JPH051617B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置に係り、半導体素子、
特に半導体集積回路素子を低融点ガラスにより気
密封止するサーデイツプ型パツケージの構造に関
するものである。
特に半導体集積回路素子を低融点ガラスにより気
密封止するサーデイツプ型パツケージの構造に関
するものである。
従来、半導体素子を実装するサーデイツプ型パ
ツケージ(ガラス封止型パツケージ)の構造に関
しては、次のようなものが用いられてきた。これ
を第1図〜第4図により簡単に説明する。
ツケージ(ガラス封止型パツケージ)の構造に関
しては、次のようなものが用いられてきた。これ
を第1図〜第4図により簡単に説明する。
まず、第1図のようにセラミツクベース1上に
半導体素子をダイボンド実装する凹部(ダイボン
ドエリア)2を加工して成型後焼成する。次に、
ダイボンドエリア2に金ペーストまたは銀ペース
ト3をスクリーン印刷後焼成する。次に、セラミ
ツクベース1のダイボンドエリア2以外に低融点
ガラス4を印刷後仮焼成する。次に、ワイヤボン
ド部はアルミクラツド加工した鉄・ニツケルなど
の素材からなるリードフレーム5を低融点ガラス
4に押圧して第2図のように取り付ける。
半導体素子をダイボンド実装する凹部(ダイボン
ドエリア)2を加工して成型後焼成する。次に、
ダイボンドエリア2に金ペーストまたは銀ペース
ト3をスクリーン印刷後焼成する。次に、セラミ
ツクベース1のダイボンドエリア2以外に低融点
ガラス4を印刷後仮焼成する。次に、ワイヤボン
ド部はアルミクラツド加工した鉄・ニツケルなど
の素材からなるリードフレーム5を低融点ガラス
4に押圧して第2図のように取り付ける。
次に、ダイボンドエリア2に第2図に示す半導
体素子(ICチツプ)6を金・シリコンろう材7
を用いて第3図のようにダイボンドする。次に、
ダイボンドエリア2に鉄・ニツケルなどの素材の
一主面に金を、他の主面にアルミニウムをクラツ
ドしたターミナルチツプ8を金がクラツドされた
主面が、ダイボンドエリア2に面するようにして
金・シリコンろう材7を用いて接着する。次に、
ICチツプ6のアルミ電極とリードフレーム5の
間をアルミニウムが主成分である金属細線17を
用いてワイヤボンド方式で結線する。さらに、タ
ーミナルチツプ8のアルミニウムをクラツドした
面とリードフレーム5とを金属細線18を用いて
ワイヤボンド方式で結線する。
体素子(ICチツプ)6を金・シリコンろう材7
を用いて第3図のようにダイボンドする。次に、
ダイボンドエリア2に鉄・ニツケルなどの素材の
一主面に金を、他の主面にアルミニウムをクラツ
ドしたターミナルチツプ8を金がクラツドされた
主面が、ダイボンドエリア2に面するようにして
金・シリコンろう材7を用いて接着する。次に、
ICチツプ6のアルミ電極とリードフレーム5の
間をアルミニウムが主成分である金属細線17を
用いてワイヤボンド方式で結線する。さらに、タ
ーミナルチツプ8のアルミニウムをクラツドした
面とリードフレーム5とを金属細線18を用いて
ワイヤボンド方式で結線する。
次に、セラミツクからなる蓋板9の一主面に低
融点ガラス10を印刷後仮焼成し、この蓋板9
を、ICチツプ6を実装後ワイヤボンドの完了し
たセラミツクベース1の低融点ガラス4の印刷面
に、蓋板9の低融点ガラス10の印刷面が合うよ
うにしてセラミツクベース1を取り付け、低融点
ガラス4,10の融点以上の温度を加えると、セ
ラミツクベース1が密着し、気密封止される。
融点ガラス10を印刷後仮焼成し、この蓋板9
を、ICチツプ6を実装後ワイヤボンドの完了し
たセラミツクベース1の低融点ガラス4の印刷面
に、蓋板9の低融点ガラス10の印刷面が合うよ
うにしてセラミツクベース1を取り付け、低融点
ガラス4,10の融点以上の温度を加えると、セ
ラミツクベース1が密着し、気密封止される。
その後、ガラス面より外部へ突出しているリー
ドフレーム5に外装メツキなどを施した後にダイ
バー部を切断すると、第4図に示すように半導体
装置が完成する。なお、11は前記蓋板9の中央
に形成された紫外線透過ガラスである。
ドフレーム5に外装メツキなどを施した後にダイ
バー部を切断すると、第4図に示すように半導体
装置が完成する。なお、11は前記蓋板9の中央
に形成された紫外線透過ガラスである。
しかしながら、上記従来の半導体装置において
は、ダイボンドエリア2に金ペーストまたは銀ペ
ースト3を用い、また、ダイボンドろう材として
金・シリコンろう材7を用いているので高価とな
る欠点があつた。
は、ダイボンドエリア2に金ペーストまたは銀ペ
ースト3を用い、また、ダイボンドろう材として
金・シリコンろう材7を用いているので高価とな
る欠点があつた。
そこで、上記欠点を除去するために第5図に示
すような半導体装置を提案した。以下、この従来
例について簡単に説明する。
すような半導体装置を提案した。以下、この従来
例について簡単に説明する。
第5図の従来例では、セラミツクベース1に形
成されたダイボンドエリア2に低融点ガラス12
を塗布後、鉄・ニツケルまたはコバールの素材の
両主面に銀メツキを施した銀メツキ金属板(以
下、これをAg板と称する)13を載置する。こ
のAg板13は、低融点ガラス12によりセラミ
ツクベース1と強固に接着する。そして、リード
フレーム5のうちの1本の先端を折り曲げ、Ag
板13のダイスパツト部に接触させ、前記先端と
Ag板13とを金・シリコンろう材16により接
着する(以下、このリードフレーム5をアース・
リード15と称する)。
成されたダイボンドエリア2に低融点ガラス12
を塗布後、鉄・ニツケルまたはコバールの素材の
両主面に銀メツキを施した銀メツキ金属板(以
下、これをAg板と称する)13を載置する。こ
のAg板13は、低融点ガラス12によりセラミ
ツクベース1と強固に接着する。そして、リード
フレーム5のうちの1本の先端を折り曲げ、Ag
板13のダイスパツト部に接触させ、前記先端と
Ag板13とを金・シリコンろう材16により接
着する(以下、このリードフレーム5をアース・
リード15と称する)。
次に、ICチツプ6をハンダ14を用いてAg板
13に接着させる。なお、その他の工程は、第1
図〜第4図と同様に行われる。
13に接着させる。なお、その他の工程は、第1
図〜第4図と同様に行われる。
この第5図の従来例によれば、金ペーストを
Ag板13に変更し、ダイボンド用ろう材を金・
シリコンからハンダ14に変更したため、価格を
低下することができる。また、ターミナルチツプ
8を用いずアース・リード15としたことによ
り、材料の価格および製造工程の短縮を図るこが
できる。
Ag板13に変更し、ダイボンド用ろう材を金・
シリコンからハンダ14に変更したため、価格を
低下することができる。また、ターミナルチツプ
8を用いずアース・リード15としたことによ
り、材料の価格および製造工程の短縮を図るこが
できる。
しかしながら、第5図の従来例においても、な
お次のような欠点を有していた。
お次のような欠点を有していた。
アース・リード15の折り曲げ加工が技術的
に困難であること。特に、先端の曲げ長さは極
めて寸法精度の要求が高いものであり、この長
さが不均一であると、リードフレーム5とアー
ス・リード15との電気的開放(オープン)を
発生させる恐れがあること。
に困難であること。特に、先端の曲げ長さは極
めて寸法精度の要求が高いものであり、この長
さが不均一であると、リードフレーム5とアー
ス・リード15との電気的開放(オープン)を
発生させる恐れがあること。
ICチツプ6とアース・リード15とを結線
する金・シリコンろう材16の量の管理が困難
であること。また、ICチツプ6を接着させる
目的で使用されるろう材であるハンダ14が、
金・シリコンろう材16と反応し、ダイスパツ
ト部とアース・リード15の電気的結線の信頼
性を低下させる恐れがあること。
する金・シリコンろう材16の量の管理が困難
であること。また、ICチツプ6を接着させる
目的で使用されるろう材であるハンダ14が、
金・シリコンろう材16と反応し、ダイスパツ
ト部とアース・リード15の電気的結線の信頼
性を低下させる恐れがあること。
この発明は、上記の欠点を改善するためになさ
れたもので、ターミナルチツプの両主面にアルミ
ニウム、ハンダをそれぞれクラツドし、前記ハン
ダ面をセラミツクベースのダイボンドエリアに固
着されたAg板に固着することにより、安価で値
頼性を向上させた半導体装置を提供するものであ
る。以下、この発明について説明する。
れたもので、ターミナルチツプの両主面にアルミ
ニウム、ハンダをそれぞれクラツドし、前記ハン
ダ面をセラミツクベースのダイボンドエリアに固
着されたAg板に固着することにより、安価で値
頼性を向上させた半導体装置を提供するものであ
る。以下、この発明について説明する。
第6図はこの発明の一実施例を示す拡大断面図
である。なお、第1図〜第5図と同一符号は同一
部分を示す。
である。なお、第1図〜第5図と同一符号は同一
部分を示す。
第6図において、両面にAgメツキ部19が施
されたAg板13を、セラミツクベース1のダイ
ボンドエリア2に低融点ガラス12を用いて接着
させ、そのAg板13上にICチツプ6を接着し、
ICチツプ6上の電極とリードフレーム5とに金
属細線17でワイヤボンドする。
されたAg板13を、セラミツクベース1のダイ
ボンドエリア2に低融点ガラス12を用いて接着
させ、そのAg板13上にICチツプ6を接着し、
ICチツプ6上の電極とリードフレーム5とに金
属細線17でワイヤボンドする。
次に、第7図a,bに示すように、鉄・ニツケ
ルまたはコバールを素材とし、その一主面にはア
ルミニウム21をクラツドし、それに対向する他
の主面にはハンダ22をクラツドしたターミナル
チツプ20を、ハンド22をクラツドした面を
Ag板13のダイスパツト部に、ハンダ23を用
いて第6図のように接着する。なお、ターミナル
チツプ20の形状は、矩形に限らず円形等任意の
ものでよい。
ルまたはコバールを素材とし、その一主面にはア
ルミニウム21をクラツドし、それに対向する他
の主面にはハンダ22をクラツドしたターミナル
チツプ20を、ハンド22をクラツドした面を
Ag板13のダイスパツト部に、ハンダ23を用
いて第6図のように接着する。なお、ターミナル
チツプ20の形状は、矩形に限らず円形等任意の
ものでよい。
その後、ターミナルチツプ20のアルミニウム
21をクラツドした面に、金属細線18をワイヤ
ボンドする。これ以降の製造工程は、従来例と同
じである。
21をクラツドした面に、金属細線18をワイヤ
ボンドする。これ以降の製造工程は、従来例と同
じである。
また、第3図の金ペーストをダイボンド面に塗
布した従来例であつても、ハンダ、ダイボンド方
式が可能と思われるが、実際は、銀ペーストの場
合は、ハンダとの濡れ性が悪く、濡れ性を改善す
るためにはフラツクスを使用するか、または還元
性雰囲気でダイボンドしなければならないなどの
難点が生じ、実質は不可能である。
布した従来例であつても、ハンダ、ダイボンド方
式が可能と思われるが、実際は、銀ペーストの場
合は、ハンダとの濡れ性が悪く、濡れ性を改善す
るためにはフラツクスを使用するか、または還元
性雰囲気でダイボンドしなければならないなどの
難点が生じ、実質は不可能である。
第7図aのAは取り付けの際の方向性を判別す
るための切り欠き部で、取り付け方向が判別でき
るのはもちろん、表裏が逆になつていると切り欠
きAが中心線対称の位置にくるので、互いに鏡像
の関係になり、表裏が逆になつたターミナルチツ
プ20をいかに回転したとしても重なり合うこと
がなく、ターミナルチツプ20の表裏判別が光学
的または機械的に可能となる。ターミナルチツプ
20の表裏判別を誤判定したときは、ターミナル
チツプ20はダイボンド面へ接着不可能であるの
で、この判別部の形成は有効である。
るための切り欠き部で、取り付け方向が判別でき
るのはもちろん、表裏が逆になつていると切り欠
きAが中心線対称の位置にくるので、互いに鏡像
の関係になり、表裏が逆になつたターミナルチツ
プ20をいかに回転したとしても重なり合うこと
がなく、ターミナルチツプ20の表裏判別が光学
的または機械的に可能となる。ターミナルチツプ
20の表裏判別を誤判定したときは、ターミナル
チツプ20はダイボンド面へ接着不可能であるの
で、この判別部の形成は有効である。
以上説明したように、この発明の半導体装置
は、セラミツクベースのダイボンドエリアに両面
に銀メツキを施した銀メツキ金属板を低融点ガラ
スを介して固着し、この銀メツキ金属板上にハン
ダを介して半導体素子を固着し、前記銀メツキ金
属板の所要位置に、一主面にアルミニウムをクラ
ツドし、他主面にハンダをクラツドしたターミナ
ルチツプを前記ハンダをクラツドした面をハンダ
を介して固着し、ターミナルチツプのアルミニウ
ムをクラツドした面にワイヤボンドを施すように
したので、安価で性能向上が図れる。
は、セラミツクベースのダイボンドエリアに両面
に銀メツキを施した銀メツキ金属板を低融点ガラ
スを介して固着し、この銀メツキ金属板上にハン
ダを介して半導体素子を固着し、前記銀メツキ金
属板の所要位置に、一主面にアルミニウムをクラ
ツドし、他主面にハンダをクラツドしたターミナ
ルチツプを前記ハンダをクラツドした面をハンダ
を介して固着し、ターミナルチツプのアルミニウ
ムをクラツドした面にワイヤボンドを施すように
したので、安価で性能向上が図れる。
また、ターミナルチツプに、これを取り付ける
際の方向性を判別する切欠部を形成したので、タ
ーミナルチツプの取り付けに際し、方向判別を自
動的に行うことができ、自動取り付けが可能とな
り、しかも、方向性を判別する切欠部は簡単に形
成できるので、性能向上とともに能率の向上を図
ることができる半導体装置を提供できる利点があ
る。
際の方向性を判別する切欠部を形成したので、タ
ーミナルチツプの取り付けに際し、方向判別を自
動的に行うことができ、自動取り付けが可能とな
り、しかも、方向性を判別する切欠部は簡単に形
成できるので、性能向上とともに能率の向上を図
ることができる半導体装置を提供できる利点があ
る。
第1図は従来の半導体装置のリードフレームと
セラミツクベースを示す斜視図、第2図は従来の
半導体装置の分解斜視図、第3図は蓋板にて蓋付
けする前の半導体装置の断面図、第4図は完成し
た半導体装置の斜視図、第5図は従来の他の半導
体装置を示す断面図、第6図はこの発明の一実施
例を示す半導体装置の断面図、第7図a,bはタ
ーミナルチツプの取り付けの際の方向性を判別す
るための判別部を形成したターミナルチツプの平
面図および側面図である。 図中、1はセラミツクベース、2はダイボンド
エリア、4,10,12は低融点ガラス、5はリ
ードフレーム、6はICチツプ、9は蓋板、11
は紫外線透過ガラス、13は銀メツキ金属板、1
4,22,23ハンダ、17,18は金属細線、
20はターミナルチツプ、21はアルミニウムで
ある。なお、図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。
セラミツクベースを示す斜視図、第2図は従来の
半導体装置の分解斜視図、第3図は蓋板にて蓋付
けする前の半導体装置の断面図、第4図は完成し
た半導体装置の斜視図、第5図は従来の他の半導
体装置を示す断面図、第6図はこの発明の一実施
例を示す半導体装置の断面図、第7図a,bはタ
ーミナルチツプの取り付けの際の方向性を判別す
るための判別部を形成したターミナルチツプの平
面図および側面図である。 図中、1はセラミツクベース、2はダイボンド
エリア、4,10,12は低融点ガラス、5はリ
ードフレーム、6はICチツプ、9は蓋板、11
は紫外線透過ガラス、13は銀メツキ金属板、1
4,22,23ハンダ、17,18は金属細線、
20はターミナルチツプ、21はアルミニウムで
ある。なお、図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。
Claims (1)
- 1 セラミツクベース上のダイボンドエリアに両
面に銀メツキを施した銀メツキ金属板を低融点ガ
ラスを介して固着し、前記銀メツキ金属板上にハ
ンダを介して半導体素子を固着し、リードフレー
ムとの間に所要のワイヤボンドを施し、封止して
なる半導体装置において、前記銀メツキ金属板の
所要位置に、一主面にアルミニウムがクラツドさ
れ、他主面にハンダがクラツドされるとともに、
取り付けの際の方向性を判別するための切欠部が
形成されたターミナルチツプの前記ハンダがクラ
ツドされた面がハンダを介して固着され、前記タ
ーミナルチツプのアルミニウムがクラツドされた
面に所要のワイヤボンドが施されたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59023275A JPS60167449A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59023275A JPS60167449A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60167449A JPS60167449A (ja) | 1985-08-30 |
JPH051617B2 true JPH051617B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=12106048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59023275A Granted JPS60167449A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60167449A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0691119B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1994-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS575341A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS58429B2 (ja) * | 1974-08-07 | 1983-01-06 | ヒサミツセイヤク カブシキガイシヤ | シンキナ 2− オキソ −1,2,3,4− テトラヒドロピリド ( 2,3−d ) ピリミジンユウドウタイ オヨビ ソノサンフカエンノ セイゾウホウ |
JPS5858749A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体チツプ塔載用支持体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58429U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59023275A patent/JPS60167449A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58429B2 (ja) * | 1974-08-07 | 1983-01-06 | ヒサミツセイヤク カブシキガイシヤ | シンキナ 2− オキソ −1,2,3,4− テトラヒドロピリド ( 2,3−d ) ピリミジンユウドウタイ オヨビ ソノサンフカエンノ セイゾウホウ |
JPS575341A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS5858749A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体チツプ塔載用支持体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60167449A (ja) | 1985-08-30 |
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