接続した後、セラミックよりなる蓋を低
融点ガラスで接着封止している。
このようなサーディツプ形半導体装置において、その内
部回路構成又は特性の安定化等を目的とし、半導体チッ
プ裏面を特定のリード端子に接続することが多く、その
手段としてターミナルチップ方式がある。
部回路構成又は特性の安定化等を目的とし、半導体チッ
プ裏面を特定のリード端子に接続することが多く、その
手段としてターミナルチップ方式がある。
第１図はターミナルチップ方式半導体装置の概略説明図
であり、ａは蓋を取り除いた半導体装置の平面図、ｂは
ａ図の横断面図を示している。
であり、ａは蓋を取り除いた半導体装置の平面図、ｂは
ａ図の横断面図を示している。
第１図において、セラミックよりなる基体１は上面中央
部に長方形のくぼみを設け、その底面にＡｕ（金）膜を
形成して半導体チップ固着面２とし、該固着面２には半
導体チップ３及び円柱形の導体例えばＫＯＶＡＲ（コバ
ール）よりなるターミナルチップ４を熱圧着又は金属ペ
ーストにて固着している。
部に長方形のくぼみを設け、その底面にＡｕ（金）膜を
形成して半導体チップ固着面２とし、該固着面２には半
導体チップ３及び円柱形の導体例えばＫＯＶＡＲ（コバ
ール）よりなるターミナルチップ４を熱圧着又は金属ペ
ーストにて固着している。
一方、上面にＡ１をブラッドした複数のリード端子５は
、その一部が基体１の上面に低融点ガラスをもって接着
してあり、該リード端子５と半導体チップ３の上面に形
成しであるＡ１端子６及びＡ１膜を形成しであるターミ
ナルチップ４の上面７との間は、ＡＩのリード線８及び
８′にてボンディング接続している。
、その一部が基体１の上面に低融点ガラスをもって接着
してあり、該リード端子５と半導体チップ３の上面に形
成しであるＡ１端子６及びＡ１膜を形成しであるターミ
ナルチップ４の上面７との間は、ＡＩのリード線８及び
８′にてボンディング接続している。
このようなターミナルチップ方式の半導体装置は、半導
体チップ３の裏面と電気的な等他面であるターミナルチ
ップ４の上面７がリード端子５の上面と同一平面内に位
置せしめているため、その接続はボンダーを用いて容易
に行なえること、ターミナルチップ４の上面７には予め
Ａ１膜又はＡｇ（銀）膜等を形成しておくことにより、
Ａ１とＡｕを接合した際に発生するパープルブレイクの
心配がないこと等の利点がある。
体チップ３の裏面と電気的な等他面であるターミナルチ
ップ４の上面７がリード端子５の上面と同一平面内に位
置せしめているため、その接続はボンダーを用いて容易
に行なえること、ターミナルチップ４の上面７には予め
Ａ１膜又はＡｇ（銀）膜等を形成しておくことにより、
Ａ１とＡｕを接合した際に発生するパープルブレイクの
心配がないこと等の利点がある。
しかし、ターミナルチップ４が極めて小寸法であるため
、それを基体１に固着する作業は極めて非生産的である
こと並びに、ターミナルチップ４の位置がばらつく等の
欠点を有する。
、それを基体１に固着する作業は極めて非生産的である
こと並びに、ターミナルチップ４の位置がばらつく等の
欠点を有する。
本考案の目的は上記欠点を除去することであり、この目
的は、基体の半導体チップ固着面に、上方への突起を一
部に設けた金属ステージを固着し、該金属ステージ上面
の平坦部には、半導体チップの裏面を固着し、該半導体
チップ裏面とリード端子との接続は金属ステージの突起
とリード端子との間をリード線で接続してなることを特
徴とした半導体装置を提供して遠戚される。
的は、基体の半導体チップ固着面に、上方への突起を一
部に設けた金属ステージを固着し、該金属ステージ上面
の平坦部には、半導体チップの裏面を固着し、該半導体
チップ裏面とリード端子との接続は金属ステージの突起
とリード端子との間をリード線で接続してなることを特
徴とした半導体装置を提供して遠戚される。
以下図面を用いて本考案を説明する。
第２図は本考案の一実施例における半導体装置説明図で
あり、ａは金属板の一部を塑性加工して突起を設けた金
属ステージの斜視図、ｂはａの金属ステージを基体に固
着した状態の断面図を示す。
あり、ａは金属板の一部を塑性加工して突起を設けた金
属ステージの斜視図、ｂはａの金属ステージを基体に固
着した状態の断面図を示す。
第２図において、金属ステージ１１は、基体１の熱膨張
係数になるべく近い熱膨張係数の金属例えばＫｏｖａｒ
の薄板を、基体１の中央部長方形のくぼみに挿入できる
大きさに切断し、その端部を塑性加工して上方への突起
１１ ａを設け、ＡＩのリード線８′をボンディングし
ても支障を生じない金属例えばＡｇのめっきを全面に施
しである。
係数になるべく近い熱膨張係数の金属例えばＫｏｖａｒ
の薄板を、基体１の中央部長方形のくぼみに挿入できる
大きさに切断し、その端部を塑性加工して上方への突起
１１ ａを設け、ＡＩのリード線８′をボンディングし
ても支障を生じない金属例えばＡｇのめっきを全面に施
しである。
このような金属ステージ１１の裏面は、基体１の中央部
くぼみの底面に耐熱性ペースト例えばＡｕペーストにて
固着する。
くぼみの底面に耐熱性ペースト例えばＡｕペーストにて
固着する。
この時、突起１１ ａの上面１１ａ′は、基体１の上面
に配置したリード端子５の上面とほぼ高さが揃うように
しである。
に配置したリード端子５の上面とほぼ高さが揃うように
しである。
然る後、半導体チップ３は、金属ステージ１１の上面平
坦部に、耐熱ペースト例えばＡｕペースト又はろう材料
例えばＡｕ−５ｉ（シリコン）ペレットを用いて固着す
る。
坦部に、耐熱ペースト例えばＡｕペースト又はろう材料
例えばＡｕ−５ｉ（シリコン）ペレットを用いて固着す
る。
なお、当然のことながら、基体１と金属ステージ１１と
半導体チップ３の３者を同時に固着することもできる。
半導体チップ３の３者を同時に固着することもできる。
このようにして固着された半導体チップ３の端子６とリ
ード端子５は、従来同様の手法にて、Ａ１のリード線８
をボンディング接続するが、それと同一工程にて、突起
１１ ａの上面１１ａ′とリード端子５との間をＡ１の
リード線８′にてボンディング接続する。
ード端子５は、従来同様の手法にて、Ａ１のリード線８
をボンディング接続するが、それと同一工程にて、突起
１１ ａの上面１１ａ′とリード端子５との間をＡ１の
リード線８′にてボンディング接続する。
第３図は本考案に係わる金属ステージの他の一つの実施
例を示したものであり、第２図に示した金属ステージ１
１と同種金属よりなる同一大きさの金属ステージ１２は
、その一端に曲げ加工して突起１２ ａを設け、全面に
Ａｇめつき等の表面処理を施したものであり、金属ステ
ージ１１よりも作製が容易となること及び突起上面１２
ａ′が広いため接続されるリード端子位置に対する適応
性があることの利点を有する。
例を示したものであり、第２図に示した金属ステージ１
１と同種金属よりなる同一大きさの金属ステージ１２は
、その一端に曲げ加工して突起１２ ａを設け、全面に
Ａｇめつき等の表面処理を施したものであり、金属ステ
ージ１１よりも作製が容易となること及び突起上面１２
ａ′が広いため接続されるリード端子位置に対する適応
性があることの利点を有する。
以上説明したように、本考案による半導体装置は、該半
導体装置に固着した半導体チップ裏面をリード端子に接
続するための金属ステージに設けた突起位置が一定して
いるため、リード線によるボンディング接続を容易とし
、かつ、該接続不良を減少したこと、従来のターミナル
チップ方式構造よりも生産性が著しく向上したこと等の
効果は極めて大きい。
導体装置に固着した半導体チップ裏面をリード端子に接
続するための金属ステージに設けた突起位置が一定して
いるため、リード線によるボンディング接続を容易とし
、かつ、該接続不良を減少したこと、従来のターミナル
チップ方式構造よりも生産性が著しく向上したこと等の
効果は極めて大きい。
また本案はサーディツプ構造に限らず通常のパッケージ
においても適用できることは自明で゛ある。
においても適用できることは自明で゛ある。
第１図はターミナルチップ方式半導体装置の概略説明図
、第２図は本考案の一実施例における半導体装置説明図
、第３図は本考案に係わる金属ステージの他の一つの実
施例説明図。 １・・・・・・基体、３・・・・・・半導体チップ、５
・・・・・・リード端子、８，８′・・・・・・リード
線、１１，１２・・・・・・金属ステージ、１１ａ、１
２ａ・・・・・・突起、１１ ａ’、１２ ａ’・・・
・・・突起上面。
、第２図は本考案の一実施例における半導体装置説明図
、第３図は本考案に係わる金属ステージの他の一つの実
施例説明図。 １・・・・・・基体、３・・・・・・半導体チップ、５
・・・・・・リード端子、８，８′・・・・・・リード
線、１１，１２・・・・・・金属ステージ、１１ａ、１
２ａ・・・・・・突起、１１ ａ’、１２ ａ’・・・
・・・突起上面。
Claims (1)
- セラミック基板の上面中央部に半導体チップを固着した
半導体装置において、前記基体の上面中央部には、上方
への突起を一部に設けた金属ステージを固着し、該金属
ステージ上面の平坦部には、前記半導体チップの裏面を
固着し、該半導体チップ裏面とリード端子との接続は金
属ステージの突起とリード端子との間をリード線で接続
してなることを特徴とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979014204U JPS5824442Y2 (ja) | 1979-02-06 | 1979-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979014204U JPS5824442Y2 (ja) | 1979-02-06 | 1979-02-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55115052U JPS55115052U (ja) | 1980-08-13 |
| JPS5824442Y2 true JPS5824442Y2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=28833692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979014204U Expired JPS5824442Y2 (ja) | 1979-02-06 | 1979-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824442Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-02-06 JP JP1979014204U patent/JPS5824442Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55115052U (ja) | 1980-08-13 |
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