JPS5847709Y2 - 樹脂封止形半導体素子 - Google Patents
樹脂封止形半導体素子Info
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- JPS5847709Y2 JPS5847709Y2 JP1978098712U JP9871278U JPS5847709Y2 JP S5847709 Y2 JPS5847709 Y2 JP S5847709Y2 JP 1978098712 U JP1978098712 U JP 1978098712U JP 9871278 U JP9871278 U JP 9871278U JP S5847709 Y2 JPS5847709 Y2 JP S5847709Y2
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- JP
- Japan
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- resin
- substrate
- semiconductor
- semiconductor device
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- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体片上の電極との接続に細線が用いられる
樹脂封止形半導体素子に関する。
樹脂封止形半導体素子に関する。
半導体技術の進歩に伴ない半導体内の各領域の寸法を特
性上の要求に応じて精密にとることができるようになり
、半導体表面に設けられる電極の巾が狭くなってきてい
る。
性上の要求に応じて精密にとることができるようになり
、半導体表面に設けられる電極の巾が狭くなってきてい
る。
従ってこれらの電極への接続には細線のワイヤボンディ
ングの技術が適用される。
ングの技術が適用される。
しかしこの細線をそのま・外部へ導出しても、外部回路
と接続することは機械的強度の点で不可能であり、端子
としては断面積の大きい導体が必要である。
と接続することは機械的強度の点で不可能であり、端子
としては断面積の大きい導体が必要である。
従って何等かの方法で細線と導体との接続が行われる。
特にパワートランジスタにおいては、エミッタ電極から
の複数のワイヤを並列に断面の差の大きい引出導体に接
続しなければならないので、できるだけ少ない接続工数
で信頼性の高い接続を行うことが要求される。
の複数のワイヤを並列に断面の差の大きい引出導体に接
続しなければならないので、できるだけ少ない接続工数
で信頼性の高い接続を行うことが要求される。
本考案はこのような接続が可能な端子兼用の接続導体を
備えた低価格の樹脂封止形半導体素子を提供することを
目的とする。
備えた低価格の樹脂封止形半導体素子を提供することを
目的とする。
このような半導体素子は基板上に接縁体を介して固着さ
れる基部と、それに垂直で且つそれと一体に結合される
立上り部とからなる接続導体を有し、基板上に固着され
る半導体片上の電極と基部の表面との間は細線で接続さ
れ、立上り部の基板より遠い端部が端子部として露出す
るように樹脂により封止されることによって得られる。
れる基部と、それに垂直で且つそれと一体に結合される
立上り部とからなる接続導体を有し、基板上に固着され
る半導体片上の電極と基部の表面との間は細線で接続さ
れ、立上り部の基板より遠い端部が端子部として露出す
るように樹脂により封止されることによって得られる。
以下図を用いて本考案を詳細に説明する。
図において冷却体にとりつけられるが、それ自身冷却体
となる金属基板１の上に例えば斗うンジスタ半導体片２
が固着されている。
となる金属基板１の上に例えば斗うンジスタ半導体片２
が固着されている。
半導体２に近接して絶縁体３が同様に基板１に固着され
る。
る。
絶縁体３は樹脂又はセラミックより成り、樹脂の場合は
接着剤で基板１に接着されセラミックの場合は金属被覆
を施してろう付される。
接着剤で基板１に接着されセラミックの場合は金属被覆
を施してろう付される。
絶縁体３の上に本考案に基づく接続導体がその基部４で
固着される。
固着される。
基部４と絶縁体３との固着は、絶縁体３と基板１との固
着と同様の方法で行われる。
着と同様の方法で行われる。
接続導体の立上り部５は基部と一体で、一枚の金属板、
例えば銅又はアルミニウムの板を折り曲げることにより
安い費用で作られる。
例えば銅又はアルミニウムの板を折り曲げることにより
安い費用で作られる。
しかし基部４と立上り部５を別々に作り、例えば溶接に
よって一体としてもよい。
よって一体としてもよい。
両者は丁字形に結合してもよいが、Ｌ字形の方が占有面
積の節約の点で有利である。
積の節約の点で有利である。
接続導体の基部４は半導体片２の上の電極部、例えばエ
ミッタ電極部６と細線７により接続される。
ミッタ電極部６と細線７により接続される。
ワイヤボンディングは細線７にアルミニウム線を用いて
超音波溶接で行ってもよく、アルミニウム線又は金線を
用いて熱圧着法によって行ってもよい。
超音波溶接で行ってもよく、アルミニウム線又は金線を
用いて熱圧着法によって行ってもよい。
この場合接続細線７は立上り部の方向に平行に張られる
のでボンディング工具の動きは立上り部に邪魔されるこ
とがない。
のでボンディング工具の動きは立上り部に邪魔されるこ
とがない。
また細線の方向が平行であり、従ってそのポンチ゛イン
グのために与える超音波の振動方向を全ての細線に対し
平行としてよいため、溶接のために半導体片を回転させ
ることなく前後左右に移動させるのみでボンディングを
行うことができ、作業が容易であり、設備も簡素化でき
る。
グのために与える超音波の振動方向を全ての細線に対し
平行としてよいため、溶接のために半導体片を回転させ
ることなく前後左右に移動させるのみでボンディングを
行うことができ、作業が容易であり、設備も簡素化でき
る。
この後図示しないベース電極への接続作業を任意の方法
により行い半導体片の表面に必要があれば表面保護用の
ワニスを塗布してがら、注型法あるいはトランスファモ
ールド法で樹脂封止する。
により行い半導体片の表面に必要があれば表面保護用の
ワニスを塗布してがら、注型法あるいはトランスファモ
ールド法で樹脂封止する。
その際図示されないが樹脂層の外に立上り部５の端部が
露出していて外部接続端子板として役立つ。
露出していて外部接続端子板として役立つ。
穴８は端子穴の役をする。立上り部５は図示のように基
部４より幅を広く作って、外部回路との接続作業を容易
にすることができる。
部４より幅を広く作って、外部回路との接続作業を容易
にすることができる。
このような半導体素子は万一使用中に接続導体４と絶縁
体３の間、あるいは絶縁体３と基板１の間の結合部がは
がれるようなことがあっても、電気的導通には変りがな
いので素子の動作上には支障がない。
体３の間、あるいは絶縁体３と基板１の間の結合部がは
がれるようなことがあっても、電気的導通には変りがな
いので素子の動作上には支障がない。
以上のように本考案による半導体素子においては低い価
格でできる接続導体が端子の役をすると共に、中継部品
を用いないで直接半導体片と細線で接続され、そのボン
ディング作業も容易であり、しかも経済的な樹脂封止形
半導体素子が高い信頼性をもって製造可能となる。
格でできる接続導体が端子の役をすると共に、中継部品
を用いないで直接半導体片と細線で接続され、そのボン
ディング作業も容易であり、しかも経済的な樹脂封止形
半導体素子が高い信頼性をもって製造可能となる。
図面は本考案の一実施例の半導体素子の要部を示す斜視
図である。 １・・・・・・金属基板、２・・・・・・半導体片、３
・・・・・・絶縁体、４・・・・・・接続導体基部、５
・・・・・・接続導体立上り部、６・・・・・・電極部
、７・・・・・・接続細線。
図である。 １・・・・・・金属基板、２・・・・・・半導体片、３
・・・・・・絶縁体、４・・・・・・接続導体基部、５
・・・・・・接続導体立上り部、６・・・・・・電極部
、７・・・・・・接続細線。
Claims (2)
- （１）基板上に絶縁体を介して固着される基部と、該基
部に垂直で且つ該基部と一体に結合される立上り部とか
らなる接続導体を有し、前記基板上に固着される半導体
片上の電極と前記基部の表面との間は細線で接続され、
前記立上り部の前記基板より遠い端部が端子部として露
出するように樹脂層が設けられることを特徴とする樹脂
封止形半導体素子。 - （２）実用新案登録請求の範囲第１項記載の素子におい
て、接続導体の立上り部の幅が基部の幅より広いことを
特徴とする樹脂封止形半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978098712U JPS5847709Y2 (ja) | 1978-07-18 | 1978-07-18 | 樹脂封止形半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978098712U JPS5847709Y2 (ja) | 1978-07-18 | 1978-07-18 | 樹脂封止形半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5514792U JPS5514792U (ja) | 1980-01-30 |
| JPS5847709Y2 true JPS5847709Y2 (ja) | 1983-10-31 |
Family
ID=29034737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978098712U Expired JPS5847709Y2 (ja) | 1978-07-18 | 1978-07-18 | 樹脂封止形半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847709Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045900U (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | 松下精工株式会社 | 送風機の消音装置 |
-
1978
- 1978-07-18 JP JP1978098712U patent/JPS5847709Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5514792U (ja) | 1980-01-30 |
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