JPH11186465A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH11186465A JPH11186465A JP35740997A JP35740997A JPH11186465A JP H11186465 A JPH11186465 A JP H11186465A JP 35740997 A JP35740997 A JP 35740997A JP 35740997 A JP35740997 A JP 35740997A JP H11186465 A JPH11186465 A JP H11186465A
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- Japan
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- semiconductor device
- conductor pattern
- semiconductor chip
- groove
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高信頼性を確保し実装上の問題が生じない。
【解決手段】 金属板５の表面を覆った絶縁被膜６上に
導体パターン７が設けられてなる金属基板８と、この金
属基板８にダイボンディングされた半導体チップ２と、
この半導体チップ２上の電極と導体パターン７上の電極
をワイヤボンディングする金線９と、半導体チップ２と
金線９とを封止する樹脂３とを備え、金属基板８の平坦
な部分に導体パターン７が配置され、この導体パターン
７の外部へ露出した外部電極４に対応する樹脂封止部分
３の側面に溝１を設けた。これにより、導体パターン７
に曲げ応力が発生せず信頼性が向上する。また、溝１を
設けたので、プリント基板実装時に毛細管現象により半
田が吸い上がり、半導体装置を確実に実装できる。
導体パターン７が設けられてなる金属基板８と、この金
属基板８にダイボンディングされた半導体チップ２と、
この半導体チップ２上の電極と導体パターン７上の電極
をワイヤボンディングする金線９と、半導体チップ２と
金線９とを封止する樹脂３とを備え、金属基板８の平坦
な部分に導体パターン７が配置され、この導体パターン
７の外部へ露出した外部電極４に対応する樹脂封止部分
３の側面に溝１を設けた。これにより、導体パターン７
に曲げ応力が発生せず信頼性が向上する。また、溝１を
設けたので、プリント基板実装時に毛細管現象により半
田が吸い上がり、半導体装置を確実に実装できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特に樹脂によっ
て封止した型の半導体装置およびその製造方法に関する
ものである。
て封止した型の半導体装置およびその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来の半導体装置の一例を示す。
図４に示すように、金属基板１８に設けた凹部２０に樹
脂１３を流し込んで半導体チップ１２と金線１９を封止
した構造になっている。製造時には、金属板１５上に絶
縁被膜１６を形成した後、この絶縁被膜１６上に導体パ
ターン１７を形成し、中央部にプレス加工等により凹部
２０を設けて金属基板１８を作る。次にこの凹部２０の
底に半導体チップ１２をダイボンディングし、細い金線
１９にて半導体チップ１２の電極と導体パターン１７上
の電極とをワイヤボンディングして接続する。最後に外
部電極１４を露出させた状態で、樹脂１３を凹部２０に
流し込んで半導体チップ１２と金線１９とを樹脂封止し
ている。
図４に示すように、金属基板１８に設けた凹部２０に樹
脂１３を流し込んで半導体チップ１２と金線１９を封止
した構造になっている。製造時には、金属板１５上に絶
縁被膜１６を形成した後、この絶縁被膜１６上に導体パ
ターン１７を形成し、中央部にプレス加工等により凹部
２０を設けて金属基板１８を作る。次にこの凹部２０の
底に半導体チップ１２をダイボンディングし、細い金線
１９にて半導体チップ１２の電極と導体パターン１７上
の電極とをワイヤボンディングして接続する。最後に外
部電極１４を露出させた状態で、樹脂１３を凹部２０に
流し込んで半導体チップ１２と金線１９とを樹脂封止し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置では、導体パターン１７を凹部２０の段
差部に形成するため導体パターン１７が折れ曲がって曲
げ応力が発生し、信頼性が低下するという問題があっ
た。したがって、この発明の目的は、高信頼性を確保で
きる半導体装置およびその製造方法を提供することであ
る。
来の半導体装置では、導体パターン１７を凹部２０の段
差部に形成するため導体パターン１７が折れ曲がって曲
げ応力が発生し、信頼性が低下するという問題があっ
た。したがって、この発明の目的は、高信頼性を確保で
きる半導体装置およびその製造方法を提供することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、この発明の請求項１記載の半導体装置は、基材の
表面を覆った絶縁被膜上に導体パターンが設けられてな
るリードフレームと、このリードフレームにダイボンデ
ィングされた半導体チップと、この半導体チップ上の電
極と導体パターン上の電極をワイヤボンディングする金
線と、半導体チップと金線とを封止する樹脂とを備えた
半導体装置であって、リードフレームの平坦な部分に導
体パターンが配置され、この導体パターンの外部へ露出
した外部電極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設け
たことを特徴とする。
めに、この発明の請求項１記載の半導体装置は、基材の
表面を覆った絶縁被膜上に導体パターンが設けられてな
るリードフレームと、このリードフレームにダイボンデ
ィングされた半導体チップと、この半導体チップ上の電
極と導体パターン上の電極をワイヤボンディングする金
線と、半導体チップと金線とを封止する樹脂とを備えた
半導体装置であって、リードフレームの平坦な部分に導
体パターンが配置され、この導体パターンの外部へ露出
した外部電極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設け
たことを特徴とする。
【０００５】このように、リードフレームの平坦な部分
に導体パターンが配置されているので、導体パターンに
曲げ応力が発生せず信頼性が向上する。また、導体パタ
ーンの外部へ露出した外部電極に対応する樹脂封止部分
の側面に溝を設けたので、プリント基板実装時に毛細管
現象により半田が吸い上がり、実装上の問題がなく半導
体装置を確実に実装できる。
に導体パターンが配置されているので、導体パターンに
曲げ応力が発生せず信頼性が向上する。また、導体パタ
ーンの外部へ露出した外部電極に対応する樹脂封止部分
の側面に溝を設けたので、プリント基板実装時に毛細管
現象により半田が吸い上がり、実装上の問題がなく半導
体装置を確実に実装できる。
【０００６】請求項２記載の半導体装置は、請求項１に
おいて、溝にメタライズ加工を施した。このように、溝
にメタライズ加工を施したので、実装基板に実装する際
に半田の濡れ性が向上し、半導体装置をさらに確実に実
装できる。請求項３記載の半導体装置は、請求項１にお
いて、半導体チップを固着したリードフレームのチップ
搭載部に凹部を設けた。このように、半導体チップを固
着したリードフレームのチップ搭載部に凹部を設けたの
で、半導体チップが凹部に納まることにより樹脂封止部
分の凸部の高さが抑えられ、半導体装置をさらに確実に
実装できる。
おいて、溝にメタライズ加工を施した。このように、溝
にメタライズ加工を施したので、実装基板に実装する際
に半田の濡れ性が向上し、半導体装置をさらに確実に実
装できる。請求項３記載の半導体装置は、請求項１にお
いて、半導体チップを固着したリードフレームのチップ
搭載部に凹部を設けた。このように、半導体チップを固
着したリードフレームのチップ搭載部に凹部を設けたの
で、半導体チップが凹部に納まることにより樹脂封止部
分の凸部の高さが抑えられ、半導体装置をさらに確実に
実装できる。
【０００７】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
基材の表面を絶縁被膜で覆い、この絶縁被膜上に導体パ
ターンを設けてなるリードフレームに半導体チップをダ
イボンディングし、半導体チップ上の電極と導体パター
ン上の電極とをワイヤボンディング法により接続した状
態で樹脂封止し、導体パターンの外部へ露出した外部電
極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設けこの溝にメ
タライズ加工を施すことを特徴とする。
基材の表面を絶縁被膜で覆い、この絶縁被膜上に導体パ
ターンを設けてなるリードフレームに半導体チップをダ
イボンディングし、半導体チップ上の電極と導体パター
ン上の電極とをワイヤボンディング法により接続した状
態で樹脂封止し、導体パターンの外部へ露出した外部電
極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設けこの溝にメ
タライズ加工を施すことを特徴とする。
【０００８】このように、基材の表面を絶縁被膜で覆
い、この絶縁被膜上に導体パターンを設けてなるリード
フレームに半導体チップをダイボンディングするので、
導体パターンがリードフレームの平坦な部分に配置され
て、導体パターンに曲げ応力が発生せず信頼性が向上す
る。また、導体パターンの外部へ露出した外部電極に対
応する樹脂封止部分の側面に溝を設けこの溝にメタライ
ズ加工を施すので、プリント基板実装時に毛細管現象に
より半田が吸い上がりかつ濡れ性が向上して、半導体装
置を容易かつ確実に実装できる。
い、この絶縁被膜上に導体パターンを設けてなるリード
フレームに半導体チップをダイボンディングするので、
導体パターンがリードフレームの平坦な部分に配置され
て、導体パターンに曲げ応力が発生せず信頼性が向上す
る。また、導体パターンの外部へ露出した外部電極に対
応する樹脂封止部分の側面に溝を設けこの溝にメタライ
ズ加工を施すので、プリント基板実装時に毛細管現象に
より半田が吸い上がりかつ濡れ性が向上して、半導体装
置を容易かつ確実に実装できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態を図
１および図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第
１の実施の形態の半導体装置の断面図、図２はこの発明
の第１の実施の形態の半導体装置を側面を示した斜視図
である。図１に示すように、この半導体装置は、基材と
なる金属板５の表面を覆った絶縁被膜６上に導体パター
ン７が設けられてなる平板状の金属基板（リードフレー
ム）８と、この金属基板８の中央部にダイボンディング
された半導体チップ２と、この半導体チップ２上の電極
と導体パターン７上の電極をワイヤボンディングする金
線９と、半導体チップ２と金線９とを封止する樹脂３と
を備えている。また、導体パターン７は金属基板８の平
坦な部分に配置され、図２に示すように導体パターン７
の外部へ露出した外部電極４に対応する樹脂封止部分３
の側面に溝１が設けてある。
１および図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第
１の実施の形態の半導体装置の断面図、図２はこの発明
の第１の実施の形態の半導体装置を側面を示した斜視図
である。図１に示すように、この半導体装置は、基材と
なる金属板５の表面を覆った絶縁被膜６上に導体パター
ン７が設けられてなる平板状の金属基板（リードフレー
ム）８と、この金属基板８の中央部にダイボンディング
された半導体チップ２と、この半導体チップ２上の電極
と導体パターン７上の電極をワイヤボンディングする金
線９と、半導体チップ２と金線９とを封止する樹脂３と
を備えている。また、導体パターン７は金属基板８の平
坦な部分に配置され、図２に示すように導体パターン７
の外部へ露出した外部電極４に対応する樹脂封止部分３
の側面に溝１が設けてある。
【００１０】つぎに、この半導体装置の製造方法につい
て説明する。金属板５上に絶縁被膜６を形成した後、こ
の絶縁被膜６上に導体パターン７を形成し、金属基板８
を作る。次に半導体チップ２をダイボンディングし、細
い金線９にて半導体チップ２の電極と金線９とを樹脂封
止する。このとき、樹脂封止金型には樹脂封止部分３の
側面に対応する部分に溝加工が施されており、外部電極
４に対応する樹脂封止部分３の側面に溝１が形成される
ようにしてある。
て説明する。金属板５上に絶縁被膜６を形成した後、こ
の絶縁被膜６上に導体パターン７を形成し、金属基板８
を作る。次に半導体チップ２をダイボンディングし、細
い金線９にて半導体チップ２の電極と金線９とを樹脂封
止する。このとき、樹脂封止金型には樹脂封止部分３の
側面に対応する部分に溝加工が施されており、外部電極
４に対応する樹脂封止部分３の側面に溝１が形成される
ようにしてある。
【００１１】以上のようにこの実施の形態によれば、金
属基板８の平坦な部分に導体パターン７が配置されてい
るので、導体パターン７に曲げ応力が発生せず信頼性が
向上する。また、導体パターン７の外部へ露出した外部
電極４に対応する樹脂封止部分３の側面に溝１を設けた
ので、プリント基板実装時に毛細管現象により半田が吸
い上がり、実装上の問題がなく半導体装置を確実に実装
できる。なお、金属基板のかわりにガラス基板を用いて
もよい。
属基板８の平坦な部分に導体パターン７が配置されてい
るので、導体パターン７に曲げ応力が発生せず信頼性が
向上する。また、導体パターン７の外部へ露出した外部
電極４に対応する樹脂封止部分３の側面に溝１を設けた
ので、プリント基板実装時に毛細管現象により半田が吸
い上がり、実装上の問題がなく半導体装置を確実に実装
できる。なお、金属基板のかわりにガラス基板を用いて
もよい。
【００１２】この発明の第２の実施の形態を図３に基づ
いて説明する。図３はこの発明の第２の実施の形態の半
導体装置の断面図である。この実施の形態では、金属基
板８は半導体チップ搭載部１１に凹部１０が設けられて
いる。このようにすると、半導体チップ２が凹部１０に
納まることにより樹脂封止部分３の凸部の高さが抑えら
れ、実装基板に実装する時に、さらに確実に実装でき
る。その他の構成効果は、第１の実施の形態と同様であ
る。
いて説明する。図３はこの発明の第２の実施の形態の半
導体装置の断面図である。この実施の形態では、金属基
板８は半導体チップ搭載部１１に凹部１０が設けられて
いる。このようにすると、半導体チップ２が凹部１０に
納まることにより樹脂封止部分３の凸部の高さが抑えら
れ、実装基板に実装する時に、さらに確実に実装でき
る。その他の構成効果は、第１の実施の形態と同様であ
る。
【００１３】この発明の第３の実施の形態について説明
する。この実施の形態では、第１または第２の実施の形
態において、溝加工部のみに金属蒸着技術、エッチング
技術、レーザ技術によりメタライズ加工を施す。このよ
うにすると、実装基板に実装する時に、半田の濡れ性が
向上し、さらに確実に実装できる。
する。この実施の形態では、第１または第２の実施の形
態において、溝加工部のみに金属蒸着技術、エッチング
技術、レーザ技術によりメタライズ加工を施す。このよ
うにすると、実装基板に実装する時に、半田の濡れ性が
向上し、さらに確実に実装できる。
【００１４】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の半導体装置に
よれば、リードフレームの平坦な部分に導体パターンが
配置されているので、導体パターンに曲げ応力が発生せ
ず信頼性が向上する。また、導体パターンの外部へ露出
した外部電極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設け
たので、プリント基板実装時に毛細管現象により半田が
吸い上がり、実装上の問題がなく半導体装置を確実に実
装できる。
よれば、リードフレームの平坦な部分に導体パターンが
配置されているので、導体パターンに曲げ応力が発生せ
ず信頼性が向上する。また、導体パターンの外部へ露出
した外部電極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設け
たので、プリント基板実装時に毛細管現象により半田が
吸い上がり、実装上の問題がなく半導体装置を確実に実
装できる。
【００１５】請求項２では、溝にメタライズ加工を施し
たので、実装基板に実装する際に半田の濡れ性が向上
し、半導体装置をさらに確実に実装できる。請求項３で
は、半導体チップを固着したリードフレームのチップ搭
載部に凹部を設けたので、半導体チップが凹部に納まる
ことにより樹脂封止部分の凸部の高さが抑えられ、半導
体装置をさらに確実に実装できる。
たので、実装基板に実装する際に半田の濡れ性が向上
し、半導体装置をさらに確実に実装できる。請求項３で
は、半導体チップを固着したリードフレームのチップ搭
載部に凹部を設けたので、半導体チップが凹部に納まる
ことにより樹脂封止部分の凸部の高さが抑えられ、半導
体装置をさらに確実に実装できる。
【００１６】この発明の請求項４記載の半導体装置の製
造方法によれば、基材の表面を絶縁被膜で覆い、この絶
縁被膜上に導体パターンを設けてなるリードフレームに
半導体チップをダイボンディングするので、導体パター
ンがリードフレームの平坦な部分に配置されて、導体パ
ターンに曲げ応力が発生せず信頼性が向上する。また、
導体パターンの外部へ露出した外部電極に対応する樹脂
封止部分の側面に溝を設けこの溝にメタライズ加工を施
すので、プリント基板実装時に毛細管現象により半田が
吸い上がりかつ濡れ性が向上して、半導体装置を容易か
つ確実に実装できる。
造方法によれば、基材の表面を絶縁被膜で覆い、この絶
縁被膜上に導体パターンを設けてなるリードフレームに
半導体チップをダイボンディングするので、導体パター
ンがリードフレームの平坦な部分に配置されて、導体パ
ターンに曲げ応力が発生せず信頼性が向上する。また、
導体パターンの外部へ露出した外部電極に対応する樹脂
封止部分の側面に溝を設けこの溝にメタライズ加工を施
すので、プリント基板実装時に毛細管現象により半田が
吸い上がりかつ濡れ性が向上して、半導体装置を容易か
つ確実に実装できる。
【図１】この発明の第１の実施の形態の半導体装置の概
略構成を示す断面図である。
略構成を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態の半導体装置を側
面を示した斜視図である。
面を示した斜視図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態の半導体装置の概
略構成を示す断面図である。
略構成を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の概略構成を示す断面図であ
る。
る。
１ 溝 ２ 半導体チップ ３ 樹脂 ４ 外部電極 ５ 金属板 ６ 絶縁被膜 ７ 導体パターン ８ 金属基板 ９ 金線
Claims (4)
- 【請求項１】 基材の表面を覆った絶縁被膜上に導体パ
ターンが設けられてなるリードフレームと、このリード
フレームにダイボンディングされた半導体チップと、こ
の半導体チップ上の電極と前記導体パターン上の電極を
ワイヤボンディングする金線と、前記半導体チップと前
記金線とを封止する樹脂とを備えた半導体装置であっ
て、前記リードフレームの平坦な部分に前記導体パター
ンが配置され、この導体パターンの外部へ露出した外部
電極に対応する樹脂封止部分の側面に溝を設けたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 溝にメタライズ加工を施した請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップを固着したリードフレーム
のチップ搭載部に凹部を設けた請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 基材の表面を絶縁被膜で覆い、この絶縁
被膜上に導体パターンを設けてなるリードフレームに半
導体チップをダイボンディングし、前記半導体チップ上
の電極と前記導体パターン上の電極とをワイヤボンディ
ング法により接続した状態で樹脂封止し、前記導体パタ
ーンの外部へ露出した外部電極に対応する樹脂封止部分
の側面に溝を設けこの溝にメタライズ加工を施すことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35740997A JPH11186465A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35740997A JPH11186465A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186465A true JPH11186465A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18453980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35740997A Pending JPH11186465A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186465A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815613B2 (en) | 2000-09-13 | 2004-11-09 | Technologies Ag | Electronic component with external connection elements |
| JP2009194373A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置 |
| CN110225656A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-10 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种小型化印刷板的组装方法 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35740997A patent/JPH11186465A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815613B2 (en) | 2000-09-13 | 2004-11-09 | Technologies Ag | Electronic component with external connection elements |
| DE10045534B4 (de) * | 2000-09-13 | 2005-03-17 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Außenanschlußelementen ausgebildet als Kapillarelement, Verfahren zur Herstellung und Anordnung |
| JP2009194373A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置 |
| CN110225656A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-10 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种小型化印刷板的组装方法 |
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