JPS621250A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS621250A JPS621250A JP13956185A JP13956185A JPS621250A JP S621250 A JPS621250 A JP S621250A JP 13956185 A JP13956185 A JP 13956185A JP 13956185 A JP13956185 A JP 13956185A JP S621250 A JPS621250 A JP S621250A
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- Japan
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- metallic
- semiconductor element
- stem
- solder
- metal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に金属キャンケースを用いた半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
従来のキャンケースを用いた半導体装置は、第２図の断
面図に示すように、金属ステム外被体１１の内部に充填
したガラス３により、金属ステム外被体１１と絶縁して
外部取り出しり−ド２，２を設けてなるステムベース上
に、半導体素子４を金合金系ソルダ５でｉワントし、さ
らに、半導体素子４０表面電極と外部取り出しリード２
，２の頂部およびステムベース上の半導体素子４のマウ
ント部近傍との間を金属細線６，６および７によりボン
ディングした後、金属キャップをかぶせ気密封止して形
成されていた。
面図に示すように、金属ステム外被体１１の内部に充填
したガラス３により、金属ステム外被体１１と絶縁して
外部取り出しり−ド２，２を設けてなるステムベース上
に、半導体素子４を金合金系ソルダ５でｉワントし、さ
らに、半導体素子４０表面電極と外部取り出しリード２
，２の頂部およびステムベース上の半導体素子４のマウ
ント部近傍との間を金属細線６，６および７によりボン
ディングした後、金属キャップをかぶせ気密封止して形
成されていた。
上述した従来の半導体装置は、半導体素子をマウントす
る金合金系ソルダが金属面とよく濡れるため、金属ステ
ムベース面の半導体素子マウント部近傍まで広く流出し
ていた。そのために、ステムベース上面に金属細線をボ
ンディングする場合、流出したソルダ面上にボンディン
グすると、ボンディング強度劣化が起こりやすく、その
ため、流出したソルダ面を避けて、ボンディングしなけ
れハナラない。その結果、金棒細線がステムベース面に
ボンディングできる箇所が半導体素子から遠距離で、し
かも一定位置でなくなり、作業の自動化が困難であった
。また、ボンディングされた金属細線が長くなるため、
特に高周波帯用デバイスにおいて、高周波特性の劣化が
生じるという問題があった。
る金合金系ソルダが金属面とよく濡れるため、金属ステ
ムベース面の半導体素子マウント部近傍まで広く流出し
ていた。そのために、ステムベース上面に金属細線をボ
ンディングする場合、流出したソルダ面上にボンディン
グすると、ボンディング強度劣化が起こりやすく、その
ため、流出したソルダ面を避けて、ボンディングしなけ
れハナラない。その結果、金棒細線がステムベース面に
ボンディングできる箇所が半導体素子から遠距離で、し
かも一定位置でなくなり、作業の自動化が困難であった
。また、ボンディングされた金属細線が長くなるため、
特に高周波帯用デバイスにおいて、高周波特性の劣化が
生じるという問題があった。
本発明の半導体装置では、ステムベース上の半導体素子
マウント部と金属細線でボンディングされる箇所との間
に１マウント用ソルダの流出を阻止するための貫通孔が
前記ステムベースの金属ステム外被体にあけられている
。
マウント部と金属細線でボンディングされる箇所との間
に１マウント用ソルダの流出を阻止するための貫通孔が
前記ステムベースの金属ステム外被体にあけられている
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）よりなる金属ステム
外被体ｌには、プレス加工にて成形された長円状の貫通
孔９，９を有してお如、外被体ｌの内部に充填されたホ
ウケイ酸ガラス３でもって、コバールよりなる外部取り
出しリード２．２が共にシールされ、貫通孔９．９には
ガラス３で充満されている。
外被体ｌには、プレス加工にて成形された長円状の貫通
孔９，９を有してお如、外被体ｌの内部に充填されたホ
ウケイ酸ガラス３でもって、コバールよりなる外部取り
出しリード２．２が共にシールされ、貫通孔９．９には
ガラス３で充満されている。
このステムベースに半導体素子４をＡｕ−８ｉ。
Ａｕ−ａｎ等からなる金合金系ソルダ５でマウントし、
半導体素子の表面電極と外部取り出しり−ド２゜２の頂
部及び金属ステムベース面上へＡｕ、Ａ／等の金属細線
６，６．７にてボンディングされた組立品に、Ｆｅ、ｒ
ｅ系合金、キエプロニッケル等からなる金属キャップ８
と抵抗溶接にて気密封止された構造をしている。
半導体素子の表面電極と外部取り出しり−ド２゜２の頂
部及び金属ステムベース面上へＡｕ、Ａ／等の金属細線
６，６．７にてボンディングされた組立品に、Ｆｅ、ｒ
ｅ系合金、キエプロニッケル等からなる金属キャップ８
と抵抗溶接にて気密封止された構造をしている。
半４体−素子４を金合金系ソルダ５にてマウントする際
には、金合金系ソルダ５が金属面とよく濡れるために半
導体素子４０周辺に流出するが、金合金系ソルダ５は絶
縁体であるガラスと謂れないという性質から、金合金系
ソルダ５の流出はガラス面となっている貫通孔部と金属
ステムベース部との境界で防ぐことができ、ソルダ流出
の範囲が抑制された半導体装置を作成することができる
。
には、金合金系ソルダ５が金属面とよく濡れるために半
導体素子４０周辺に流出するが、金合金系ソルダ５は絶
縁体であるガラスと謂れないという性質から、金合金系
ソルダ５の流出はガラス面となっている貫通孔部と金属
ステムベース部との境界で防ぐことができ、ソルダ流出
の範囲が抑制された半導体装置を作成することができる
。
以上説明したように、本発明は金属ステム外被体に貫通
孔を設けて、半導体素子をマウントする際のソルダ流出
ｔｌｎぐことができることにより、半導体素子から金属
ステムベース面に金属細線にてボンディングする場合、
定位置にボンディングすることができ、ボンディングの
自動化が可能となる。また、ボンディング距膣も短くす
ることが可能となり、高周波帝用デバイスの特性面にお
いても信頼性の高いものを得ることができる。
孔を設けて、半導体素子をマウントする際のソルダ流出
ｔｌｎぐことができることにより、半導体素子から金属
ステムベース面に金属細線にてボンディングする場合、
定位置にボンディングすることができ、ボンディングの
自動化が可能となる。また、ボンディング距膣も短くす
ることが可能となり、高周波帝用デバイスの特性面にお
いても信頼性の高いものを得ることができる。
また本発明は、実施例に示したような貫通孔の形状に限
定されることがないことは、いうまでもない。
定されることがないことは、いうまでもない。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
のキャンケース入りの半導体装置の断面図である。 １．１１・・・・・・金属ステム外被体、２・旧・・外
部取り出しリード、３・・・・・・ガラス、４・・・・
・・半導体素子、５・・・・・・金合金系ソルダ、６，
７・旧・・金属細線、８・・・・・・金属キャップ、９
・・・・・・貫通孔。
のキャンケース入りの半導体装置の断面図である。 １．１１・・・・・・金属ステム外被体、２・旧・・外
部取り出しリード、３・・・・・・ガラス、４・・・・
・・半導体素子、５・・・・・・金合金系ソルダ、６，
７・旧・・金属細線、８・・・・・・金属キャップ、９
・・・・・・貫通孔。
Claims (1)
- 金属ステム外被体内に充填したガラスにより前記金属ス
テム外被体と絶縁した外部取出しリードを有するステム
ベース上面に半導体素子をマウントし、この素子電極と
前記外部取り出しリードおよび前記ステムベース上面と
の間を金属細線で接続し、金属キャップをかぶせて気密
封止してなる半導体装置において、前記ステムベース上
の半導体素子マウント部分から金属細線接続部に流出す
る接着ソルダの流出阻止用の貫通孔が、前記金属ステム
外被体にあけられていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13956185A JPS621250A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13956185A JPS621250A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621250A true JPS621250A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15248130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13956185A Pending JPS621250A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621250A (ja) |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13956185A patent/JPS621250A/ja active Pending
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